电力电子复习题 (第五版)
电力电子技术(王兆安第五版)课后习题全部答案
电力电子技术
2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？
答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区，也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。
2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？
答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。
2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？
答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 要使晶闸由导通变为关断， 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
2-4 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 1、I 2、I 3。
解：a) I d1=Im 2717.0)122(2Im )(sin Im 21
4≈+=
⎰πωπ
π
π
t
I 1=Im 4767.021
432Im )()sin (Im 21
4
2≈+=
⎰
πϖπ
ππ
wt d t
b) I d2=Im 5434.0)122(2Im )(sin Im 1
西安交通大学《电力电子技术(第5版)》(试题及其解答)
3．（6 分）绘制升降压斩波电路的电路图，分析其工作原理，并推导输入输出电
压关系式。 4．（8 分）单相交流调压电路带阻感负载，如果控制角 α 大于负载阻抗角 φ，稳 态时 α 的移相范围是多少电角度？如果控制角 α 小于负载阻抗角 φ，稳态时晶 闸管 VT1 和晶闸管 VT2 的导通时间分别是多少电角度？α 小于 φ 的情况下，对 晶闸管驱动脉冲宽度有何要求？为什么？
而直接接到负载，即把直流电逆变为某一频率或可调频率的交流电供给负载，
共 4页 第1页
称为
。
7．（3 分）中点钳位型三电平逆变电路，直流侧电压为 Ud，则其输出相电压中
的电平分别
，
和
。
8．（4 分）根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况，PWM 调制方式可
分为
和
。一般为综合两种方法的优点，在低频输出时
IH。
3．（5 分）晶闸管的电气图形符号是
，门极可关断晶闸管的电气图
形符号是
，电力晶体管的电气图形符号是
，绝缘栅双
极型晶体管的电气图形符号是
，电力场效应晶体管的电气图形符
号是
。
4．（3 分）三相桥式全控整流电路，带电阻负载时，其角的移相范围为
；
带阻感负载（电感极大）时，其角的移相范围为
，其交流侧电流中所
器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为
电力电子技术(王兆安第五版)课后习题全部答案
答1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。
3-9．三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法，a、b两相的自然换相点是同一点吗？如果不是，它们在相位上差多少度？
答：三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法，a、b两相之间换相的的自然换相点不是同一点。它们在相位上相差180°。
3- 10．有两组三相半波可控整流电路，一组是共阴极接法，一组是共阳极接法，如果它们的触发角都是，那末共阴极组的触发脉冲与共阳极组的触发脉冲对同一相来说，例如都是a相，在相位上差多少度？
电力电子技术
2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？
答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。
电力电子技术(王兆安第五版)课后习题全部答案
因此，在电源电压 u2 的一个周期里，以下方程均成立：
L d id dt
2U2 sint
考虑到初始条件：当
＝0 时 id＝0 可解方程得：
id
2U2 (1 cost) L
2
I d
1 2
2 0
2U2 (1 cost)d(t) L
ud 与 id 的波形如下图：
=
u2
解：额定电流 IT(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值 I=157A,由上题计算结果知
1
I 329.35
a)
Im1 0.4767
A,
Id1 0.2717Im1 89.48A
b)
I 232.90A, Im2 0.6741
Id2 0.5434I m2 126.56A
电力电子技术
2-1 与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高 压和大电流的能力？
答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高 了二极管的通流能力。
2.电力二极管在 P 区和 N 区之间多了一层低掺杂 N 区，也称漂移区。低掺杂 N 区由于掺杂 浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂 N 区就可以承 受很高的电压而不被击穿。
3
电力电子技术(王兆安第五版)课后习题全部答案
电力电子技术
2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？
答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显着提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。
2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？
答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。
2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？
