电力电子复习题及总结答案
test电力电子资料总结
3、实现有源逆变的条件有哪些?\
答:直流侧必须外接与直流电流Id同方向的直流电源E。其数值要稍大于Ud,才能提供逆变能量;变流器必须工作在β<90°(α>90°)区域,使Ud<0,才能把直流功率逆变为交流功率返送电网。
0100002、可关断晶闸管的图形符号是;电力场效应晶体管的图形符号是,绝缘栅双极晶体管的图形符号是;电力晶体管的图形符号是;
对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较如下表:
100003、简述晶闸管导通的条件与关断条件。(7分)
答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:u AK>0且u GK>0。
要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降
到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。0200003、在三相半波整流电路中,如果a相的触发脉冲消失,试绘出在电阻性负载和电感性
负载(电感足够大)下整流电压Ud的波形。(设触发角α=︒0)
当负载为电感时,Ud的波形如下:
什么叫整流?什么叫逆变?什么叫有源逆变?什么叫无源逆变?
答:把交流电变为直流电的过程叫整流;把直流电变为交流电的过程叫逆变;将直流电变为和电网同频率的交流电并反送到交流电网去的过程称为有源逆变;将直流电变为交流电直接供给负载使用的过程叫无源逆变。
1、PWM、SPWM和SVPWM的中英文全称是什么?PWM工作原理是什么(可用图示进行说明)?(10分)
答案:1)(5分)PWM:脉冲宽度调制Pulse Width Modulation
电力电子技术第1章总结
电力电子技术第1章总结
开课班级:09输电线路班
总结时间:2011.9.19
总结教师:杜芸强
一、基本概念
1.电力电子器件:是指可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。
2.电力电子电路也被称为电力电子系统,由控制电路、驱动电路、检测电路和以电力电子器件为核心的主电路组成。
3.电力电子器件的分类
(1)按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,可分为半控型器件、全控型器件和不控型器件。
(2)按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的信号性质,又可以将电力电子器件分为电流驱动型和电压驱动型器件。
(3)电力电子器件还可以按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为单极型器件、双极型器件和复合型器件。
4.电导调制效应:当PN 结上流过的正向电流较小时,二极管的电阻主要是作为基片的低掺杂N 区的欧姆电阻,其阻值较高且为常量,因而管压降随正向电流的上升而增加;当PN 结上流过的正向电流较大时,注入并积累在低掺杂N 区的少子空穴浓度将很大,为了维持半导体电中性条件,其多子浓度也相应大幅度增加,使其电阻率明显下降,也就是电导率大大增加,这就是电导调制效应。
5.方向击穿:PN 结具有一定的反向耐压能力,但当施加的反向电压过大,反向电流将会急剧增大,破坏PN 结反向偏置为截止的工作状态,这就叫反向击穿。
6.热击穿:当反向未被限制住,使得反向电流和反向电压的乘积超过了PN 结容许的耗散功率,就会因热量散发不出去而导致PN 结温度上升,直至过热而烧毁,就是热击穿。
7.电力二极管的主要参数
电力电子技术概念题(大工复习)
电力电子技术概念题(自总结版)
1、何为晶闸管导通角?何为晶闸管控制角?
2、关断缓冲电路的作用是什么?开通换缓冲电路的作用是什么?
3、何为通态损耗?何为断态损耗?
4、何为晶闸管通态电流临界上升率di
dt ?何为晶闸管断态电压临界上升率du
dt
?
5、电力电子期间驱动电路的基本任务是什么?
6、换向重叠角受哪些参数影响?其变化规律是什么?
7、何为双极性PWM控制方式?何为单极性PWM控制方式?何为SPWM波?
8、何为逆变失败?讲述逆变失败的原因。
9、何为晶闸管擎住电流?何为晶闸管维持电流?何为晶闸管通态平均电流?
10、何为同步调制?何为异步调制?
