F-3501G中文资料

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RISE3501用户手册V1[1].0

RISE3501用户手册Version 1.0JS-000326瑞斯康微电子(深圳)有限公司目录概述 (4)一、RISE3501 芯片在电力线载波传输领域的特点与应用 (5)1.1当前电力线载波的局限性 (5)1.2低压载波抄表系统自动路由及自适应技术的关键基础 (5)1.3RISE3501芯片在低压电力载波抄表系统中的优越性 (6)1.4用户平台操作的简易性 (7)1.5RISE3501在远程抄表系统中的应用 (7)二、RISE3501 内部RTC 以及WDT (9)2.1工作寄存器 (9)2.2RISE3501内部WDT介绍 (12)三、应用参考电路 (13)3.1电源配置 (13)3.2RISE3501主芯片及外围接口电路 (15)3.3载波收发电路 (16)3.4载波信号耦合电路 (17)3.5过零检测电路 (17)3.6主晶振电路 (17)3.7多功能口DOCDO/P3.7/PWM的应用 (18)四、硬件资源分配及设计 (19)4.1底层硬件资源分配 (19)4.2硬件资源使用说明 (19)4.3载波通讯模块硬件设计 (20)五、PCB布板说明 (22)5.1电源、地的走线 (22)5.2PCB板布局注意事项 (22)5.3旁路电容与去耦电容的注意事项 (23)六、性能参数指标 (24)6.1性能参数 (24)6.2抗干扰能力 (24)七、载波发送TX电路调试故障分析 (25)7.1发送电路原理说明 (25)7.2发送电路测试 (25)八、下载调试应用说明 (29)8.1在线下载（IAP_ROM）以及在线调试说明 (29)8.2Keil uVision3TM的使用介绍 (30)附录 (34)图目录图一载波抄表系统 (8)图二 RISE3501 载波模块线性电源参考方案 (13)图三 RISE3501 载波模块电源参考方案---LM2671-3.3V DC--DC转换方案 (13)图四 RISE3501 载波模块电源参考方案--- MC33063AD DC--DC转换方案 (14)图五 RISE3501 载波部分开关电源参考方案 (14)图六 RISE3501芯片载波部分外围接口参考电路 (15)图七 RISE3501 芯片引脚连接示意图 (15)图八载波发送电路 (16)图九载波接收电路 (16)图十耦合电路图 (17)图十一隔离型过零检测电路 (17)图十二各功能模块电源、地接法 (22)图十三 TX发送电路 (28)图十四 Coupling电路 (28)图十五 IAP_ROM在线下载框图 (29)图十六在线调试功能实现方法（一） (30)图十七 KeilC Debug 在线调试选项 (31)图十八新建“工程”对话框 (31)图十九 CPU类型选择对话框 (31)图二十 CPU选择对话框 (32)图二十一CPU选择确认对话框 (32)图二十二 DoCD TM配置对话框 (33)图二十三在线调试串口选择 (33)RISE3501用户手册概述电力载波技术是一种利用电力线作为媒介传输控制信号的现代技术。

牧场物语金手指

X型蛋1500温泉蛋
1600蛋黄酱S型1700蛋黄酱M型1800蛋黄酱L型1900蛋黄酱G型
1A00蛋黄酱P型1B00蛋黄酱X型::
1C00牛乳S型1D00牛乳M型1E00牛乳L型1F00牛乳G型
2000牛乳P型2100牛乳X型
2200 S奶酪2300 M奶酪2400 L奶酪2500 G奶酪2600 P奶
◆优的强求：
时间：水(三)am10.00-pm5.00
地点：艾莲家
条件：主角和艾利未婚
选择：选“玩”，大家友好度增加；选“不玩”，大家友好度降低
◆艾利和优的姐弟情：
时间：水(三)am9.00-pm1.00
地点：艾莲家
条件：主角和艾利未婚
内容：优生病了，艾利让主角带他去医院，艾利好感增加，艾莲、优、多特友好度增加
草0401三色花
0501羊毛S型羊毛0601羊毛M型羊毛0701羊毛L型羊毛
0801羊毛G型羊毛
0901羊毛P型羊毛0A01羊毛X型羊毛
0B01 S型羊毛球0C01 M型羊毛球0D01 L型羊毛球0E01 G
型羊毛球
0F01 P型羊毛球1001 X型羊毛球
1101废矿石1201铜1301银1401金1501秘银1601奥
7F00生鱼片8000煮鱼8100寿司拼盘8200披萨8300 ??
8400咖喱?? 8500天妇罗
8600 ??? 8700 ??? 8800天妇罗面8900乾烧意面8A00 ??
面8B00曲奇(应该是饼乾吧)
8C00巧克力曲奇8D00天妇罗8E00冰淇淋8F00蛋糕
9000巧克力蛋糕
9100消闲茶(轻松茶) 9200土司9300法国土司9400布丁
4001 cd1 4101 cd2 4201 cd3 4301 cd4 4401 cd5 4501

管道焊接标准(中英文对照版)

hardcopiesareuncontrolled硬拷贝为非受控文件standardforpipingwelding管道焊接标准tableofcontents目录10203031324041424344454647505152scope范围supplierresponsibility供货商职责regulations规则codes规范referencespecifications参考规范fabrication制配weldingprocessesandrestrictions焊接方法和限定fillermetals填充金属cladplateandoverlaywelding包层板和堆焊weldoverlayprocedurequalifications堆焊工艺评定generalweldingrequirements总的焊接要求preheatandinterpasstemperature焊前预热和层间温度postweldheattreatmentpwht焊后热处理additionalrequirements补充要求repair修补basicrequirementsforworkingduringunfavorableweatherconditions对工作期间不适宜的气候条件的基本要求60616263646566676869610611612inspectionandtesting检验和试验weldqualityandweldinspection焊缝质量和焊缝检查visualtesting外观检查inprocessexamination中间检查generalnondestructiveexaminationnderequirements总的无损检验要求magneticparticletestingmt磁粉检验mtliquidpenetranttestingpt液体渗透检验ptradiographictestingrt射线检验rtultrasonictestingut超声波检验utweldhardnesstesting焊缝硬度试验ferritecontrol铁素体控制positivematerialidentificationpmi精确材料鉴定pipeweldsextentofexamination管道焊接

