晶体硅太阳电池及其材料
晶体硅太阳能电池原理与制造工艺
晶体硅太阳能电池原理与制造工艺
晶体硅太阳能电池原理与制造工艺1.硅太阳能电池丄作原理与结构太阳能电池发电的原理主要是半导体的光电效应一般的半导体主要结构如图1-1:图1-1 半导体
主要结构正电荷表示硅原子负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子当硅晶体中
掺入其他的杂质如硼、磷等当掺入硼时硅晶体中就会存在着一个空穴它的形成可以参照图1-2o图1-2 P型半导体正电荷表示硅原子负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子黃色表示掺入的硼原子因为硼原子周围只有3个电子所以就会产生如图1-2所示的蓝色的空穴这个空穴因为没有电子而变得很不稳定容易吸收电子而中和形
成Ppositive型半导体。同样掺入磷原子以后因为磷原子有五个电子所以就会有一个电子变得非常活跃形成Nnegative型半导体。黄色的为磷原子核红色的为多余的电子。如图1-3所示。图1-3 '型半导体正电荷表示硅原子负电荷表示圉绕在硅原子旁边的四个电子黃色表示掺入的磷原子当P型和'型半导体结合在一起时在两种半导体的交界面区域里会形成一个特殊的薄层界面的P型一侧带负电'型一侧带正电。这是由于P型半导体多空穴X型半导体多自由电子出现了浓度差。N区的电子会扩散到P
P的“内电场”从而阻止扩区P区的空穴会扩散到N区一旦扩散就形成了一个由N指向
散进行如图1-4所示。达到平衡后就形成了这样一个特殊的薄层形成电势差这就是P\结。图1-4内电场的形成当晶片受光后PN结中N型半导体的空穴往P 型区移动而P型区中的电子往X型区移动从而形成从X型区到P型区的电流。然后在P\结中形成电势差这就形成了电源。如图1-5所示图1 -5硅太阳电池结构示意图由于半导体
晶体硅太阳能电池结构及原理
晶体硅太阳能电池的市场前景
随着对可再生能源的需求不断增加,晶体硅太阳能电池在未来的市场前景非 常广阔。它们被广泛应用于建筑、交通、通信和电力行业,为可持续发展做 出了重要贡献。
晶体硅太阳能电池结构及原理
晶体硅太阳能电池是最常见和广泛应用的太阳能电池类型之一。本节将介绍 晶体硅太阳能电池的基本结构和工作原理,以及其在能源行业的重要性和应 用。
晶体硅太阳能电池的基本结构
晶体硅太阳能电池由多个层次的组件构成,包括抗反射涂层、正极电极、硅 基底、负极电极和保护层。每个组件在电池的工作中扮演着不同的角色,使 得太阳能电能可以高效地转化为电能。
晶体硅太阳能电池的工作原理
晶体硅太阳能电池通过光电效应将太阳光转化为电能。当光子击中电池的表 面时,它们会激发硅中的电子。这些激发的电子会被电场收集,并沿电池的 电路产生电流。
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晶体硅太阳能电池制造过程
晶体硅太阳能电池的制造过程包括多个步骤,如硅晶片的生长、切割和抛光,抗反射涂层的涂覆,电极的薄膜 沉积和加工,以及最终的封装和测试。
晶体硅太阳能电池的性能特点
晶体硅太阳能电池具有高效率、可靠性和长寿命的特点。它们在各种气候条 件下都能发电,并且能够在户用、商用和工业领域广泛应用。
晶体硅太阳能电池的发展趋势
晶体硅太阳能电池的发展正朝着更高效、更薄、更柔性和更具可持续性的方向发展。新的技术和材料正在被研 发,以提高晶体硅太阳能电池的性能并降低成本。
晶硅太阳能电池工作原理
晶硅太阳能电池工作原理
晶硅太阳能电池是一种光电转换装置,利用太阳光的能量直接转化成电能。
具体的工作原理如下:
1. 光吸收:太阳光中的光子进入到晶硅电池中,经过材料的光吸收层,光子能量被吸收。
2. 光生电荷的产生:光子的能量激发了材料中的电子,使其从价带跃迁到导带,形成电荷对(一个正电子和一个负电子空穴)。
3. 电荷分离:电荷对在电场的作用下被分离,正电子向电池的正极移动,负电子向电池的负极移动。
4. 电流输出:正电子和负电子的运动形成了电流,可以通过导线连接器来输出电能供应给外部电路使用。
5. 光子再生:涉及到材料的光子能量的损失或再生,如透射、散射或再吸收过程。
需要注意的是,晶硅太阳能电池的工作原理基于半导体材料的特性,光吸收层一般由p-n结构的硅片构成。此外,电池的电流输出和电压的大小与光照强度、温度、阴影等环境因素也有关联。
晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池。
晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池。
【摘要】
晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池是目前主流的太阳能电池技术。晶体硅太阳能电池采用单晶硅或多晶硅制成,具有高转换效率和较长寿命的特点,广泛应用于家用光伏发电系统和大型光伏电站。制造成本高和生产过程能耗大是其主要缺点。薄膜太阳能电池利用薄膜材料制成,具有灵活性和轻便性,适用于建筑一体化等特殊场景。但是转换效率较低,使用寿命短。比较晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池的效率、成本、适用场景等方面可见各有优劣。未来,随着技术的进步和成本的下降,晶体硅和薄膜太阳能电池将继续发展,为清洁能源产业注入新动力。
【关键词】
晶体硅太阳能电池、薄膜太阳能电池、原理、特点、应用、优缺点、比较、发展前景、总结。
1. 引言
1.1 太阳能电池简介
太阳能电池,也称为光伏电池,是一种能够将太阳能转化为电能的设备。它是利用半导体材料的光电效应将太阳辐射直接转换为直流电的装置。太阳能电池是清洁能源中的重要组成部分,具有环保、可再生和低碳的特点。
太阳能电池的核心部件是光伏电池片,其主要材料包括硅、硒化镉、铜铟镓硒等。目前市场上主要有晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池两类。晶体硅太阳能电池具有较高的转换效率和稳定性,是目前主流的太阳能电池技术;而薄膜太阳能电池则具有柔性、轻便和生产成本低的优势。
太阳能电池的应用领域广泛,包括家用光伏发电系统、工业和商业用途,以及航天航空领域等。随着太阳能产业的快速发展,太阳能电池的效率和成本不断提升,未来将在能源领域扮演越来越重要的角色。
1.2 晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池介绍
太阳能电池及材料
太阳能电池及材料
硅太阳能电池是目前最为常见和成熟的太阳能电池技术。硅是一种常
见的半导体材料,具有良好的光吸收特性。硅太阳能电池可分为单晶硅、
多晶硅和非晶硅三种形式。
单晶硅太阳能电池是利用单晶硅片制成的。它由高纯度的硅晶体生长
而成,因此具有较高的转换效率。然而,由于生产工艺复杂,成本较高,
因此价格也相对较贵。多晶硅太阳能电池则由多个硅晶体拼接而成,虽然
转换效率较低,但制造成本较低,价格较为适中。非晶硅太阳能电池则由
氧化硅和氢化硅等制成,虽然转换效率较低,但具有较好的柔性和透明性。
钙钛矿太阳能电池是近年来兴起的新型太阳能电池技术。钙钛矿是一
种由钙钛矿矿物所组成的材料,具有优异的光电转换性能。钙钛矿太阳能
电池具有高效率、低成本、制造工艺简单等优点,因此备受关注。然而,
由于钙钛矿材料稳定性的问题以及含有有毒重金属铅等,仍需要进一步研
究和改进。
有机太阳能电池是利用有机材料制成的太阳能电池。有机材料一般是
通过聚合物合成,具有较好的柔性和可塑性。有机太阳能电池制造工艺简单,成本低廉,因此备受关注。然而,由于有机材料的稳定性和寿命较短,其转换效率相对较低,仍需进一步改进。
除了以上所述的主要材料,太阳能电池还包括导电电极材料、光伏层
材料以及背电极等。导电电极材料一般采用金属材料,如铝、银等,用于
导电和收集光电流。光伏层材料是指用于光吸收和光电转换的材料,如硅、钙钛矿或有机聚合物等。背电极一般采用金属材料,如铝、银等,用于导
电和电子传输。
总之,太阳能电池是一种利用太阳光转化为电能的设备,它由许多光电池电池片组成。主要的材料包括硅、钙钛矿和有机材料等。硅太阳能电池是常见和成熟的技术,钙钛矿和有机太阳能电池是新兴的技术。不同材料的电池具有各自的特点和应用领域,对于太阳能产业的发展具有重要意义。未来随着技术的进步和研究的深入,太阳能电池有望在能源领域发挥更加重要的作用。
晶硅太阳能电池介绍
晶硅太阳能电池介绍
晶体硅太阳能电池(也称为硅片太阳能电池)是一种常见且广泛应用于太阳能领域的太阳能转换技术。它是利用硅片材料对光能的吸收和转化来产生电能的一个过程。
晶体硅太阳能电池主要由硅片、电极、导线和其他附件组成。硅片是电池的核心部分,也是光能的主要转换区域。硅片可分为单晶硅、多晶硅和非晶硅三种。其中,单晶硅最为常见和普遍,它的晶格排列非常有序,电池效率相对较高。
晶体硅太阳能电池的工作原理主要涉及光电效应和PN结。当光照射到硅片上时,光子会将电子从硅原子中激发出来,使其跃迁到空导带中,形成电流。此时,硅片的一个表面被掺杂为N型导电层,另一个表面被掺杂为P型电导层,两者之间形成了一个PN结。当光照射到PN结上时,电子会从N型区域流入P型区域,产生电流,同时产生电压差。这样就完成了光能到电能的转换。
晶体硅太阳能电池的优点主要有以下几个方面:
