第六部分半桥拓扑
半桥拓扑
D1 VT
Lo Io
T/2
Ip B S1
Lk
[t4, t5] S2关断，变压器副边续流，原边漏感能 量被S1体二极管钳位。
IL ΔIL
VT
Vin/2n
-Vin/2n
4
半桥变换器（HALF Bridge Type Converter)（6）
T/2 S1 Vo S2 D D Vc D2 Vds1 Im Ip
第六部分:桥式变换器（Bridge Type Converter)
S2 D1 L Vin Vo S2 D1 L Vo
Vin
S1
D2
S1
D2
半桥变换器
全桥变换器
L
Vin
S2 Vo
Vin D1 Vo
S2 S1 D2
S1 D2
半桥变换器（倍流整流）
推挽变换器
半桥变换器（HALF Bridge Type Converter)（1）
T/2 S1 Vo S2 D D Vc D2 Vds1 Im Ip
t0 t1 t2 t3 t4 t5 t6=t0
Io Vin
Vin A
S2
n:1+1 Lm
D1 VT
Lo Io
T/2
Ip B S1
Lk
[t3, t4]
Vin DT / Lm 2 ∆Vc = ( Io / n) DT /(2C1) ∆I m = −
Lk D2
C1
Vo =
Vin D n
D < 0.5
∆I L = Vo(1 / 2 − D)T / Lo
缺点：
变压器结构复杂。 输入电压范围较小。
∆Vc = ( Io / n) DT /(2C1)
半桥拓扑及应用规范
半桥拓扑基础及应用规范摘要本技术文档主要针对半桥逆变器工作原理进行分析。
通过半桥逆变器开关分析得出结论，半桥逆变器可以有条件的实现软开关，从而提高效率。
描述对称半桥的主电路如图1所示。
图1中包括两个互补控制的功率MOSFET，其中M1的占空比为D，M2的占空比为（1－D），DS1和DS2是开关的体二极管，隔直电容C2，作为开关M2开通时的电源。
包括漏感Lk，励磁电感Lm的中心抽头的变压器，原边匝数为Np，副边匝数分别为Ns1和Ns2。
本文档针对下图的半桥逆变器展开分析，首先分析了逆变器架构以及半桥逆变器的优缺点，接着针对高效率的半桥逆变器工作原理进行分析，最后对变压器的设计，高压电容容值得选取进行了仿真，分析，并给出结论。
Figure-1 半桥逆变器架构示意图1. 半桥逆变器设计分析因液晶屏本身没有发光功能，这就需要在液晶屏后加一个照明系统，该背光照明系统由发光部件、能使光线均匀照射在液晶表示面的导光板和驱动发光部件的电源构成。
现在发光部件的主流为被称作冷阴极管的萤光管。
其发光原理与室内照明用的热阴管类似，但不需象热阴管那样先预热灯丝，它在较低温状态就能点亮，因此叫冷阴极管。
但要驱动这种冷阴极管需要能输出1000~1500V交流电压的特殊电源。
这种特殊电源称之为逆变器。
小尺寸CCFL（22寸以下）逆变器方案中，由于半桥架构设计简单，成本低，应用非常广泛，通常使用一个P+N的场效应管即可实现，其工作模式比较简单，下图为小尺寸方案中，半桥架构的波形和电路示意图。
从成本和效率的角度考量，大尺寸LCD-TV逆变器的输入逐渐改为由PFC（380V-400V)的输出直接输入，这就是我们所说的LIPS(LCD-TV Integrated Power Supply,液晶集成电源）方案。
Figure-4 LIPS电源和逆变器架构大尺寸LIPS方案逆变器采用半桥或者全桥架构，半桥架构一般采用定频，MOSFET处在硬开关状态，这样会导致MOSFET上面很大的开关损耗，此外这种硬开关导致的EMI必须通过相应的手段去处理才能符合EMC 的规范要求。
半桥式开关电源设计
半桥式开关电源设计半桥式开关电源是一种常见的开关电源拓扑结构，广泛应用于电子设备中。
在半桥式开关电源中，将整个电源线路分为两个部分，每个部分分别由一个开关管和一个变压器组成。
这种设计能够提高电源的效率和功率密度，同时减少传导和辐射干扰。
1.选择开关管和变压器：开关管应具有较低的导通压降和开关损耗，以提高电源的效率。
变压器的选择应考虑到输入和输出电压的比例，同时保证在额定功率下具有足够的绝缘和耐压性能。
