mosfet识别方法
n沟道 mosfet符号
n沟道 mosfet符号MOSFET，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一种常见的半导体器件，用于放大和开关电路。
下面是MOSFET符号的相关参考内容。
MOSFET符号是一种标准化的图示方法，可以简洁明了地表示MOSFET器件的类型和性质。
MOSFET符号通常由三个部分组成：源极、栅极和漏极。
下面是三种常见类型的MOSFET符号及其相关特征。
1. N沟道MOSFET（NMOS）N沟道MOSFET是一种使用n型半导体材料制造的器件。
它的符号通常由一个带有箭头的水平线段和一个垂直于其连接的直线组成。
箭头表示电流流动的方向，直线表示n型半导体材料。
在NMOS符号中，水平线段表示MOSFET的漏极，垂直线表示源极，而连接两者的直线表示栅极。
NMOS器件在栅极和源极之间形成一个n沟道，控制栅极电压可以改变沟道上的电流。
2. P沟道MOSFET（PMOS）P沟道MOSFET是一种使用p型半导体材料制造的器件。
它的符号与NMOS类似，但是箭头的方向相反。
在PMOS符号中，箭头指向水平线段，表示电流的流动方向。
垂直线段仍然表示源极，而栅极仍然是与源极连接的直线。
PMOS器件在栅极和源极之间形成一个p沟道，栅极电压的变化可以改变沟道上的电流。
3. 绝缘栅MOSFET（IGBT）绝缘栅MOSFET是一种集成了MOSFET和双极晶体管（BJT）的双向开关。
它的符号由一个与源极和漏极连接的箭头和一个位于其下方的三角形组成。
箭头表示电流流动的方向，三角形表示绝缘栅。
IGBT在高电压和高电流应用中具有较低的导通电阻，并结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的放大特性。
除了这些常见的MOSFET符号，还存在许多其他类型的MOSFET，如增强型MOSFET（Enhancement Mode MOSFET）和耗尽型MOSFET（Depletion Mode MOSFET）。
常用场效应管的种类与识别
常用场效应管的种类与识别场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种半导体电子器件，主要用于放大和开关电路中。
根据FET的工作原理和结构不同，常用的场效应管主要有三种类型：结型场效应管（JFET）、金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor FET，MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor，IGBT）。
下面将详细介绍这三种常用的场效应管以及它们的识别方法。
1.结型场效应管（JFET）：结型场效应管是最早发展的一种场效应管，其结构简单，用途广泛。
根据导电型别的不同，可分为N沟道（N-Channel）和P沟道（P-Channel）两类。
结型场效应管的导通主要是通过沟道中的少数载流子进行的。
其主要特点包括输入电阻较高、噪声较低、电路稳定性好等。
JFET的识别方法：（1）引脚识别：JFET有三个引脚，即源极（source）、栅极（gate）和漏极（drain）。
可以使用万用表的电阻档位来测量两两引脚间的电阻大小，栅源电阻较大，约为数兆欧姆，漏源电阻较小，约为几千欧姆，可以根据这些特点来判断引脚的功能。
（2）标识识别：通常JFET上会有标志性的标识，例如“2N”或“BF”等，通过这些标识可以辨认出具体的型号和制造商。
（3）参数识别：可以通过查阅JFET的参数手册或型号手册，了解其具体的参数范围和特性，从而辨认出具体的JFET型号。
2.金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）：金属氧化物半导体场效应管是应用最为广泛的一种场效应管，也是目前集成电路中使用最多的晶体管。
根据栅极结构的不同，可以分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET两种。
增强型MOSFET的导通需要在栅极上施加正电压，而耗尽型MOSFET的导通则需要在栅极上施加负电压。
MOSFET的识别方法：（1）引脚识别：MOSFET有三个引脚，即源极（source）、栅极（gate）和漏极（drain）。
晶体管类型和三个极的判断
晶体管类型和三个极的判断一、引言晶体管，作为现代电子工业的核心元件，其类型和极性的判断是电子工程师必须掌握的基本技能。
本篇文章将详细介绍晶体管的类型及如何判断其三个极。
二、晶体管类型晶体管主要有两大类型：双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT）和场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）。
1.双极型晶体管（BJT）：由三个半导体区域构成，包括两个PN结。
根据结构差异，双极型晶体管又可以分为PNP和NPN两种类型。
在BJT中，电流控制是通过电荷载流子的变化来实现的。
2.场效应晶体管（FET）：由源、栅和漏三个电极构成，主要分为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等类型。
在FET中，电流的控制是通过改变半导体区域的电导率来实现的。
三、晶体管三个极的判断在判断晶体管的三个极时，我们通常基于其工作原理和结构特性进行识别。