装载机电子秤注意事项

装载机电子秤注意事项一、装载机电子秤的鉴定本型式评价大纲是等效采用OIML R51-1【自动分检衡器】国际建议（1996年版）制定的，并按照JJF 1002--1998【国家计量检定规程编写规则】的规定编写的。

二、引用文献OIML R51--1【自动分检衡器】国际建议，1996年版三、术语、符号、代号3.1 载机电子秤是为装载设备在装载过程中称量装载物料的一种称重计量器具。

装载机电子秤可以提供被称物料的累计值和打印清单。

四、概述装载机电子秤是一种装载机称重设备，与装载机的机械控制部分集成为一体，在装载机行进中实现称重。

它通过一个接近开关对预先拟定的称量位置的监测，将液压转换为铲斗内载荷的重量而实现称重。

它有目的模式和累加模式两种不同的工作方式，按照操作人员的选择，可以自动将载荷进行累加，或是将在和从目的设定值中扣除。

五、法制管理规定该装载机电子秤使用的计量单位应是克（g）、公斤（kg）吨（t）。

该装载机电子秤的准确度等级按生产公司的声明应达成Y（b）级秤的规定。

装载机电子秤的铭牌、面版或表头等明显部位应标注计量法制标志和计量器具标记，其标志、编号和说明必须清楚可辨，牢固可靠。

该装载机电子秤不允许使用者自行调整。

六、计量规定6.1 样机的包装、外观、铭牌、标志检查由精衡电子提供6.1.1 检查该样机的各种装置，确认其均与申请者所提供的文献资料相符。

6.1.2 铭牌上应标志产品的名称、型号规格、生产厂、出厂编号、最大称量、最小称量、分度值、准确度等级等级符号等。

6.1.3 按产品说明书的操作规定检查各个数字键、功能键及其组合应用的可靠性。

6.2 样机在正常环境条件下的技术指标6.2.1 最大称量（Max）：Max=35.0t6.2.2 分度值：e=50kg6.2.3 准确度等级：Y（b）级6.2.4 工作电源：（10V~30V）V DC6.2.4 装载量分辨率10kg、20kg、50kg、100kg、200kg、500kg；6..6 传感器工作温度：-20度~+80度6.2.7 工作温度范围：-20度~+50度二、装载机电子秤的用途和场合装载机电子秤可使装载机在装载物料的同时对物料进行自动称重。

FM350-1调试简单说明(适用于飞剪)

编者注：此文档尽对软件设置进行简单描述，目的是记录末架轧机脉冲数并带锁存功能，相关硬件知识请参照FM350-1光盘中使用手册。

建议：首先请简单阅读用户手册相关内容，再做此实验。

目录：1.1实验平台 (2)1.2准备工作 (3)1.3硬件组态 (4)1.4程序调试 (8)1.1实验平台z电源模块：307-1EA00-0AA0z CPU模块：315-2AG10-0AB0z存储卡：953-8LG10-0AA0z高速计数模块：350-1AH03-0AE0 z编码器：EB58B10-H6PR-1024z STEP7 5.4.0.0z FM350-1软件包（模块光盘中）1.2准备工作z搭建实验平台z安装软件包（先要安装STEP7）1.3硬件组态z建立一个新项目z插入一个300站z组态硬件（如图1）图1z双击FM350 COUNTER，出现COUNTER MODULE画面（图2）图2z进入Operating Modes，修改Gate的模式为Latch（图3）图3z进入Encoders，修改Signal Type为24V incremental（图4）图4z进入Input，修改Set Counter（Set DI）为Multiple，同时取消Evaluate zero mark for setting（图5）图5z进入Output，修改DO1为Active on reaching the comparison value for pulse duration(up)，把Pulse duration改为500ms（图6）图6z保存设置，编译并下载1.4程序调试z打开Libraries，选择FMx50Lib（图7）图7z复制FC2和UDT1到实验工程中（图8）图8z回到实验项目，插入DB1（图9）图9z编程注意事项¾必须要赋值的三个参数DB1.DBW6（高数模块地址），DB1.DBD8（高数模块地址首址），DB1.DBB12（高数模块地址长度）（图10）图10¾必须置位的点，FC2中的SW_GATE（允许计数），DB1.DBX27.0和DB1.DBX27.1（允许硬件I2清零），DB1.DBX28.0和DB1.DBX28.1（允许硬件Q0和Q1输出）¾FC2说明（主要参数说明）（图11）DB_NO 对应DB块的DB号，本例为1SW_GATE 软件门，为“真”的时候，允许计数L_DIRECT 软件清零L_PIRPER 设置LOAD_V AULT_CMP_V1 设置比较值1（对应DO1）T_CMP_V2 设置比较值2（对应DO2）图11¾当前值为DB1.DBD30，锁存值为DB1.DBD34（硬件I0出现上升沿，当前值就被锁存到DB1.DBD34中）（图12）图12¾设置DB1.DBD14（装载值）：在给DB1.DBD14赋值的同时，必须给FC2FM350-1调试说明（适用于飞剪系统）ＴＪ－ＢＪ自动化2室-马楠的L_PREPAR为“真”一次¾设置DB1.DBD18（比较值1）和DB1.DBD22（比较值２）：在给DB1.DBD18和DB1.DBD22赋值的同时，必须给FC2的T_CMP_V1和T_CMP_V2为“真”一次\\自动化2室-1\f\自动化2室文档\调试报告\调试报告pdf文档\ 11。

