SK34
sk34耐火砖指标
sk34耐火砖指标一、引言SK34耐火砖作为一种高性能的耐火材料，在我国的工业、建筑、能源等领域得到了广泛的应用。
本文将对SK34耐火砖的性能指标、应用领域、选购与施工注意事项进行全面解析，以期为广大读者提供实用的参考。
二、SK34耐火砖的性能指标1.耐火度：SK34耐火砖具有很高的耐火度，能够在高温环境下保持稳定性能，不易熔融、变形或损坏。
2.抗压强度：SK34耐火砖具有较高的抗压强度，能够承受较大的压力负荷，适用于高强度、高压环境的施工。
3.抗折强度：SK34耐火砖的抗折强度较高，能有效防止砖体在受力过程中发生断裂。
4.抗侵蚀性：SK34耐火砖具有良好的抗侵蚀性，能抵抗酸性、碱性等化学物质的侵蚀，延长使用寿命。
5.热稳定性：SK34耐火砖在温度变化过程中，性能稳定，不易出现裂纹、脱落等现象。
三、SK34耐火砖的应用领域1.工业领域：SK34耐火砖广泛应用于高炉、炉膛、锅炉等领域，具有优异的耐火性能和高温稳定性。
2.建筑领域：SK34耐火砖在建筑行业的防火墙、防火门等防火设施中具有重要作用。
3.能源领域：SK34耐火砖在核电站、火电厂等能源领域的热力设备中具有优异的表现。
四、SK34耐火砖的选购与施工注意事项1.选购要点：选购SK34耐火砖时，应关注产品的品牌、厂家信誉、规格尺寸、性能指标等方面，确保选购到质量可靠的产品。
2.施工注意事项：在SK34耐火砖的施工过程中，要注意以下几点：（1）施工前，做好基础处理，确保基层表面干净、平整、无油污、无尘土。
（2）按照设计图纸和施工方案进行排版，合理规划砖缝、搭接等细节。
（3）采用专用粘结剂进行粘贴，保证砖与基层的粘结牢固。
（4）施工过程中要注意保持砖体的湿润，以降低砖与粘结剂的收缩率差异。
（5）施工完成后，进行充分的养护，确保砖体与粘结剂的性能充分发挥。
五、结论SK34耐火砖以其优异的性能和广泛的应用领域，成为了我国耐火材料市场的重要产品。
ZPW-2000A轨道电路测试方法及标准
ZPW-2000设备测试方法及标准一、测试项目及周期二、测试方法及标准（用UM71/YP通用测试表）1、第1项用直流档在衰耗盒的SK1测试，标准为23.5-24.5V。
2、第2项用直流档在衰耗盒的SK2测试，标准为23.5-24.5V。
3、第3项用多载频档（两个载频）在衰耗盒的SK3测试，标准为75-170V。
（视输出电平等级）4、第4项用多载频档（两个载频）在衰耗盒的SK4测试，主轨道输入大于240mV，小轨道输入大于42mV5、第5项用用单载频档在衰耗盒的SK5测试，输出标准为≥240mV。
6、第6项用用单载频档在衰耗盒的SK6测试，，输出标准为110-130mV。
7、第7项用直流档在衰耗盒的SK7测试测试，继电器电压≥20V。
8、第8项用直流档在衰耗盒的SK8测试测试，继电器电压≥20V。
9、第9项用直流档在衰耗盒的SK9测试测试，继电器电压≥20V。
10、第10项用直流档在衰耗盒的SK10测试测试，继电器电压≥20V。
11、第11项用直流档在衰耗盒的SK11测试测试，继电器电压≥20V。
12、第12项用直流档在衰耗盒的SK12测试测试，继电器电压≥20V。
13、第13项用单载频档，使用“塞钉测试线”，测试端的一个测试插柄选插“小鳄夹”，另一个测试插柄选插“测试磁吸”，并插入磁吸侧面的塞孔中。
将“小鳄夹”啮夹在塞钉引接线的线鼻上，磁吸吸附于“小鳄夹”啮夹点垂直方向的钢轨轨面上（这时必须注意“测试磁吸”的引线与“小鳄夹”的引线所形成的平面应尽量与钢轨保持垂直），进行电压测量，测试数值≤5mV。
14、第14项“补偿电容”测试手段是：测出电容所在位置的阻抗值，然后换算出等效的、并非该电容自身的电容容值。
该项的操作步骤如下：（1）按动△键，选中菜单中“电容”测项；（2）仪表屏中显示。
首先测试补偿电容端压。
将两支“测试磁吸”分别插入“公用测试线”的标准测试插柄上，然后分别吸附在电容引接线正上方的钢轨轨面上，进行电压测试，此时电流钳必须空置，当电压测试数值稳定后，按动“选中”键确认后，方可撤回磁吸。
上海飞轩电子有限公司 FS2010 产品说明书
特点：�宽输入电压范围3.6V-18V�输出可调范围1.222V-16V�最大占空比100%�最小饱和压降0.6V�380KHz固定开关频率�2A电流输出能力�内部优化功率管设计�高效益�极好的线性输出且负载可调�TTL关断能力�内建频率补偿，热关断功能，限流功能，短路保护功能�可选封装形式：SOIC-8应用领域：�手持式DVD�LCD监控器�数码像框�机顶盒�调制解调器�通信/网络设备概述FS2010是一个380KHz固定频率脉宽调制（降压型）DC/DC转换器。
具有2A负载驱动能力并且效率高，低纹波和极好的线性，负载调节能力好，仅需最少外部元。
可调输出使用简单，内建频率补偿和固定频率震荡器。
脉宽调制控制电路可以线性调节占空比从0到100%。
具有使能功能，内置过流和短路保护功能，当发生过流和短路保护时，FS2010工作频率将从380KHz降到80KHz。
内置频率补偿模块使FS2010外部元件最少。
图1.FS2010封装类型引脚设置图2.FS2010引脚结构（顶视图）表格1引脚描述功能模块图3：FS2010功能块方框图引脚数引脚名描述1,6,8NC 空脚(第8脚为测试脚，在系统应用时，第8脚必须悬空。