1.高效率:晶体硅太阳能电池的转换效率相对较高,可以达到20%以上,甚至高达25%。
2.长寿命:晶体硅太阳能电池的使用寿命可以达到25年以上,因此使用寿命较长,可以有效降低运维成本。
3.稳定性:晶体硅太阳能电池的稳定性较好,能够在不同环境条件下保持较高的转换效率。
4.良好的可靠性:晶体硅太阳能电池的可靠性较高,能够适应复杂多变的气候条件和环境。
5.可制造成各种形状和尺寸:晶体硅太阳能电池可以根据需求进行灵活制造,可以制作成不同形状和尺寸的太阳能板。
不过,晶体硅太阳能电池也存在一些局限性:
1.成本较高:晶体硅太阳能电池的生产成本相对较高,需要较高的投资。尽管随着技术不断进步,成本正在逐渐降低,但仍然有一定程度的限制。
晶体硅太阳电池制造技术
晶体硅太阳电池制造技术
晶体硅太阳能电池是目前应用最广泛的太阳能电池之一,其制造技术主要包括以下几个步骤:
1. 制备硅单晶材料:通过在高温环境下,将硅原料(通常为冶炼硅或多晶硅)融化并凝固形成硅单晶,然后切割成薄片。
2. 清洁处理:将硅单晶薄片进行严格的清洁处理,去除表面的杂质和有害物质。
3. 电池片制造:将清洁处理后的硅单晶薄片进行P型和N型掺杂,形成PN结构。这一步骤一般采用扩散法、离子注入法或液相浸渍法。
4. 捕获和反射层涂覆:在电池片的前表面涂覆反射层,以提高光的利用率。同时,在电池片的背面涂覆捕获层,以提高光的吸收。
5. 金属化和焊接:将电池片表面涂覆导电金属(通常为铝)和更薄的阳极面涂覆导电金属(通常为银),然后使用焊接技术将电池片连接成电池组。
6. 封装和测试:将电池组封装在透明的玻璃或塑料基板中,以保护电池组不受外界环境的影响,并进行电气性能测试和质量控制。
这些步骤是晶体硅太阳能电池制造的基本流程,具体制造技术还有其他细节和改进方法,以提高电池的效率和稳定性。
太阳能单晶硅和半导体级单晶硅
太阳能单晶硅和半导体级单晶硅
首先,太阳能单晶硅主要用于太阳能电池板的制造。它需要具
有高纯度和高晶体质量,以确保太阳能电池的高效率和稳定性。太
阳能单晶硅通常采用凝固法生长,通过从高纯度硅熔体中拉出单晶棒,再通过切割、抛光等工艺制备成片。这种工艺能够获得大尺寸、高质量的单晶硅片,但成本较高。
而半导体级单晶硅通常用于集成电路、光电子器件等半导体器
件的制造。它同样需要高纯度和高晶体质量,以确保器件的性能和
可靠性。半导体级单晶硅的制备过程更加严格,通常采用气相淀积、溅射沉积等工艺,以获得更高的纯度和更精细的晶体结构。此外,
半导体级单晶硅还需要经过更严格的加工和清洗工艺,以确保杂质
和缺陷的控制。
总的来说,太阳能单晶硅和半导体级单晶硅在用途和制备工艺
上有所不同,但它们都是高纯度、高晶体质量的单晶硅材料,在能
源和电子领域都具有重要的应用前景。
晶体硅太阳能电池的制造工艺流程
晶体硅太阳能电池的制造工艺流程
一、硅材料的准备
首先,需要获取高纯度的硅材料作为太阳能电池的基础材料。常用的
硅材料有硅硷、多晶硅和单晶硅。这些材料一般通过熔炼、洗涤和纯化等
工艺步骤进行准备,以确保材料的纯度和质量符合要求。
二、硅片的制备
在准备好的硅材料中,首先需要将硅材料熔化并形成硅棒。硅棒可以
采用单晶硅棒或多晶硅棒,通过将硅材料放入熔炉中进行熔化并慢慢降温,以获得纯度高的硅棒。
接下来,通过使用切割机将硅棒切割成很薄的硅片。这些硅片称为硅片,硅片的厚度通常为几十微米到几百微米。
三、电池片的制备
在硅片制备好后,需要对硅片进行一系列的加工工艺,以形成能够转
化太阳能的电池片。
首先,通过在硅片表面涂上磷化剂,然后将硅片放入磷化炉中进行磷
化反应,使硅片表面形成一层钙钛矿薄膜。这一步骤的目的是增加太阳能
的吸收能力。
接着,需要在硅片上涂覆一层导电膜。最常用的导电膜是铝或铝合金,在硅片表面蒸镀一层铝膜。该层铝膜将形成电场,使得硅片的上下两面形
成正负两极。
最后,通过将硅片放入扫描激光器中进行图案化处理,将电池片分成
多个小的电池单元,形成电池片。
四、组装
在制造完电池片后,还需要将电池片组装成最终的太阳能电池模块。
电池片通过焊接或粘贴在玻璃基板上,并加上前电极和后电极,形成电池
模块。同时,还需将电池模块封装起来,以保护电池片并增加光的吸收。
最后,经过严格的测试和质量检查,太阳能电池模块将会被装配成太
阳能电池板,并投入市场使用。
总结起来,晶体硅太阳能电池的制造工艺流程主要包括硅材料的准备、硅片的制备、电池片的制备和组装。这些步骤涉及到多种物理、化学和加
多晶硅太阳能电池的组成材料和作用详解
多晶硅太阳能电池的组成材料和作用详解多晶硅太阳能电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多,但是多晶硅太阳能电池的光电转换效率则要降低不少,其光电转换效率约17-18%左右。多晶硅片生产能耗低,生产过程无污染,与单晶硅太阳电池相比,多晶硅太阳电池更加经济。