以下是具体的判断方法：1.NPN型晶体管：a. 将晶体管放于手掌中，使得基极（B）朝向自己；b. 从基极开始，逆时针方向分别是基极（B）、集电极（C）和发射极（E）；c. 对于PNP型晶体管，则相反，即从基极开始，顺时针方向分别是基极（B）、集电极（C）和发射极（E）。
2.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）：a. 有源区：由于MOSFET 的源极和漏极通常由同一种类型的半导体构成，因此可以通过测量其电阻值进行判断。
源极与漏极之间的电阻值较小；b. 栅极：栅极与源极或漏极之间的电阻值较大；c. 漏极：漏极与源极之间的电阻值较小。
3.绝缘栅双极晶体管（IGBT）：a. 发射极：通常标识有标记的一极为发射极；b. 集电极：将万用表置于测量电阻的适当量程，使万用表的黑表笔接IGBT的任意一脚，红表笔先后分别接其余两脚。
比较两次测量结果，阻值较小的一次测量中，红表笔接的就是集电极；c. 栅极：栅极通常与其它电极相连，如果需要判断，可以通过测量电阻的方法来辨别。
场效应管如何用数字万用表判断G、D、S
方法一
将指针式万用表拨至“RX1K”档，并电调零。
场效应管带字的一面朝着自己，从左到右依次为：G（栅极），D（漏极），S（源极）。
将黑表笔接在D极，红表笔接在S极上，此时，万用表指针应不动；然后再对换表笔，再测，此时，万用表指针应向右摆动。
用指针万用表测，G极，与其余两个极之间，无论是两个表笔怎样对调测，万用表指针均应不动。
方法二
将数字万用表拨至“二极管”档，也就是，蜂鸣器档。
黑表笔接D极，红表笔接S极，此时，应显示一个数值，一般情况下为400多Ω到500Ω多之间。
然后，再对换表笔，应无显示，为“1”。
然后，黑表笔接D极，红表笔先去触碰一下G极，然后红表笔再接到S极上，此时，会发现显示的数值与原来相比，变小了许多，一般为100多Ω到几十Ω之间。
这说明，此场效应管已被触发导通了。
在这个时候，黑表笔接S极，红表笔接D极，会发现，有数值显示了。
这说明，此场效应管是完好的。
如果所测的结果与上述两种方法均不符，则这个场效应管就是坏的。
一般情况下，D极和S 极击穿的比较常见。
用数字万用表的“二极管”档测，会听到蜂鸣器的响声。
以上两种方法，几乎适用于任何型号的场效应管。
场效应管的识别方法及测量
场效应管的识别方法及测量一、符号：“Q、VT”，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件场效应管分三个极：Ｄ极为漏极（供电极）Ｓ极为源极（输出极）Ｇ极为栅极（控制极）Ｄ极和Ｓ极可互换使用场效应管图例：二、场效应管的分类：场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。
按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称ＭＯＳ管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。
三、场效应管的特性：1、工作条件：Ｄ极要有供电，Ｇ极要有控制电压2、主板上的场管Ｎ沟道多，Ｇ极电压越高，Ｓ极输出电压越高3、主板上的场管Ｇ极电压达到12Ｖ时，ＤＳ完全导通，个别主板上5Ｖ导通4、场管的ＤＳ功能可互换Ｎ沟道场管的导通截止电压：导通条件：ＶＧ>ＶＳ，ＶＧＳ=0.45--3Ｖ时，处于导通状态，且ＶＧＳ越大，ＩＤ越大截止条件：ＶＧ<ＶＳ，ＩＤ没有电流或有很小的电流四、场效应管的作用：放大、调制、谐振、开关五、场效应管的测量及好坏判断1、测量极性及管型判断红笔接Ｓ、黑笔接Ｄ值为（300-800）为Ｎ沟道红笔接Ｄ、黑笔接Ｓ值为（300-800）为ｐ沟道如果先没Ｇ、Ｄ再没Ｓ、Ｄ会长响，表笔放在Ｇ和最短脚相连放电，如果再长响为击穿贴片场管与三极管难以区分，先按三极管没，如果不是按场管测场管测量时，最好取下来测，在主板上测量会不准2、好坏判断测Ｄ、Ｓ两脚值为（300-800）为正常，如果显示“０”且长响，场管击穿；如果显示“１”，场管为开路软击穿(测量是好的，换到主板上是坏的），场管输出不受G极控制。
六、场管的代换原则（只适合主板）场管代换只需大小相同，分清Ｎ沟道Ｐ沟道即可功率大的可以代换功率小的技嘉主板的场管最好原值代换七、主板上常见的场管型号N沟道：702、712、G16、SG、SS、7EW、12KSH、72KGG、KF中等大小的场管：3055、09N05、40N03、45N03外型较大的场管：L3103S、K3296、K3289、6030、703055N03、76139D、76129S、10N03、15M03F827、F841、BPS100P沟道：352A、356Welcome To Download !!!欢迎您的下载，资料仅供参考！。
mosfet 数据参数识别和计算
VGS,Miller = VTH +
2-42
These values correspond to 150°C junction temperature, because the 150°C curve from the Typical Transfer Characteristics was used. Due to the substantial temperature coefficient of the threshold voltage, the results have to be corrected for the 100°C operating junction temperature in this application. The gate threshold voltage and the Miller plateau voltage level must be adjusted by: ∆VADJ = (TJ − 150°C ) ⋅ TC