)2VIN 电压输入引脚，FS2010工作在直流电压3.6V 到18V,输入外接适合大的旁路电容到地来消除输入噪声。
3SW 功率开关输出引脚（SW ）.输出端是提供功率输出的开关结点。
4GND接地引脚，做版图时必须小心。
此引脚必须放置在硝特基二极管和输出电容到地的外面，来阻止电感电压引起的开关电流毛刺输入到FS2010。
5FB 反馈引脚（FB ），通过外部电阻来分割回路，反馈是来检测和调节输出电压，反馈端电压是1.222V 。
7EN使能引脚。
驱动ON/OFF 引脚为低电平则开启设备，驱动此引脚为高电平则关断设备。
典型应用电路图4.FS2010典型应用电路12V-5V/2A 系统效率曲线订购信息最大额定值（注释1）注释1：工作在列表的最大额定值以上会造成器件永久损坏。
sk34贴片二极管的参数
sk34贴片二极管的参数SK34贴片二极管参数详解引言：SK34贴片二极管是一种常用的电子元器件，广泛应用于电子设备中。
本文将从参数的角度对SK34贴片二极管进行详细解析，帮助读者更好地理解和应用该器件。
一、尺寸参数SK34贴片二极管的尺寸参数包括外形尺寸、焊盘尺寸等。
其外形尺寸为X mm × Y mm × Z mm（长× 宽× 高），焊盘尺寸为A mm × B mm。
这些尺寸参数对于焊接和安装SK34贴片二极管时具有重要意义，需要保证与电路板的匹配性。
二、电气参数SK34贴片二极管的电气参数是评估其性能的重要指标。
常见的电气参数包括额定电流、额定电压、反向电流等。
1. 额定电流（IF）：SK34贴片二极管的额定电流是指在规定的工作条件下，允许通过二极管的最大电流值。
通常以毫安（mA）为单位。
超过额定电流会导致二极管过热，甚至损坏。
2. 额定电压（VR）：SK34贴片二极管的额定电压是指在规定的工作条件下，允许二极管正向工作的最大电压值。
通常以伏特（V）为单位。
超过额定电压会导致二极管击穿，无法正常工作。
3. 反向电流（IR）：SK34贴片二极管的反向电流是指在规定的工作条件下，二极管反向工作时的电流值。
通常以微安（μA）为单位。
反向电流过大会导致二极管失效或电路性能下降。
4. 导通压降（VF）：SK34贴片二极管的导通压降是指二极管在正向工作时的电压降。
通常以伏特（V）为单位。
导通压降越小，二极管的导通效率越高。
5. 反向击穿电压（VBR）：SK34贴片二极管的反向击穿电压是指当二极管反向工作时，达到击穿状态所需的电压值。
通常以伏特（V）为单位。
反向击穿电压越高，二极管的耐压能力越强。
6. 反向恢复时间（Trr）：SK34贴片二极管的反向恢复时间是指从正向导通到反向截止，再到正向导通的时间间隔。
通常以纳秒（ns）为单位。
反向恢复时间越短，二极管的开关速度越快。
2SK3497中文资料
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV)2SK3497High Power Amplifier Applicationz High breakdown voltage: VDSS = 180V z Complementary to 2SJ618Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)Characteristics Symbol Rating UnitDrain −source voltage V DSS 180 VGate −source voltage V GSS ±12 V DC (Note1) I D 10 ADrain currentPulse (Note 1) I DP 30A Drain power dissipation (Tc = 25°C) P D 130 W Channel temperature T ch 150 °C Storage temperature rangeT stg−55~150 °CNote 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant changein temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).Thermal CharacteristicsCharacteristics Symbol Max UnitThermal resistance, channel to case R th (ch −c) 0.96 °C / W Thermal resistance, channel toambientR th (ch −a)50°C / WUnit: mm1.GATE 2. DRAIN (HEAT SINK)3. SOURCEJEDEC ― JEITA―TOSHIBA 2-16C1B Weight: 4.6 g (typ.)3Electrical Characteristics (Ta = 25°C)Characteristics SymbolTest ConditionMin Typ. Max Unit Gate leakage current I GSS V GS = ±12 V, V DS = 0 V — —10 μA