从制作成本上来讲,比单晶硅太阳能电池要廉价一些,材料制造简便,节省电耗,总的生产成本较低,因此得到大量进展。此外,多晶硅太阳能电池的使用寿命也要比单晶硅太阳能电池短。
多晶硅太阳能电池的组成
多晶硅太阳能电池分别由钢化玻璃、EVA、减反射层、太阳能电池板芯片、EVA、TPT与外边框等组成。
1、钢化玻璃:其作用为爱护发电主体(电池片),透光其选用是有要求的,(1)透光率必需高(一般91%以上);(2)超白钢化处理
2、EVA:用来粘结固定钢化玻璃和发电主体(电池片),透亮EVA材质的优劣直接影响到组件的寿命,暴露在空气中的EVA易老化发黄,从而影响组件的透光率,从而影响组件的发电质量除了EVA本身的质量外,组件厂家的层压工艺影响也是特别大的,如EVA 胶连度不达标,EVA与钢化玻璃、背板粘接强度不够,都会引起EVA 提早老化,影响组件寿命。
3、电池片:主要作用就是发电,发电主体市场上主流的是晶体硅太阳电池片、薄膜太阳能电池片,两者各有优劣晶体硅太阳能电池
片,设备成本相对较低,但消耗及电池片成本很高,但光电转换效率也高,在室外阳光下发电比较相宜薄膜太阳能电池,相对设备成本较高,但消耗和电池成本很低,但光电转化效率相对晶体硅电池片一半多点,但弱光效应特别好,在一般灯光下也能发电,如计算器上的太阳能电池。
晶体硅太阳能电池制造工艺原理(一)
晶体硅太阳能电池制造工艺原理(一)
晶体硅太阳能电池制造工艺
引言
晶体硅太阳能电池是目前最常见的太阳能电池类型之一,它利用
晶体硅的半导体特性将光能转化为电能。本文将从原理到制造工艺,
逐步介绍晶体硅太阳能电池的制造过程。
光伏效应
太阳能电池的工作原理基于光伏效应,即在光照的作用下,半导
体材料中的能带发生偏移,使得电子从价带跃迁到导带,产生电流。
晶体硅是一种典型的半导体材料,因此被广泛应用于太阳能电池制造。晶体硅的制备
制造晶体硅太阳能电池的第一步是准备合适的晶体硅材料。常见
的制备方法有单晶法和多晶法。单晶法通过将硅熔体缓慢冷却,使单
晶硅逐渐生长;而多晶法则通过快速冷却制得多晶硅,它的晶粒较小,但制备成本较低。
制备电池片
1.切割:将制备好的晶体硅材料切割成薄片,常用的切割工具是金
刚石线锯。
2.研磨:用化学机械研磨(CMP)工艺对切片进行表面平整化处理,
以去除切割时产生的缺陷和污染物。
3.清洗:对研磨后的切片进行清洗处理,去除表面的污染物,提高
电池片的质量。
4.获取P型和N型半导体:将切片进行热扩散或离子注入工艺,使
得切片的一侧生成P型半导体,另一侧生成N型半导体。
制备电池结构
1.沉积透明导电膜:在电池片表面沉积一层透明导电膜,通常使用
氧化锡薄膜。
2.沉积抗反射膜:为了提高电池吸收光能的效率,需要在透明导电
膜上沉积一层抗反射膜。常用的抗反射膜材料有二氧化硅等。
3.打开电池片通孔:使用激光或机械刻蚀等方法,在电池片上打开
通孔,方便后续电池的连线。
4.沉积金属电极:在电池片的正负电极位置沉积金属电极,常用的
硅太阳能电池光伏材料
硅太阳能电池光伏材料
硅太阳能电池是一种利用光伏效应将太阳能转化为电能的设备。而硅是目前最常用的太阳能电池材料之一。本文将从硅的特性、硅太阳能电池的结构和工作原理等方面介绍硅太阳能电池光伏材料的相关知识。
硅是一种半导体材料,具有良好的导电性能和光电转换特性,因此被广泛应用于太阳能电池中。硅太阳能电池的主要材料是硅晶体,其中包括单晶硅、多晶硅和非晶硅等。单晶硅是由纯度极高的硅材料制成,具有高效率和较长寿命的优点,但制造成本较高。多晶硅是由多个晶粒组成,制造成本相对较低,但效率稍低。非晶硅是在硅基板上制成的一种非晶态薄膜材料,具有柔性和较低的制造成本,但效率相对较低。
硅太阳能电池的基本结构包括正负电极、P-N结、P型硅和N型硅等组成。其中,P型硅具有多数载流子为空穴,N型硅具有多数载流子为电子,通过P-N结的形成,使得硅太阳能电池具备了光电转换的能力。当光线照射到硅太阳能电池上时,光子的能量会导致硅中的电子跃迁,形成电子-空穴对。电子和空穴在电场作用下分别向正负电极方向移动,形成电流。这样,太阳能就被转化为了电能。
硅太阳能电池的光电转换效率是衡量其性能的重要指标。光电转换效率是指太阳能转化为电能的比例,一般以百分比表示。目前,硅
太阳能电池的转换效率已经达到了20%以上,接近其理论极限。随着科技的不断发展和研究的深入,硅太阳能电池的效率还有望进一步提高。
除了效率外,硅太阳能电池的稳定性和寿命也是重要的考虑因素。太阳能电池在长期使用过程中会受到光热、湿度、气候等环境因素的影响,因此需要具备良好的抗老化和耐腐蚀性能。此外,硅太阳能电池还需要具备良好的机械强度和耐热性能,以保证在不同环境下的可靠运行。