11、何为有源逆变?何为无缘逆变?实现有源逆变的条件是什么?
12、逆变时允许采用的最小逆变角βmin如何确定?
13、有哪几种换流方式?
14、变压器漏感对整流电路有哪些影响?
15、哪些是电压型驱动器件、电流型驱动器件?
16、何为晶闸管触发电路的定相?
一、 晶闸管在一个电源周期中处于通态的电角度称为导通角,用θ表示,θ=π−α。从
晶闸管开始承受正向阳极电压起,到施加触发脉冲止的电角度称为触发延迟角,用α表示,也成为触发角或控制角。
二、 关断缓冲电路又称du dt ⁄抑制电路,用于吸收期间的关断过电压和换相过电压,抑
制du dt ⁄,减小关断损耗。开通缓冲电路又称di dt ⁄抑制电路,用于抑制器件开通时的电流过冲和di dt ⁄,减小器件的开通损耗。
三、 电子电子器件在导通或者阻断的状态下,并不是理想的短路或断路,导通时器件上
有一定的通态压降,阻断时器件上有微小的断态漏电流流过,尽管其数值都很小,但分别与数值较大的通态电流和断态电压相作用,就形成了电力电子期间的通态损耗和断态损耗。(通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要原因,但期间的开关频率较高时,开关损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素)
2024年电力电子学知识点总结模版(2篇)
2024年电力电子学知识点总结模版
____年电力电子学知识点总结
电力电子学是研究电力系统中的电力变换、变换、传输和控制的学科,也是电力系统和电子工程的交叉学科。在____年,随着科技的不断发展,电力电子学领域也将迎来许多新的知识点和技术突破。以下是____年电力电子学的一些重要知识点的总结:
瞬态稳定性分析:瞬态稳定性是指电力系统在故障发生时的恢复能力,包括暂态稳定和稳态稳定。在____年,瞬态稳定性分析将成为电力电子学中的重要研究方向。研究者将致力于开发更高效、更精确的瞬态稳定性分析算法,以确保电力系统在故障时能够迅速恢复正常运行。
多能源互联网:随着可再生能源的快速发展,多能源互联网将成为电力系统的重要组成部分。在____年,电力电子学研究将着重于多能源互联网的电力转换、能量管理和智能调度策略,以实现不同能源之间的协调和优化配置,提高能源利用效率。
高温超导电力设备:高温超导技术是电力电子学领域的热门研究方向。在____年,高温超导材料的研发将进一步推动高温超导电力设备的发展。高温超导电力设备具有更高的输电能力和更小的能量损失,对于提高电力系统的能效和稳定性具有重要意义。
智能电网:智能电网是一种基于信息和通信技术的先进电力系统,具有高度自适应、可靠性强、能源高效利用等特点。在____年,智能电网将成为电力电子学的研究重点。研究者将致力于智能电网的
能量管理、数据分析和系统优化,以满足未来电力系统对可靠性和可持续性的要求。
高压直流输电:高压直流输电是一种高效、长距离输电技术,具有较低的输电损耗和占地面积小的优点。在____年,高压直流输电技术将得到进一步发展。研究者将致力于高压直流输电系统的功率电子器件、控制算法和保护装置的研究,以提高高压直流输电系统的可靠性和稳定性。
电力电子技术期末总结
#绪论:
1. 电子技术的两大分支是什么?
信息电子技术与电力电子技术
*2. 简单解释电力电子技术。
使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术,即应用于电力领域的电子技术。
3. 要学习的4种电力电子器件是什么?
器件:电力二极管、晶闸管、IGBT、POWER MOSFET 四种。
*4. 电力变换器有哪几种?
交流变直流、直流变交流、直流变直流、交流变交流
*5. 电力电子技术的应用?