Drain cut −off currentI DSS V DS = 180V, V GS = 0 V — — 100μA Drain −source breakdown voltage V (BR) DSS I D = 10 mA, V GS = 0 V 180 — — V Gate threshold voltage V th V DS = 10 V, I D = 1 mA 1.1 — 2.1 V Drain −source saturation voltage V DS (ON)V GS = 7 V, I D = 5 A— — 0.75V Forward transfer admittance |Y fs | V DS = 10 V, I D = 5 A6.012.0—SInput capacitanceC iss — 2400 —Reverse transfer capacitance C rss — 220 — Output capacitanceC ossV DS = 30 V, V GS = 0 V, f = 1 MHz — 30 —pF This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.Markinglead (Pb)-free package or lead (Pb)-free finish.RESTRICTIONS ON PRODUCT USE20070701-EN •The information contained herein is subject to change without notice.•TOSHIBA is continually working to improve the quality and reliability of its products. Nevertheless, semiconductor devices in general can malfunction or fail due to their inherent electrical sensitivity and vulnerability to physical stress. It is the responsibility of the buyer, when utilizing TOSHIBA products, to comply with the standards of safety in making a safe design for the entire system, and to avoid situations in which a malfunction or failure of such TOSHIBA products could cause loss of human life, bodily injury or damage to property.In developing your designs, please ensure that TOSHIBA products are used within specified operating ranges as set forth in the most recent TOSHIBA products specifications. Also, please keep in mind the precautions and conditions set forth in the “Handling Guide for Semiconductor Devices,” or “TOSHIBA Semiconductor Reliability Handbook” etc.• The TOSHIBA products listed in this document are intended for usage in general electronics applications (computer, personal equipment, office equipment, measuring equipment, industrial robotics, domestic appliances, etc.).These TOSHIBA products are neither intended nor warranted for usage in equipment that requires extraordinarily high quality and/or reliability or a malfunction or failure of which may cause loss of human life or bodily injury (“Unintended Usage”). Unintended Usage include atomic energy control instruments, airplane or spaceship instruments, transportation instruments, traffic signal instruments, combustion control instruments, medical instruments, all types of safety devices, etc.. Unintended Usage of TOSHIBA products listed in his document shall be made at the customer’s own risk.