晶体硅太阳能电池和钙钛矿
晶体硅太阳能电池和钙钛矿
晶体硅太阳能电池和钙钛矿是目前研究和应用较为广泛的两类太阳能电池技术。晶体硅太阳能电池是一种基于晶体硅材料制造的太阳能电池,而钙钛矿太阳能电池则是利用钙钛矿材料制造的太阳能电池。两者在结构、工作原理和性能等方面存在一定的差异,但都具有重要的应用前景。
晶体硅太阳能电池是目前商业化应用最广泛的太阳能电池技术之一。其结构由P-N结构组成,包括P型硅和N型硅两个半导体材料。当光照射到晶体硅太阳能电池上时,光子能量被吸收,激发电子从P区向N区移动,形成电流。这种电流经过外部电路后,就可以驱动电子设备工作。晶体硅太阳能电池具有高转换效率、长期稳定性和可靠性强等优点,被广泛应用于屋顶光伏发电、太阳能电池板等领域。
然而,晶体硅太阳能电池也存在一些问题。首先,制造成本较高,主要是由于材料制备和加工工艺的复杂性导致的。其次,晶体硅太阳能电池对光的吸收范围有限,只能吸收太阳光谱中的一部分能量,无法充分利用太阳能资源。此外,晶体硅太阳能电池在高温环境下效率会降低,限制了其在一些地区的应用。
钙钛矿太阳能电池是近年来快速发展的新型太阳能电池技术。钙钛矿是一种具有特殊晶体结构的无机材料,具有优异的光电特性。钙
钛矿太阳能电池的工作原理是将光子能量吸收转化为电子能量,利用钙钛矿材料中的电子传导和离子传输来实现电流的产生。钙钛矿太阳能电池具有高转换效率、低制造成本和较宽的光吸收范围等优势,被视为下一代太阳能电池技术的发展方向。
然而,钙钛矿太阳能电池也存在一些挑战和问题。首先,钙钛矿材料相对不稳定,容易受潮、氧化和退化,限制了其长期稳定性和使用寿命。其次,钙钛矿太阳能电池在高温和潮湿环境下性能会下降,需要进一步改进材料和工艺。此外,钙钛矿太阳能电池的商业化应用还面临一些技术和市场的挑战,需要进一步推动研发和产业化进程。
晶体硅太阳能电池和钙钛矿
晶体硅太阳能电池和钙钛矿
晶体硅太阳能电池和钙钛矿是目前应用广泛的两种太阳能电池技术。晶体硅太阳能电池是第一代太阳能电池技术,由单晶硅或多晶硅
材料制成。而钙钛矿太阳能电池是第三代太阳能电池技术,由钙钛矿
材料制成。本文将从材料、制造工艺、效率和应用等方面对这两种太
阳能电池进行比较分析。
首先从材料方面看,晶体硅太阳能电池主要由单晶硅或多晶硅材
料组成。单晶硅材料由纯硅棒熔化后再凝固而成,具有较高的纯度。
多晶硅材料由熔化的硅料冷却后形成多晶结构,相对而言纯度较低。
而钙钛矿太阳能电池则是由钙钛矿材料制成,钙钛矿是一种具有特殊
晶体结构的矿石,材料成本相对较低。
其次从制造工艺方面看,晶体硅太阳能电池的制造工艺相对成熟,采用的是传统的矽基工艺,包括切割、退火、清洗等一系列工艺。而
钙钛矿太阳能电池的制造工艺相对较新,采用的是湿润过程,包括溶
液混合、染料涂布、烘干等工序。制造工艺的差异也导致了成本和生
产效率方面的差异。
再从电池效率方面看,晶体硅太阳能电池的效率较高,目前单晶硅的转换效率可达到20%左右,多晶硅的转换效率在15%~17%之间。而钙钛矿太阳能电池的效率也在不断提高,已经达到了20%以上的水平,并且可以通过调整材料组成和工艺优化来进一步提高效率。可以预见未来钙钛矿太阳能电池的效率有望超过晶体硅太阳能电池。
最后来看应用方面,晶体硅太阳能电池在大规模商业应用中被广泛使用,主要应用于屋顶发电、太阳能电站等领域。由于制造工艺成熟,产品稳定可靠且成本相对较低,具有较高的市场竞争力。而钙钛矿太阳能电池由于制造工艺相对较新,目前主要应用于科研和实验室阶段,但其高效率和低成本的特性使其具备较大的应用潜力,在未来有望广泛应用于电动汽车、建筑一体化光伏等领域。
晶体硅太阳能电池基本原理课件
高效利用材料
优化硅片厚度和大小,减wk.baidu.com材料 浪费。
扩大产能规模
通过规模化生产降低单位成本。
新型晶体硅太阳能电池的研究进展
异质结太阳能电池
通过不同带隙材料组合提高光谱吸收范围和光生载流子分离效率。
背接触式太阳能电池
采用背面电极设计降低串联电阻和光学损失,提高光电转换效率。
多晶硅太阳能电池
研究多晶硅材料的制备和性能优化,以提高光电转换效率和稳定性。
多晶硅太阳能电池是以多晶硅材料为原料,经过铸锭、切片、清洗、制绒、扩散 、减反射膜制备、金属化等工序后制成。其结构与单晶硅太阳能电池类似,但多 晶硅材料内部晶粒大小和分布不均匀,导致其光电转换效率相对较低。
多晶硅太阳能电池成本较低,适合大规模生产,因此在光伏发电领域应用广泛。
薄膜硅太阳能电池
薄膜硅太阳能电池具有成本低、重量轻、可弯曲等特 点,因此在便携式设备、建筑一体化等领域具有广阔 的应用前景。
