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半导体材料的测试技术
半导体材料的测试技术1.电学测试技术电学测试技术是半导体材料测试的基础。
它主要包括电阻测试、电容测试、电势分布测试等。
电阻测试用于测量材料的电阻值,以判断导电性能。
电容测试则用于测量材料的电容值,以评估绝缘性能。
电势分布测试则用于测量电势在材料内的分布情况,以评估电路设计的准确性和稳定性。
2.光学测试技术光学测试技术主要用于测量材料的光学性能,例如透射率、反射率、折射率等。
这些参数对于半导体材料的功能和性能至关重要。
光学测试技术通常使用光谱仪、激光干涉仪等设备进行测量,可以精确地确定材料的光学特性。
3.结构测试技术结构测试技术主要用于测量材料的结构参数。
例如,常见的X射线衍射技术可以用来分析材料的晶体结构和晶体缺陷。
扫描电子显微镜(SEM)可以用来观察材料的微观形貌和表面形貌。
透射电子显微镜(TEM)则能够提供更高分辨率的图像,用于研究材料的纳米级结构。
4.热物性测试技术热物性测试技术主要用于测量材料的导热性能和热稳定性。
热导率测试可以测量材料导热的速度和效率,以评估材料的散热性能。
热膨胀测试可以测量材料在温度变化下的线膨胀系数,以评估材料的热稳定性。
5.电子能谱测试技术电子能谱测试技术通过测量材料中电子的能量分布,可以得到材料的成分和化学状态。
常见的电子能谱测试技术包括X射线光电子能谱(XPS)、透射电子能谱(AES)等。
这些技术可以用来分析材料的表面组成和化学键的状态,以评估材料的纯度和接触性能。
总之,半导体材料测试技术在半导体工业生产中起着至关重要的作用。
通过不同的测试技术,可以对材料的电学、光学、结构、热物性以及化学性质进行全面而详细的检测和分析。
这些测试结果有助于提高半导体材料的质量和性能,从而推动整个半导体工业的发展。
半导体测试与分析-PPT精选文档
二探针法
用两根探针借助于电位差计量取 样品表面某两点(实际上是某两 个等位面)间的电位差U,并量出 流经样品的电流值I,即可算出 该两个等位面间的长方体的电阻 值R。精确量出探针间距L及样 品截面积S, 则样品的电阻率为
两个改进措施
1. 补偿法来测量电压,以避免探针与半导体之间 高阻接触对测量结果的影响 2. 两个端电极与被测半导体之间为欧姆接触,因 而避免了少数载流子的注入
半导体电阻率的测量与导体的电阻率测量是有区 别的
1、在金属与半导体接触的界面附近也要产生一个耗尽层。因为金属 的电子密度极高,因而这个耗尽层展宽在半导体一边。耗尽层中只有 不能自由运动的电离杂质,它们不能参与导电,因而这是一个高阻层。 同时,任何两种材料的小面积接触都会在接触处产生扩展电阻。尤其 是对金属—半导体点接触,这个扩展电阻会很大,人们常常把这两个 因接触而产生的高电阻统称为接触电阻。因此,当用欧姆表来测量半 导体时,这个巨大的接触电阻就会使结果面目全非,毫不可信。
2、功函数不同的两种金属制品在接触时也要因接触电势差而在界面
上出现一个电荷偶层,但这个空间电荷层极薄,每边只有约一个原于 层厚,远小于电子的扩散长度,因而对载流子没有阻挡作用。同时, 金属与金属的小面积接触的扩展电阻也很小。因此,上述方法对测量 金属导体的电阻率是精确的。
3、由非平衡载流子的电注入效应可以想到,如果被测半 导体是n型,那么测量电流将通过正电极向半导体注入空 穴;若被测半导体是P型则会从负电极向半导体注入电子。 这些注入的少数载流子在外电场的驱使下向另一电极漂移, 参与导电。在注入电极附近的某一范围内,载流子密度因 此而高于载流子的热平衡密度,因而测量结果不能反映材 料电阻率的真正大小。对于热平衡载流子密度较低的高阻 材料,其接触电阻更大,少子注入的影响也更加严重。
半导体材料测试与分析
半导体中各种复合过程示意图(a)带间跃迁(b) 带-杂质中心辐射复合跃迁(c)施主-受主对辐射 复合跃迁
在上述辐射复合机构中,前两种 属于本征机构,后面几种则属于非本 征机构。由此可见,半导体的光致发 光过程蕴含着材料结构与组份的丰富 信息,是多种复杂物理过程的综合反 映,因而利用光致发光光谱可以获得 被研究材料的多种本质信息。
