第八章 静电场中的导体和电介质
第八章 静电场中的导体与电介质.
解:设球壳内外表面电量 为q2、q3 ,在球壳内作一
半径为r的高斯面,由高斯
定理得到 q1 q2 0
q3
q2 R3
q1
r
R2
R1
由电荷守恒定律 q3 q q2 q q1
E
q1 4πεor2
电场的相互影响。
自由电子
1.金属导体电结构模型
构成导体框架、形状、大小
的是那些基本不动的带正电荷的 原子实,而自由电子充满整个导 体——公有化。
当没有外电场时,导体中的正负电荷等量均匀 分布,宏观上呈电中性。
当有外电场或给导体充电,在场与导体的相互作
用的过程中,自由电子的重新分布起决定性作用。
金属导体的电结构特征:内部有大量的自由电子
电介质:不能导电的绝缘体(理想)
C0
(内部没有可以移动的电荷,就是电
子和原子核的结合力很强,电子处于
束缚状态)(或者说电阻率很大)
+Q –Q
r
C
电介质对电场、电容的影响 静电计测电压
U
U0 U
r
r 1U U0
U0
板间距不变
C C0
r,C
rC0,C
C0
E
E0 r
空腔内部及导体内部电 场强度处处为零,它们形成 等电势区。取球心点分析
球心处的电势
U q Q
4 0d 4 0R
Q
R
q
O
导体球壳接地
q Q 0
4 0d 4 0R
QRq d
演示程序:接地对球面感生电荷的影响
(整理)静电场中的导体和电介质
第八章 静电场中的导体和电介质§8-1 静电场中的导体一、静电感应 导体的静电平衡条件 1、静电感应2、导体静电平衡条件(1)导体的静电平衡:当导体上没有电荷作定向运动时称这种状态为导体的静电平衡。
(2)静电平衡条件 从场强角度看:①导体内任一点,场强0=E;②导体表面上任一点E与表面垂直。
从电势角度也可以把上述结论说成:①⇒导体内各点电势相等;②⇒导体表面为等势面。
用一句话说:静电平衡时导体为等势体。
二、静电平衡时导体上的电荷分布 1、导体内无空腔时电荷分布如图所示,导体电荷为Q ,在其内作一高斯面S ,高斯定理为:∑⎰=∙内S Sq s d E 01ε导体静电平衡时其内0=E,∴ 0=∙⎰s d E S, 即0=∑内S q 。
S 面是任意的,∴导体内无净电荷存在。
结论:静电平衡时,净电荷都分布在导体外表面上。
2、导体内有空腔时电荷分布 (1)腔内无其它电荷情况如图所示,导体电量为Q ,在其内作一高斯面S ,高斯定理为:∑⎰=∙内S Sq s d E 01ε 静电平衡时,导体内0=E∴ 0=∑内S q ,即S 内净电荷为0,空腔内无其它电荷,静电平衡时,导体内又无净电荷∴空腔内表面上的净电荷为0。
但是,在空腔内表面上能否出现符号相反的电荷,等量的正负电荷?我们设想,假如有在这种可能,如图所示,在A 点附近出现+q ,B 点附近出现-q ,这样在腔内就分布始于正电荷上终于负电荷的电力线,由此可知,B A U U >,但静电平衡时,导体为等势体,即B A U U =,因此,假设不成立。
结论:静电平衡时,腔内表面无净电荷分布,净电荷都分布在外表面上,(腔内电势与导体电势相同)。
(2)空腔内有点电荷情况如图所示,导体电量为Q ,其内腔中有点 电荷+q ,在导体内作一高斯面S ,高斯定理为∑⎰=∙内S Sq s d E 01ε 静电平衡时0=E, ∴ 0=∑内S q 。
又因为此时导体内部无净电荷,而腔内有电荷+q , ∴ 腔内表面必有感应电荷-q 。
大学物理,静电场中的导体和电介质8-5 静电场的能量
2
R1
r
dr
Q R2 dWe wedV dr 2 8 π εr 2 2 R Q Q 1 1 2 dr We dWe ( ) 2 8 π ε R1 r 8 π ε R1 R2 9
8.5 静电场的能量
2
第8章 静电场中的导体和电介质
第8章 静电场中的导体和电介质
例:同轴电缆由内径为 R1、外径为 R2的两无限长金属圆柱 面构成,单位长度带电量分别为 +、 -,其间充有 r 电介 质。求: 1)两柱面间的场强 E;2)电势差 U;3)单位长 度电容 ;4)单位长度贮存能量。
介质中高斯定理: D dS q 0
5
8.5 静电场的能量
第8章 静电场中的导体和电介质
二、静电场的能量 能量密度 以平行板电容器为例,将电能用电场的量表示。
1 1 1 1 εS 2 2 2 2 ( Ed ) εE Sd εE V We CU 2 2 2 d 2
电场中单位体积的能量 称为电场能量密度:
d
S
εr
We we V
8.5 静电场的能量
第8章 静电场中的导体和电介质