2.设计谐振网络：为了减少开关管的开关损耗和变压器的电流冲击，通常在输入端设置一个谐振网络。
谐振电容和电感的选择应确保在整个工作频率范围内实现临界谐振。
3.选择电源控制芯片：电源控制芯片是半桥式开关电源的核心组件，负责监测输入和输出电压，并根据需求控制开关管的导通和关断。
选择合适的电源控制芯片应考虑到电源的额定功率、工作频率和保护功能等。
4.控制策略设计：半桥式开关电源的控制策略包括电源开关频率调制和输出电压调节。
电源开关频率调制通过调整开关管的导通时间来实现，可以根据负载需求进行动态调整。
输出电压调节通常采用反馈控制，通过监测输出电压并调整开关管的导通时间来实现。
5.保护电路设计：保护电路是半桥式开关电源设计中不可或缺的部分，可以确保电源在故障情况下自动断开。
常见的保护电路包括过电流保护、过温保护和过压保护等。
6.PCB布局和散热设计：半桥式开关电源的布局和散热设计对电源的性能和可靠性有重要影响。
合理的PCB布局可以减少电源线路的互感和耦合，同时提供良好的散热通道，确保开关管和变压器的温度在可控范围内。
以上是半桥式开关电源设计的基本步骤，其中每个步骤都需要深入研究电源的性能需求和器件的选型。
在设计过程中还需要进行电源的仿真和测试，以确保设计的可靠性和稳定性。
同时，还需要考虑到电源的EMC（电磁兼容）设计，以减少传导和辐射干扰对其他设备的影响。
总之，半桥式开关电源的设计是一个综合性的工程，需要仔细考虑电源的性能需求和设计要求，选择合适的器件和控制策略，进行合理的布局和散热设计。
半桥推挽电路dcdc设计
半桥推挽电路dcdc设计
半桥推挽电路是一种常见的直流-直流（DC-DC）转换器拓扑结构，常用于功率放大器、电机驱动器和直流电源等领域。
设计半桥
推挽电路需要考虑多个方面，包括电路拓扑、元件选择、控制策略等。
首先，在设计半桥推挽电路时，需要选择合适的功率MOSFET或IGBT作为开关管，这些器件需要能够承受所需的电压和电流。
此外，还需要考虑开关管的开关速度和损耗，以确保电路的效率和稳定性。
其次，对于半桥推挽电路的控制策略，可以采用PWM（脉冲宽
度调制）控制方式，通过控制开关管的导通和关断时间来调节输出
电压。
此外，还可以考虑加入过流保护、过压保护和温度保护等功能，以提高电路的可靠性和安全性。
另外，对于半桥推挽电路的输出滤波和稳压，可以考虑使用电
感和电容构成的滤波器，以减小输出波纹并提高输出稳定性。
同时，还需要考虑输出电压和电流的检测与反馈控制，以实现精确的输出
调节和稳定性。
最后，在设计过程中还需要考虑电路的散热设计、PCB布局、输入输出端的电磁兼容等问题，以确保整个电路的性能和可靠性。
总的来说，设计半桥推挽电路需要综合考虑电路拓扑、元件选择、控制策略、滤波稳压、保护功能以及电磁兼容等多个方面，从而设计出性能稳定、效率高、可靠性好的电路。
希望以上回答能够满足你的要求。
半桥llc谐振拓扑
半桥LLC谐振拓扑：电路设计与优化在电力电子领域，LLC谐振拓扑作为一种高效、可靠的电路结构，被广泛应用于各种电源供应系统。
半桥LLC谐振拓扑作为LLC谐振拓扑的一种变体，具有其独特的优点和优化空间。
本文将深入探讨半桥LLC谐振拓扑的基本原理、电路设计以及优化策略。
一、基本原理LLC谐振拓扑主要由两个电感（Lr和Lm）和一个电容（Cr）组成。
在半桥LLC 谐振拓扑中，电容Cr被分为两个相等容量的电容，分别与Lr和Lm形成两个独立的谐振回路。
这种结构使得电路能够在不同的频率下进行工作，提高了电源的效率和稳定性。
二、电路设计1.元件参数选择在半桥LLC谐振拓扑的电路设计中，需要合理选择Lr、Lm和Cr的参数。
这些参数的选择直接影响着电路的性能和稳定性。
在设计过程中，通常需要结合系统的具体需求，利用仿真软件进行参数优化。
2.功率开关管的选择功率开关管是半桥LLC谐振拓扑中的重要元件，其选择直接影响着电路的效率和可靠性。
在选择功率开关管时，需要考虑其耐压值、导通电阻、开关速度等参数，以确保电路的正常运行。
三、优化策略1.调整谐振频率谐振频率是半桥LLC谐振拓扑的重要参数，通过调整Lr、Lm和Cr的参数，可以实现对谐振频率的优化。