详细描述
短路电流是晶体硅太阳能电池的另一个重要性能参数,它反映了电池在光照条件下产生的电流大小。 短路电流随光照强度的增强而增大,与温度的关系不大。在理想情况下,短路电流应等于光生电流与 二极管饱和电流之和。
填充因子
总结词
填充因子是指太阳能电池的最大输出功率与开路电压和短路电流乘积的比值。
详细描述
薄膜硅太阳能电池是一种新型的太阳能电池,其结构 与单晶硅和多晶硅太阳能电池有所不同。它采用硅基 薄膜作为吸光层,通常采用化学气相沉积或物理气相 沉积等方法制备。
晶体硅太阳能电池结构及原理
(n=2.3)、Al2O3(n=1.86)、SiO2(n=1.44)
19
3.1.2 结晶硅太阳能电池的结构
单晶硅太阳能电池在不同入射角与不同防反射材质条件下的光反射率:
20
3.1.2 结晶硅太阳能电池的结构
上电极
上电极的作用是将移动至表面的电子/空穴取出,以形成外部电流,
提供给外部负载。由于电极与硅材料接触,为了降低串联电阻,电极
比N型中的少数载流子空穴要长,使用P型衬底可以得到较佳的光电流
2.电阻率
由原理可知,开路电压随着
硅基板电阻率的下降(掺杂浓
度的提高)而增加。
11
3.1.2 结晶硅太阳能电池的结构
3. 晶向、位错、寿命
一般要求单晶沿(111)晶向生长,切割下的硅片表面与(111)单晶
平行。除了某些特殊情况外,晶向要求不十分严格。制成绒面太阳能电
射层的原因是由于硅材料在可见光到红外线波段400~1100nm的区域
内有相对于空气较大的折射率3.5~6.0.也就是说,在可见光区域有接
近50%,红外线区域内有30%的反射损失。在三层物质的界面的电磁
波反射系数R为:
R=
2 −0 .
2
2 +0 . 2
18
3.1.2 结晶硅太阳能电池的结构
比(111) 面快。
(100)硅片的各向异性腐蚀导致在表面产生许多密布的表面为
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当原料中含有多种杂质,其中一些杂质的Ks>1,一些杂质的Ks<1, 则可以经多次区域熔炼后,去掉左右两端含杂质多的部分,仅取 中间纯度高的部分.
实际上采用多个有一定间隔的熔区同时移 动,可以节省时间。
和正常凝固公式的推导类似,并采用相同的三个假 设.经计算可得到:
其中C是最终杂质浓度,x是固液交界面坐标与锭总长的 比值,L是熔区长与全锭长的比值,C0是提纯前杂质的平均 浓度,n是提纯的次数
悬浮熔区法
熔融的Si与碳强烈作用,故用石英坩埚,当采用 高频率感应加热时候,石英坩埚插在被涡电流加热 的石墨容器里,熔态Si与石英发生缓慢的作用,生成 SiO和氧,这些氧要进入熔态的Si中,所以发现从石 英坩埚中生长出来的晶体通常都含有大量的氧.虽 然作了很大的努力来生产纯的石英坩埚,但是对Si 所要求的标准纯度,用石英坩埚是很难达到的,因为 总不可避免地有一些杂质进入到熔融的Si中,为了 避免这种情况发生,P.H.Keck和W.van Horn提出 了一种巧妙的晶体生长方法.
它有无定形和晶体两种同素异形体。 • 无定形硅为黑色,叫做硅藻土,常用作甘油 炸药(硝化甘油)的吸附体,也可作绝热、 隔音材料。 • 晶体硅为钢灰色,晶体硅属于原子晶体,硬 而有光泽,掺微量杂质的硅单晶可用来制造 大功率晶体管、整流器和太阳能电池等。
硅的化学制备
在自然界硅无游离状态,都存在于化 合物中。硅的化合物主要是二氧化硅(硅 石)和硅酸盐。例如,花岗岩是由石英、 长石、云母混合组成的,石英即是二氧化 硅的一种形式,长石和云母是硅酸盐。砂 子和砂岩是不纯硅石的变体,是天然硅酸 盐岩石风化后的产物。
浇铸法是把硅的熔液在坩埚中缓慢冷却固 化的方法.目前在日本,美国,西德提出了几种制造 方法,与单晶硅相比,它们的生产率比较高,转换效 率也达到了较高的目标(10—16%)
(2)提纯三氯甲硅烷(分馏提纯)
(3)用氢气还原三氯甲硅烷:
4。四碘化硅的热分解法
硅的卤化物中,相对来说,分解四碘化硅较易。 条件:750—850摄氏度,碘一般经过升华纯化.
一般是使四碘化硅通过1000摄氏度的石英管,管中置钽 带或钽丝,四碘化硅就在钽表面分解,Si沉积于钽的表面。 反应为可逆反应,温度越高,分解率就越大,1500摄氏度分 解率就相当大,可是Si就成为液体。
实际结果与理论值差不多.至于硅棒直径粗细 问题,起初被人认为也有一个极限值,不能太大,但 后来发现这个分析的根据是不对的.已有提纯直 径约3厘米的硅棒.
硅单晶的生长
直拉法生长硅单晶,就是把具有一定晶向 的单晶------籽晶,插入到硅的熔体中,待充分 熔融后,控制一定的过冷温度,以一定的速度 将籽晶提升,新的晶体就在籽晶的下部不断 生长出来.