静电场的能量 ( Electrostatic Energy ) 一个带电系统包含许多的电荷。电荷之间 存在着相互作用的电场力。 任何一个带电系统在形成的过程中,外力 必须克服电场力做功,即要消耗外界的能量。 外界对系统所做的功,应该等于系统能量 的增加。 因此,带电系统具有能量。
第8章 静电场中的导体和电介质
1 We QU 2
R1
1 λ R2 λh ln 2 2πε0 εr R1 2 λh R2 ln 4πε0 εr R1
第8章:静电场中的导体和电介质 (2)
大写
小写
p P V
小写
单位:库伦/米2(8-6)
对于非极性分子电介质,每个分子的感生电偶极矩 ,n为单位体积分 都相同,(8-6)式成为 P np 子数。
荷中心重合,不显电性。但处在外电场中时,正负电 荷中心在库伦力作用下发生相对位移,也成为电偶极 子。 O-2
等价 电偶 极子
C+4
O-2
无极分子( 无电场时 )
-q
+q
2011-7-14 第8章
O-2 C+4
O-2
E
外电场中无极分子的极化
8.2.2 ~8.2.3 电介质的极化与电极化强度
电介质处于电场中时,电场力作用于分子
的正、负电荷中心,对极性分子发生拉伸与取
向作用;对非极性分子发生拉伸作用,使之成
为偶极子。于是电介质两端出现宏观的束缚面
电荷。这个过程称为电介质的极化。此时若撤 去外电场,则在分子热运动作用下,极化将消 失。[参见教材p.46 图8-18]
2011-7-14 第8章
现在对电介质极化现象作定量分析。 以 p 表示一个分子的电偶极矩。介质处于极化
2011-7-14
第8章
•电介质的分子分为两大类:第一类是极性分子(有
极分子)。极性分子内的正、负电荷中心不重合,分 子是一个电偶极子。外电场对它有取向作用。 -q
H+1 等价 电偶 极子
O-2
H+1
+q
105.5° 极性分子
2011-7-14 第8章
第二类是 非极性分子(无极分子),其内正、负电
第八章 静电场中的导体和电介质
0S
C2
0 r S 2
t
1
S
2t
C3
0S
2d
2d t 2t 1 0S 1 C C3 S 2d C1 C2 0S
0 S 2 r d 1 r t 2d r d 1 r t
电容率
S
Q0 E dS
0 r
0 r
0 - - - - - - - - - - -
+ + + + + +
电位移矢量 D 0 r E E (均匀各向同性介质)
电位移通量
D d s Q 0
s
电位移矢量
D E
1 导体的电容
如:孤立球形导体的电容 C 4 0 R 2 电容器的电容
Q C U
Q Q C VA VB U
U AB
AB
E dl
Q
Q
VB
VA
说明:
(1)电容的大小仅与导体的形状、相对位置、其间 的电介质有关. 与所带电荷量无关.
C/V (2)单位 1F 1
(2) 尖端放电现象
E
带电导体尖端附近电场最强
带电导体尖端附近的电场特别大, 可使尖端附近的空气发生电离而 成为导体产生放电现象,即尖端 放电.
尖端放电现象的利与弊 尖端放电会损耗电能,还会干扰精密测量和对通讯产生 危害.然而尖端放电也有很广泛的应用.
避雷针的工作原理
+ + + + + 带电云 + +
电容率
第8章 静电场中的导体和电介质 1
场强分布
E
Qq 4 0 r 2
大学物理学A
r R3
第三篇 电磁学
第8章 静电场中的导体和电介质
0
r R1
R2 r R3 Q q R1 r R2
E
q 4 0 r 2
B
q q
A R1 O
R2
Qq 4 0 r 2
r R3
R3
球心的电势
R3 R2 R1 Vo E dr Edr Edr Edr 0 r R1 R2
第8章 静电场中的导体和电介质
3.导体静电平衡时的性质
电场: 1)导体内部的场强处处为零。 2)导体外靠近表面处的场强方向与导体表面垂直。
电势: 1)导体是一个等位体。 2)导体表面是一个等位面。
大学物理学A
第三篇 电磁学
第8章 静电场中的导体和电介质
证明: 导体内:
Va Vb E d l 0
E
+ E0 + + +
大学物理学A
第三篇 电磁学
第8章 静电场中的导体和电介质
大学物理学A
第三篇 电磁学
第8章 静电场中的导体和电介质
防静电屏蔽袋
大学物理学A
第三篇 电磁学
第8章 静电场中的导体和电介质
屏蔽线
大学物理学A 第三篇 电磁学
第8章 静电场中的导体和电介质
大学物理学A
1S 2 S Q
3S 4S 0
E4
A
b
E1 E 2 E 3
第三篇 电磁学
B
第8章 静电场中的导体和电介质
大学物理授课教案 第八章 静电场中的导体和电介
第八章 静电场中的导体和电介质§8-1 静电场中的导体一、静电感应 导体的静电平衡条件 1、静电感应2、导体静电平衡条件(1)导体的静电平衡:当导体上没有电荷作定向运动时,称这种状态为导体的静电平衡。