MRFG35010AR1中文资料

Gallium Arsenide PHEMTRF Power Field Effect TransistorDesigned for WiMAX, WLL/MMDS or UMTS driver and final applications.Characterized from 500 to 5000 MHz. Device is unmatched and is suitable foruse in Class AB or Class A linear base station applications.•Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: V DD = 12 Volts, I DQ =140 mA, P out = 1 Watt Avg., f = 3550 MHz, Channel Bandwidth =3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.Power Gain —10 dBDrain Efficiency — 25%ACPR @ 5 MHz Offset — -43 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth•10 Watts P1dB @ 3550 MHz, CW•Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics•High Gain, High Efficiency and High Linearity•RoHS Compliant•In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 32 mm, 13 inch Reel.Table 1. Maximum RatingsRating Symbol Value Unit Drain-Source Voltage V DSS15Vdc Gate-Source Voltage V GS-5Vdc RF Input Power P in33dBm Storage Temperature Range T stg-65 to +175°C Channel Temperature (1)T ch175°C Operating Case Temperature Range T C-40 to +90°C Table 2. Thermal CharacteristicsCharacteristic Symbol Value (1,2)Unit Thermal Resistance, Junction to CaseCase Temperature 81°C, 10 W CW Class ABCase Temperature 79°C, 1 W CW Class ARθJC4.04.1°C/W1.For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150°C.2.Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to /rf.Select Documentation/Application Notes - AN1955.Document Number: MRFG35010ARev. 1, 6/2006 Freescale SemiconductorTechnical Data3.5 GHz, 10 W, 12 VPOWER FETGaAs PHEMTMRFG35010AR12RF Device DataFreescale SemiconductorMRFG35010AR1Table 3. Electrical Characteristics (T C = 25°C unless otherwise noted)CharacteristicSymbol Min Typ Max Unit Saturated Drain Current(V DS = 3.5 Vdc, V GS = 0 Vdc)I DSS — 2.9—Adc Off State Leakage Current(V GS = -0.4 Vdc, V DS = 0 Vdc)I GSS —< 1100μAdc Off State Drain Current(V DS = 12 Vdc, V GS = -2.2 Vdc)I DSO —0.091mAdc Off State Current(V DS = 28.5 Vdc, V GS = -2.5 Vdc)I DSX —515mAdc Gate-Source Cut-off Voltage (V DS = 3.5 Vdc, I DS = 15 mA)V GS(th)-1.2-0.8-0.7Vdc Quiescent Gate Voltage(V DS = 12 Vdc, I D = 180 mA)V GS(Q)-1.2-0.8-0.7VdcFunctional Tests (In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) (1) V DD = 12 Vdc, I DQ = 140 mA, P out = 1 W Avg., f = 3550 MHz,Single-carrier W-CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 3.84 MHz Channel Bandwidth @ ±5 MHz Offset. PAR =8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.Power Gain G ps 910—dB Drain Efficiencyh D 2325—%Adjacent Channel Power RatioACPR —-43-40dBc Typical RF Performance (In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V DD = 12 Vdc, I DQ = 140 mA, f = 3550 MHzOutput Power, 1 dB Compression Point, CW P1dB—10—W1.Measurements made with device in test fixture.MRFG35010AR13RF Device DataFreescale SemiconductorFigure 1. 3.5 GHz Test Circuit SchematicZ9, Z100.290″ x 90°Microstrip Radial Stub Z120.184″ x 0.390″Microstrip Z130.040″ x 0.580″Microstrip Z140.109″ x 0.099″Microstrip Z150.030″ x 0.225″Microstrip Z160.080″ x 0.240″Microstrip Z170.044″ x 0.143″Microstrip PCBRogers 4350, 0.020″, εr = 3.5Z10.044″ x 0.250″Microstrip Z20.044″ x 0.030″Microstrip Z30.615″ x 0.050″Microstrip Z40.044″ x 0.070″Microstrip Z50.270″ x 0.490″ Microstrip Z60.044″ x 0.470″Microstrip Z70.434″ x 0.110″Microstrip Z8, Z110.015″ x 0.527″MicrostripTable 4. 3.5 GHz Test Circuit Component Designations and ValuesPartDescriptionPart NumberManufacturer C1, C17 6.8 pF Chip Capacitors 100A6R81BW150XT ATC C2, C1610 pF Chip Capacitors 100A100JW150XT ATC C3, C15100 pF Chip Capacitors 100A101JW150XT ATC C4, C13, C14100 pF Chip Capacitors 100B101JW500XT ATC C5, C121000 pF Chip Capacitors 100B102JW500XT ATC C6, C110.1 μF Chip Capacitors 200B104KW50XT ATC C7, C1039K Chip Capacitors 200B393KW50XT ATC C8, C910 μF, 50 V Chip Capacitors GRM55DR61H106KA88B Murata R1, R250 Ω Chip ResistorsP51ETR -NDNewark4RF Device Data Freescale SemiconductorMRFG35010AR1Figure 2. 3.5 GHz Test Circuit Component LayoutMRFG35010AR15RF Device DataFreescale SemiconductorTYPICAL CHARACTERISTICSηD , D R A I N E F F I C I E N C Y (%)G T , T R A N S D U C E R G A I N (d B )214060108406304201040−60−1015−250P out , OUTPUT POWER (dBm)Figure 4. Single-Carrier W-CDMA ACPR and Input Return Loss versus Output PowerA C P R , A D J A C E N T C H A N N E L P O W E R R A T I O (dB c )I N P U T R E T U R N L O S S (d B )I R L ,−5−20−30−40−1520−10253035NOTE:All data is referenced to package lead interface. ΓS and ΓL are the impedances presented to the DUT.All data is generated from load pull, not from the test circuit shown.