光致发光光谱PL
主要内容:
• 光致发光基本原理 • 仪器及测试 • 应用
一、光致发光的基本原理
• 1. 定义:光致发光(Photoluminescence) 指的是以光作为激励手段,激发材料中的 电子从而实现发光的过程。它是光生额外 载流子对的复合过程中伴随发生的现象。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
• 2. 基本原理:由于半导体材料对能量高于 其吸收限的光子有很强的吸收,因此在材 料表面约1μm厚的表层内,由本征吸收产 生了大量的额外电子-空穴对,使样品处于 非平衡态。这些额外载流子对一边向体内 扩散,一边通过各种可能的复合机构复合 。其中,有的复合过程只发射声子,有的 复合过程只发射光子或既发射光子也发射 声子。
二、仪器及测试
• 测量半导体材料的光致发光光谱的基 本方法是,用紫外、可见或红外辐射 等激发光源产生能量大于被测材料的 禁带宽度Eg、且电流密度足够高的光 子流去入射被测样品,同时用光探测 器接受并识别被测样品发射出来的光 ,分析该材料的光学特性。
TRIAX550 PL谱仪
样品架
制冷仪
光致发光光谱测量装置示意图
E6 E5
E2
E0
自 由 载 流 子 复 合
束 缚 激 e-h 子 自 e-h e-A 声子参与 复 由 合 激 子 D-h 复 合
浅 能 级 与 本 征 带 间 的 载 流 子 复 合
半导体材料的测试技术
俄歇能谱法AES
X光能谱法XES 阴极荧光光谱法 扫描电子显微镜SEM 透射电子显微镜TEM X光光电子能谱法XPS
X射线衍射方法
高能离子入射
二次离子质谱法
XRD (X-ray Diffraction)
X射线本质 电磁波
X射线波长很短(其波长范围为10nm-0.001nm)、能量极高、 具有很强的穿透能力。X射线从发现至今已经有100多年的历 史,现已广泛用于工业生产、医学影像、地质勘探和材料科 学研究中,发挥着巨大的作用
❖ 光学显微镜的分辨率:
r0 2
❖ 光学显微镜的最大分辨率:0.2μm;人眼的分辨本 领是大约.2mm;故光学显微镜的放大倍数一般 最高在1000~1500倍。
❖ 欲提高分辨率,只有降低光源的波长。
扫描电子显微术
❖ 放大倍数:20——20万倍; ❖ 分辨率:5nm—10nm;
透射电子显微术
X射线衍射技术 XRD (X-ray Diffraction) Bragg定律 2dhklsin =n 是入射X射线的波长, d 是晶面族的面间距, 是布喇格衍射角, n 表示衍射级数的整数
对某一晶体来说dhkl是确定不变的,当一定时只有特定的值才能满 足以上方程,也就是说只有晶体处于某一方位时才能产生衍射。
3C-SiC(111)
自碳饱和硅熔体中生长β-SiC晶体
35.65
900
800
700
600
500
3C-SiC(311)
400
60 71.75
300
6H-SiC(101)
6H-SiC(110)
200
3C-SiC(220)
34.1 41.5
100
0 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80
半导体材料测试技术
目 录
X射线双晶衍射技术 光致发光分析方法 霍尔效应测量原理 电化学C-V分布测量技术 扫描电子显微镜的原理及应用
第一章 X射线双晶衍射技术
X射线是1895年11月8日由德国物理学家 伦琴(W.C.Rontgen)在研究真空管高压放电 现象时偶然发现的。由于当时对这种射线的 本质和特性尚无了解,故取名为X射线,后人 也叫伦琴射线。从1895到1897年间,他搞清 楚了X射线的产生、传播、穿透力等大部分特 性。伦琴的这一伟大发现使得他于1901年成 为世界上第一位诺贝尔奖获得者。X射线发现 近半年就被医务界用来进行骨折诊断和定位 了,随后又用于检查铸件中的缺陷等。
A
400
300
Intensity(a.U.)