(2)静电平衡条件从场强角度看:①导体内任一点,场强0=E;②导体表面上任一点E与表面垂直。
从电势角度也可以把上述结论说成: ①⇒导体内各点电势相等; ②⇒导体表面为等势面。
用一句话说:静电平衡时导体为等势体。
二、静电平衡时导体上的电荷分布 1、导体内无空腔时电荷分布如图所示,导体电荷为Q ,在其内作一高斯面S ,高斯定理为:∑⎰=•内S Sq s d E 01ε 导体静电平衡时其内0=E,∴ 0=•⎰s d E S, 即0=∑内S q 。
S 面是任意的,∴导体内无净电荷存在。
结论:静电平衡时,净电荷都分布在导体外表面上。
2、导体内有空腔时电荷分布(1)腔内无其它电荷情况如图所示,导体电量为Q ,在其内作一高斯面S ,高斯定理为:∑⎰=•内S Sq s d E 01ε 静电平衡时,导体内0=E∴ 0=∑内S q ,即S 内净电荷为0,空腔内无其它电荷,静电平衡时,导体内又无净电荷∴ 空腔内表面上的净电荷为0。
但是,在空腔内表面上能否出现符号相反的电荷,等量的正负电荷?我们设想,假如有在这种可能,如图所示,在A 点附近出现+q ,B 点附近出现-q ,这样在腔内就分布始于正电荷上终于负电荷的电力线,由此可知,B A U U >,但静电平衡时,导体为等势体,即BAU U =,因此,假设不成立。
结论:静电平衡时,腔内表面无净电荷分布,净电荷都分布在外表面上,(腔内电势与导体电势相同)。
(2)空腔内有点电荷情况如图所示,导体电量为Q ,其内腔中有点 电荷+q ,在导体内作一高斯面S ,高斯定理为∑⎰=•内S Sq s d E 01ε 静电平衡时0=E, ∴ 0=∑内S q 。
又因为此时导体内部无净电荷,而腔内有电荷+q ,∴ 腔内表面必有感应电荷-q ,。
第八章静电场中的导体和电介质PPT课件
q q
已知:S、d、0
设A、B分别带电+q、-q
单位:法拉(F)、微法拉(F)、皮法拉(pF)
1法拉 1库仑 伏特 1F160F1102pF
2.电容器的电容 导体组合,使之不受
周围导体的影响 ——电容器
电容器的电容:当电容器的两极板分别带有等值异号 电荷q时,电量q与两极板间相应的电 势差UA-UB的比值。
C q q UAB UA UB
(1)平行板电容器
第八章
8-1 静电场中的导体
一、导体的静电平衡及其条件
1.静电感应 导体的静电平衡
无 外 电 场 时
导体的静电感应过程
E 外
加上外电场后
导体的静电感应过程
E 外
+
加上外电场后
导体的静电感应过程
E 外
+
+
加上外电场后
导体的静电感应过程
E 外
+ +
+
+ +
加上外电场后
导体的静电感应过程
E 外
E3 E2 E1
A板 1S2SQ 1
电荷分布
2 3
b E1 E2 E3
1 0
2
3
Q S
A
B
电荷分布
1 0
2
3
Q S
场强分布 两板之间
Q E
0S
两板之外 E0
1 A 2 3 B
E
例2.已知R1 R2 R3 q Q
q q
求 ①电荷及场强分布、球心的电势 B A R 1 R2
②如用导线连接A、B,再作计算
14R12 24R22 40R1 40R2
静电场中的导体和电介质
静电场中的导体和电介质静电平衡时导体是个等势体,导体表面是等势面,大前提是整个导体都是一样的,不要因为单独说导体表面是个等势面就误以为导体表面和内部不是等势的。
(证明省略)由此公式得出:导体表面电荷密度大的地方场强大,面电荷密度小的地方场强小。
导体表面电荷分布规律①与导体形状有关②与附近有什么样的带电体有关。
定性分析来说,孤立导体面电荷密度与表面的曲率有关,但是并不是单一的函数关系。
拓展知识(尖端放电的原理以及应用;避雷针的原理)这是一个从带电体上吸取全部电荷的有效方法。
测量电量时,要在静电计上安装法拉第圆筒,并将带电体接触圆筒的内表面,就是为了吸取带电体的全部电量,使测量更准确。
库仑平方反比定律推出高斯定理,高斯定理推出静电平衡时电荷只能分布导体外表面。
所以可以由实验精确测定导体内部没有电荷,就证明了高斯定理的正确,进而就证明了库仑平方反比定律的正确。
所以说这是精确的,因为通过实验测定数据是一定会存在误差的,而通过实验测定导体内部没有电荷是不会存在误差的,所以是很精确的。
以上是库仑平方反比定律验证的发展历史。
见图2-1,导体壳内部没有电荷时,导体的电荷只是分布在外表面上,为了满足电荷守恒定理,见图2-1c,就要一边是正电荷,而另一边是负电荷,其实空腔内没有电场的说法是对于结果而言的,并不能看出本质,本质是外电场和感应电荷的电场在导体腔的内部总的场强为0。
使带电体不影响外界,则要求将带电体置于接地的金属壳或者金属网内,必须接地才能将金属壳或者金属网外表面感应电荷流入地下。