一般工业:电化学工业;交通运输:电动汽车、航海;电力系统:柔性交流输电、谐波治理、智能电网;电子装置电源;家用电器:变频空调;其他:航天飞行器、发电装置。
#第一章:
1.*电力电子器件的分类:
半控型:晶闸管;全控型:电力MOSFET、IGBT;不可控型:电力二极管;
电流驱动型:晶闸管;电压驱动型:电力MOSFET、IGBT;
2.*应用电力电子器件的系统组成:
由控制电路和驱动电路和电力电子器件为核心的主电路组成。
3.电导控制效应:
电导控制效应使得PN结在正向电流较大时压降仍然很低,维持在1v左右,所以正向偏置的PN结表现为低阻态。
4.电力二极管的基本特征:
5. 电力二极管的主要参数:正向平均电流IF(AV)反向恢复时间trr 、浪涌电流IFSM
6. 电力二极管的类型:普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管
7. 晶闸管的静态特性和动态特性:
A
A G
G
K K
b)
c)
a)
A
G
K K
G
A P 1N 1
P 2N 2J 1J 2J 3
A
P 1
A
G
K N 1P 2
P 2
N 1
N 2a)
b)
u
8. 晶闸管的主要参数:电压定额、电流定额、动态参数
电力电子技术考核点总结--填空选择教学文案
电力电子技术考核点总结--填空选择
1 简要说明四类基本的电力电子变流电路表
答:交流变直流,即整流电路
交流变交流,即交流电力控制电路或变频变相电路
直流变直流,即直流斩波电路
直流变交流,即逆变电;
2 美国学者W.Newell用倒二角形对电力电子技术进行形象的描述,认为电力电子学是由电力学,电子学,控制理论三个学科交义而形成的。
3 电力电子技术是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术,其电力变换常分为四大类:直流变直流、直流变交流、交流变交流、交流变直流。
4 根据二极管反向恢复时间的长短,可以将二极管分为普通二极管、快恢复二极管和肖特基二极管。
5 驱动电路需要提供控制电路和主电路之间的电气隔离环节,一般采用光隔离和磁隔离。
6 电力电子装置中可能发生的过电压分为外因过电压和内因过电压,其中内因过电压包括换相过电压和关断过电压。
7 电力电子系统一般由控制电路,驱动电路,主电路组成
8 电力电子器件的损耗主要包括开关损耗和通态损耗
9 单相半波整流电路带阻性负载时,晶闸管触发角a移相范围是【0~π】,晶闸管导通角沒和触发角α之间的关系是α+β=π或互补
10 三相半波整流电路带阻性负载时,晶闸管触发角a移相范围是0-150度,输出电压连续时触发角α移相范围是0-30度
11 同步信号为锯齿波的晶闸管触发电路主耍由脉冲的形成与放大,锯齿波的形成和脉冲移相,同步环节三个基本环节
12 一般来说,电力电子变流电路中换流方式有器件换流、负载换流、电网换流和强迫换流。
13 直流斩波电路主要有三种控制方式:脉宽调制、脉频调制和混合调制。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路;升压斩波电路;升降压斩波电路。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫换流。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分为有源、逆变器与无源逆变器两大类。
14、有一晶闸管的型号为KK200-9,请说明KK快速晶闸管;200表示表示200A,9表示900V。
16.大、中功率的变流器广泛应用的是_晶体管__触发电路,同步信号为锯齿波的触发电路,可分为三个基本环节,即_脉冲的形成与放大__、_锯齿波的形成与脉冲移相_和_同步环节_。
第3章直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路和_升压斩波电路_。
15.IGBT的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
9.桥式可逆斩波电路用于拖动直流电动机时,可使电动机工作于第_1、2、3、4_象限。
10.复合斩波电路中,电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合;多相多重斩波电路中,3相3重斩波电路相当于3个__基本__斩波电路并联。
电力电子复习题及总结答案
电⼒电⼦复习题及总结答案
电⼒电⼦必胜
绪论
填空题:
1.电⼒电⼦技术是使⽤________器件对电能进⾏________的技术。
2.电能变换的含义是在输⼊与输出之间,将________、________、________、________、________中的⼀项以上加以改变。
3.电⼒变换的四⼤类型是:________、________、________、________。
4. 在功率变换电路中,为了尽量提⾼电能变换的效率,所以器件只能⼯作在________状态,这样才能降低________。
5. 电⼒电⼦器件按照其控制通断的能⼒可分为三类,即: ________、________、________。
6. 电⼒电⼦技术的研究内容包括两⼤分⽀:________________ 技术和________技术。
7.半导体变流技术包括⽤电⼒电⼦器件构成_____________电路和对其进⾏控制的技术,以及构成________装置和
________系统的技术。
8.电⼒电⼦技术是应⽤在________领域的电⼦技术。
9.电⼒电⼦技术是⼀门由________、________、________三个学科交叉形成的新的边缘技术学科。
简答题
1. 什么是电⼒电⼦技术?