由于硅的表面张力很大,在竖直棒中可以支 持1厘米直径的熔区而不需要任何形式的容器.反 复地沿棒移动熔区,区域提纯就可以在不用坩埚 的情况下进行.如果把籽晶放在棒的一端,也可以 用此法生长单晶. 用浮区技术生长的硅单晶比用石英坩埚生 长的硅单晶含氧量要低得多.
从理论上可以得出熔区长度与硅棒直径的关 系,如下图所示,熔区的长度不能太长,不然熔硅会 流下来,极限值为1.5厘米.
5。四碘化硅的氢还原法
这个方法比四碘化硅的热分解法的优势: 1.反应温度可以稍低一些 2.设备要求要简单一些 3.更易于获得较大的Si棒,利于无坩埚区域的提纯 这两种方法都获得了纯度为8个 N的Si
6。硅烷热分解法
反应条件:400—500摄氏度 特点:1.热分解的温度低,Si的生产率比较大 2.硅烷的制造较困难,且硅烷必须保藏在液态空气 中(沸点为-120摄氏度),它一遇空气就会爆炸。
用上述的几种方法提纯的硅分别能达到6-9 个N的纯度,能满足一般半导体器件对硅材 料提出的纯度要求。
硅提纯的物理方法
1952年蒲凡(Pfann)提出区域提纯的方法, 用它来提纯鍺。由于硅活泼的化学性,发展 了一种无坩埚的区域提纯方法。 区域提纯这种方法是利用分凝现象来分离 杂质的。
分凝现象
• 一块含有杂质的材料,经熔化后再慢慢凝固, 则固体中各部分的杂质浓度并不相同,这就 是分凝现象。 • 分凝现象是二元系(或多元系)相平衡特性所 产生的效果。含有杂质的硅中,平衡时固相 的杂质浓度与液相的杂质浓度不同。
T Ks<1
液相 P 固-液两相平衡
N
固相
A c4 c3 c2
c1
c0
B→
区域熔炼装置图
石英套管 加热区域将熔化为液态,当加热 圈向右移动时,左边部分因离开 加热区而冷却凝固 . 因为杂质 B 在固相的浓度比较小,所以凝固 下来的固体端 B 的浓度较小 , 原 原 料 料的纯度比较高.加热圈从左移 动到右的过程 , 是将 B 从左边扫 到 右 边 的 过 程 . 每扫过一次,左边一端的纯度会提高一点,若如此反复扫荡数十 次,左边的原料纯度将极高.截下左边一段就可得到高纯A. 若杂质在固相中的浓度比较大,在液相中浓度较小,经过以上处 理过程后,杂质B被扫到左端.那么截下右边的一段可获得高纯A.
从图上可以看出,熔区L小对浓度最终分布有利.
K值越小,则最终分布越好.实际上,K应为分布系数 K有效所代替.当熔区移动的速率大于一定值,则K有效 值趋向1,使区域提纯的效果不好.
除了要考虑杂质的最终分布之外,还要考虑 区域提纯的效率.如上述,熔区越小和熔区的移动 速度越慢对杂质的最终分布有利.但效率降低.
令C0 =1 可以得到右图
由图可以看出K大于1的杂质在锭头部的浓 度较大,K小于1,在尾部较多。又可以看出,K 比1小得越多,提纯效率越高。 实际上,在推导公式的时候假定了以下条件: (1)分布系数K是常数 (2)杂质在固体中无扩散 (3)杂质在液体中的分布始终是均匀的
由于半导体材料中杂质浓度一般很微量,则K 便可看作是常数。 一般情况下,条件(2)也是近似成立的。理 论计算杂质在固体的扩散比分凝作用小得多。但 对于某些扩散系数很大的杂质,就需要考虑杂质 在固体中的扩散运动。 条件(3)相当于液体中的杂质浓度达到平衡 值。要求凝固过程足够慢。实际上,液体中杂质 分布均匀的条件有时是不成立的,常需要考虑凝 固速率的影响。
为了定量描述由组元A和B组成的二元系处于固液两相平衡时固 相与液相中成分的不同,引进一个物理量K 设K称为分凝系数,是杂质B在固液两相中浓度之比; Cs,Cl:分别为杂质在固相和液相中的浓度.