答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。要使晶闸由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
2-4 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。
解：a) I d1=
Im
2717
.0
)1
2
2
(
2
Im
)
(
sin
Im
2
1
4
≈
+
=
⎰π
ω
π
π
π
t
I1=
Im
4767
.0
2
1
4
3
2
Im
)
(
)
sin
(Im
2
1
4
2≈
+
=
⎰π
ϖ
π
π
π
wt
d
t
b) I d2=
Im
5434
.0
)1
2
2
(
2
Im
)
(
sin
Im
1
4
=
+
=
⎰wt
d t
π
π
ϖ
π
I2=
Im
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(完整版)电力电子技术(王兆安第五版)课后习题全部答案
电力电子技术
2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？
答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。
2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？
答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。
2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？
答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。要使晶闸由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
2-4 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。
解：a) I d1=
Im
2717
.0
)1
2
2
(
2
Im
)
(
sin
Im
2
1
4
≈
+
=
⎰π
ω
π
π
π
t
I1=
Im
4767
.0
2
1
4
3
2
Im
)
(
)
sin
(Im
2
1
4
2≈
+
=
⎰π
ϖ
π
π
π
wt
d
t
b) I d2=
Im
5434
.0
)1
2
2
(
2
Im
)
(
sin
Im
1
4
=
+
=
⎰wt
d t
π
π
ϖ
π
I2=
Im
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电力电子应用技术 第5版答案 第6章 思考题和习题
1.试说明PWM控制的基本原理。
答：脉宽调制（PWM）。控制方式就是对逆变电路开关器件的通断进行控制，使输出端得到一系列幅值相等的脉冲，用这些脉冲来代替正弦波或所需要的波形。也就是在输出波形的半个周期中产生多个脉冲，使各脉冲的等值电压为正弦波形，所获得的输出平滑且低次斜波谐波少。按一定的规则对各脉冲的宽度进行调制，即可改变逆变电路输出电压的大小，也可改变输出频率。
在采样控制理论中有一个重要的结论，即冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上，其效果基本相同。冲量既指窄脉冲的面积。这里所说的效果基本相同。是指该环节的输出响应波形基本相同。如把各输出波形用傅里叶变换分析，则它们的低频段特性非常接近，仅在高频段略有差异。
根据上面理论我们就可以用不同宽度的矩形波来代替正弦波，通过对矩形波的控制来模拟输出不同频率的正弦波。
例如，把正弦半波波形分成N等份，就可把正弦半波看成由N个彼此相连的脉冲所组成的波形。这些脉冲宽度相等，都等于π／n ，但幅值不等，且脉冲顶部不是水平直线，而是曲线，各脉冲的幅值按正弦规律变化。如果把上述脉冲序列用同样数量的等幅而不等宽的矩形脉冲序列代替，使矩形脉冲的中点和相应正弦等分的中点重合，且使矩形脉冲和相应正弦部分面积（即冲量）相等，就得到一组脉冲序列，这就是PWM波形。可以看出，各脉冲宽度是按正弦规律变化的。根据冲量相等效果相同的原理，PWM波形和正弦半波是等效的。对于正弦的负半周，也可以用同样的方法得到PWM波形。
2.单极性和双极性PWM调制有什么区别？
答：单极性调制时，调制波为正弦波电压，载波在正半周时为正向三角波，负半周时为负向三角波。主电路输出电压正半周为正向SPWM波形，负半周为负向SPWM波形，其瞬时有三种+U d、0V、-U d。
《电力电子技术》习题答案(第五版,王兆安,刘进军主编)
第2章 电力电子器件 1. 使晶闸管导通的条件是什么？
答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：u AK >0且u GK >0。
2. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？
答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
3. 图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 1、I 2、I 3。
00
2π2π
2π
πππ4
π
4
π2
5π4a)
b)
c)
图1-430
图1-43 晶闸管导电波形
解：a) I d1=
π
21
⎰π
πωω4
)(sin t td I m =
π2m
I (
12
2+)≈0.2717 I m I 1=
⎰π
πωωπ
4
2
)()sin (21
t d t I m =2m I π
21
43+
≈0.4767 I m b) I d2 =
π
1
⎰π
πωω4
)(sin t td I m =
π
m
I (122+)≈0.5434 I m I 2 =
⎰
π
πωωπ
4
2)()sin (1
t d t I m =
22m I π
2143+≈0.6741I m
c) I d3=
π
21
⎰20
)(π
ωt d I m =
41 I m I 3 =
⎰
20
2
)(21πωπ
t d I m =
2
1 I m 4. 上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶闸管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少？这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少?