200
100
0
32.9
33.0
33.1
33.2
33.3
?
A
3500 3000 2500
intensity(a.u.)
2000 1500 1000 500 0 34.90 34.95 35.00 35.05 35.10 35.15 35.20
?
XRD results
优点
对于研究材料的结晶完整性、均匀性、 层厚、组分、应变、缺陷和界面等重要信息, X射线双晶衍射方法具有独特的优势。首先它 是非破坏性的 ,其次是精度高,方法简便。 它不仅为材料生长工艺提供准确的参数,用 来指导生长工艺,同时也为器件研究和物理 研究提供了可靠的基础。这里主要介绍X射线 双晶衍射方法在光电子材料中的应用,其中 包括异质外延晶格失配、单量子阱和超晶格 结构参数的确定和测量等。
1、阴极,阴极系灯丝,阴极的功能是发射电 子。 2 、阳极,阳极又称之为靶( target )。是使 电子突然减速并发射X射线的地方。当高速运 动的电子与阳极相碰时,便骤然停止运动。 此时电子的能量大部分变为热能,一部分变 成X射线光能,由靶面射出。 3、窗口,窗口是 X射线射出的通道。窗口材 料要求既要有足够的强度以维持馆内的高真 空,又要对X射线的吸收较小,较好的材料是 金属铍。
半导体材料测量(精)
半导体材料测量 (measurement for semiconductor material)用物理和化学分析法检测半导体材料的性能和评价其质量的方法。
它对探索新材料、新器件和改进工艺控制质量起重要作用。
在半导体半barl材料制备过程中,不仅需要测量半导体单晶中含有的微量杂质和缺陷以及表征其物理性能的特征参数,而且由于制备半导体薄层和多层结构的外延材料,使测量的内容和方法扩大到薄膜、表面和界面分析。
半导体材料检测技术的进展大大促进了半导体科学技术的发展。
半导体材料测量包括杂质检测、晶体缺陷观测、电学参数测试以及光学测试等方法。
杂质检测半导体晶体中含有的有害杂质,不仅使晶体的完整性受到破坏,而且也会严重影响半导体晶体的电学和光学性质。
另一方面,有意掺入的某种杂质将会改变并改善半导体材料的性能,以满足器件制造的需要。
因此检测半导体晶体中含有的微量杂质十分重要。
一般采用发射光谱和质谱法,但对于薄层和多层结构的外延材料,必须采用适合于薄层微区分析的特殊方法进行检测,这些方法有电子探针、离子探针和俄歇电子能谱。
半导体晶体中杂质控制情况见表1。
表1半导体晶体中杂质检测法晶体缺陷观测半导体的晶体结构往往具有各向异性的物理化学性质,因此,必须根据器件制造的要求,生长具有一定晶向的单晶体,而且要经过切片、研磨、抛光等加工工艺获得规定晶向的平整而洁净的抛光片作为外延材料或离子注入的衬底材料。
另一方面,晶体生长或晶片加工中也会产生缺陷或损伤层,它会延伸到外延层中直接影响器件的性能,为此必须对晶体的结构及其完整性作岀正确的评价。
半导体晶体结构和缺陷的主要测量方法见表 2。
表2半导体晶体结构和缺陷的主要测量方法电学参数测试半导体材料的电学参数与半导体器件的关系最密切,因此测量与半导体导电性有关的特征参数成为半导体测量技术中最基本的内容。
电学参数测量包括导电类型、电阻率、载流子浓度、 迁移率、补偿度、少子寿命及其均匀性的测量等。
半导体材料_实验报告(3篇)
第1篇一、实验目的1. 熟悉半导体材料的性质,掌握半导体材料的制备方法。
2. 学习使用四探针法测量半导体材料的电阻率和薄层电阻。
3. 掌握半导体材料霍尔系数和电导率的测量方法。
4. 了解太阳能电池的工作原理,并进行性能测试。
二、实验原理1. 半导体材料:半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的电导率,其电导率受温度、掺杂浓度等因素影响。