则外界不受带电体场强的作用,而本质上也是带电体的场强和内表面感应电荷的场强叠加作用使外界总场强为0。
孤立导体的电容:电容C与导体的尺寸和形状有关,与q,U无关,它的物理意义是使导体每升高单位电位所需要的电量。
电容器及其电容:对电容的理解要升高一个层次:电容是导体的一个基本属性,就好像水桶的容量一样,C=U/q。
然而导体A的附近有其他导体时,导体的电位不仅与自己的q 有关,还受到其他导体的影响。
第八章 静电场中的导体和电介质(精选)
4R 2R4RQ QQ =U=?E?dr=?dr+dr?2R4πε0r2RR4πεεr28πε 0R0r 所以 Q=
8πε0RU 108 (1)电容器中场强的分布 ?RU?2E=?r2RU?2?r (2)电容器的电容 R<r4R Q=8πε0R UC= 8-13 半径分别为R1 和R2 的同轴导体圆筒间充满相对 电容率为εr 的均匀电介质。现使圆筒带电,单位长度电荷 各为+λ1(内筒)和+λ2(外筒),如图所示。 (1)求两筒间的电压; (2)设轴线上电势为零,分别求P点和Q点的电势。(P 和Q与轴分别相距 rP 和 rQ)
d2C 109 所以 W1C2ε===εr W2C1ε0 (2)如果充电后不断开电源,则 U 不变。因为所以 110、B、D);若导体壳接地,下列说法中正确的是(A、 B、C、D)。 R/2,q3 到球心距离 r>>R,则 q1 受力为 _______,q2 受力为_________,q3 受力约为________。 解:q1、q2 受力为 0。球为等势体,球外 表面感应电荷均匀分布,电场在球外也呈径向 对称分布。由高斯定理球外场强为 E= 所以,q3 受力约为 q1+q2 4πε0r2 q3(q1+q2)2q2 F==224πε0r4πε0r 8-6 半径分别为R1 和R2(R1<R2 )互相绝缘的两个同心导 体球壳,内球带电+Q。取地球与无限远的电势均为零。求 (1)外球的电荷和电势。
4.电场的能量 电场能量密度 w= 电场能量 1 E?D 2 W=?VwdV 三、例题 8-1 下列叙述正确的有(B) (A)若闭合曲面内的电荷代数和为零,则曲面上任一点场强一 定为零。(B)若闭合曲面上任一点场强为零,则曲面内的电荷 代数和一定为零。 103 (C)若闭合曲面内的点电荷的位置变化,则曲面上任一点的场 强一定会改变。(D)若闭合曲面上任一点的场强改变,则曲面 内的点电荷的位置一定有改变。(E)若闭合曲面内任一点场强 不为零,则闭合曲面内一定有电荷。 i 解:选(B)。由高斯定理 E?ds=∑qi/ε0,由∑q=0?φ=0, 但场强则 不一定为零,如上题。 (C)不一定,受静电屏蔽的导体内部电荷的变动不影响外部场 强。 (D)曲面上场强由空间所有电荷产生,改变原因也可能在外部。 (E)只要通过闭曲面电通量为 0,面内就可能无电荷。
大学物理上册(机械工业出版社-许瑞珍-贾谊明编著)第8章--静电场中的导体与电介质
大学物理上册(机械工业出版社-许瑞珍-贾谊明编著)第8章--静电场中的导体与电介质第八章 静电场中的导体与电介质8-1 点电荷+q 处在导体球壳的中心,壳的内外半径分别为R l 和R 2,试求,电场强度和电势的分布。
解:静电平衡时,球壳的内球面带-q 、外球壳带q 电荷在r<R 1的区域内rrq ˆ4E 201πε=,)111(42101R R r qU+-=πε在R 1<r<R 2的区域内,02=E .,4202R q U πε=在r>R 2的区域内:.ˆ4E203r r πεq=.403rq U πε=8-2 把一厚度为d 的无限大金属板置于电场强度为E 0的匀强电场中,E 0与板面垂直,试求金属板两表面的电荷面密度。
解:静电平衡时,金属板内的电场为0, 金属板表面上电荷面密度与紧邻处的电场成正比R 2R 1习题 8-1图q -q0 E 0习题 8-2图σ1 σ2所以有,001E εσ-=.002E εσ=8-3 一无限长圆柱形导体,半径为a ,单位长度带有电荷量λ1,其外有一共轴的无限长导体圆简,内外半径分别为b 和c ,单位长度带有电荷量λ2,求(1)圆筒内外表面上每单位长度的电荷量;(2)求电场强度的分布。
解:(1)由静电平衡条件,圆筒内外表面上每单位长度的电荷量为;,21λλλ+-(2)在r<a 的区域内:E=0 在a<rb 的区域内:Er012πελ=e n在r>b 的区域内:E r212πελλ+=e n8-4 三个平行金属板A 、B 和C ,面积都是200cm 2,A 、B 相距4.0mm ,A 、C 相距2.0mm ,B 、C 两板都接地,如图所示。