在调整过程中，需要综合考虑系统的效率、体积和成本等因素。
2.优化功率开关管的控制策略功率开关管的控制策略对半桥LLC谐振拓扑的性能有着重要影响。
通过优化控制策略，可以降低开关损耗、提高电源效率，同时还能减小电磁干扰。
常用的控制策略包括PWM控制和PFM控制等。
半桥式开关电源变压器参数计算方法
半桥式开关电源变压器参数计算方法半桥式开关电源是一种广泛应用的开关电源拓扑结构，在工业、通信、医疗等领域得到了广泛的应用。
半桥式开关电源变压器的参数计算是设计一个可靠、高效的电源的重要步骤。
以下是半桥式开关电源变压器参数计算方法的详细说明。
第一步：确定输入电压和输出电压在设计半桥式开关电源变压器之前，首先需要确定输入电压和输出电压的数值。
输入电压通常是直流电压，输出电压可以是直流或交流电压，具体根据应用场景来确定。
第二步：计算输出功率根据应用需要以及输出电压和电流确定输出功率。
输出功率是决定变压器参数的重要因素之一第三步：选择变压器的工作频率第四步：计算变压器的变比根据输入电压和输出电压，通过变比的计算来确定变压器的变比。
变比是输入和输出电压之间的比值，可以根据功率和电流的关系得出。
第五步：计算变压器的感应电感感应电感是变压器的一个重要参数，可以通过输出功率的计算得出。
感应电感决定了变压器输出电流的波形。
第六步：计算变压器的铜损和铁损铜损是由变压器的导线电阻引起的损耗，可以通过输入电压和变压器中电流的平方来计算。
铁损是由于铁芯材料磁化和磁交变损耗引起的，可以通过变压器的额定工作频率和铁芯材料的损耗特性来计算。
第七步：选择适当的变压器规格根据前面的参数计算结果，选择合适的变压器规格。
包括输出功率、变压器的尺寸和重量等。
最后，需要进行变压器的热设计，确保变压器在工作过程中能够正常散热，不会因过热而损坏。
综上所述，半桥式开关电源变压器参数的计算包括确定输入和输出电压、计算输出功率、选择工作频率、计算变比、计算感应电感、计算铜损和铁损、选择合适的变压器规格以及进行热设计等步骤。
这些参数计算的准确与否直接影响着半桥式开关电源的性能和稳定性，因此需要仔细考虑每个参数的计算过程。
半桥LLC谐振变换器介绍
半桥LLC谐振变换器介绍半桥LLC谐振变换器由一个半桥拓扑架构和一个LLC谐振网络组成。
半桥拓扑意味着变换器的输入端上有两个开关，一个用于连接正极电源，另一个用于连接负极电源。
这种拓扑结构使得半桥LLC谐振变换器能够实现双向电能传输，即可以将电能从正极电源转移到负极电源，也可以将电能从负极电源转移到正极电源。
LLC谐振网络是变换器的核心部分，由一个电感、两个电容和一个开关组成。
谐振网络是为了减小开关器件的开关损耗而设计的，通过合理选择电感和电容的参数，使得串联谐振电路在工作过程中能够保持恒定的频率，从而降低了功率转换过程中的功率损耗。
半桥LLC谐振变换器具有许多优点，使其成为电力电子领域中常用的变换器之一、首先，它具有高效率。
由于谐振网络的存在，半桥LLC谐振变换器在工作过程中能够实现零电压开关，即在开关器件切换时，电流为零，从而减小了开关损耗。
其次，它具有高频率。
谐振网络的设计使得变换器能够在高频率下工作，从而减小了磁性元件的体积和重量。
此外，半桥LLC谐振变换器还具有高功率密度的特点，能够在小尺寸的空间内实现高功率的转换。
半桥LLC谐振变换器在实际应用中具有广泛的用途。
它可以应用于电力电子系统中的各种场景，如电动汽车充电器、太阳能逆变器和数据中心的电源供应等。
同时，由于其高效率、高频率和高功率密度的特点，半桥LLC谐振变换器也成为了新能源领域、工业自动化领域和通信领域中的研究热点。
总之，半桥LLC谐振变换器是一种高效率、高频率和高功率密度的电力电子变换器。
它由半桥拓扑架构和LLC谐振网络组成，能够实现双向电能传输。
在实际应用中，半桥LLC谐振变换器具有广泛的用途，被广泛应用于各种电力电子系统中。
半桥拓扑原理范文
半桥拓扑原理范文半桥拓扑是电力电子变换器中常使用的一种拓扑结构。
它由两个互补型开关和一个中心点连接的输出电容组成。
半桥拓扑具有高效率、高可靠性等优点，在电力电子领域得到广泛应用。