本实验所用的半导体材料为硅(Si)。
2. 四探针法:四探针法是一种测量半导体材料电阻率和薄层电阻的常用方法。
通过测量电流在半导体材料中流过时,电压的变化,可以得到材料的电阻率和薄层电阻。
3. 霍尔效应:霍尔效应是一种测量半导体材料霍尔系数和电导率的方法。
当半导体材料中存在磁场时,载流子在运动过程中会受到洛伦兹力的作用,导致载流子在垂直于电流和磁场的方向上产生横向电场,从而产生霍尔电压。
4. 太阳能电池:太阳能电池是一种将光能转化为电能的装置。
本实验所用的太阳能电池为硅太阳能电池,其工作原理是光生电子-空穴对在PN结处分离,产生电流。
三、实验仪器与材料1. 实验仪器:四探针测试仪、霍尔效应测试仪、太阳能电池测试仪、数字多用表、温度计等。
2. 实验材料:硅(Si)半导体材料、太阳能电池等。
四、实验步骤1. 四探针法测量半导体材料电阻率和薄层电阻(1)将硅半导体材料切割成合适尺寸的样品。
(2)将样品放置在四探针测试仪上,按照仪器操作步骤进行测量。
(3)记录实验数据,计算电阻率和薄层电阻。
2. 霍尔效应测量半导体材料霍尔系数和电导率(1)将硅半导体材料切割成合适尺寸的样品。
(2)将样品放置在霍尔效应测试仪上,按照仪器操作步骤进行测量。
(3)记录实验数据,计算霍尔系数和电导率。
3. 太阳能电池性能测试(1)将硅太阳能电池放置在太阳能电池测试仪上。
(2)按照仪器操作步骤进行测试,记录实验数据。
(3)计算太阳能电池的短路电流、开路电压、填充因子等参数。
五、实验结果与分析1. 四探针法测量半导体材料电阻率和薄层电阻根据实验数据,计算得到硅半导体材料的电阻率和薄层电阻分别为:ρ =0.3Ω·m,Rt = 0.1Ω。
半导体材料测试与分析
光致发光光谱测量装置示意图
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测试步骤:
1. 放置样品(晶片,粉体,薄膜) 2. 抽真空 3. 降温 4. 激光器使用 5. 光谱仪自检 6. 校准 7. 样品发光光谱测量 8. 变温测量 9. 变功率测量 10.关机
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三、PL谱的应用
• 由于PL谱与晶体的电子结构(能带结 构)、缺陷状态、和杂质等密切相关 ,因此,光致发光被广泛用来研究半 导体晶体的物理特性。
• 光致发光光谱的测试以其简单、可靠 ,测试过程中对样品无损伤等优点而 得到广泛的应用。
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PL可以应用于:
(1)带隙检测、(2)缺陷检测、(3)复合机 制以及材料品质鉴定、(4)对少子寿命的研究、( 5)测定半导体固溶体的组分、(6)测定半导体中 浅杂质的浓度、(7)半导体中杂质补偿度的测定、 (8)对半导体理论问题的研究等。
• 基本原理:设系统 的能级结果如图所 E2 示,E0是基态, E1-E6是激发态, 受到激发后,系统 从低能级被激发到 高能级,再从高能 E0 级跃迁到低能级, 其中,E2 到E1或 E0有可能发光
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束
缚
浅
自
激
由 载 流
e-h 自 e-h 由 声子参与
子 复 e-A 合
能 级 与 本 征 带
子激 复子
应用领域举例:
LED外延片,太阳能电池材料,半导体晶 片,半导体薄膜材料等检测与研究。
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在IIK温度下,用很弱的激光激发GaN所测量 光致发光的光谱图示如。通过高斯型分峰拟 合得到A、B、C、D四个谱峰。