如果A 板带正电3.0×10-7C ,略去边缘效应(1)求B 板和C 板上感应电荷各为多少?(2)以地为电势零点,求A 板的电势。
习题 8-3图解:(1)设A 板两侧的电荷为q 1、q 2,由电荷守恒 原理和静电平衡条件,有A q q q =+21(1)1q q B -=,2q qC-=(2) 依题意V AB =V AC ,即101d Sq ε=22dS q ε112122q q d d q ==→代入(1)(2)式得q 1=1.0×10-7C ,q 2=2.0×10-7C ,q B =-1.0×10-7C ,q C =-q 2=-2.0×10-7C ,(2)101d SqU A ε==202d Sq ε==⨯⨯⨯⨯⨯⨯----312471021085810200102. 2.3×103V8-5 半径为R 1=l.0cm 的导体球带电量为q=1.0×10-10C ,球外有一个内外半径分别为R 2=3.0cm 和R 3=4.0cm 的同心导体球壳,壳带有电量Q=11×10-10 C ,如图所示,求(1)两球的电势;(2)用导线将两球连接起来时两球的电势;(3)外球接地时,两球电势各为多少?(以地为电势零点)解:静电平衡时,球壳的内球面带-q 、外球壳带q+Q 电荷A B C 习题 8-4图d12(1))(4132101R Q q R q R q U++-=πε代入数据)41113111(101085.814.34100.1212101++-⨯⨯⨯⨯⨯=---U=3.3×102V2024R Q q U πε+=4)111(101085.814.34100.121210+⨯⨯⨯⨯⨯=---=2.7×102V(2)用导线将两球连接起来时两球的电势为2024R Q q U πε+=4)111(101085.814.34100.121210+⨯⨯⨯⨯⨯=---=2.7×102V(3)外球接地时,两球电势各为)(412101R q R q U -=πε)3111(101085.814.34100.1212101-⨯⨯⨯⨯⨯=---U =60V2=U8-6 证明:两平行放置的无限大带电的平行平面金属板A 和B 相向的两面上电荷面密度大小相等,符号相反,相背的两面上电荷面密度大小等,符号相同。
静电场中的导体和电介质
静电场中的导体和电介质引言在物理学中,静电场是指当电荷处于静止状态时周围存在的电场。
导体和电介质是静电场中两种常见的物质类型。
理解导体和电介质在静电场中的行为对于理解静电现象和应用静电学原理具有重要意义。
本文将介绍导体和电介质在静电场中的特性和行为,包括导体的电荷分布和电场分布、导体内部电场为零的原因,以及电介质的电极化和电介质的介电常数。
导体导体的电荷分布在静电场中,导体具有特殊的电荷分布特性。
由于导体中的自由电子可以在导体内自由移动,一旦一个导体与其他带电体接触,自由电子将重新分布以达到平衡。
导体的外部表面电荷会分散在整个表面上,使得导体表面的电场强度为零。
这意味着在静电平衡条件下,导体表面任意一点的电势相等。
导体内部的电场分布特性在导体内部,电场强度为零。
这是由于自由电子可以在导体内自由移动,当导体中存在电场时,自由电子会沿着电场方向移动,直到达到平衡。
这种现象称为电荷迁移。
因此,导体内部的自由电子的运动将产生一个等量但相反方向的电场,导致导体内部的电场强度为零。
这也是为什么导体内部没有电场线存在的原因。
电介质电极化现象电介质是一种不易导电的物质,而其在静电场中的行为与导体有着显著不同。
当一个电介质暴露在静电场中时,电介质分子会发生电极化现象。
电极化是指电介质分子在电场作用下产生偶极矩。
在电场的作用下,电介质分子会发生形状变化,正负电荷分离,产生一个平均不为零的电偶极矩。
这种电极化现象可以分为两种类型:取向极化和感应极化。
取向极化是指电介质分子的取向方向在电场的作用下发生变化,而感应极化是指电场作用下导致电介质分子内部正负电荷的相对移动。
电介质的介电常数电介质的介电常数是描述电介质在电场中的响应特性的重要参数。
介电常数是一个比值,代表了电介质在电场力下的相对表现。
介电常数决定了电介质的极化程度和电场中的电场强度。
电介质的介电常数大于1,意味着电介质对电场的屏蔽效果更明显。
在实际应用中,通过选择合适的电介质和调整电场强度,可以改变静电场的分布和效果,用于电容器、绝缘材料等相关领域。
第八章 静电场中的导体和电介质讲解
第八章静电场中的导体和电介质一、基本要求1.理解导体的静电平衡,能分析简单问题中导体静电平衡时的电荷分布、场强分布和电势分布的特点。
2.了解两种电介质极化的微观机制,了解各向同性电介质中的电位移和场强的关系,了解各向同性电介质中的高斯定理。
3.理解电容的概念,能计算简单几何形状电容器的电容。