•The products described in this document shall not be used or embedded to any downstream products of which manufacture, use and/or sale are prohibited under any applicable laws and regulations.• The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patents or other rights of TOSHIBA or the third parties.• Please contact your sales representative for product-by-product details in this document regarding RoHS compatibility. Please use these products in this document in compliance with all applicable laws and regulations that regulate the inclusion or use of controlled substances. Toshiba assumes no liability for damage or losses occurring as a result of noncompliance with applicable laws and regulations.。
关于肖特基MBR系列
关于肖特基MBR系列：为什么要取名为“MBR”？M：是以最早MOTOROLA的命名，取MB：Bridge 桥，整流桥R：Rectifier，整流器SCHOTTKY：肖特基SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....、1、肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
2、肖特基二极管的结构肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N 外延层（砷材料）、N型硅基片、N阴极层及阴极金属等构成。
在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。
当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。
采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。
它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。
肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式。
采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有A~19种管脚引出方式。
3、常用的肖特基二极管常用的有引线式肖特基二极管有1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200等型号。
常用的表面封装肖特基二极管，SCHOTTKY取第一个字母“S”，片式表面贴片SMD取第一个字母“S”，即为SS，如：SS12、SS14....电流最小的肖特基是BAT42（0.2A)；BAT54、BAT54A、BAT54C（0.3A）；电流最大的肖特基是440A，如：440CMQ030、444CNQ045；超过440A的必定是模块。
预制箱梁预压专项方案说明
目录第一章工程简介- 3 -一、项目概况- 3 -二、预制梁板工程概况- 4 -第二章编制说明- 5 -一、编制依据- 5 -二、编制原则- 5 -三、编制目的- 6 -四、编制范围- 6 -第三章预制箱梁预压方案- 6 -一、预压说明- 6 -二、预压总体计划- 6 -三、预压必要性和起拱分析- 6 -四、预制箱梁预拱度表- 7 -五、预压荷载计算- 8 -5.1、预压要求- 8 -5.2、荷载计算- 8 -六、预压施工方案- 11 -6.1、预压材料选用- 11 -6.2、预压方案- 11 -6.3、预压图示- 12 -第四章施工组织机构及劳动力组合- 13 -一、现场劳动力组织- 13 -二、材料及设备机械组织- 14 -第五章质量保证措施- 15 -一、施工质量保证体系- 15 -1.1、质量方针与目标- 15 -1.2、质量控制机构- 15 -1.3、质量保证体系- 15 -二、质量保证措施- 16 -2.1、组织保证措施- 16 -2.2、技术保证措施- 16 -2.3、人员保障措施- 17 -2.4、设备保障措施- 17 -2.6、管理制度保障措施- 17 -2.7、质量管理控制措施- 18 -2.8、应对大风、高温等恶劣天气保证工期措施- 18 - 第六章文明施工措施- 19 -一、开展创建文明工地活动- 19 -二、工地宣传- 19 -三、场容场貌- 19 -四、工地卫生- 19 -五、噪音控制- 20 -六、治安综合管理- 20 -第七章施工环保、水土保持措施- 20 -一、水污染的防治措施- 20 -二、固体废弃物污染的防治措施- 21 -三、土地资源及生态环境保护措施- 21 -四、制度保证措施- 22 -第八章安全生产管理目标及安全保证措施- 22 -一、安全管理方针和目标- 22 -1.1、安全管理方针- 22 -1.2、安全管理目标- 22 -二、安全组织机构- 22 -三、项目部主要管理人员岗位职责- 23 -四、安全生产制度保证措施- 23 -4.1、建立健全各项安全制度- 23 -4.2、安全生产教育与培训制度- 24 -4.3、安全生产检查制度- 24 -4.4、安全技术交底制度- 25 -4.5、特种作业人员管理制度- 25 -4.6、现场安全监管制度- 25 -4.7、危险源告知制度- 26 -4.8、高空作业管理制度- 26 -五、安全管理措施- 27 -5.1、机械设备安全管理- 27 -5.2、施工现场安全防护措施- 27 -5.4、防汛措施- 29 -六、危险源标识及防范措施- 29 -6.1、危险源标识- 29 -6.2、防范措施- 29 -七、起重机械安全操作规程- 32 -八、现场处置应急预案- 34 -8.1、现场处置领导小组- 34 -、项目经理部成立现场处置工作领导小组- 34 -、领导小组职责- 34 -、现场处置小组成员职责分工- 34 -8.2、现场应急处置资源- 36 -、情报、信息- 36 -、抢险队及培训- 36 -、互助协议- 36 -8.3、现场处置响应- 36 -8.3.1、现场应急处置准备与响应流程- 36 -、值班人员及值班- 36 -、现场处置原则- 36 -8.4、突发事件处置预案- 37 -、高出坠落事故现场处置预案- 37 -、物体打击事故现场处置预案- 38 -、起重伤害事故现场处置预案- 39 -、触电事故现场处置预案- 40 -、机械伤害事故现场处置预案- 41 -8.5、应急物资与装备保障- 44 -8.6、应急救援联系方式及周边可利用资源- 45 -、公用联系方式- 45 -、周边可利用资源联系方式- 45 -第一章工程简介一、项目概况本项目位于XX维吾尔自治区吐鲁番地区境内，起点位于小草湖互通以南2km，终点位于分离式路基上行线SK3481+300、分离式下行线XK3481+000，本合同段整体式路基长9.800km，分离式路基长上行线长4.320km，分离式路基下行线长4.000km，改移G312共计长13.428km。
常用肖特基二极管、型号的命名、字母含义
SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
例如：MBR10200CT
M：MOTOROLA
缩写 M
B：Barrier1
缩写 B
R：Rectifier
缩写 R
10：电流 10A
200：电压 200V
C：表示 TO-220AB 封装，常指半塑封。
T：表示管装
MBR1045CT，其中的“C”：表示 TO-220 封装；MBR6045PT，其中的“P”：表示 TO-3P 封装
MBR30150CT，30A，150V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；
MBR30200CT，30A，200V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；
MBR3045PT， 30A， 45V，TO-247、TO-3P；
MBR3060PT， 30A， 60V，TO-247、TO-3P；
MBR30100PT，30A，100V，TO-247、TO-3P；
MBR1045CT、MBR10100CT：TO-220AB（三脚半塑封），10A
M
BMBR1535CT、MBR1545CT：TO-220AB（三脚），15A RFMBR2045CT、MBR20200CT：TO-220AB（三脚），20A 1MBR2535CT、MBR2545CT：TO-220AB（三脚），25A 0MBR3045CT、MBR3060CT：TO-220AB（三脚），30A
MBR40150PT，40A，150V，TO-247、TO-3P；
MBR40200PT，40A，200V，TO-247、TO-3P；
MBR6045PT， 60A， 45V，TO-247、TO-3P；
MBR6060PT， 60A， 60V，TO-247、TO-3P；
sk34耐火砖指标
sk34耐火砖指标
（原创版）
目录
1.SK34 耐火砖简介
2.SK34 耐火砖的指标
3.SK34 耐火砖的应用领域
正文
SK34 耐火砖是一种优质的耐火材料，它以高强度、高硬度和良好的
抗侵蚀性能而受到广泛关注。
这种耐火砖主要用于高温环境下的工业设备，如窑炉、锅炉等。
SK34 耐火砖的主要指标如下：