−50−2012506RF Device Data Freescale SemiconductorMRFG35010AR1TYPICAL CHARACTERISTICSNOTE:Data is generated from the test circuit shown.ηD,DRAINEFFICIENCY(%) Gps,POWERGAIN(dB)2146040 121082030 610 45040−60−2020−30−10P out, OUTPUT POWER (dBm)Figure 6. Single-Carrier W-CDMA ACPR andInput Return Loss versus Output PowerACPR,ADJACENTCHANNELPOWERRATIO(dBc)INPUTRETURNLOSS(dB)IRL,−30−40−50−15242832−20−2536MRFG35010AR17RF Device DataFreescale SemiconductorZ o = 25 ΩZ loadZ sourcef = 3550 MHzf = 3550 MHzV DD = 12 Vdc, I DQ = 140 mA, P out = 1 W Avg.f MHz Z sourceW Z load W 35504.6 - j18.74.9 - j9.8Z source =Test circuit impedance as measured fromgate to ground.Z load=Test circuit impedance as measuredfrom drain to ground.ZsourceZloadOutput Matching NetworkFigure 7. Series Equivalent Source and Load Impedance8RF Device DataFreescale SemiconductorMRFG35010AR1Table 5. Class AB Common Source S-Parameters (V DD = 12 Vdc, I DQ = 1000 mA, T C = 25°C, 50 ohm system)f S 11S 21S 12S 22GHz |S 11|∠φ|S 21|∠φ|S 12|∠φ|S 22|∠φ0.250.959-171.49.86789.90.008316.60.784-178.90.300.959-173.78.22087.60.008618.30.784-179.60.350.956-175.67.05585.60.008319.50.784179.70.400.959-177.2 6.19283.80.008820.00.783179.20.450.959-178.5 5.50982.20.008922.40.782178.70.500.959-179.6 4.96980.60.008922.70.781178.20.550.959179.3 4.52579.00.009123.90.781177.80.600.959178.4 4.15777.60.009426.00.780177.40.650.958177.5 3.84476.20.009526.90.779177.00.700.958176.7 3.57874.80.009828.00.779176.70.750.958175.8 3.34773.40.009929.20.778176.30.800.958175.1 3.14772.00.010330.60.777176.00.850.958174.3 2.97170.70.010731.60.776175.60.900.957173.5 2.81469.40.010832.00.776175.30.950.957172.9 2.67568.10.011133.00.775174.91.000.957172.2 2.55166.80.011433.80.774174.61.050.958171.5 2.43965.40.011734.10.774174.31.100.956170.9 2.33664.20.011934.70.773173.91.150.956170.1 2.24462.80.012435.50.773173.61.200.956169.5 2.15961.60.012635.30.772173.21.250.955168.8 2.08360.30.012935.90.772173.01.300.955168.1 2.01359.00.013336.10.772172.61.350.955167.5 1.94857.70.013636.70.771172.31.400.954166.8 1.88856.50.013936.90.771171.91.450.954166.2 1.83255.20.014337.40.770171.71.500.953165.5 1.77953.90.014737.80.770171.41.550.953164.8 1.73052.60.015137.40.769171.11.600.952164.1 1.68351.30.015438.10.769170.91.650.953163.2 1.64150.10.015837.70.769170.61.700.952162.6 1.59848.90.016137.80.769170.51.750.951161.8 1.55947.60.016437.90.769170.31.800.952161.0 1.51746.40.016737.90.769170.31.850.948161.6 1.54944.60.017837.50.760167.31.900.947160.9 1.52143.30.018337.30.759166.81.950.947160.3 1.49442.00.018937.20.757166.42.000.945159.5 1.47040.70.019437.20.756165.92.050.945158.9 1.44739.40.019836.90.754165.62.100.945158.1 1.42638.00.020436.40.754165.12.150.944157.5 1.40736.70.020936.40.752164.72.200.943156.8 1.38935.40.021536.00.751164.22.250.942156.0 1.37134.00.022035.90.749163.82.300.941155.2 1.35532.70.022635.50.749163.22.350.939154.6 1.34131.30.023434.90.745162.92.400.939153.8 1.32829.90.023834.20.744162.52.450.937153.01.31628.60.024534.30.742162.1MRFG35010AR19RF Device DataFreescale SemiconductorTable 5. Class AB Common Source S-Parameters (V DD = 12 Vdc, I DQ = 1000 mA, T C = 25°C, 50 ohm system)(continued)f S 11S 21S 12S 22GHz |S 11|∠φ|S 21|∠φ|S 12|∠φ|S 22|∠φ2.500.936152.2 1.30527.20.025033.80.740161.62.550.935151.4 1.29625.80.025833.40.738161.12.600.933150.5 1.28724.40.026432.70.737160.72.650.933149.8 1.27923.00.027332.10.736160.12.700.930149.0 1.27221.60.028031.70.733159.72.750.929148.1 1.26620.10.028831.50.730159.22.800.926147.2 1.26118.70.029730.60.728158.72.850.925146.3 1.25717.20.030629.90.725158.22.900.924145.3 1.25415.70.031429.20.722157.72.950.921144.4 1.25114.20.032428.60.720157.23.000.919143.5 1.24912.70.033327.80.717156.73.050.916142.5 1.24911.20.034327.10.715156.03.100.915141.4 1.2479.70.035526.30.710155.73.150.912140.5 1.2498.10.036625.30.708155.03.200.908139.4 1.250 6.50.037724.70.705154.53.250.905138.3 1.252 4.90.039023.40.701153.93.300.903137.1 1.256 3.30.040022.20.698153.43.350.899136.0 1.260 1.60.041320.80.694152.83.400.896134.8 1.265-0.10.042220.00.690152.23.450.893133.6 1.271-1.80.043419.50.686151.63.500.890132.3 1.278-3.50.045018.40.682151.03.550.885131.0 1.284-5.30.046417.30.678150.43.600.881129.6 