下面将从拓扑结构、工作原理、优点和应用等方面对半桥拓扑进行详细描述，以便更好地理解半桥拓扑的原理。
首先，我们来讨论半桥拓扑的结构。
半桥拓扑由两个互补型开关（一般为MOSFET或IGBT）和一个中心点连接的输出电容组成。
其中，两个互补型开关分别为上开关和下开关，它们通过控制信号来开关。
输出电容用于平滑输出电压，保证输出的稳定性。
接下来，我们来了解半桥拓扑的工作原理。
当上开关导通时，输入电压会通过上开关和输出电容流向输出端口。
这时，输出端口的电压为输入电压减去上开关的电压降。
当上开关导通时间结束后，上开关关闭，下开关导通。
这时，输入电压会通过下开关和输出电容流向输出端口，输出端口的电压为输入电压减去下开关的电压降。
通过交替导通上下开关，半桥拓扑能实现输出电压的转换。
半桥拓扑的优点主要体现在以下几个方面。
首先，半桥拓扑具有高效率。
由于半桥拓扑能实现输入电压的转换，减小了能量损耗，从而提高了系统的效率。
其次，半桥拓扑具有较高的可靠性。
由于半桥拓扑由两个互补型开关组成，开关的寿命相对较长，能够提高系统的可靠性。
此外，半桥拓扑结构简单，成本较低，易于控制和维护。
最后，我们来探讨半桥拓扑的应用。
半桥拓扑在电力电子领域应用广泛。
例如，它可以用于电力逆变器的输出端，将直流电压转换为交流电压，并连接到电网中。
另外，半桥拓扑还可以用于交流电机的驱动系统，实现直流电压到交流电压的变换。
此外，半桥拓扑还可应用于电动车辆的电源系统，将电池的直流电压转换为交流电压，以供电动机驱动。
综上所述，半桥拓扑是一种常用的电力电子拓扑结构，具有高效率、高可靠性等优点。
它由两个互补型开关和一个中心点连接的输出电容组成。
通过交替导通上下开关，半桥拓扑能实现输入电压的转换。
半桥和全桥llc
半桥和全桥 LLC1. 什么是半桥和全桥 LLC半桥和全桥 LLC（Half-Bridge and Full-Bridge LLC）是一种用于直流至交流（DC-AC）电力转换的拓扑结构。
在电力应用中，LLC拓扑结构被广泛应用于高效率的电源系统设计中。
LLC拓扑结构由三个主要部分组成：半桥/全桥输出级、谐振电容和谐振电感。
它通过控制开关器件的PWM信号来实现对输出电压的调节。
半桥 LLc 结构使用两个开关器件，而全桥 LLC 结构使用四个开关器件。
2. 半桥和全桥 LLC 的工作原理2.1 半桥 LLC半桥 LLC 结构由两个功率开关器件、一个谐振电容和一个谐振电感组成。
其工作原理如下：1.当功率开关器件 S1 和 S2 关闭时，输入直流电压施加在谐振电容上，此时谐振电容开始充电。
2.当功率开关器件 S1 开启时，谐振电容开始放电，同时谐振电感开始储能。
3.当功率开关器件 S2 开启时，储能的电感开始释放能量，此时输出电压施加在负载上。
通过控制开关器件的开关时间和占空比，可以调节输出电压的大小和频率。
2.2 全桥 LLC全桥 LLC 结构由四个功率开关器件、一个谐振电容和一个谐振电感组成。
其工作原理类似于半桥 LLC，只是控制方式略有不同：1.当功率开关器件 S1 和 S4 关闭时，输入直流电压施加在谐振电容上，此时谐振电容开始充电。
2.当功率开关器件 S1 和 S3 开启时，谐振电容开始放电，同时谐振电感开始储能。
3.当功率开关器件 S2 和 S3 开启时，储能的电感开始释放能量，此时输出电压施加在负载上。
全桥 LLC 结构相对于半桥 LLC 结构具有更高的功率密度和更低的损耗。
在高功率应用中常常使用全桥 LLC 结构。
3. 半桥和全桥 LLC 的优势3.1 高效性LLC拓扑结构通过谐振特性实现了零电流开关（ZVS）和零电压开关（ZCS），从而降低了开关器件的功率损耗。
这种高效性使得LLC拓扑结构在高功率应用中具有显著的优势。
电源拓扑半桥全桥
电源拓扑半桥全桥
电源拓扑中的半桥和全桥电路结构具有不同的特点和应用场景：
- 全桥电路：由四只相同的开关管接成电桥结构驱动脉冲变压器原边。
主要优点包括：与推挽结构相比，原边绕组减少了一半，开关管耐压降低一半；适应的功率范围较大，从几十瓦到千瓦都可以；开关管耐压要求较低；电路成本比全桥电路低等。