K=Cs/Cl K除了随不同的物质A和B而不同之外,它还是浓度的函数。当B在 A中的浓度很小时,B在A中的K值可视为常数。
太阳能电池阵
光电转换装置通常是利用半导体器件的光伏效应原理进 行光电转换的 。
栅指形状(减少接触电阻,尽量少挡住阳光)
硅电池的发展
以材料区分,太阳电池有晶硅电池, 非晶硅 薄膜电池,铜钢硒(CIS)电池, 碲化镉(CdTe)电池,砷化稼电池等, 而以晶硅电池为主导。
人们首先使用高纯硅制造太阳电池(即单 晶硅太阳电池)。由于材料昂贵,这种太阳电池 成本过高,初期多用于空间技术作为特殊电源, 供人造卫星使用。
2. 四氯化硅的氢还原法
氢气的纯化:铜氨溶液去氧,浓硫酸,硅胶和五氧化二 磷去水。 可以获得8-9个N的高纯度硅。 缺点是反应速度慢(一般设备条件下,数十小时的化学 反应只能获得几十克的硅),耗氢量大。可用火花放电 促进反应的进行,但是生产率还是较低。
3. 三氯甲硅烷的氢还原法: (1)制三氯甲硅烷
实验表明,对于Si,大多 数K小于1,在0.0001--0.1 之间。
有一根长为T的材料锭,原来杂质的浓度为C0,具 有均匀的截面S,所以杂质原子数为TSC0.熔化后, 使锭由左至右慢慢凝固。由于杂质原子总数不变, 所以有
化简并将K=Cs/Cl 代入,可以得到微分方程
分离变量,并利用边界条件Cs (0)=kCl (0)=kCo 可得公式:
由于积累层比材料锭长小很多,故可以令:
将v=-f(f是固液交界面的移动速度)带入得到
求得
在固液交界面,流向交界面的杂质流浓度 等于离开交界面的杂质流密度 fCs,故在x=0处有边界条件:
其中CL和Cs分别是x=0处液体中和固体中杂质 的浓度值。在杂质积累层以外的大部分液体中, 可近似认为C= CL0
区域熔炼原理图
区域熔炼所依据的正是材料的相图。由物质的相图可以 确定区域熔炼的具体操作工艺条件。 设A为需纯化的物质,B为杂质, Ks称为分凝系数。由 A,B的二元相图可以判断杂质B的固-液两相中的分配比例。 杂质的存在会使溶剂的熔点发生变化: • • Ks>1, 溶剂的熔点升高; Ks<1, 溶剂的熔点下降。
由以上几个式子可以得到:
上式在 之内成立。 在 处,根据K有效 的定义,可以导出K有效 的表 达式:
从下图可以看出,当
时,分凝效应显著。
实际上,为了提高提纯效率,有人采用电磁 搅拌或机械搅拌的方法。
区域提纯(zone melting)
采用正常凝固的方法进行多次提纯, 必须每次提纯后,把锭的尾端或头端切去, 把杂质浓度较小的的部分保留下来继续提 纯,缺点是提纯的效率不高而且容易玷污。 可以把锭的一部分熔化成一熔区,并使熔 区从锭的一端移到另一端。这方法叫区域 提纯。
如图所示: 当Ks<1,故加入B后,A 的熔点将下降. 设原料中杂质B的初始浓度为c0, 升温至P点,使体系全部熔化,再使 体系冷却,首先结晶出来的固体组 成由N点表示.很明显,N点的杂质 浓度c1<c0. 进一步将N点的原料加温至全部 熔化,冷却后结晶出来的固体的纯 度将更高,多次重复此种操作,最后 结晶出来的晶体将极其纯净,从而 得到高纯A.
晶体硅太阳电池及其材料简介
目录
• • • • • 太阳能概况 硅电池的发展 硅材料的制备 太阳能新产品 太阳电池的现状及未来
太阳能概况
太阳能是各种可再生能源中最重要的 基本能源 ,包括太阳的直接辐射和天空散 射辐射能量的总和。 它可以转化为其它形 式的能量。
太阳炉
风力发电
水利发电
太阳能电池是一种近年发展起来的新ຫໍສະໝຸດ Baidu的电池。太阳能 电池是利用光电转换原理使太阳的辐射光通过半导体物 质转变为电能的一种器件 。
当K<1时,在凝固过程中,杂质不完全留 在固相,有一部分杂质跑到液相。当固液交界面 的移动速度f比杂质在液相的扩散速度不是很小 时,在交界面附近的液相中发生杂质堆积,积累 层很薄,厚度约为0.01cm,产生浓度梯度,故CL 不适用,引入CL0 为离开固液交界面大部分液相 中的杂质浓度。定义K有效 : K有效 =Cs/ CL0 K有效叫有效分布系数。 一般情况, K有效和K是不相等的。
一般是把石英与焦炭放在高温电炉中还原
这样被还原出来的硅的纯度约98%一99%, 称为冶金级硅(MG一Si)。
下面简单介绍几种获得高纯硅的化学提纯方法。
1. 四氯化硅的锌还原法 (制成四氯化硅液体)
条件: 450-5000 C
锌的纯度要求4个9,提纯四氯化硅,可用蒸馏精制法除 杂质Fe,Al,Ti,Cu,Mg等的氧化物.
拉制要对温度 和速度进行控制, f为拉制的速度.
硅太阳电池的制作
将拉制得的硅单晶锭切割成硅单晶片,采 用POCl3的气相扩散法,TiO2或SiO2 , P2O5的 涂敷扩散法以及直接掺杂等方法形成PN结.
由于制作单晶硅太阳电池的过程复杂,电能耗 费大,成本高.后来发展了用浇铸法或晶带法制造 的多晶硅太阳电池.该技术省去了昂贵的单晶拉 制过程,也能用较低纯度的硅作投炉料,材料及 电能消耗方面都较省。
根据流体力学,可以得到一维的杂质运动方程:
其中C是液体中的杂质浓度,它是位置x的函 数,D是杂质在液体中的扩散系数,v是液流速 度。(选固液交界面为坐标原点) 公式左边的第一项是由于液体中杂质扩散所引起 的杂质浓度增加率,第二项是由于液体流动所引 起的杂质浓度增加率,杂质浓度随时间的总增加 率就等于两者之和。
七十年代开始,把硅太阳电池转向地面应 用。采用废次单晶硅或较纯的冶金硅专门生产太 阳能级硅材料,以及利用多晶硅生产硅太阳电池, 均能大幅度降低造价。近年来,非晶硅太阳电池 的研制迅速发展。
1.单晶硅太阳电池 2.多晶硅太阳电池 3.非晶硅太 阳电池
硅材料的制备
硅的相关知识:旧称矽(因矽和锡同音, 难于分辨,故于1953年将矽改称为硅 )