2. 电能变换电路的有什么特点?机械式开关为什么不适于做电能变换电路中的开关?
3. 电⼒变换电路包括哪⼏⼤类?
电⼒电⼦器件
填空题:
1.电⼒电⼦器件⼀般⼯作在________状态。
2.在通常情况下,电⼒电⼦器件功率损耗主要为________,⽽当器件开关频率较⾼时,功率损耗主要为________。
电力电子技术复习总结(判断题答案)
电力电子技术复习
一、选择题(每小题10分,共20分)
1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。
A、180°,
B、60°,c、360°,D、120°
2、α为C度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。`
A,0度,B,60度,C,30度,D,120度,
3、晶闸管触发电路中,若改变B的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。
A、同步电压,
B、控制电压,
C、脉冲变压器变比。
4、可实现有源逆变的电路为A。
A、三相半波可控整流电路,
B、三相半控桥整流桥电路,
C、单相全控桥接续流二极管电路,
D、单相半控桥整流电路。
5、在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理A。
A、30º-35º,
B、10º-15º,
C、0º-10º,
D、0º。
6、在下面几种电路中,不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD
A、三相半波可控整流电路。
B、三相半控整流桥电路。
C、单相全控桥接续流二极管电路。
D、单相半控桥整流电路。
7、在有源逆变电路中,逆变角的移相范围应选B为最好。
A、=90º∽180º,
B、=35º∽90º,
C、=0º∽90º,
8、晶闸管整流装置在换相时刻(例如:从U相换到V相时)的输出电压等于C。
A、U相换相时刻电压u U,
B、V相换相时刻电压u V,
C、等于u U+u V的一半即:
9、三相全控整流桥电路,如采用双窄脉冲触发晶闸管时,下图中哪一种双窄脉冲间距相隔
角度符合要求。请选择B。
10、晶闸管触发电路中,若使控制电压U C=0,改变C的大小,可使直流电动机
电力电子技术习题及答案
电力电子技术习题集
习题一
1. 试说明什么是电导调制效应及其作用。
2. 晶闸管正常导通的条件是什么,导通后流过的电流由什么决定?晶闸管由导通变为关断的条件是什么,如何实现?
3. 有时晶闸管触发导通后,触发脉冲结束后它又关断了,是何原因?
4. 图1-30中的阴影部分表示流过晶闸管的电流波形,其最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值、有效值。如不考虑安全裕量,额定电流100A 的晶闸管,流过上述电流波形时,允许流过的电流平均值I d 各位多少?
(f)
图1-30 习题1-4附图
5. 在图1-31所示电路中,若使用一次脉冲触发,试问为保证晶闸管充分导通,触发脉冲宽度至少要多宽?图中,E =50V ;L =0.5H ;R Ω; I L =50mA (擎住电流)。
图1-31习题1-5附图 图1-32习题1-9附图
6. 为什么晶闸管不能用门极负脉冲信号关断阳极电流,而GTO 却可以?