1.耐火度：SK34 耐火砖的耐火度在 1770-1800 摄氏度之间，这意味着它可以在高温环境下保持稳定性能。
2.体积密度：SK34 耐火砖的体积密度在
3.6-3.8 克/立方厘米之间，这使得它具有良好的抗侵蚀性能。
3.硬度：SK34 耐火砖的硬度在莫氏硬度 7-8 之间，这使得它可以抵抗强烈的磨损。
4.热稳定性：SK34 耐火砖在高温环境下的热稳定性能良好，不会因
为温度的剧烈变化而产生裂纹。
SK34 耐火砖广泛应用于以下领域：
1.钢铁工业：SK34 耐火砖主要用于窑炉、锅炉等高温环境下的设备，可以有效保护设备，延长设备使用寿命。
2.建材工业：SK34 耐火砖也用于水泥窑、玻璃窑等高温环境下的设备。
3.化工工业：在化工行业中，SK34 耐火砖也广泛应用于高温环境下的设备，如反应釜、加热器等。
深圳地铁1号线续建工程 土建工程简介
深圳地铁1号线续建工程土建工程简介1号线续建工程（深大～机场东）共包括10座地下车站及2座高架站车站，地下车站主体结构均采用明挖法施工，车站建筑遵循“服务运营、以人为本”的设计理念，最大限度地吸引客流，方便乘客，方便运营管理；车站出入口、风亭的位置及形式均满足功能要求和规划、环保、城市景观的要求。
1.桃园站桃园站位于南山大道与桃园路交叉口，呈东西走向布置。
站位附近已建成的建筑物包括：桃园路南侧有南苑新村西区、南山区老干中心、南山医院；北侧有新桃园酒店、桃花源居民区等。
桃园站为地下两层、局部三层的双柱三跨箱形结构岛式站台车站。
车站中部预留与10号线的换乘节点。
有效站台中心里程SK22+692.7，起点里程为SK22+574.2，终点里程为SK22+774.1，车站全长199.9m。
车站共设4个出入口通道及1个消防通道，4个地面出入口、2组车站风亭。
车站为明挖顺筑法施工车站,局部采用盖挖顺筑法施工。
车站围护结构采用冲孔灌注桩+旋喷桩止水帷幕+内支撑方案，支撑系统采用钢管内支撑，换乘节点处地下三层采用放坡开挖，打设土钉+网喷混凝土的工法。
桃园站于2007年7月10日开工，2010年12月22日通过竣工验收。
2.大新站大新站位于深圳市南山区桃园路与前海路交叉路口，车站呈东西走向布置。
站位附近已建成的建筑物包括：港湾丽都、前海花园住宅小区，大新村居民住宅、南贸市场。
大新站为地下双层两跨框架结构岛式站台车站。
有效站台中心里程SK23+702.5，起点里程为SK23+585.0，终点里程为SK23+800.0，车站全长215m。
车站共设4个出入口通道、5个地面出入口、2组车站风亭，其中消防出入口与4号出入口合建。
车站工法为明挖顺筑法,局部采用盖挖顺筑法施工。
车站围护结构采用冲孔灌注桩+旋喷桩止水帷幕+内支撑方案，支撑系统采用钢管内支撑。
大新站于2007年7月10日开工，2010年12月22日通过竣工验收。
3.鲤鱼门站鲤鱼门站位于前海待规划开发区，规划六号路下，车站呈东西走向布置。
充电宝layout及工作原理图解
COR14 R14
C 15RJ/0603
PIR1401 PIR1402
R41 NC
COC4 C5 COC5 C4 22uF/6.3V/X5R
PIQ1304
COR8 R8 10KJ/0603
5
3216D190-6R
COUSB2 USB2
PIR40 1
PIR4101
V-OUT
DM1
Dis-T
D G
S
PIR2402
2 E
Dis
B
PIQ230E
VSS
1-2 A
BAT+
VOUT COD2 D2 PID201
COLED1 COR16 R16
50%
R17 3KJ/0603
PIR1802 PIR1801 PIR1902
电池电压检测
Voltage
COR1
R2 10KJ/0603
PIPIQ303 R102 PIR202 PIR201
PIR301 PIR302
COR36
COR37
1 PIUSB201 2 PIUSB202 3 PIUSB203 4 PIUSB204
COC10 C10
7 PID202 PIC1002
PIC1001
475/X5R
电池保护电路
COBAT0 BAT+
PIBAT001
PIR3201 PIR3202 PIC1302 PIC1301
COR32 R32
100RJ/0603 COU2 U2 4 PIU204 NC OC 5 PIU205 VDD CSI 6 PIU206 VSS OD COC13 C13 104 DW01AZ 3 2 1 PIU201
肖特基二极管 SK34 DO-214AB SMC系列规格书推荐
深圳理悠科技有限公司
AVERAGE FORWARD RECTIFIED CURRENT, AMPERES
FIG. 1- FORWARD CURRENT DERATING CURVE
3.0
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES SK32 THRU SK3200
0.126 (3.20) 0.114 (2.90)
0.245(6.22) 0.220(5.59)
0.280(7.11) 0.260(6.60) 0.012(0.305) 0.006(0.152)
0.103(2.62) 0.079(2.06)
MECHANICAL DATA
0.008(0.203)MAX.