1.292-7.10.047816.30.673149.83.650.876128.1 1.301-9.00.049415.10.668149.23.700.872126.7 1.311-10.80.051014.10.664148.63.750.871125.1 1.322-12.70.053013.00.661147.83.800.862123.7 1.333-14.70.054311.30.652147.33.850.856122.0 1.346-16.60.056310.30.648146.73.900.850120.3 1.360-18.60.05839.10.642146.03.950.845118.6 1.375-20.70.06057.40.636145.54.000.838116.7 1.389-22.90.0624 6.20.631144.84.050.831114.8 1.405-25.00.0646 4.60.624144.14.100.822112.9 1.422-27.30.0671 3.00.617143.54.150.816110.8 1.441-29.60.0696 1.30.612142.74.200.808108.6 1.460-31.90.0721-0.40.605142.14.250.801106.4 1.480-34.40.0747-2.20.599141.54.300.792104.1 1.500-36.90.0774-4.00.591140.74.350.783101.6 1.523-39.40.0804-6.10.582140.14.400.77599.0 1.545-42.10.0832-8.10.576139.54.450.76596.2 1.567-44.80.0861-10.30.569138.84.500.75493.3 1.590-47.70.0894-12.40.561138.14.550.74390.2 1.611-50.50.0924-14.80.555137.54.600.73187.0 1.634-53.50.0955-17.00.547136.84.650.71883.81.659-56.50.0989-19.50.541136.110RF Device DataFreescale SemiconductorMRFG35010AR1Table 5. Class AB Common Source S-Parameters (V DD = 12 Vdc, I DQ = 1000 mA, T C = 25°C, 50 ohm system)(continued)f S 11S 21S 12S 22GHz |S 11|∠φ|S 21|∠φ|S 12|∠φ|S 22|∠φ4.700.70680.3 1.683-59.60.1025-21.90.534135.44.750.69376.6 1.706-62.70.1061-24.50.526134.64.800.68072.8 1.729-66.00.1097-27.20.519133.94.850.66768.8 1.752-69.40.1136-30.00.512133.04.900.65564.6 1.775-72.80.1175-32.80.504132.14.950.64260.1 1.797-76.30.1214-35.80.496131.35.000.63055.5 1.819-79.90.1254-39.00.489130.35.050.61850.6 1.839-83.60.1294-42.20.481129.25.100.60845.5 1.859-87.40.1335-45.50.474128.15.150.59840.2 1.878-91.20.1377-49.10.467126.75.200.59134.5 1.896-95.20.1412-52.70.459125.15.250.58328.8 1.910-99.30.1451-56.20.450123.65.300.57922.7 1.924-103.40.1488-60.10.441121.75.350.57616.5 1.937-107.70.1526-63.90.431119.65.400.57610.1 1.947-112.00.1561-67.90.421117.25.450.576 3.5 1.952-116.50.1594-72.00.410114.65.500.580-3.2 1.957-121.20.1627-76.30.397111.45.550.585-9.7 1.953-125.80.1651-80.60.383108.15.600.592-16.2 1.943-130.50.1675-85.00.368104.25.650.601-22.7 1.929-135.30.1691-89.50.35099.85.700.613-28.8 1.913-139.90.1707-93.80.33195.15.750.627-34.6 1.900-144.60.1724-98.20.31289.65.800.646-40.5 1.885-149.50.1739-102.80.29283.25.850.667-46.4 1.864-154.60.1749-107.50.27275.65.900.688-52.2 1.834-159.80.1753-112.40.25166.65.950.708-57.7 1.800-164.90.1750-117.30.23256.06.000.730-63.0 1.760-170.10.1740-122.20.21543.86.050.751-68.2 1.716-175.20.1728-127.10.20429.66.100.772-73.1 1.668179.70.1709-132.10.20014.16.150.793-77.7 1.617174.60.1685-136.90.204-1.86.200.812-82.3 1.561169.60.1654-141.90.218-16.76.250.831-86.6 1.504164.60.1620-146.80.240-30.56.300.850-90.8 1.445159.60.1584-151.50.268-42.56.350.866-94.8 1.385154.70.1542-156.40.299-52.66.400.881-98.7 1.323150.00.1498-161.00.335-61.56.450.896-102.3 1.261145.30.1447-165.40.371-69.36.500.908-105.9 1.199140.70.1399-169.70.407-76.16.550.920-109.2 1.138136.30.1351-173.90.444-82.46.600.930-112.4 1.077132.00.1303-178.10.479-88.06.650.938-115.4 1.018127.80.1254177.80.513-93.16.700.946-118.30.961123.80.1202173.90.547-97.96.750.953-121.00.906119.80.1153170.00.579-102.36.800.959-123.70.853116.00.1103166.40.608-106.46.850.967-126.40.802112.20.1056162.80.637-110.2MRFG35010AR111RF Device DataFreescale SemiconductorTable 5. Class AB Common Source S-Parameters (V DD = 12 Vdc, I DQ = 1000 mA, T C = 25°C, 50 ohm system)(continued)f S 11S 21S 12S 22GHz |S 11|∠φ|S 21|∠φ|S 12|∠φ|S 22|∠φ6.900.969-128.80.752108.70.1006159.30.662-113.96.950.971-131.20.704105.40.0959156.20.686-117.27.000.972-133.40.660102.30.0915153.20.709-120.47.050.973-135.40.62099.40.0874150.30.729-123.37.100.974-137.30.58296.50.0834147.60.749-126.07.150.974-139.20.54793.70.0795145.00.769-128.77.200.975-140.90.51391.00.0760142.40.786-131.37.250.976-142.60.48288.40.0726140.00.802-133.77.300.976-144.30.45385.90.0694137.70.817-136.07.350.977-145.80.42683.50.0665135.20.830-138.27.400.978-147.30.40081.10.0633133.00.843-140.27.450.977-148.80.37678.90.0605131.00.856-142.27.500.975-150.00.35476.80.0577129.40.866-144.17.550.975-151.40.33274.80.0553127.80.878-146.07.600.975-152.60.31372.90.0531125.90.888-147.87.650.974-153.70.29571.10.0511124.20.897-149.67.700.976-154.70.27869.40.0492123.00.906-151.27.750.979-155.70.26367.70.0475121.10.913-152.87.800.983-156.80.24966.00.0459119.00.918-154.47.850.986-158.00.23564.30.0438117.20.925-155.87.900.986-159.10.22262.70.0421115.60.931-157.17.950.984-160.20.21061.00.0404113.50.937-158.48.000.983-161.20.19959.40.0387111.80.944-159.712RF