7. GTO 与GTR 同为电流控制器件,前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同?
8. 试比较GTR 、GTO 、MOSFET 、IGBT 之间的差异和各自的优缺点及主要应用领域。
9. 请将VDMOS (或IGBT )管栅极电流波形画于图1-32中,并说明电流峰值和栅极电阻有何关系以及栅极电阻的作用。
10. 全控型器件的缓冲吸收电路的主要作用是什么?试分析RCD 缓冲电路中各元件的作用。
11. 限制功率MOSFET 应用的主要原因是什么?实际使用时如何提高MOSFET 的功率容量?
习题二
1.具有续流二极管的单相半波可控整流电路,带阻感性负载,电阻为5Ω,电感为0.2H,电源电压的有效值为220V,直流平均电流为10A,试计算晶闸管和续流二极管的电流有效值,并指出晶闸管的电压定额(考虑电压2-3倍裕度)。
清华大学复试电机学电力电子问题总结
清华大学复试电机学电力电子问题总结
1、什么是直流电机直流电机是实现机械能和直流电能之间相互转换的旋转电机。直流电机本质上是交流电机,需要通过整流或逆变装置与外部电路相连接。常见的是采用机械换向方式的直流电机,它通过与电枢绕组一同旋转的换向器和静止的电刷来实现电枢绕组中交变的感应电动势、电流与电枢外部电路中直流电动势、电流间的换向。(实质是一台有换向装置的交流电机)
2、同步机和异步机的区别同步电机定子交流电动势和交流
电流的频率,在极对数一定的条件下,与转子转速保持严格的同步关系。同步电机主要用做发电机,也可以用作电动机,还可以用作同步调相机(同步补偿机)。同步电机可以通过调节励磁电流来调节无功功率,从而改善电网的功率因数。(同步电动机主要用于功率比较大而且不要求调速的场合。同步调相机实际上就是一台并联在电网上空转的同步电动机,向电网发出或者吸收无功功率,对电网无功功率进行调节。)异步电机是一种转速与电源频率没有固定比例关系的交流电机,其转速不等于同步转速,但只要定转子极对数相等,无论转子转速如何,定、转子磁动势都以同步转速相对于定子同向旋转,即二者总是相对静止。异步电机主要用作电动机,缺点是需要从电网吸收滞后的无功功率,
功率因数总小于1。异步电机也可作为发电机,用于风力发电场和小型水电站。
3、什么是电枢反应?直流电机是否有电枢反应?对于同步
电机来说,电枢反应是指基波电枢磁动势对基波励磁磁动势的影响。直流电机也有电枢反应,是指电枢磁动势对励磁磁动势产生的气隙磁场的影响。
4、异步机的转子有那几种折合方式?异步电机转子的折合
电力电子技术
电子电力技术考纲
序言:提玄勾要,弃小留大,以飨读者
第1考点晶闸管
1 . 1 内容归纳与总结
1 . 1 . 1 晶闸管的结构与工作原理
(1 ) 晶闸管可用图1-1 的符号表示, 阳极———A, 阴极———K,
门极(控制极) ———G。
图1-1 晶闸管符号
其结构为三个PN 结、四层结构、三端的半控型半导体开关管。(2) 它的工作原理可理解为一个PNP三极管与一个NPN 三极管的连接, 这种连接是以电流正反馈的原理按特殊工艺制造而成的。一旦晶闸管导通, 其控制极就失去作用。
普通晶闸管有平板型与螺旋型两种
1 . 1 .