A2. Gate charge The worst case gate charge numbers for a particular gate drive amplitude, drain current level, and drain off state voltage are given in the IRFP450 data sheet.
The physical capacitor values can be obtained from the basic relationships:
C GD = C RSS,ave C GS = C ISS − C RSS C DS = C OSS,ave − C RSS,ave
场效应管的识别分类及测量
场效应管的识别分类及测量一、符号：“Q、VT” ，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件场效应管分三个极：Ｄ极为漏极（供电极）Ｓ极为源极（输出极）Ｇ极为栅极（控制极）Ｄ极和Ｓ极可互换使用场效应管图例：二、场效应管的分类：场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。
按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称ＭＯＳ管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。
三、场效应管的特性：1、工作条件：Ｄ极要有供电，Ｇ极要有控制电压2、主板上的场管Ｎ沟道多，Ｇ极电压越高，Ｓ极输出电压越高3、主板上的场管Ｇ极电压达到12Ｖ时，ＤＳ完全导通，个别主板上5Ｖ导通4、场管的ＤＳ功能可互换Ｎ沟道场管的导通截止电压：导通条件：ＶＧ>ＶＳ ，ＶＧＳ=0.45--3Ｖ时，处于导通状态，且ＶＧＳ越大，ＩＤ越大截止条件：ＶＧ<ＶＳ ，ＩＤ没有电流或有很小的电流四、场效应管的作用：放大、调制、谐振、开关 五、场效应管的测量及好坏判断1、测量极性及管型判断红笔接Ｓ、黑笔接Ｄ值为（300-800）为Ｎ沟道红笔接Ｄ、黑笔接Ｓ值为（300-800）为ｐ沟道如果先没Ｇ、Ｄ再没Ｓ、Ｄ会长响，表笔放在Ｇ和最短脚相连放电，如果再长响为击穿贴片场管与三极管难以区分，先按三极管没，如果不是按场管测场管测量时，最好取下来测，在主板上测量会不准2、好坏判断测Ｄ、Ｓ两脚值为（300-800）为正常，如果显示“０”且长响，场管击穿；如果显示“１”，场管为开路软击穿(测量是好的，换到主板上是坏的），场管输出不受G极控制。
六、场管的代换原则（只适合主板）场管代换只需大小相同，分清Ｎ沟道Ｐ沟道即可功率大的可以代换功率小的技嘉主板的场管最好原值代换七、主板上常见的场管型号N沟道：702、712、G16、SG、SS、7EW、12KSH、72KGG、KF中等大小的场管：3055、09N05、40N03、45N03外型较大的场管：L3103S、K3296、K3289、6030、703055N03、76139D、76129S、10N03、15M03F827、F841、BPS100P沟道：352A、356有关元器件测量请参照万用表使用方法。
场效应管的极性判别
场效应管的极性判别展开全文•场效应管（FET）以其高输入电阻、低噪、热稳定、便于集成的优点在电子电路以及大电流、大电压电路中应用十分普遍；正确使用、判别场效应管的管脚、极性十分必要；•同三极管一样，要熟练判别场效应管的管脚、极性必须先了解一下其结构、原理；•场效应管的管脚有栅极G、漏极D、源极S三个电极（双栅极管具有四个电极）；•场效应管按结构分结型场效应管（JFET）、绝缘栅场效应管（MOS），绝缘栅场效应管又分增强型和耗尽型；结型场效应管的“结”指的是pn结，绝缘栅场效应管的绝缘栅指的是栅极与源极、漏极之间有一层sio2绝缘层，它们之间没有导通连接关系。
•按导电沟道性质，结型场效应管和绝缘栅场效应管又分电子型（n）沟道、空穴型（p）沟道，这是场效应管导电的通道；•场效应管属于单极性晶体管，三极管属于双极性晶体管，也即前者仅仅由一种载流子导电，后者是由两种载流子导电；•场效应管属于压控型晶体管，通过栅极与源极之间的电压的变化，来改变沟道的导电能力；三极管属于电流控制型晶体管，通过电流的变化改变集电极电流大小。
•结型场效应管结构：结型场效应管结构、符号图•从结构上可以看出结型场效应管有以下特点：•1.漏极D和源极S之间的半导体类型是相同的，也即同是p型或n型半导体，它们之间的正反向电阻是相等的，并且阻值比较小；•2.栅极G连接半导体类型与漏极D、源极S连接的半导体类型总是不同的；•3.栅极G与漏极、源极之间有pn结，pn结的正向电阻小，反向电阻大；•结型场效应管工作原理：在栅极与源极上加上反向电压后，pn 结厚度会发生变化，从而改变了导电沟道的导电能力；•绝缘栅场效应管结构：增强型绝缘栅场效应管耗尽型绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管中的寄生二极管•增强型MOS管从结构上看•1.栅极G与漏极D、源极S之间相绝缘，它们之间的电阻无限大；•2.没有外加电压时漏极与源极之间不导通；•增强型NMOS管是以P型硅片作为基片（又称衬底），漏极连接的为N半导体，衬底与源极连在一起，故P型衬底与漏极N型半导体会形成二极管，称为寄生二极管；因此漏极和源极之间的反向电阻很小。