Device DataFreescale SemiconductorMRFG35010AR1Table 6. Class AB Common Source S-Parameters (V DD = 12 Vdc, I DQ = 140 mA, T C = 25°C, 50 ohm system)f S 11S 21S 12S 22GHz |S 11|∠φ|S 21|∠φ|S 12|∠φ|S 22|∠φ0.250.937-166.58.88291.60.01679.90.755-175.60.300.936-169.57.41489.00.01668.80.757-176.80.350.934-171.9 6.37386.60.01688.10.760-177.80.400.937-173.9 5.59884.70.01707.70.760-178.50.450.937-175.5 4.98382.80.01707.70.760-179.20.500.936-176.9 4.49781.00.01697.60.761-179.80.550.937-178.2 4.09879.30.01727.70.761179.70.600.936-179.2 3.76577.70.01718.00.761179.20.650.936179.7 3.48176.10.01727.70.761178.70.700.936178.8 3.24174.60.01748.00.762178.30.750.936177.9 3.03173.10.01737.90.762177.90.800.936177.0 2.84971.60.01748.00.761177.50.850.936176.2 2.69070.20.01768.60.761177.20.900.935175.4 2.54868.70.01778.70.762176.90.950.936174.7 2.42067.30.01778.90.761176.51.000.935173.9 2.30765.90.01799.10.761176.11.050.936173.2 2.20664.50.01819.10.761175.81.100.934172.6 2.11163.10.01819.10.761175.51.150.934171.8 2.02861.70.01839.40.761175.11.200.934171.1 1.94960.30.01849.10.761174.81.250.934170.4 1.87959.00.01869.40.762174.51.300.934169.7 1.81457.60.01879.60.761174.11.350.933169.1 1.75556.20.01889.70.762173.81.400.933168.4 1.70054.90.01899.80.762173.51.450.933167.7 1.64753.50.019210.00.762173.21.500.932167.1 1.59852.20.019410.20.761172.91.550.932166.4 1.55450.80.019510.00.761172.71.600.932165.7 1.51049.50.019610.20.761172.51.650.932164.8 1.47248.10.019810.20.762172.21.700.931164.1 1.43246.80.019910.20.762172.11.750.931163.4 1.39545.50.020110.30.763171.91.800.931162.6 1.35744.30.020210.40.763171.91.850.927163.2 1.38342.50.021210.00.755169.01.900.926162.6 1.35741.20.021510.00.754168.51.950.926162.0 1.33239.80.021610.20.753168.12.000.925161.2 1.30938.40.022110.20.752167.72.050.925160.6 1.28737.10.022410.00.752167.32.100.924159.9 1.26735.70.022610.00.751166.92.150.923159.3 1.25034.40.023010.00.751166.52.200.923158.6 1.23233.00.02349.80.750166.02.250.922157.9 1.21531.60.02369.90.749165.62.300.921157.1 1.20030.20.02419.60.749165.02.350.919156.5 1.18628.90.02469.30.746164.72.400.919155.7 1.17327.50.02499.10.746164.32.450.917154.91.16226.10.02549.30.744163.9MRFG35010AR113RF Device DataFreescale SemiconductorTable 6. Class AB Common Source S-Parameters (V DD = 12 Vdc, I DQ = 140 mA, T C = 25°C, 50 ohm system)(continued)f S 11S 21S 12S 22GHz |S 11|∠φ|S 21|∠φ|S 12|∠φ|S 22|∠φ2.500.917154.2 1.15124.70.02568.80.743163.42.550.916153.5 1.14123.30.02628.80.742163.02.600.914152.6 1.13221.90.02678.60.741162.62.650.914151.9 1.12420.40.02728.20.740162.02.700.911151.1 1.11619.00.02778.00.739161.62.750.910150.3 1.11117.60.02828.10.736161.02.800.908149.5 1.10416.10.02907.70.735160.62.850.907148.6 1.10014.70.02967.30.733160.12.900.906147.7 1.09613.20.03027.10.731159.52.950.903146.8 1.09211.70.0310 6.60.729159.03.000.901145.9 1.08910.20.0317 6.40.727158.53.050.899145.0 1.0888.70.0324 5.80.725157.93.100.898143.9 1.0857.20.0333 5.30.722157.63.150.895143.1 1.086 5.60.0340 4.90.721156.83.200.892142.0 1.086 4.10.0350 4.50.719156.33.250.889141.0 1.087 2.50.0361 3.80.716155.83.300.887139.9 1.0890.90.0371 2.70.713155.23.350.884138.9 1.092-0.70.0379 1.90.711154.63.400.881137.8 1.095-2.40.03860.90.708154.03.450.879136.6 1.099-4.00.03940.90.705153.43.500.876135.4 1.104-5.70.04060.30.702152.83.550.872134.1 1.109-7.40.0418-0.60.698152.23.600.868132.8 1.115-9.20.0429-1.40.695151.53.650.864131.5 1.121-11.00.0440-2.20.691150.93.700.860130.1 1.129-12.70.0452-2.90.688150.23.750.860128.6 1.138-14.60.0468-3.60.686149.53.800.852127.3 1.147-16.50.0480-5.00.679148.93.850.846125.7 1.157-18.40.0494-5.80.675148.23.900.841124.2 1.168-20.30.0509-6.40.670147.53.950.837122.6 1.181-22.30.0528-7.80.666146.84.000.830120.8 1.192-24.30.0543-8.70.661146.14.050.825119.0 1.206-26.40.0560-9.90.656145.34.100.817117.3 1.220-28.50.0580-11.00.650144.74.150.812115.3 1.236-30.70.0600-12.20.646143.84.200.805113.3 1.252-33.00.0621-13.50.641143.04.250.799111.3 1.270-35.20.0643-15.00.635142.24.300.791109.0 1.288-37.70.0665-16.60.628141.34.350.783106.7 1.308-40.10.0690-18.10.621140.64.400.777104.3 1.328-42.60.0714-19.80.615139.84.450.769101.7 1.347-45.20.0739-21.50.609138.94.500.75998.9 1.370-47.90.0766-23.40.602138.14.550.74996.0 1.390-50.60.0792-25.30.596137.24.600.73893.1 1.412-53.50.0819-27.30.589136.34.650.72790.11.436-56.40.0849-29.50.583135.314RF