主要缺点是使用的开关管数量多，且要求参数一致性好，驱动电路复杂，实现同步比较困难。
这种电路结构通常使用在1KW以上超大功率开关电源电路中。
- 半桥电路：电路的结构类似于全桥式，只是把其中的两只开关管换成了两只等值大电容。
主要优点包括：具有一定的抗不平衡能力，对电路对称性要求不很严格；适应的功率范围较大，从几十瓦到千瓦都可以；开关管耐压要求较低；电路成本比全桥电路低等。
这种电路常常被用于各种非稳压输出的DC变换器，如电子荧光灯驱动电路中。
在选择电源拓扑时，需要根据实际应用场景的需求和参数，综合考虑其优缺点，选择最适合的拓扑结构。
半桥和全桥变换器拓扑
半桥和全桥变换器拓扑第五章半桥和全桥变换器拓扑功降压、升压、降-升不隔离型压、库克变换器率变换单端反激、正激电隔离型路双端推挽、半桥、全桥第五章半桥和全桥变换器拓扑5.1 概述(Introduction)5.2 半桥变换器拓扑Half-Bridge ConverterTopology5.3 全桥变换器拓扑Full-Bridge本章小结 5.1 概述半桥和全桥开关变换器拓扑开关管的稳态关断电压等于直流输入电压，而不是像推挽、单端正激或交错正激拓扑那样为输入的两倍。
所有桥式拓扑广泛应用于直接电网的离线式变换器。
桥式变换器的另一个优点是，能将变压器初级侧的漏感尖峰电压钳位于直流母线电压，并将漏感储存的能量归还到输入母线，而不是消耗于电阻元件。
5.2 半桥变换器拓扑5.2.1 工作原理整流和滤波S1断开时，输入为220V 交流电，电路为全波整流电路，滤波电容C1和C2串联，整流得到的直流电压分子约为1.41220-2308V;当S1闭合时，输入为120V交流电压，电路相当于一个倍压整流器。
在输入电压的正半周，A点相对于B点为正，电源通过D1给C1充电，C1电压为上正下负，峰值约为1.41120-1168V;在输入电压的下半周，A点电压相对于B点电压为负，电源通过D2给C2充电，C2电压为上正下负，峰值也为168V，两个电容串联的输出为336V. 5.2 半桥变换器拓扑工作原理从图3.1 可见，当任何一个晶体管导通时，另一个关断的晶体管承受的电压只是最大直流输入电压，而非其两倍。
首先忽略小容量阻断电容Cb，则Np下端可近似地看作连接到C1和C2的连接点。
若C1、C2的容量基本相等，则连接处的电压近似为整流输出电压的一半，约为168V。
通常的做法是在C1、C2的两端各并接等值放电电阻来均衡两者的电压。
图3.1中的开关Q1和Q2轮流导通半个周期。
Q1导通Q2关断时，Np的同名端(有点端)电压为，168V，Q2承受电压为336V;同理，Q2导通Q1关断时，Q1承受电压为336V，此时Np同名端电压为-168V。
半桥mos峰值电流 -回复
半桥mos峰值电流-回复半桥MOS峰值电流是指在半桥电路中，MOS管导通状态下的电流峰值。
在这篇文章中，我们将逐步解答有关半桥MOS峰值电流的问题，以帮助读者更好地理解和应用这一概念。
第一部分：半桥电路的基本原理首先，让我们回顾一下半桥电路的基本原理。
半桥电路是一种常用的电力电子转换器拓扑结构，通常由两个功率MOS管和两个继电器组成。
其中一个MOS管连接到电源正极，另一个连接到电源负极，两个继电器用于控制MOS管的导通和截止。
当其中一个继电器导通时，对应的MOS 导通，而另一个继电器截止，对应的MOS截止。
通过控制两个继电器的导通和截止状态，可以实现电压的正向和反向输出。
第二部分：什么是MOS管的峰值电流在半桥电路中，MOS管的峰值电流是指在导通状态下，MOS管中通过的最大电流值。
在MOS导通时，电流会从电源正极通过MOS管流向地，形成一个电流环路。
因此，为了保证电流正常流动以及MOS管的正常工作，我们需要了解和控制MOS管的峰值电流。
第三部分：如何计算半桥MOS峰值电流半桥MOS峰值电流的计算取决于多个因素，包括电源电压、MOS管的导通电阻以及负荷电阻等。
下面，我将一步步介绍如何计算半桥MOS峰值电流。
1. 确定电源电压：首先，我们需要确定电源电压。
通常情况下，电源电压是已知的，例如12V、24V或48V。