FIG. 5-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, C/W
INSTANTANEOUS FORWARD VOLEAGE, VOLTS
FIG. 6-TYPICAL TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
100
JUNCTION CAPACITANCE, pF
80
1.8
60
1.2
40
0.6
SK32-SK36 SK38-SK3200
20
8.3ms SINGLE HALF SINE-WAVE (JEDEC Method)
0 0 25 50 75 100 125 150 175
0
1
10
100
AMBIENT TEMPERATURE, C
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
深圳理悠科技有限公司
SK32 THRU SK3200
关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释
关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释肖特基二极管的命名：肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode缩写成SR），也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode缩写成SBD）的简称。
肖特基：Schottky整流：RectifierSR：即为肖特基整流二极管Schottky Rectifier Diode：肖特基整二极管，简称：SR，比如：SR107，SR10100CT......肖特基：Schottky势垒：BarrierSB：即为肖特基势垒二极管肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管，简称：SB，比如：SB107，SB1045CT......Schottky Barrier Diode：也有简写为：SBD来命名产品型号前缀的。
但SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
关于肖特基MBR系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？因为最早是世界著名半导体公司－摩托罗拉半导体命名的产品型号M：是以最早MOTOROLA的命名，取MB：Bridge 桥；Barrier：势垒R：Rectifier，整流器 “MBR”意为整流器件SCHOTTKY：肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
例如：MBR10200CTM：MOTOROLA 缩写MB：Barrier缩写BR：Rectifier 缩写R10：电流10A200：电压200VC：表示TO-220AB封装，常指半塑封。
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W W W .CNELECTR.N E T
• • •
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55 °C to +125°C Storage Temperature: -55°C to +150°C Maximum Thermal Resistance; 10 °C/W Junction To Lead Device Marking SK32 SK33 SK34 SK35 SK36 SK38 SK310 Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage 20V 30V 40V 50V 60V 80V 100V Maximum RMS Voltage 14V 21V 28V 35V 42V 56V 70V Maximum DC Blocking Voltage 20V 30V 40V 50V 60V 80V 100V
Catalog Number SK32 SK33 SK34 SK35 SK36 SK38 SK310
B
C
F
H
D G E
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward Current Peak Forward Surge Current
IR
.5mA 20mA 250pF
TJ = 25°C TJ = 100°C Measured at 1.0MHz, VR=4.0V
0.121”
CJ
0.060”
*Pulse test: Pulse width 200 µsec, Duty cycle 2%
W W W .CNELECTR.N E T
SK32 thru SK310
IF(AV) IFSM
3.0A 100A
TJ = 120°C 8.3ms, half sine
ห้องสมุดไป่ตู้
DIM A B C D E F G H
MAX .280 .245 .012 .060 .320 .103 .128 .008
MAX 7.11 6.22 0.31 1 .. 52 8.13 2.62 3.25 0.203
A
• • • • •
Features
For Surface Mount Applications Extremely Low Thermal Resistance Easy Pick And Place High Temp Soldering: 250 °C for 10 Seconds At Terminals\ High Current Capability With Low Forward Voltage
Figure 1 Typical Forward Characteristics 100 60 40 20 SK32-SK34 10 6 4 2 Amps 1 .6 .4 .2 .1 .06 .04 .02 .01 .2 .4 .6 .8 Volts Instantaneous Forward Current - Amperesversus Instantaneous Forward Voltage - Volts 1.0 1.2 1.4 25°C .5 Single Phase, Half Wave 60Hz Resistive or Inductive Load 40 60 80 100 °C Average Forward Rectified Current - Amperes versus Ambient Temperature - °C 120 140 160 Amps 1.5 1.0 SK35-36 SK38-SK310 2.0 2.5 3.0 Figure 2 Forward Derating Curve
NOTE
VF
.50V .75V .85V
IFM = 3.0A; TJ = 25°C*
SUGGESTED SOLDER PAD LAYOUT
0.185
Maximum DC Reverse Current At Rated DC Blocking Voltage Typical Junction Capacitance
Shanghai Lunsure Electronic Technology Co.,Ltd Tel:0086-21-37185008 Fax:0086-21-57152769
SK32 THRU SK310
3 Amp Schottky Rectifier 20 to 100 Volts
DO-214AB (SMCJ) (LEAD FRAME)
W W W .CNELECTR.N E T
SK32 thru SK310
Figure 4 Typical Reverse Characteristics 10 6 4 2 1 .6 .4 .2 mAmps .1 .06 .04 .02 .01 .006 .004 .002 .001 20 40 60 80 Volts Instantaneous Reverse Leakage Current - MicroAmperesversus Percent Of Rated Peak Reverse Voltage - Volts 100 120 140 SK32-34 SK35-310 0 1 2 4 6 8 10 Cycles Peak Forward Surge Current - Amperesversus Number Of Cycles At 60Hz - Cycles 20 40 60 80 100 75°C Amps 25°C 100°C Figure 5 Peak Forward Surge Current 150 125 100 75 50 25
0
Figure 3 Junction Ca pacitance 100 600 400 200 pF 100 60 40 20 10 .1 .2 .4 1 Volts 2 4 10 20 40 100 200 400 1000 TJ =25°C
Junction Capacitance - pF versus Reverse Voltage - Volts
Maximum Instantaneous Forward Voltage SK32-34 SK35-36 SK38-310
DIMENSIONS INCHES MIN .260 .220 .006 .030 .305 .079 .108 .002 MM MIN 6.60 5.59 0.15 0.76 7.75 2.00 2.75 0.050