Device DataFreescale SemiconductorMRFG35010AR1Table 6. Class AB Common Source S-Parameters (V DD = 12 Vdc, I DQ = 140 mA, T C = 25°C, 50 ohm system)(continued)f S 11S 21S 12S 22GHz |S 11|∠φ|S 21|∠φ|S 12|∠φ|S 22|∠φ4.700.71786.7 1.459-59.30.0880-31.60.576134.44.750.70583.2 1.482-62.40.0913-33.80.568133.44.800.69379.6 1.505-65.60.0945-36.10.560132.34.850.68275.8 1.530-68.80.0977-38.60.553131.24.900.67071.7 1.554-72.20.1016-41.20.544130.04.950.65867.4 1.578-75.60.1051-43.80.536128.95.000.64762.9 1.602-79.20.1089-46.60.527127.65.050.63658.1 1.626-82.80.1127-49.60.519126.25.100.62553.1 1.649-86.60.1167-52.70.510124.85.150.61547.9 1.672-90.40.1207-56.10.502123.15.200.60742.3 1.694-94.40.1244-59.50.492121.35.250.59936.5 1.713-98.50.1281-62.90.482119.45.300.59430.4 1.731-102.70.1319-66.60.471117.25.350.59024.0 1.750-107.00.1357-70.30.460114.95.400.58917.5 1.764-111.40.1392-74.20.449112.35.450.58810.7 1.776-116.00.1428-78.20.436109.45.500.590 3.7 1.785-120.80.1461-82.60.423106.05.550.593-3.2 1.787-125.60.1488-86.70.407102.45.600.598-10.1 1.784-130.40.1514-91.00.39298.25.650.605-17.0 1.777-135.30.1533-95.60.37393.65.700.616-23.5 1.767-140.20.1551-100.00.35488.45.750.629-29.8 1.757-145.10.1571-104.50.33482.75.800.648-36.1 1.744-150.30.1584-109.10.31476.05.850.668-42.5 1.724-155.60.1596-113.90.29468.35.900.687-48.8 1.697-160.90.1599-118.70.27559.45.950.706-54.8 1.664-166.20.1597-123.70.25749.16.000.726-60.5 1.627-171.50.1589-128.50.24337.56.050.746-66.1 1.587-176.80.1578-133.40.23424.56.100.766-71.3 1.542178.00.1562-138.30.23110.56.150.785-76.3 1.494172.80.1542-143.20.236-3.76.200.803-81.1 1.441167.60.1515-148.10.249-17.16.250.820-85.6 1.388162.40.1484-153.00.269-29.96.300.838-90.0 1.332157.30.1450-157.80.293-41.16.350.853-94.2 1.274152.30.1410-162.50.322-51.06.400.867-98.2 1.216147.50.1368-167.00.355-59.86.450.880-102.0 1.157142.70.1323-171.30.388-67.76.500.892-105.6 1.099138.00.1280-175.60.423-74.66.550.902-109.0 1.041133.50.1236-179.70.457-81.06.600.911-112.20.985129.20.1193176.30.490-86.76.650.918-115.30.929125.00.1149172.10.523-91.96.700.926-118.20.876120.90.1102168.30.555-96.86.750.933-121.00.825116.90.1058164.60.585-101.46.800.938-123.70.777112.90.1012161.00.613-105.66.850.946-126.30.729109.20.0968157.40.641-109.5MRFG35010AR115RF Device DataFreescale SemiconductorTable 6. Class AB Common Source S-Parameters (V DD = 12 Vdc, I DQ = 140 mA, T C = 25°C, 50 ohm system)(continued)f S 11S 21S 12S 22GHz |S 11|∠φ|S 21|∠φ|S 12|∠φ|S 22|∠φ6.900.948-128.80.684105.60.0930154.10.665-113.36.950.950-131.10.638102.30.0882151.30.688-116.77.000.952-133.30.59899.20.0843148.50.711-119.97.050.953-135.30.56196.20.0805145.70.730-122.87.100.953-137.20.52693.30.0771142.90.750-125.67.150.954-139.10.49390.40.0738140.20.770-128.37.200.956-140.80.46287.70.0701137.80.786-131.07.250.957-142.40.43485.10.0672135.50.802-133.47.300.958-144.10.40782.70.0645133.40.817-135.77.350.959-145.50.38280.30.0617130.80.831-138.07.400.961-147.00.35977.90.0589128.70.843-140.07.450.961-148.50.33775.70.0561126.60.855-141.97.500.959-149.80.31673.60.0535125.10.865-143.87.550.960-151.10.29771.60.0515123.70.877-145.87.600.960-152.30.27969.80.0496122.10.887-147.67.650.960-153.40.26367.90.0476120.30.895-149.47.700.962-154.40.24766.30.0459118.90.905-151.07.750.967-155.40.23464.80.0446117.20.912-152.67.800.970-156.60.22163.00.0430115.20.917-154.27.850.974-157.80.20961.40.0414113.50.923-155.67.900.975-158.90.19859.70.0397111.30.928-156.97.950.973-159.90.18658.00.0379109.50.934-158.38.000.973-161.00.17656.50.0360108.70.941-159.516RF Device Data Freescale SemiconductorMRFG35010AR1NOTESMRFG35010AR117RF Device DataFreescale SemiconductorNOTES18RF Device Data Freescale SemiconductorMRFG35010AR1NOTESMRFG35010AR119RF Device DataFreescale SemiconductorPACKAGE DIMENSIONSCASE 360D-02ISSUE CNI-360HFInformation in this document is provided solely to enable system and softwareimplementers to use Freescale Semiconductor products. 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KWSZ3327
浙江泰康电子有限公司
RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB RMB
KWSZ3290
NANHAI SHI DA LI ZHENG YI BIAO PAI CHANG -
KWSN3405
佛山市南海大沥正一标牌厂
SANQIANG ELECTRONICS（SHENZHEN）CO.,LTD - 慧华新三强电子（深圳）有限公
TVS0019
司
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SHANGHAI PUDONG MEILING PLASTICS FACTORY -
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FOSHAN HONGXU PLASTIC INDUSTRY CO., LTD -