2 关断与导通条件
(1 ) 导通的充分必要条件。
1) 阳极与阴极间承受正向电压。
2) 门极施加相对阴极来说为正的脉冲信号。
(2 ) 关断条件为下列之一。
1) 阳极与阴极间承受反向电压。
2) 阳极电流减小到小于维持电流
1 . 1 . 3 晶闸管的主要参数
(1 ) 晶闸管的通态平均电流I F 。
在规定的条件下, 为晶闸管通以工频、正弦半波电流, 且负载 为纯电阻负载, 导通角不小于170°。此时这个电流的平均值就是 半波电流的平均值。
若正弦半波电流的峰值为I m , 则
I F =1/2π⎰0π
I m sin ωt d ωt = I m /π.
通过的电流有效值为
I =1/2π 0π
⎰( I m sin ωt ) 2d ωt =I m /2.
波形系数: 通过晶闸管的电流的(一般为非正弦) 有效值与平 均值之比K f , 在此
I / I F = 1 . 57 , 即I = 1 . 57 I F = K f I F
电力电子总结完美版
一、填空题
1、对SCR 、TRIAC 、GTO 、GTR 、Power MOSFET 、这六种电力电子器件,其中要用交流电压相位控制的有SCR TRIAC 。可以用PWM 控制的有GTO GTR Power MOSFET IGBT;要用电流驱动的有SCR TRIAC GTO GTR (准确地讲SCR 、TRIAC 为电流触发型器件),要用电压驱动的有Power MOSFET IGBT ;其中工作频率最高的一个是Power MOSFET ,功率容量最大的两个器件是SCR GTR;属于单极性的是Power MOSFET;可能发生二次击穿的器件是GTR,可能会发生擎住效应的器件是IGBT ;属于多元集成结构的是Power MOSFET IGBT GTO GTR 。
2、SCR 导通原理可以用双晶体管模型来解释,其触发导通条件是阳极加正电压并且门极有触发电流,其关断条件是阳极电流小于维持电流。
3、GTO 要用门极负脉冲电流关断,其关断增益定义为最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值的比即off β=ATO GM
I I ,其值约为5左右,其关断时会出现特殊的拖尾 电流。 4、Power MOSFET 通态电阻为正温度系数;其定义式为=
|DS DS U GS I ≥0,比较特殊的是器件体内有寄生的反向二极管,此外,应防止其栅源极间发生擎住效应。
5、电力二极管额定电流是指最大工频正弦半波波形条件下测得值,对于应用于高频电力电子电路的电力二极管要用快恢复型二极管,但要求其反向恢复特性要软。
6、在电力电子电路中,半导体器件总是工作在开关状态,分析这类电路可以用理想开关等效电路;电力电子技术的基础是电力电子器件制造技术,追求的目标是高效地处理电力。
电力电子技术考核点总结--填空选择
1 简要说明四类基本的电力电子变流电路表
答:交流变直流,即整流电路
交流变交流,即交流电力控制电路或变频变相电路
直流变直流,即直流斩波电路
直流变交流,即逆变电;
2 美国学者W.Newell用倒二角形对电力电子技术进行形象的描述,认为电力电子学是由电力学,电子学,控制理论三个学科交义而形成的。
3 电力电子技术是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术,其电力变换常分为四大类:直流变直流、直流变交流、交流变交流、交流变直流。
4 根据二极管反向恢复时间的长短,可以将二极管分为普通二极管、快恢复二极管和肖特基二极管。
5 驱动电路需要提供控制电路和主电路之间的电气隔离环节,一般采用光隔离和磁隔离。
6 电力电子装置中可能发生的过电压分为外因过电压和内因过电压,其中内因过电压包括换相过电压和关断过电压。
7 电力电子系统一般由控制电路,驱动电路,主电路组成
8 电力电子器件的损耗主要包括开关损耗和通态损耗
9 单相半波整流电路带阻性负载时,晶闸管触发角a移相范围是【0~π】,晶闸管导通角沒和触发角α之间的关系是α+β=π或互补
10 三相半波整流电路带阻性负载时,晶闸管触发角a移相范围是0-150度,输出电压连续时触发角α移相范围是0-30度
11 同步信号为锯齿波的晶闸管触发电路主耍由脉冲的形成与放大,锯齿波的形成和脉冲移相,同步环节三个基本环节
12 一般来说,电力电子变流电路中换流方式有器件换流、负载换流、电网换流和强迫换流。
13 直流斩波电路主要有三种控制方式:脉宽调制、脉频调制和混合调制。
14 正弦脉宽调制(SPWM)中,根据载波比N是否为固定值,可以分为同步调制和异步调制
电力电子试题库含答案
1.一型号为KP10-7的晶闸管,U TN= 700V I T(AV)= 10A 。1
2.中间直流侧接有大电容滤波的逆变器是电压型逆变器,交流侧输出电压波形为矩形波。