4.了解电场能量、电场能量密度的概念。
二、本章要点1.导体静电平衡导体内部场强等于零,导体表面场强与表面垂直;导体是等势体,导体表面是等势面。
在静电平衡时,导体所带的电荷只能分布在导体的表面上,导体内没有净电荷。
2.电位移矢量在均匀各向同性介质中D=εE=ε0εrE介质中的高斯定理 D⋅ds=∑Qi自 si3.电容器的电容C=电容器的能量Q ∆U1Q2W= 2C4.电场的能量电场能量密度w=电场能量 1 E⋅D 2W=⎰VwdV三、例题8-1 下列叙述正确的有(B)(A)若闭合曲面内的电荷代数和为零,则曲面上任一点场强一定为零。
(B)若闭合曲面上任一点场强为零,则曲面内的电荷代数和一定为零。
103(C)若闭合曲面内的点电荷的位置变化,则曲面上任一点的场强一定会改变。
(D)若闭合曲面上任一点的场强改变,则曲面内的点电荷的位置一定有改变。
(E)若闭合曲面内任一点场强不为零,则闭合曲面内一定有电荷。
i 解:选(B)。
由高斯定理E⋅ds=∑qi/ε0,由∑q=0⇒φ=0,但场强则不一定为零,如上题。
(C)不一定,受静电屏蔽的导体内部电荷的变动不影响外部场强。
(D)曲面上场强由空间所有电荷产生,改变原因也可能在外部。
(E)只要通过闭曲面电通量为0,面内就可能无电荷。
8-2 如图所示,一半径为R的导体薄球壳,带电量为-Q1,在球壳的正上方距球心O距离为3R的B点放置一点电荷,带电量为+Q2。
令∞处电势为零,则薄球壳上电荷-Q1在球心处产生的电势等于___________,+Q2在球心处产生的电势等于__________,由叠加原理可得球心处的电势U0等于_____________;球壳上最高点A处的电势为_______________。
第8章静电场中的导体和电介质知识点复习
d O'
导 体 板
+
直线
O
x
E2 2 0
由总电场
E E E 0 O 1 2 得 2 d
(3)
二、 静电场中的电介质 1. D 的高斯定理 2. 电容器的电容 3.孤立导体球的电容 4. 电容器的能量 5. 静电场的能量
D d S q 0 内
电容:
(6)
2
2 r L 0 C ln( R 2/R 1)
(5)
例4:两个同心金属球壳,内球壳半径为R1,外球壳半径 为R2,中间充满相对介电常数为 r 的均匀介质,构成一 个球形电容器。 (1) 求该电容器的电容; (2)设内外球壳 上分别带有电荷+Q和-Q,求电容器储存的能量。 解: (1)设内外球壳上分别带电Q和-Q, 则两球壳中间的场强大小为
Q 20r rL
R2
R1 dr
r
在电场中取体积元 d V ( 2 rL ) d r 则在 dV 中的电场能量为:
L
r
+Q
–QLeabharlann d W0r2
2 E d V
2 R 1 Q d r 2 W W d R 1 r 2 2 L 0 r
2 1 Q R 1 Q ln 2 22 rL R 2 C 0 1
由导体内部场 强为零得
3. 有导体存在时静电场的分析与计算
1
2
3
4
1 2 3 4 0 2 0 2 0 2 0 2 0
S
P
(1)
例1: 同心导体球面,半径分别为R1和R2,电量分别为 Q1和Q2。当把内球接地时,内球带电多少? 解:内球接地,其电势为零,设其电量为Q1
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
103第八章 静电场中的导体和电介质一、基本要求1.理解导体的静电平衡,能分析简单问题中导体静电平衡时的电荷分布、场强分布和电势分布的特点。
2.了解两种电介质极化的微观机制,了解各向同性电介质中的电位移和场强的关系,了解各向同性电介质中的高斯定理。
3.理解电容的概念,能计算简单几何形状电容器的电容。
4.了解电场能量、电场能量密度的概念。
二、本章要点 1.导体静电平衡导体内部场强等于零,导体表面场强与表面垂直;导体是等势体,导体表面是等势面。
在静电平衡时,导体所带的电荷只能分布在导体的表面上,导体内没有净电荷。
2.电位移矢量在均匀各向同性介质中E E D r εεε0==介质中的高斯定理∑⎰⎰=⋅ii sQ s d D 自3.电容器的电容UQ C ∆=电容器的能量CQ W 221=4.电场的能量 电场能量密度D E w ⋅=21 电场能量⎰=VwdV W三、例题8-1 下列叙述正确的有(B)(A)若闭合曲面内的电荷代数和为零,则曲面上任一点场强一定为零。
(B)若闭合曲面上任一点场强为零,则曲面内的电荷代数和一定为零。
104 (C)若闭合曲面内的点电荷的位置变化,则曲面上任一点的场强一定会改变。
(D)若闭合曲面上任一点的场强改变,则曲面内的点电荷的位置一定有改变。