2. 查找MOS管的导通电阻：每个MOS管都有一个导通电阻，通常用Rds(on)表示。
这个值可以从MOS管的数据手册中找到。
例如，假设我们使用的是一个Rds(on)=0.05Ω的MOS管。
3. 计算负荷电流：根据应用的需求和负载情况，我们可以计算负荷电流。
假设我们的负荷电流是5A。
4. 计算半桥MOS峰值电流：根据Ohm's定律，我们可以使用以下公式来计算半桥MOS峰值电流：Ipeak = Vin / ((0.5 * Rds(on)) + Rload)其中，Vin是电源电压，Rds(on)是MOS管的导通电阻，Rload是负荷电阻。
llC半桥工作原理
llC半桥工作原理
半桥是一种常用的电路拓扑结构，通常由两个开关组成，用于实现直流电源或者电压源的正负级切换。
在半桥工作原理中，两个开关分别被称为上桥臂和下桥臂。
上桥臂由一个开关和一个电感组成，而下桥臂由另一个开关和一个电感组成。
这两个开关可以分别控制电压源的正负级输出，从而实现不同极性的输出电压。
在正极性输出时，上桥臂开启，下桥臂关闭；而在负极性输出时，上桥臂关闭，下桥臂开启。
当上桥臂开启时，电感储存了电能，此时电感通过下桥臂形成了一个封闭的回路，电流开始流动。
当上桥臂关闭时，电感释放储存的电能，此时电感通过负载和下桥臂形成一个回路。
这个过程不断重复，就可以实现直流电源正负极性的切换。
半桥工作原理还可以通过脉宽调制（PWM）实现电压大小的
调节。
通过改变上桥臂和下桥臂的开关频率和占空比，可以控制输出电压的大小。
当开关频率较高时，输出电压平均值较大，电压输出较高；当开关频率较低时，输出电压平均值较小，电压输出较低。
总之，半桥工作原理利用两个开关和一些电感组成的拓扑结构，通过控制开关的状态和频率来实现直流电源的正负级切换和输出电压的调节。
这种结构简单、可靠，广泛应用于电力电子转换和控制领域。
半桥拓朴结构-商用灶
我设计过的半桥电路
抄家用炉的同步电路，也 可以脉冲检锅
DSP方案的半桥电磁炉
1.使用TI的TMS320F28027中的事件管理功 能可以方便的实现以上讲的逆变过程 2.灵活的EPWM功能模块，ADC功能模块， 可以轻松的实现锁相，逆变过程。 3.下面的资料基于TI公司提供的PICCOLO系 列芯片的一个课件。
实际测试到的波形
电流换 相正确
半桥拓扑的工作过程
D1,D2提供续流回路，
没有时间描， 从网上CO了一 个图
第1个过程的电流方向：N->RL->D1->C01+；D1工作，T1短路 第2个过程的电流方向：C01+->T1->RL->N；T1工作
第3个过程的电流方向：A->RL->C02+->D2->A；D2 工作，T2短路 第4个过程的电流方向：C02+->RL->T2->C02-；T2 工作
半桥拓朴结构
电磁灶上的应用
海开发部程正伟 20120801
半桥的拓扑结构
Q1,Q2组成方波网络，对电压源进行频率切 换； C1,C2，L1组成谐振网络，最终希望得到了 一个正弦的电流，运行在准谐振状态下。
LC谐振相关知识
1.品质因数Q
fo为LC的固有振荡频率，这个是物理特 性，半桥的功率调节绝多数是基于些点-改变频率值 f=fo时，半桥系统为纯阻性，此时功 率最大，也最理想 接下来，我们将半桥的拓扑结构作物理分析
数学模型
电路模型：
交流下的阻抗： 品质因数计算： 幅频特性：
品质因数Q
1.Q越大则表示电磁的能量转换越好。频率的 选择越好。 2.电容与线圈二端的电压都是Us的Q倍，电 压过高会给电容器件制造带来麻烦
带均值电流限幅功能的半桥式电路拓扑结构
RAMP
2.5V
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION CONFIDENTIAL 2010 National Semiconductor Corporation. All Rights Reserved
16
双模式限流保护
采用 250mV 的阈值,这样可减少损耗,也有助于提高抗噪声干 扰的能力 确保一旦出现过电流事件时,可以迅速作出响应,而且 RES 引 脚可以执行多重保护功能