3.晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是__均压______措施。4.在SPWM的调制中,载波比是载波频率和调制波频率的比值。5.考虑变压器漏抗的可控整流电路中,在换相过程期间,两个相邻的晶闸管同时导通,对应的电角度称为换相重叠角。
6.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为二次击穿。7.三相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相围是150°。8.三相全控桥电路有 6 只晶闸管,应采用宽脉冲或双窄脉冲才能保证电路工作正常。电压连续时每个管导通120 度,每间隔60 度有一只晶闸管换流。接在同一桥臂上两个晶闸管触发脉冲之间的相位差为°。
9.型号为KP100-8的晶闸管其额定参数为:额定电压800v,额定电流100 A 。
10.考虑变压器漏抗的可控整流电路中,在换相过程期间,两个相邻的晶闸管同时导通,对应的电角度称为换相重叠角
11.抑制过电压的方法之一是用_电容__吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。而为抑制器件的du/dt和di/dt,减小器件的开关损耗,可采用接入缓冲电路的办法。
12.在交-直-交变频电路中,中间直流环节用大电容滤波,则称之为电压型逆变器,若用大电感滤波,则为电流型逆变器。
13.锯齿波触发电路由脉冲形成环节、锯齿波的形成和脉冲移相环节、同步环
节、双窄脉冲形成环节构成。
电力电子技术填空简答知识点总结讲课讲稿
电力电子技术填空简答知识点总结
1、 GTR存在二次击穿现象,IGBT存在擎住现象。
2、功率因数由基波电流相移和电流波形畸变这两个因素共同决定的。
3、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是均压措施。
4、同一晶闸管,维持电流I H与掣住电流I L在数值大小上有I L_为2~4倍I H。
5、电力变换通常可分为:交流变直流
、直流变交流、交流变交流和直流变直流。
6、在下图中,V1和VD1构成降压斩波电路使直流电动机电动运行,工作于第1象限;V2 和VD2 构成升压斩波电路,把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源,使电动机作再生制动运行,工作于第2 象限。
1、请在正确的空格内标出下面元件的简称:
电力晶体管GTR ;可关断晶闸管GTO
;功率场效应晶体管
MOSFET ;绝缘栅双极型晶体管IGBT
;IGBT是 MOSFET 和 GTR 的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅
值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是
串专用电抗。
4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波,输出电流波形为方
波。
5、三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个开关管间进
行,称为180 °导电型
6、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降。
1、由波形系数可知,晶闸管在额定情况下的有效值电流为I Tn等于 1.57
倍I T(AV),如果I T(AV)=100安培,则它允许的有效电流为157
安培。通常在选择晶闸管时还要留出1.5~2 倍的裕量。
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电力电子必胜
绪论
填空题:
1.电力电子技术是使用________器件对电能进行________的技术。
2.电能变换的含义是在输入与输出之间,将________、________、________、________、________中的一项以上加以改变。
3.电力变换的四大类型是:________、________、________、________。
4. 在功率变换电路中,为了尽量提高电能变换的效率,所以器件只能工作在________状态,这样才能降低________。
5. 电力电子器件按照其控制通断的能力可分为三类,即: ________、________、________。
6. 电力电子技术的研究内容包括两大分支:________________ 技术和________技术。
7.半导体变流技术包括用电力电子器件构成_____________电路和对其进行控制的技术,以及构成________装置和________系统的技术。
8.电力电子技术是应用在________领域的电子技术。
9.电力电子技术是一门由________、________、________三个学科交叉形成的新的边缘技术学科。
简答题
1. 什么是电力电子技术?