用MOCVD技术在Al2O3衬底上外延GaN的光致发光研究 中国科学院长春物理研究所 高瑛、缪国庆-等人
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• 光致发光光谱(Photoluminescence,简称 PL),指物质吸收光子(或电磁波)后重新 辐射出光子(或电磁波)的过程。从量子 力学理论上,这一过程可以描述为物质吸 收光子跃迁到较高能级的激发态后返回低 能态,同时放出光子的过程。光致发光是 多种形式的荧光(Fluorescence)中的一 种。
半导体材料测量原理与方法
半导体材料测量(measurement for semiconductor material)用物理和化学分析法检测半导体材料的性能和评价其质量的方法。
它对探索新材料、新器件和改进工艺控制质量起重要作用。
在半导体半barl材料制备过程中,不仅需要测量半导体单晶中含有的微量杂质和缺陷以及表征其物理性能的特征参数,而且由于制备半导体薄层和多层结构的外延材料,使测量的内容和方法扩大到薄膜、表面和界面分析。
半导体材料检测技术的进展大大促进了半导体科学技术的发展。
半导体材料测量包括杂质检测、晶体缺陷观测、电学参数测试以及光学测试等方法。
杂质检测半导体晶体中含有的有害杂质,不仅使晶体的完整性受到破坏,而且也会严重影响半导体晶体的电学和光学性质。
另一方面,有意掺入的某种杂质将会改变并改善半导体材料的性能,以满足器件制造的需要。
因此检测半导体晶体中含有的微量杂质十分重要。
一般采用发射光谱和质谱法,但对于薄层和多层结构的外延材料,必须采用适合于薄层微区分析的特殊方法进行检测,这些方法有电子探针、离子探针和俄歇电子能谱。
半导体晶体中杂质控制情况见表1。
表1半导体晶体中杂质检测法晶体缺陷观测半导体的晶体结构往往具有各向异性的物理化学性质,因此,必须根据器件制造的要求,生长具有一定晶向的单晶体,而且要经过切片、研磨、抛光等加工工艺获得规定晶向的平整而洁净的抛光片作为外延材料或离子注入的衬底材料。
另一方面,晶体生长或晶片加工中也会产生缺陷或损伤层,它会延伸到外延层中直接影响器件的性能,为此必须对晶体的结构及其完整性作出正确的评价。
半导体晶体结构和缺陷的主要测量方法见表2。
表2半导体晶体结构和缺陷的主要测量方法电学参数测试半导体材料的电学参数与半导体器件的关系最密切,因此测量与半导体导电性有关的特征参数成为半导体测量技术中最基本的内容。
电学参数测量包括导电类型、电阻率、载流子浓度、迁移率、补偿度、少子寿命及其均匀性的测量等。
半导体材料测试技术
半导体材料测试技术半导体材料测试技术是指对半导体材料进行表征和性能测试的一系列技术方法和工具。
半导体材料是电子器件制造与应用的基础,而半导体材料的质量和性能对电子器件的性能和可靠性有着直接的影响。
因此,了解和掌握半导体材料的性能及其测试方法是十分重要的。
1.结构表征技术:通过采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等仪器,对半导体材料的晶体结构、晶格缺陷等进行分析和表征。
同时可以通过X射线衍射(XRD)技术对材料的晶格常数、晶体结构和材料的纯度进行分析。
2.光学特性测试技术:光学特性测试主要包括折射率、透明度、吸收谱、发射谱等光学性质的测试。
通过光学显微镜、紫外可见分光光度计、激光扫描显微镜等设备来进行测试。
3.电学特性测试技术:电学特性测试是对半导体材料的电导率、电介质常数、击穿电压等电学性质进行测试。
常见的测试设备包括电阻测试仪、电容测试仪、电压源/电流源等。
4.磁学特性测试技术:磁学特性测试主要是对半导体材料的磁化强度、磁畴结构等进行测试。