Current Sense Circuit Current Limit 0.25V CLK
CS
5V Restart Current Source Logic 22μA RES 12μA CRES
Voltage Feedback
COMP
PWM
To Output Drivers
2.5V Restart Comparator
11
可编程同步整流器
0.5A 的次级线圈同步整流器驱动器 RDLY 可以调整停滞时间,以便尽量提高同步 FET 的效率,以免出现击穿情 况 前沿计时器 (T1) 的时钟频率是后沿计时器 (T2) 的一倍 由于同步整流器 MOSFET 的栅极电容较大,一般会与次级线圈 MOSFET 驱 动器一同使用
性能表现 : 同步整流器的停滞时间比率 (T1 : T2) 软启动与打嗝模式之间的电流比率 升压电容充电 (HB-HS) 欠压锁定 启动稳压器的限流值 欠压锁定停机及打嗝限流模式的 SR1, SR2 状态 HO, LO 导通时间 (以最高占空比操作) LM5035 2:1 50μA : 1μA 5V 20mA (最低) 高 0.5*T-T1-70ns LM5035A 3:1 100μA : 1μA 3.9V 25mA (最低) 高 0.5*T-T1-70ns LM5035B 3:1 100μA : 1μA 3.9V 40mA (最低) 低 0.5*T - T1
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Lo Io T/2 Vo S1 S2 D D T/2
Lk
[t0, t1] 变换器正半周工作，Ip, Im增加；Vc减少。
Vin DT / Lm 2 ∆Vc = −( Io / n) DT /(2C1) ∆I m =
t0
t1 t2
t3 t4 t5 t6=t0
Io
IL ΔIL
VT
Vin/2n
-Vin/2n
5
半桥变换器（HALF Bridge Type Converter)（9）
半桥变换器（HALF Bridge Type Converter)（10） • 串联耦合电容的选择
6
半桥变换器（HALF Bridge Type Converter)（11） • 1.初算电容量
• 由上图可知,耦合电容器C3和电感L折算到原边的电感Lr组合成一个串联谐振 电路,其谐振频率为:
Ip
t0 t1 t2 t3 t4 t5 t6=t0
Io
IL ΔIL
VT
Vin/2n
-Vin/2n
2
半桥变换器（HALF Bridge Type Converter)（3）
T/2 S1 Io C C1 VT Ip B S1 D2 Vds1 Im Lk Vc
Vin
Vin
C1 S2
n:1+1 Lm
D1
Lo D Vo
Ip
t0 t1 t2 t3 t4 t5 t6=t0
Io
IL ΔIL
VT
Vin/2n
-Vin/2n
半桥变换器（HALF Bridge Type Converter)（6）
T/2 S1 Io C C1 VT Ip B S1 D2 Vds1 Im Lk Vc
Vin
Vin
C1 S2
n:1+1 Lm
D1
Lo D Vo
开关电源设计与应用
教 材
北京昂讯科技有限公司 电话:010-62247628 FAX:010-62254817 Email:angxun@ 主讲:张占松 张心益
第六部分:桥式变换器（Bridge Type Converter)
S2 D1 L Vin Vo S2 D1 L Vo
Vin
S1
半桥变换器（HALF Bridge Type Converter)（2）
T/2 S1 Io C C1 VT Ip B S1 D2 Vds1 Im Lk Vc
Vin
Vin
C1 S2
n:1+1 Lm
D1
Lo D Vo
T/2
S2
D
[t1, t2] S1关断，变压器副边续流，原边漏感能 量被S2体二极管钳位。
T/2
S2
D
[t2, t3] S1，S2全部关断，变压器副边续流，Lm 保持不变，D1,D2电流之差为Lm。
Ip
t0 t1 t2 t3 t4 t5 t6=t0
Io
IL ΔIL
VT
Vin/2n
-Vin/2n