(E)若闭合曲面内任一点场强不为零,则闭合曲面内一定有电荷。
解:选(B )。
由高斯定理⎰⎰∑=⋅0/εi iq s d E,由 ∑=⇒=00φq ,但场强则不一定为零,如上题。
(C )不一定,受静电屏蔽的导体内部电荷的变动不影响外部场强。
(D )曲面上场强由空间所有电荷产生,改变原因也可能在外部。
(E )只要通过闭曲面电通量为0,面内就可能无电荷。
8-2 如图所示,一半径为R的导体薄球壳,带电量为-Q1,在球壳的正上方距球心O距离为3R的B点放置一点电荷,带电量为+Q2。
令∞处电势为零,则薄球壳上电荷-Q1在球心处产生的电势等于___________,+Q2在球心处产生的电势等于__________,由叠加原理可得球心处的电势U0等于_____________;球壳上最高点A处的电势为_______________。
解:由电势叠加原理可得,球壳上电荷-Q1在O 点的电势为RQ U 0114πε-=点电荷Q2在球心的电势为RQ R Q U 020221234πεπε=⋅=所以,O 点的总电势为RQ Q U U U 012210123ε-=+=由于整个导体球壳为等势体,则0U U A =RQ Q 012123ε-=8-3 两带电金属球,一个是半径为2R的中空球,一个是半径为R的实心球,两球心间距离r(>>R),因而可以认为两球所带电荷都是均匀分布的,空心球电势为U1,实心球电势为U2,则空心球所带电量Q1=___________,实心球所带电Q2=___________。
若用导线将它们连接起来,则空心球所带电量为______________,两球电势为______________。
解:连接前,空心球电势RQ U 24011πε=,所以带电量为1051018RU Q πε=实心球电势RQ U 0224πε=,所以带电量为2024RU Q πε=连接后,两球电势相等,但总电量不变。
有U U U '='='21或 RQ 018πε'RQ 024πε'=2121''Q Q Q Q +=+联立解得+='1012(38U R Q πε2U ) 3221U U U +=' 8-4 一不带电的导体壳,壳内有一个点电荷0q ,壳外有点电荷1q 和2q 。
导体壳不接地,下列说法中正确的是(A 、B 、D );若导体壳接地,下列说法中正确的是(A 、B 、C 、D )。
(A)1q 与2q 的电量改变后,壳内场强分布不变。
(B)1q 与2q 在壳外的位置改变后,壳内的场强分布不变。
(C)0q 的电量改变后,壳外的场强分布不变。
(D)0q 在壳内的位置改变后,壳外的场强分布不变。
8-5 如图,半径为R的不带电的金属球内有两个球形空腔,在两个空腔中分别放点电荷1q 和2q ,在金属球外放一点电荷3q ,它们所带电荷均为q 。
若1q 和2q 到球心距离都是2/R ,3q 到球心距离R r >>,则1q 受力为_______,2q 受力为_________,3q 受力约为________。
解:1q 、2q 受力为0。
球为等势体,球外表面感应电荷均匀分布,电场在球外也呈径向对称分布。
由高斯定理球外场强为20214r q q E πε+=所以,3q 受力约为20220213424)(rq r q q q F πεπε=+= 8-6 半径分别为R1和R2(R1<R2 )互相绝缘的两个同心导体球壳,内球带电+Q。
取地球与无限远的电势均为零。
求(1)外球的电荷和电势。
106 (2)将外球接地后再重新绝缘,此时外球的电荷和电势。
(3)再将内球接地,此时内球的电荷。
解:(1)由于内球带电+Q,由静电平衡条件和高斯定理知,外球壳内表面带电Q -,外表面带电Q +。
因为外球壳外面的场强为204r Q E πε=(2R r >)所以,外球的电势为⎰⎰∞∞==⋅=22204R R dr rQ r d E U πε 204R Q πε(2)外球接地,内表面电量不变,外表面电量变为零,电势为零。
(3)将内球接地后,内球电势为零。
设内球电量变为q ,则0442010=-=R Q R q U πεπε Q R R q 21=8-7 在半径为R1的均匀带电Q的金属球外有一层相对介电常数为r ε均匀电介质,外半径为R2,画出电势U~r 关系曲线和场强E~r 关系曲线(r 是球心到场点之间的距离)。