通过霍尔效应测试仪、磁学测试仪等设备来进行测试。
5.热学特性测试技术:热学特性测试主要是对半导体材料的热导率、热膨胀系数等进行测试。
热电测试仪、热膨胀仪等设备可以用来进行这方面的测试。
此外,还有一些特殊的测试技术,如电子能谱、质谱等,可以用来对半导体材料的表面组分和杂质掺杂进行分析。
综上所述,半导体材料测试技术是对半导体材料进行各种性能指标测试的一系列方法和工具的集合。
掌握这些测试技术,可以对半导体材料的质量和性能进行准确分析,为电子器件的研发和生产提供有力的支撑。
第3章半导体材料检测技术(太阳能应用检测与控制技术课件)
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3.1.2 单晶硅电阻率的测量
❖1.电阻率测量的基本方法
❖ (1)两探针法
图3-10 两探针法测量原理及其等效电路
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3.1.2 单晶硅电阻率的测量
❖1.电阻率测量的基本方法
❖ (2)四探针法
图3-11 四探针法测量半导体样品电阻率
❖ ② 测量区域的电阻率应是均匀的,为此针距不宜过大,一般采用1~2mm的 针距较适宜。
❖ ③ 4根探针应处于同一平面的同一条直线上,为此要求四根探针严格地排成 一直线,还要求样品表面应平整。
❖ ④ 四探针与试样应有良好的欧姆接触,为此探针应当比较尖,与样品的接 触点应是半球形,使电流成放射状发散(或汇拢),且接触半径应远远小于 针距,一般要求接触半径不大于50m。针头应有一定压力,一般取2×9.8N 较适宜。
13
3.1.2 单晶硅电阻率的测量
❖2.直流四探针法测量电阻率的基本原理
R(R0R5R6R7 R8) RR0R5R6R7 R8
图3-12 四探针法测量电阻率等效电路
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3.1.2 单晶硅电阻率的测量
❖3.四探针法测量电阻率的测准条件
❖ ① 样品的几何尺寸必须近似满足无限大,具体地说即样品的厚度必须大于3 倍针距,探针头中任一探针离样品边缘的最近距离不得小于3倍针距(纵向 、横断面电阻率测试部位的选择均由此而来)。如果上述条件没有得到满足 ,需要加以修正。
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3.1.3 非平衡少数载流子寿命的测量
1.少子寿命测量方法的一般介绍 目前常用的测量非平衡少数载流子寿命的方法,一般可分为两大
类。第一类为瞬态法,或称直接法。这类方法是利用电脉冲或 光脉冲(闪光)的方法,从半导体内激发非平衡载流子,调制 了半导体体内的体电阻,通过测量体电阻或样品两端电压的变 化规律直接观察半导体材料中的非平衡少数载流子的衰减过程 ,从而测定其寿命。这类方法中主要有光电导衰退法。 第二类为稳态法或称间接法。这类方法是利用稳态光照的办法, 使半导体中非平衡少数载流子的分布达到稳定状态,然后测量 半导体中某些与寿命有关的物理参数,从而推算出寿命的大小 。这类方法主要有扩散长度法和光磁法。
半导体材料实验讲义