MOSFET基础知识介绍
场效应三极管
只有一种载流子参与导电，且利用电场效应来控制 电流的三极管，称为场效应管，也称单极型三极管。
结型场效应管 场效应管分类
绝缘栅型场效应管
特点
单极型器件(一种载流子导电)；
输入电阻高； 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、 成本低。
结型场效应管
一、结构
D 漏极
S
G
D
N+ N+
N 型沟道 P 型衬底
(3) UDS = 0，UGS ≥ UGS(th)
由于吸引了足够多的电子，
B
会在耗尽层和 SiO2 之间形成可移动的表面电荷层 —— 反 型 层 、 N 型 导 电 沟 道 。 UGS 升 高 ， N 沟 道 变 宽 。 因 为 UDS=0，所以ID=0。
ID /mA
ID
IDSS
UP O UGS
O
ID O UP UGS
IDSS
ID
ID
+ + +
o
UGS= 0V
UDS
+ +
栅型 强
N 沟道 型 G
B
S
O UT UGS
+
+
O
UGS = UT UDS
种类
绝缘 耗 栅型 尽 N 沟道 型
符号
D ID
B G
S
增
D ID
强
型G
B
绝缘
S
栅型 P 沟道 耗
D ID
IDSS/V
-1
G
D
+
+
V UG
S
V UDS
S
VDD
场效应管引脚识别方法
场效应管引脚识别方法
用万用表欧姆档可以分辨引脚，根据引脚分布规律也可以分辨各引脚，下图所示是常见结型场效应管和绝缘栅场效应管封装形式及引脚分布示意图。
场效应管主要有三种封装形式：一是金属封装，二是塑料封装，三是环氧封装。
a)所示是金属封装的三根引脚场效应管，在管壳上有一个凸起，将引脚朝上，从突出尖开始顺时针方向依次为D,S,G极，其中D，S极可互换。
b)所示是金属封装的双栅结型场效应管，管壳上也有突出尖，引脚朝上，以该尖开始顺时针方向依次为D,G1,S,G2。
c)所示是金属封装的结型场效应对管，管壳上也有突出尖，引脚朝上，以该尖开始顺时针方向依次为S1，D,G1,S2,D2，G2。
d)所示是塑料封装的结型场效应管，在识别引脚时，将切面朝向自己，引脚向下，此时从左向右依次为S,D,G
e)无偶视为环氧封装的结型场效应管，引脚分布见图中所示。
f)，g)，h)，i)是几种常见的绝缘栅场效应管的封装形式及引脚分布示意图。
依次为金属封装的绝缘场效应管，单栅场效应管，双栅场效应管，环氧封装绝缘栅场效应管，塑料封装绝缘栅场效应管。
点我阅读全部内容。
MOSFET实用检测技巧浏览文章维修技术维修吧
MOSFET实用检测技巧浏览文章维修技术维修吧就目前市场上销售的大多数NMOS、PMOS管而言，为了让其像双极型二极管使用一样方便，均在其管芯内集成了较为完善的保护环节。
正是由于这些保护环节的介入，使MOS管的结构复杂化了，测试相应也变得困难了。
很多朋友拿到一只MOS管后，往住连管脚排列都分不清，性能优劣更是无从判别。
因此，笔者介绍在使用、检测MOS 元件时的一点经验，以NMOS管为例着重介绍一些关于MOS管的实际测试方法与技巧，供大家参考。
常见NMOS管内部结卡勾大致有附图所示的三种类型。
从图中不难看出，在NMOS管内部的源极S与漏极D之间均设置了一只二极管，厂家称之为“Intemal Diode”。
图(a)所示类型的NMOS管目前使用最多，如SMP50N06、IRF740等等。
与图(a)稍有不同的是图(b)，图中NMOS管在栅极(G)与源极(S)之间还另外设置有类似双向稳压管的元件“Protection Diode”；这种NMOS管有2SK1548、FS3KM16A等类型。
图(c)中，NMOS管的栅极(G)在串联电阻的同时，还集成了一只保护用二极管，小功率的NMOS管多采用这种结构，如常见的2SK1825。
据此便能相对容易地识别出NMOS元件的管脚了。
对图(a)所示类型，在用500型万用表的R×1k挡测量管脚间的电阻时，指针只会出现一次较大幅变的偏转；此时黑笔所接的管脚即为源极、红笔所接为漏极，剩余的第二只脚就是栅极了。
万用表内的1．5V电池电压并不足以使图(b)中的“Protection Diode”击穿，因而测试结果与图(a)大体上一致。
而图(c)所示类型的NMOS管内部集成的两只二极管，将会使万用表指针出现两次较大幅度的偏转。
这样，当万用表黑笔与某只管脚相连，红笔分别与其余两只管脚相接时，指针均会出现偏转，与黑笔相连的这只管脚即为源极。
接下来还应该对已检测出管脚排列的NMOS管进行性能估测。
场效应管好坏的简单判断方法
一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。
电路识图80-场效应管引脚识别、检测、选配方法
电路识图80-场效应管引脚识别、检测、选配方法一、场效应管引脚识别方法用万用表欧姆档可以分辨引脚，根据引脚分布规律也可以分辨各引脚，下图所示是常见结型场效应管和绝缘栅场效应管封装形式及引脚分布示意图。
场效应管主要有三种封装形式：一是金属封装，二是塑料封装，三是环氧封装。
a)所示是金属封装的三根引脚场效应管，在管壳上有一个凸起，将引脚朝上，从突出尖开始顺时针方向依次为D,S,G极，其中D，S极可互换。
b)所示是金属封装的双栅结型场效应管，管壳上也有突出尖，引脚朝上，以该尖开始顺时针方向依次为D,G1,S,G2。
c)所示是金属封装的结型场效应对管，管壳上也有突出尖，引脚朝上，以该尖开始顺时针方向依次为S1，D,G1,S2,D2，G2。
d)所示是塑料封装的结型场效应管，在识别引脚时，将切面朝向自己，引脚向下，此时从左向右依次为S,D,Ge)无偶视为环氧封装的结型场效应管，引脚分布见图中所示。