2. 电能变换电路的有什么特点?机械式开关为什么不适于做电能变换电路中的开关?
3. 电力变换电路包括哪几大类?
电力电子器件
填空题:
1.电力电子器件一般工作在________状态。
2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为________,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为________。
3.电力电子器件组成的系统,一般由________、________、________三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加________。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为________、________、________三类。
5.按照器件能够被控制的程度,电力电子器件可分为以下三类:、
和。
6.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为________和________两类。。
7. 电力二极管的主要类型有、、。
8. 普通二极管又称整流二极管多用于开关频率不高,一般为Hz以下的
整流电路。其反向恢复时间较长,一般在以上。
9.快恢复二极管简称快速二极管,其反向恢复时间较短,一般在以下。
10.肖特基二极管的开关损耗________快恢复二极管的开关损耗。
11.晶闸管的基本工作特性可概括为:承受反向电压时,不论,晶闸管都不会导通;承受正向电压时,仅在情况下,晶闸管才能导通;晶闸管一旦导通,就失去控制作用。要使晶闸管关断,只能使晶闸管的电流。
12.对同一晶闸管,维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L________I H。
13.晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上应为,U DRM________Ubo。
14.逆导晶闸管是将________与晶闸管________(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。
15. 普通晶闸管关断时间,快速晶闸管,高频晶闸管
左右。高频晶闸管的不足在于其不易做高。
16.晶闸管可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。
17. 光控晶闸管又称光触发晶闸管,是利用触发导通的晶闸管。光触发保证了主电路与控制电路之间的,且可避免电磁干扰的影响。常应用在的场合。
18.GTO的________结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
19.电力MOSFET的通态电阻具有________温度系数。
20.IGBT 的开启电压U GE(th)随温度升高而________,开关速度________电力MOSFET 。
21.功率集成电路PIC分为二大类,一类是高压集成电路,另一类是________。
22.抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。在过电流保护中,快速熔断器的全保护适用于________功率装置的保护。
23. 主电路是在电气设备或电力系统中,直接承担的电路。
24. GTO的开通控制方式与晶闸管相似,但是可以通过在门极
使其关断。
25.电力MOSFET导通的条件是:且
。开关时间的大致范围是:。
19.IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件。
20.IGBT导通的条件是:且。简答题:
1..电力电子器件是如何定义和分类的?同处理信息的电子器件相比,它的特点是什么?
2.应用电力电子器件的系统组成如题图1-1所示,试说明其中保护电路的重要意
义?
图1-1
3.使晶闸管导通的条件是什么?
4.维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?
5.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能?
6.如何防止电力MOSFET因静电感应应起的损坏?
7.晶闸管的触发电路有哪些要求?
8. GTO的触发信号有哪些要求?
9. IGBT、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?
10.试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。
计算题:
1.晶闸管在单相正弦有效值电压220V时工作,若考虑晶闸管的安全裕量,其电压定额应选多大 ?
2.流经晶闸管的电流波形如题图1-41所示。试计算电流波形的平均值、有效值及波形系数。若取安全裕量为2,问额定电流为100A的晶闸管,其允许通过的电流平均值和最大值为多少?
图1-2 图1-3
3.在题图1-3电路中,E=50V,R=0.5W,L=0.5H,晶闸管擎住电流为15mA。要使晶闸管导通,门极触发脉冲宽度至少应为多少?
4.题图1-4中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为Im,试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。
5.上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶闸管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少?这时,相应的电流最大值Im1、Im2、Im3各为多少 ?
图1-4