电力电子技术(王兆安第五版)课后习题全部答案
电力电子技术
2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？
答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。
2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？
答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。
2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？
答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。要使晶闸由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
2-4 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。
解：a) I d1=
Im
2717
.0
)1
2
2
(
2
Im
)
(
sin
Im
2
1
4
≈
+
=
⎰π
ω
π
π
π
t
I1=
Im
4767
.0
2
1
4
3
2
Im
)
(
)
sin
(Im
2
1
4
2≈
+
=
⎰π
ϖ
π
π
π
wt
d
t
b) I d2=
Im
5434
.0
)1
2
2
(
2
Im
)
(
sin
Im
1
4
=
+
=
⎰wt
d t
π
π
ϖ
π
I2=
电力电子技术第五版试题与答案4套
《电力电子技术》试题⑴
一、填空（30分）
1、双向晶闸管的图形符号是 ______ ，三个电极分别是_______, ____ 和______ ;双向晶闸管的的触发方式有、、、.O
2、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 _________ °三相半波可控整流电路中，晶闸管
承受的最大反向电压为_________ O （电源相电压为U2）
3、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用_________
_______ 触发；二是用__________________ 触发。
4、在同步电压为锯齿波的触发电路中，锯齿波底宽可达 __________ 度；实际移相才能达________ 度。
5、异步电动机变频调速时，对定子频率的控制方式有 _________、________ 、 _________ 、 ___________ °
6、软开关电路种类很多，大致可分成 _______ 电路、______ 电路两大类。
7、变流电路常用的换流方式有 _________ 、_______ 、_______、________ 四种。
8、逆变器环流指的是只流经 ________ 、_______ 而不流经_________ 的电流，环流可在电路中加________ 来
限制。
9、提高变流置的功率因数的常用方法有 _____________ 、 ______________________ 、 ___________ °
10、绝缘栅双极型晶体管是以 _________________ 作为栅极，以__________________ 作为发射极与集电极复
电力电子技术(王兆安第五版)课后习题全部答案
电力电子技术答案
2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。
2-2.使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。
2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降
到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流
最大值均为I
m ，试计算各波形的电流平均值I
d1
、I
d2
、I
d3
与电流有效值I
1
、I
2
、I
3
。
解：a) I
d1=
Im
2717
.0
)1
2
2
(
2
Im
)
(
sin
Im
2
1
4
≈
+
=
⎰π
ω
π
π
π
t
I
1=
Im
4767
.0
2
1
4
3
2
Im
)
(
)
sin
(Im
2
1
4
2≈
+
=
⎰π
ϖ
π
π
π
wt
d
t
b) I
d2=
Im
5434
.0
)1
2
2
(
2
Im
)
(
sin
Im
1
4
=
+
=
⎰wt
d t
π
π
ϖ
π
I 2=
Im
6741
.0
2
电力电子应用技术 第5版答案 第4章 思考题和习题
思考题和习题
1.双向晶闸管额定电流的定义和普通晶闸管额定电流的定义有什么不同？额定电流为100A 的两只普通晶闸管反并联可用额定电流多大的双向晶闸管代替？
晶闸管的额定电流参数是在规定的条件下，晶闸管稳定结温不超过额定结温时所允许的最大工频正弦半波电流的平均值。
双向晶闸管通常用在交流电路中，因此不用平均值而用有效值来表示其额定电流值。
额定电流为100A 的两只普通晶闸管反并联可用额定电流222.14A 的双向晶闸管代替。
2.如图4-4所示为单相交流调压电路，U i =220V ，L =5.516 mH ，R =1Ω，试求：
（1）触发延迟角的移相范围。
（2）负载电流的最大有效值。
（3）最大输出功率及此时电源侧的功率因数。
(4) 当α=π/2时，晶闸管电流有效值、晶闸管导通角和电源侧功率因数。 解：（1）3πωϕ==R L arctg
触发延迟角的移相范围：πϕπ≤≤3 （2）A Z
U 110I i m == （3）kw R I m 21.1P 2m == 5.0==i
m m U I P λ （4）查图4-6，得导通角 ︒≈135θ ()()A 92.61cos )2cos(sin )(sin sin 212tan =++-=⎪⎭⎪⎬⎫⎪⎩
⎪⎨⎧⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡---=⎰+-ϕθϕαθθπωϕαϕωπθααϕωαZ