f)，g)，h)，i)是几种常见的绝缘栅场效应管的封装形式及引脚分布示意图。
依次为金属封装的绝缘场效应管，单栅场效应管，双栅场效应管，环氧封装绝缘栅场效应管，塑料封装绝缘栅场效应管二、引脚分辨方法对于结型场效应管，可利用万用表的RX1K档分辨出场效应管的各引脚，具体方法是：先用红表笔搭任一根引脚，黑表笔接另两根引脚，测得两个电阻值。
然后，红表棒再搭一根引脚，黑表笔接另两根引脚再测得两个电阻值。
红表棒再搭第三根引脚，黑表笔接另两根引脚再测得两个电阻值。
上述三次测量中，必有一组的两个阻值均为无穷大，或均为5 10K 欧姆。
那么，红笔所接引脚为栅极，若两次阻值均为无穷大，则可以说明该管是N沟道结型场效应管，若两个阻值均为5~10K欧姆，则说明是P沟道结型场效应管。
找出栅极后，由于源、漏极结构是相似的可以互换使用。
上述检测原理是利用G极和S极之间，G极和D极之间为一个PN 结的结构，利用PN结的正、反向电阻相差很多的特点来分辨出栅极和N沟道或P沟道。
4种mosfet电路符号
4种mosfet电路符号
MOSFET 电路符号有四种，分别为N沟道 MOSFET（NMOS），P沟道MOSFET（PMOS），双沟道 MOSFET（D MOSFET）和场效应管（JFET）。
NMOS，又称为N沟道型MOSFET，是一种使用P半导体材料制成的
电子器件，可以将集电极闭合或断开，从而控制一到多个经由此处流
过的电流。
它的符号由三条横线组成，表示栅极，源端口和漏端口。
PMOS，又称为P沟道型MOSFET，是一种使用N半导体材料制成的
电子器件，它同样可以控制经由它处流过的电流。
它的符号由三条横
线组成，表示栅极，源端口和漏端口，并有一个大写的P字母在其中，表示它是使用P半导体材料制成的电子器件。
D MOSFET，又称为双沟道型MOSFET，是一种既有N沟道，又有P
沟道的电子器件。
它的符号由四条横线组成，表示栅极，源端口，N沟道和P沟道。
栅极和源极之间有一个大写的D字母，表示它是一个双
沟道结构。
JFET，又称为场效应管，其操作原理是通过场效应控制道流，输
出电流由栅极控制外部的参考电压来调节，也就是通用的场效应管操
作中的压控电流调节（VCC）。
它的符号由三条横线组成，表示栅极，
源端口和漏端口，有一个大写的J字母在其中，表示它是使用场效应技术制成的电子器件。
怎样识别场效应管？
怎样识别场效应管？场效应管的识别有下面几种方法：一、通过型号命名规则识别国产场效应管的型号命名方法有两种：第一种型号命名方法由五部分组成，第一部分用数字表示电极数目，3表示有3个电极；第二部分用字母表示沟道材料：D是P型硅N沟道，C是N型硅P沟道；第三部分用字母表示管子种类：字母J代表结型场效应管，O 代表绝缘栅场效应管；第四部分用数字表示序号。
第五部分用字母表示电流档数。
例如，3 DO1D表示结型N沟道场效应三极管，3D06C 表示绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法用字母“CS” “XX#”的形式。
其中，“CS”代表场效应管，“XX”以数字代表型号的序号，用字母代表同一型号中的不同规格，如CS16A、CS55G等。
二、场效应管在电路原理图中的识别场效应管在电路原理图中常用字母“V”、“VT”表示，场效应管的图形符号中的箭头，是用来区分类型的。
箭头从外指向芯片表示N沟道型场效应管；箭头从芯片指向外表示P沟道型场效应管。
下图是场效应管的电路图形符号。
三、根据引脚分布规律识别场效应管下面简单介绍一下几种常见场效应管封装形式及引脚分布规律1、金属封装的3根引脚的场效应管，3DJ2型，管壳上有一个突出的尖，将引脚朝上，从突出部分开始顺时针方向依次为D,S,G极，其中D,S极可互换。
2、金属封装的双栅结型场效应管，4DJ2型（4表示它有4个有效电极，分别是D,S,G1,G2，其中G1和G2是两个栅极），管壳上也有突出尖，以该凸出部分开始顺时针方向依次为D,G1,S,G2。
3、金属封装的结型场效应管，6DJ6~8型（6表示它有D1,S1,G1,D2,S2,G2六个有效电极）。
外壳上同样有突出尖，从突出部分开时顺时针方向依次为S1,D1,G1,S2,D2,G2。
4、塑料封装结型场效应管，识别时将引脚切面朝向自己，引脚向下，从左向右依次为S,D,G。
5、金属封装的绝缘栅单栅场效应管。
6、金属封装的绝缘栅双栅场效应管。
场效应管的判别、检测与使用注意
场效应管的判别、检测与使用注意作者：蓝调一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。
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场效应管（MOSFET）检测方法与经验一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
由于对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次往接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表丈量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符往判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，丈量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），假如测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；假如测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