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3)热场的调整 热场的调整是一项重要而细致的工作。一个合理的热场是晶体正常生长,降 低缺陷,提高单晶成品合格率的保证和关键。在单晶炉中影响热场的因素很多, 下面介绍几种调整热场的方法: ⑴ 纵向温度梯度的调整: a. 在有保温盖的系统中,保温盖孔径的大小影响纵向温度梯度大小,加大 保温盖孔径会增大纵向温度梯度。 b. 在有保温盖板的系统中,第一层石墨保温罩降低数十毫米,一般也可以 增加纵向温度梯度。 c. 去掉盖板或降低保温罩的高度,可以增大纵向温度梯度。 d. 在有保温盖的系统中,提高整个保温罩的高度,可明显降低纵向温度梯 度; e. 在无保温盖板的系统中,降低保温罩的高度能增加纵向温度梯度;减少 保温罩的层数亦可增加纵向温度梯度。 f. 改变拉晶过程中的坩埚位置, 可以提高或降低纵向温度梯度, 具体的是升 高埚位提高纵向温度梯度,还是降低埚位提高纵向温度梯度,这要看每个系统而 定,一般的说,升高埚位使纵向温度梯度增加。 在无坩埚随动的单晶炉中,坩埚位置的确定,应注意以下两点: A) 坩埚的最高位置是埚内最高液面必须低下,温度的变化较大,如果液面超过这个位置,在引晶后由 于温度梯度过大会造成拉不出单晶。 B) 坩埚的最低位置是埚内最低液面必须高于加热器的高温区中心线,若埚 底液面低于高温区中心线,在拉晶收尾时会出现埚底与埚边结晶。 g. 纵向温度梯度的大小,还与充气还是真空拉晶、是高真空还是低真空拉 晶有关。在同一热系统中,充气和低真空要比高真空拉晶的纵向温度梯度径向温 度梯度要小,这是因为在充气时由于有气体的对流和热传导比高真空大,结果使 热场温度军于,起了降低温度梯度的作用。
根据布拉格方程当波长为的x射线以角入射到晶体上若满足2dsin射线就会在晶面间距为d的一族平行晶面上产生衍射图1为此衍射原衍射的基本原理图入射x射线通过一套准直狭缝设在晶体上晶体可在p点绕垂直于纸面水平面的轴此轴是仪器转角装置的中心轴晶体的定向断面亦安放在此轴上转动衍射x射线用一检测器盖革计数管或其他适当的检测仪来检测当晶体转动到某位置时恰使入射x射线和晶体内部某点阵平面的夹角为
半导体测试技术课件
对于薄样品
,
,式1.13可写为:
对于非常薄样品,修正因子F2,F3均为1,结合上面电阻率表达式可写为:
薄膜经常采用方块电阻(sheet resistance, Rsh)表征它的电阻率 单位: ohms per square 均匀样品的方块电阻可写为:
方块电阻常用来表征薄的半导体层,如外延膜,多晶硅薄膜,离子注入 膜,金属膜。。。 对于均匀样品,方块电阻与方块电导互为倒数,对于非均匀样品:
四探针法对半导体的测试
电场强度可表示为:
P点电压:距离探针r
对于b图, P点电压相当于两者叠加
对于c图, 探针2电压相当于
探针3电压相当于
探针2,3之间电压相当于
因此可得电阻率:
常用单位 ρ:ohm·cm 常用电压:10mV
V: volts I:amperes
s: cm
通常应用的4探针法探针距离相等。s= s1=s2=s3, 上式可简化为:
测向尺寸
探针距离样品边沿位置
F1:样品厚度因子
大部分的半导体wafer测试都必须进行厚度修正。 厚度修正因子的推导可参考下面文献 样品厚度小于探针间距的条件下可给出F1表达式:
For non-conducting bottom wafer:
t:厚度 For conducting bottom wafer:
。。。
各种Mapping 测量技术比较
§4.1 Differential Hall Effect (DHE)
测量非半导体薄膜的离子注入 透明衬底(如玻璃)覆盖高分子膜并掺有染料 离子注入时,染料分子分解,导致颜色变黯, Optical Densitometry 利用敏感的显微光密度计测试注入前后光透过率 对照校准表绘制等高图MAPPING 无需退火,测试在注入后几分钟内可完成
半导体材料测试技术
常规材料测试技术一、适用客户:半导体,建筑业,轻金属业,新材料,包装业,模具业,科研机构,高校,电镀,化工,能源,生物制药,光电子,显示器。