U t d e t Z U I i t i o 28.02==i
o o U I R I λ
3.一台220V 、10kW 的电炉，采用晶闸管单相交流调压，现使其工作在5 kW ， 试求电路的触发延迟角α、工作电流及电源侧功率因数。
国网考试之电路：电路第五版期末复习题选择题
1、图3中所示的电流I 为（C ）。
A. —2A
B. —1A
C. 1A
D. 2A
图3 图4 2、图3中10V 电压表的功率是（A ） 。
A. W 30-
B.10W
C. W 30
D. W 40
3、图4所示，已知I=2A ，u ab =6V, R=（A ）。
A. 3Ω
B. 6Ω
C. 2Ω
D. 4Ω 4、如图5所示，理想变压器匝数比为10：1，2U
=（D ）
A. 100V
B. —100V
C. -10V
D. 10V 图5 图6
5、如图6所示，已知R=XL=XC ，A1=10A ， A2 ，A3电流表的读数分别为（ B ） A. 10A ，10A B. 14.1A ，10A C. 10A ，14.1A D.10A ，14A
6、图7所示电压波形可用阶跃函数表示为（C ）。 A. 2()(1)t t εε-+- B. 2()3(1)(3)t t t εεε-++-+ C. 2()3(1)(3)t t t εεε-+--- D. 2()3(1)t t εε-+-
图7 图8
7、图8所示电路中，开关S 断开时，电路呈电阻性，则当开关S 闭合时，电路呈（C ）。 A ．电阻性 B ．电感性 C ．电容性 D ．谐振状态 8、图9示电路的时间常数为（ B ）。
A ． 2s
B ． 0.5s
C ．4s
D ．0.25s
S u +
-
图9
9、对于电感元件，下列表达式中正确的是( D )。
A ．d d L
L u i L t = B ．j L L I LU ω= C ．j L L I LU ω= D ．j L L U LI ω=
电力电子技术(王兆安第五版)课后习题全部答案
电力电子技术
2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？
答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。
2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？
答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。
2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？
答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。要使晶闸由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
2-4 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。
解：a) I d1=
Im
2717
.0
)1
2
2
(
2
Im
)
(
sin
Im
2
1
4
≈
+
=
⎰π
ω
π
π
π
t
I1=
Im
4767
.0
2
1
4
3
2
Im
)
(
)
sin
(Im
2
1
4
2≈
+
=
⎰π
ϖ
π
π
π
wt
d
t
b) I d2=
Im
5434
.0
)1
2
2
(
2
Im
)
(
sin
Im
1
4
=
+
=
⎰wt
d t
π
π
ϖ
π
I2=
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一、 填空题(25分)
.同一晶闸管，维持电流I H 与擎住电流I L 的数值大小上有I L > I H 。
1． 功率集成电路PIC 分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是智能功率集成电路。
2． 晶闸管断态不重复电压U DSN 与转折电压U BO 数值大小上应为，U DSM < U BO 。
3． 电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm 等于2U 2，设U 2为相电压有效值。
4． 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差180°。
5． 对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使输出电压平均值降低。
6． 晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R 是均压措施。
7． 三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有Y 、Δ二种方式。
8． 抑制过电压的方法之一是用RC 吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。 10．180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在同一桥臂的上、下二个开关元件之间进行。
11．改变SPWM 逆变器中的调制比，可以改变输出电压基波的幅值。
12．为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是平台。
13．恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是减小存储时间。
14．功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用快速恢复型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
15.晶闸管是三端器件，三个引出电极分别为：阳极、阴极和门极。
22.处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极承受正向电压，且门级有触发电流时，才能使其开通。