要留意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。
然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。
这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。
假如手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。
根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。
先将管的Ｇ极开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住Ｇ极后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。
运用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。
这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档丈量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。
但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就说明管有较大的放大能力。
第二，此方法对MOS场效应管也适用。
但要留意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极Ｇ答应的感应电压不应过高，所以不要直接用手往捏栅极，必须用于握螺丝刀的尽缘柄，用金属杆往碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿。
第三，每次丈量完毕，应当G-S极间短路一下。
这是由于G-S结电容上会充有少量电荷，建立起ＶG Ｓ电压，造成再进行丈量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。
（4）用测电阻法判别无标志的场效应管首先用丈量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极Ｓ和漏极Ｄ，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。
把先用两表笔测的源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻值记下来，对调表笔再丈量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极Ｄ；红表笔所接的为源极Ｓ。
用这种方法判别出来的Ｓ、Ｄ极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是Ｄ极；红表笔所接地是８极，两种方法检测结果均应一样。
当确定了漏极Ｄ、源极Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚的顺序。
（5）用测反向电阻值的变化判定跨导的大小对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管丈量跨导性能时，可用红表笔接源极Ｓ、黑表笔接漏极Ｄ，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。
此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。
将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档，此时表内电压较高。
当用手接触栅极Ｇ时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；假如被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。
二、.场效应管的使用留意事项（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。
（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。
如结型场效应管栅源漏之间是ＰＮ结，Ｎ沟道管栅极不能加正偏压；Ｐ沟道管栅极不能加负偏压，等等。
（3）MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、贮躲中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。
尤其要留意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要留意管的防潮。