二、金相实验室• Leica DM/RM 光学显微镜主要特性:用于金相显微分析,可直观检测金属材料的微观组织,如原材料缺陷、偏析、初生碳化物、脱碳层、氮化层及焊接、冷加工、铸造、锻造、热处理等等不同状态下的组织组成,从而判断材质优劣。
须进行样品制备工作,最大放大倍数约1400倍。
• Leica 体视显微镜主要特性:1、用于观察材料的表面低倍形貌,初步判断材质缺陷;2、观察断口的宏观断裂形貌,初步判断裂纹起源。
• 热振光模拟显微镜• 图象分析仪• 莱卡DM/RM 显微镜附CCD数码照相装置三、电子显微镜实验室• 扫描电子显微镜(附电子探针) (JEOL JSM5200,JOEL JSM820,JEOL JSM6335) 主要特性:1、用于断裂分析、断口的高倍显微形貌分析,如解理断裂、疲劳断裂(疲劳辉纹)、晶间断裂(氢脆、应力腐蚀、蠕变、高温回火脆性、起源于晶界的脆性物、析出物等)、侵蚀形貌、侵蚀产物分析及焊缝分析。
2、附带能谱,用于微区成分分析及较小样品的成分分析、晶体学分析,测量点阵参数/合金相、夹杂物分析、浓度梯度测定等。
3、用于金属、半导体、电子陶瓷、电容器的失效分析及材质检验、放大倍率:10X—300,000X;样品尺寸:0.1mm—10cm;分辩率:1—50nm。
• 透射电子显微镜(菲利蒲CM-20,CM-200)主要特性:1、需进行试样制备为金属薄膜,试样厚度须<200nm。
用于薄膜表面科学分析,带能谱,可进行化学成分分析。
2、有三种衍射花样:斑点花样、菊池线花样、会聚束花样。
斑点花样用于确定第二相、孪晶、有序化、调幅结构、取向关系、成象衍射条件。
菊池线花样用于衬度分析、结构分析、相变分析以及晶体精确取向、布拉格位移矢量、电子波长测定。
会聚束花样用于测定晶体试样厚度、强度分布、取向、点群• XRD-Siemens500—X射线衍射仪主要特性:1、专用于测定粉末样品的晶体结构(如密排六方,体心立方,面心立方等),晶型,点阵类型,晶面指数,衍射角,布拉格位移矢量,已及用于各组成相的含量及类型的测定。
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36、“不可能”这个字(法语是一个字 ),只 在愚人 的字典 中找得 到。--拿 破仑。 37、不要生气要争气,不要看破要突 破,不 要嫉妒 要欣赏 ,不要 托延要 积极, 不要心 动要行 动。 38、勤奋,机会,乐观是成功的三要 素。(注 意:传 统观念 认为勤 奋和机 会是成 功的要 素,但 是经过 统计学 和成功 人士的 分析得 出,乐 观是成 功的第 三要素 。
39、没有不老的誓言,没有不变的承 诺,踏 上旅途 ,义无 反顾。 40、对时间的价值没有没有深切认识 的人, 决不会 坚韧勤 勉。
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26、要使整个人生都过得舒适、愉快,这是不可能的,因为人类必须具备一种能应付逆境的态度。——卢梭
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27、只有把抱怨环境的心情,化为上进的力量,才是成功的保证。——罗曼·罗兰
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28、知之者不如好之者,好之者不如乐之者。——孔子
▪Leabharlann 29、勇猛、大胆和坚定的决心能够抵得上武器的精良。——达·芬奇
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30、意志是一个强壮的盲人,倚靠在明眼的跛子肩上。——叔本华
谢谢!
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