23.晶闸管额定通态平均电流I VEAR 是在规定条件下定义的，条件要求环境温度为40℃。
24.在晶闸管单相半波可控整流电路中，从晶闸管开始承受正向电压算起，到触发脉冲到来时刻为止，这段时间的电角度称为触发角。
25.在电感性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为2.452U 。
26.三相全控桥的共阴极组要求触发脉冲以120°为间隔，依次在电源电压的正半周触发共阴极组的各晶闸管。
27.在输入相同幅度的交流电压和相同控制角的条件下，三相可控整流电路比单相可控整流电路可获得较高的输出电压。
28.有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回电网的逆变电路。
29.逆变器可分为无源逆变器和有源逆变器两大类。
30.有源逆变产生的条件之一是：变流电路输出的直流平均电压U d 的极性必须保证与直流电源电势E d 的极性成反极性相连，且满足|U d |<|E d |。
31.三相桥式全控变流电路的同步相控触发电路，分为垂直控制和横向控制二种方式。
32.SPWM 有两种调制方式：单极性和双极性调制。
33.斩波器的时间比控制方式分为定宽调频、定频调宽、混合调宽三种方式。
34.载波比(又称频率比)K 是PWM 主要参数。设正弦调制波的频率为f r ，三角波的频率为f c ，则载波比表达式为K=r c f /f 。
35.DC/DC 变换的两种主要形式为逆变整流型和斩波电路控制型。
1. 处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极加正向电压，且在门极加正向触发电压时，才能使其开通。
2. 造成在不加门极触发控制信号，即能使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素。一是阳极的电压上升率du/dt 太快，二是阳极电压过高。
3. 功率集成电路PIC 分为二大类，一类是智能功率集成电路，另一类是高压集成电路。
4. 单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角a 大于不导电角δ时，晶闸管的导通角Ø=π-α-δ。
5.将直流电能转换为交流电能又馈送回交流电网的逆变电路称为有源逆变器。
6.确定最小逆变角βmin 要考虑的三个因素是晶闸管关断时间t af 所对应的电角度δ，安全裕量角Ø0和换向重叠角γ。
7. 三相全控桥式有源逆变电路，每个晶闸管导通角1200，每隔60°产生一次换相。
8. RC 电路可用作直流侧的过电压保护元件。
9. 金属氧化物非线性压敏电阻可作为过电压保护元件。
10. 晶闸管变流器主电路要求角发电路的触发脉冲应具有一定的宽度，且前沿尽可能陡。
11. 电流型逆变器中间直流环节以电感贮能。
12. 电流源型逆变器的输出电流波形为矩形波。
13. 在PWM 斩波器中，电压比较器两个输入端信号分别是三角波信号和直流信号。
14. 在升压斩波电路中，已知电源电压U d =16V,导通比3
1 Kv ,则负载电压U 0=24V 。 15. 功率晶体管的驱动电路，一般有恒流驱动电路和比例驱动电种型。
二、 单项选择题（10分）
在每小题烈出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。
16.已经导通了的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ ① ）
①减小至维持电流I H 以下 ②减小至擎住电流I L 以下
③减小至门极触发电流I G 以下 ④减小至5A 以下
17.功率晶体管的安全工作区由以下四条曲线限定:集电极-发射级允许最高击穿电压线,集电极最大允许直流功率线,集电极最大允许电流线和( ④ )
①基极最大允许直流功率线 ②基极最大允许电压线
③临界饱和线 ④二次击穿触发功率线
18.对于同一晶闸管,维持电流I H 与擎住电流I L 的关系是( ② )
①I H ≈(2~4)I L ②I L ≈(2~4) I H ③I H =I L ④I H ≥I L
19.可关断晶闸管，（GTO ）的电流关断增益βaff 的定义式为（ ① ） ① min G A I I - ②A
G I I min - ③
A G I I -m i n ④min G A I I - 20. 单相半波可控整流电路中，晶闸管可能承受的反向峰值电压为（ ② ）
①U 2 ②22U ③222U ④26U
21. 单相半控桥式整流电阻性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是（ ④ ）
①90° ②120° ③ 150° ④180°
22. 单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是（ ④ ）
①增加晶闸管的导电能力 ②抑制温漂
③增加输出电压稳定性 ④防止失控现象的产生
23. 电阻性负载二相半波可控整流电路，控制角a 的范围是（ ④ ）
①30°~150° ②0°~120° ③15°~125° ④0°~150°
24. 三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，处于关断状态的晶闸管承受的的反向电压
的期间角为（ ④ ）
①120° ②120°—β ③180°—β ④β
25. 在三相全控式变流电路直流电动机托动系统中，当a> 时，网侧功率因数为
（ ① ）
①0cos <ϕ ②0cos >ϕ ③0cos =ϕ ④ϕcos 正负不定
26. 三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，输出电压平均值U d 的表达式是（ ① ） ①U d =- 2.34U 2cos β ②U d =1.17U 2cos β
③U d = 2.34U 2cos β ④U d =-0.9U 2cos β
27.可在第二象限工作交流电路是（ ③ ）
①单相全控桥 ②单相半控桥