（4）为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连进电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料往掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然，假如能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，尽对不可以把管插人电路或从电路中拔出。
以上安全措施在使用场效应管时必须留意。
（5）在安装场效应管时，留意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸５毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。
对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。
由于功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作。
总之，确保场效应管安全使用，要留意的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技术职员，特别是广大的电子爱好者，都要根据自己的实际情况出发，采取切实可行的办法，安全有效地用好场效应管。
三.VMOS场效应管VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。
它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。
它不仅继续了MOS场效应管输进阻抗高（≥108W）、驱动电流小（0.1μA左右），还具有耐压高（最高1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。
正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
VMOS场效应功率管具有极高的输进阻抗及较大的线性放大区等优点，尤其是其具有负的电流温度系数，即在栅-源电压不变的情况下，导通电流会随管温升高而减小，故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。
因此，VMOS管的并联得到广泛应用。
众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向活动。
VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点:第一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。
由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平活动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流进轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。
电流方向如图中箭头所示，由于流通截面积增大，所以能通过大电流。
由于在栅极与芯片之间有二氧化硅尽缘层，因此它仍属于尽缘栅型MOS场效应管。
国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。
下面先容检测VMOS管的方法。
1．判定栅极G将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管脚之间的电阻。
若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证实此脚为G极，由于它和另外两个管脚是尽缘的。
2．判定源极S、漏极D由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。
用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
3．丈量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。
例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。
4．检查跨导将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀往碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
留意事项：（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但尽大多数产品属于N沟道管。
对于P沟道管，丈量时应交换表笔的位置。
（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。
例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。
（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。
适用于高速开关电路和广播、通讯设备中。
（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。
以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W。
（6）多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈轻易引起放大器的高频寄生振荡。