半桥变换器（HALF Bridge Type Converter)（4）
T/2 S1 Io A Ip B S1 D2 Vds1 Im Lk Vc
Vin
S2 Vin
n:1+1 Lm
D1 VT
Lo D Vo
T/2
S2
D
[t3, t4]
Ip
t0 t1 t2 t3 t4 t5 t6=t0
Io
变换器负半周工作，Ip, Im减少；Vc增加。
Vin DT / Lm 2 ∆Vc = ( Io / n) DT /(2C1) ∆I m = −
IL
ΔIL
VT
Vin/2n
为使耦合电容呈充电线性,要选好谐振频率Fr,一般: Fr = 0.1 Fs
半桥变换器（HALF Bridge Type Converter)（11） • 软启动及双倍磁通效应 • 1. 双倍磁通效应 双倍磁通效应是指启动瞬时饱和的现象,它存在于半桥,全桥和推挽电路. 在桥式电路里,变压器工作在双向磁化状态,磁芯磁感应强度的摆幅值 工作在峰-峰之间,磁通每半周开始的位置在+B和-B点,当开始导通时, 原始磁通起始点接近于0,从这个开始点,在2B的突变磁通将导致在第 一个半周内就磁芯饱和,引起元件损坏. 2.改善方法 一是把工作磁通密度值减小,但损害了磁芯的利用率, 二是增加软启动环节,启动时减小导通脉冲宽度,直至每周期开始工 作在+B和-B为止. 三是加入初级逐个脉冲控制方式,控制住初级电流,让变压器逐步工 作到稳定状态.
Vo = Vin D n
D < 0.5
-VBridge Type Converter)（7）
Vin
C1 S2 C
n:1+1 Lm
D1 VT
Lo Io Vo
优点：
1. 变压器正负工作，不需要辅助 的复位电路。 输出纹波频率是开关频率的两 倍，所需电感量小。 线性输出控制特性。 电路平衡对称。
Ip B S1
Lk D2
C1
2. 3. 4.
Vo =
Vin D n
D < 0.5
∆I L = Vo(1 / 2 − D)T / Lo
缺点：
1. 2. 变压器结构复杂。 输入电压范围较小。
∆Vc = ( Io / n) DT /(2C1)
半桥变换器（HALF Bridge Type Converter)（8） • 偏磁现象及其防止 • 1.偏磁的产生 • 两开关管开关特性的不同,开关时间的偏差,饱和开通电压的不同,均 会引起正,负半周不平衡的伏-秒值,如下图面积A1和A2. • 这种不平衡的正,负半周的伏-秒值,将会引起变压器磁滞回线的偏移, 致使铁芯工作到饱和区并产生过大的电流,增加变压器损耗,降低变换 器效率,严重的会使开关管失控,甚至烧毁. • 2. 串联偶合电容改善偏磁性能 • 在变压器的原边线圈中加入一个串联电容,把与不平衡的伏-秒值相 对应的直流便压滤掉,(此电容又叫隔直电容,意在隔离直流偏压),这样 即能得到平衡的正,负半周的伏-秒值. • 3.引入初级电流反馈,靠逐脉冲的电流控制,将偏磁纠正回平衡状态.
7
T/2
S2
D
[t5, t6] S1，S2全部关断，变压器副边续流，Lm 保持不变，D1,D2电流之差为Lm。 [t0, t1] [t1, t3]
∆I L = ( Vin − Vo) DT / Lo 2n
Ip
t0 t1 t2 t3 t4 t5 t6=t0
Io
IL ΔIL
VT
Vin/2n
∆I L = Vo(1 / 2 − D)T / Lo
-Vin/2n
3
半桥变换器（HALF Bridge Type Converter)（5）
T/2 S1 Io A Ip B S1 D2 Vds1 Im Lk Vc
Vin
S2 Vin
n:1+1 Lm
D1 VT
Lo D Vo
T/2
S2
D
[t4, t5] S2关断，变压器副边续流，原边漏感能 量被S1体二极管钳位。
D2
S1
D2
半桥变换器
全桥变换器
L
Vin
S2 Vo
Vin D1 Vo
S2 S1 D2
S1 D2
半桥变换器（倍流整流）
推挽变换器
1
半桥变换器（HALF Bridge Type Converter)（1）
Vin C1 S2 C C1 n:1+1 Lm D1 VT Ip B S1 D2 Vc Vds1 Im Ip