解:利用高斯定理⎰=⋅=⋅sQ r D s d D 内自24π24rQ D π内自=由于E Dε=,且⎪⎩⎪⎨⎧><<<=22110R r Q R r R QR r Q 内自 所以,场强分布为⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎨⎧><<<=22021201440R r r Q R r R rQ R r E r πεεπε107下面求电势分布:2R r >时⎰⎰∞∞==⋅=Rrdr r Q r d E U 204πε rQ 04πε21R r R ≤<时⎰⎰⎰∞∞+=⋅=22202044R rR r rdr rQ dr r Q r d E U πεεπε20200444R QR QrQ r r πεεπεεπε+-=1R r ≤时⎰⎰⎰⎰∞∞++=⋅=21212020440R R R r R rrdrrQ dr r Q dr r d E U πεεπε 202010444R QR QR Q r r πεεπεεπε+-=U~r 曲线和E~r 曲线如图所示:8-8 如图,一无限大均匀带电介质平板A,电荷面密度为1σ,将介质板移近导体B后,B导体外表面上靠近P点处的电荷面密度为2σ,P点是B导体表面外靠近导体的一点,则P点的电场强度大小为__________________。
解:仅知P 点附近电荷面密度,其它地方不知,不能用场强叠加方法。
做如图所示的高斯面,其底面面积s 很小,可认为s 面上各点场强相等。
由于导体表面是等势面,所以s 面上各点场强垂直于导体表面。
P 点在底面上,另一底面在导体内部,面上各点场强为零。
由高斯定理,得02/εσs s E P = 02/εσ=P E8-9将一带电导体平板A和一电介质平面B平行放置,如图所示。
在真空中平衡后,108 A两侧的面电荷密度分别为1σ和2σ,则B的面电荷密度3σ等于___________。
解:在导体平板内任找一点P ,则02220030201321=--==--=εσεσεσE E E E P所以213σσσ-=8-10 半径为R、相对介电常数为r ε均匀电介质球中心放一点电荷Q,球外是真空,在距中心r>R的P点场强大小为__________。
解:利用高斯定理容易求得P点场强204rQ E πε=。
8-11 平行板电容器中充满某种均匀电介质,电容器与一个电源相连,然后将介质取 出,则电容器的电容量C、电量Q、电位移D 、电场强度E 、板间电压U与取出介质前相比,增大的有_______,减小的有__________,不变的有__________。
解:介质取出前,有d U E =d U E D εε== d s C ε= U ds Q ε= 介质取出后,有d UE =d U D 0ε= ds C 0ε= U d s Q 0ε= 所以,各量均无增大,减小的有C 、Q 、D ,不变有E 、U 。
8-12 一球形电容器由半径为R的导体球壳和与它同心的半径为4R的导体球壳所组成,R到2R为相对电容率为2=r ε的电介质,2R到4R为真空。
若将电容器两极板接在电压为U的电源上,求(1)电容器中场强的分布;(2)电容器的电容。
解:不妨先设内外球壳电量分别为Q Q -+、,由高斯定理容易求得场强分布 ⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧><<<=Rr R rQ R r R r Q E r 424242020πεεπε电容器两极板之间的电压为⎰⎰⎰+=⋅=R R R R r R R dr r Q dr r Q r d E U 4220220444πεεπεR Q 08πε= 所以RU Q 08πε=109(1)电容器中场强的分布⎪⎩⎪⎨⎧><<<=Rr R rRU Rr R rRU E 422222(2)电容器的电容==UQC R 08πε 8-13 半径分别为R1和R2的同轴导体圆筒间充满相对电容率为r ε的均匀电介质。
现使圆筒带电,单位长度电荷各为+1λ(内筒)和+2λ(外筒),如图所示。
(1)求两筒间的电压;(2)设轴线上电势为零,分别求P点和Q点的电势。
(P和Q与轴分别相距P r 和Q r ) 解:(1)场强分布为⎪⎩⎪⎨⎧<<<=2101120R r R rR r E r επελ两筒间电压⎰⎰==⋅=2121120101/ln 22R R rr R R R R dr r r d E U επελεπελ(2)设轴线上电势为零,则0=P U⎰⎰===-Q Qr R r R Q rr Q R R r dr r Edr U U 11110101/ln 22επελεπελ101/ln 2R r U Q rQ επελ-=8-14 将一空气平行板电容器与电源相连进行充电,使电容器储存能量W1。
若充电后断开电源,然后将相对介电常数为r ε的电介质充满该电容器,电容器储存的能量变为W2,则比值W1/W2=______________;如果充电后不断开电源,则比值W1/W2=______________。