3501-2021标准分享

2021年最新3501标准全面解读与分享随着科技的飞速发展和市场需求的不断变化，各行各业的标准也在不断更新和完善。

本文将为您详细解读2021年最新版的3501标准，帮助您更好地了解和应用这一重要标准。

一、3501标准概述3501标准，全称为《信息与通信技术（ICT）设备节能技术要求》，是我国在节能减排领域的一项重要标准。

该标准主要针对ICT设备，包括服务器、存储设备、网络设备、安全设备等，对其节能性能提出了一系列具体要求。

3501标准的制定旨在推动ICT产业的绿色发展，降低能源消耗，减少碳排放。

二、2021年版3501标准的主要变化1.扩展适用范围：2021年版3501标准在原有基础上，将适用范围扩展到更多的ICT设备，如云计算、大数据、物联网等新兴领域。

2.强化节能要求：针对不同类型的ICT设备，2021年版3501标准提高了节能指标，加大了节能减排力度。

例如，服务器电源效率要求从80%提高到85%，存储设备能耗密度要求降低10%等。

3.新增能效等级：2021年版3501标准引入了能效等级的概念，将ICT设备分为五个能效等级，以便于企业和个人更加直观地选择高效节能的产品。

4.完善检测方法：为进一步保证3501标准的实施效果，2021年版标准对检测方法进行了细化和优化，增加了现场检测、远程检测等多种检测手段。

三、3501标准在实际应用中的意义1.降低运营成本：遵循3501标准，选购节能型ICT设备，有助于降低企业运营成本，提高经济效益。

2.提升竞争力：符合3501标准的产品，代表着更高的能效和更环保的生产理念，有助于提升企业竞争力。

3.促进产业升级：3501标准的推广和实施，将推动ICT产业向绿色、低碳、高效方向发展，助力我国产业结构优化。

4.贯彻国家政策：遵循3501标准，是贯彻国家绿色发展理念、落实节能减排政策的具体举措。

总的来说，2021年最新版3501标准的发布实施，标志着我国ICT产业节能减排工作进入新阶段。

施耐德HIMGXO

66
A 型 USB 座 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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Mini B 型 USB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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章 5 维护 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5
关于本书 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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章 1 HMI GXO 面板 . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
11
HMI GXO 系列面板 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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相关的文件关于产品的资讯
文件名称 HMI GXO 安装指南 Vijeo Designer 联机帮助

737机上机身常用件号

氧气瓶防尘帽件号59447-00机组氧气瓶 :801307-00(114FT)；801307-06(76FT)；手提氧气瓶：5500ATA-BF23A；呼唤铃指示灯罩：BCREF17971；客舱手提氧气瓶：5500-CIA-BF23A；禁止吸烟和系上安全带灯泡：7387；侧壁灯(窗灯)：S417N511-1;F18T5(长);F13T5(短)；窗灯组件:10-1327-1(带保险)；10-1327-2(不带保险)；10-1327-3(短)；窗灯组件:10-1733-3(短)(-800)；顶灯：F017；F045；F032；F039；顶灯组件：4041-48（配F032灯管）（-7/800）阅读灯罩：11-6557-5B（灰色）；11-6557-5C (白色)；阅读灯泡：9204；厕所白灯灯泡：ML303 ；厕所灯管：5106ww ；行李架应急灯灯罩：10-1042-7；S417N504_7；行李架应急灯组件：10-1042-8（-7/800）；行李架应急灯泡：1317；地板应急灯灯罩：S417N509-2；81000-22701(white)；81000-22704(red)；应急灯泡：OL-3071BPE；应急电池组件：2013-1（3/400）D717-01-100（7/800）；充电器：2012-1（3/400）D717-02-030（7/800）；电池充电器组件：BPS7-3/S283T014-3（3/400）D717-02-001/S283W603-2（7/800）；应急灯(EXIT)：OL3071BPEGPL；应急灯(EXIT) 灯罩：207377-1002(箭头朝左上)；应急手电筒：P2-01-0003-001；电池：P4-01-0021；驾驶舱头顶地图灯：1308 ；地图灯组件：34265-8(7/800) ；驾驶舱圆顶灯：2233；进门口灯：FB024730(FB024830)；主警告灯：1864；7/800WORK灯罩：2100-100；MCP板的灯泡型号：6839、28V；前后服务间三个不同颜色的呼唤灯罩：蓝色：855974-3；粉红：855974-7；绿色：855974-4；灯泡：387；PSU板旅客呼叫灯罩：25-1734-15或S417N312-5A；PSU电路板开关S417N312-11或11-6537-7；PSU电路板：417N3035-3/4或11-6537-7/9（-7/800）；洗手间呼唤灯组件：A20247AM1；呼唤铃指示灯罩：BCREF17971；客舱电源插头盖板：SAM214-15；六灯组件件号：左侧65-0294-21(CAPT)；右侧65-0294-23(-300)；左:10-61330-60 ；右:10-61330-61（-800）。

电热水器澳洲标准中文版(doc 83页)

电热水器澳洲标准中文版(doc 83页)部门： xxx时间： xxx制作人：xxx整理范文，仅供参考，勿作商业用途澳大利亚/新西兰标准™电热水器第一部分：能量消耗､性能及通用要求标准AS/NZS4692.1：2005本澳大利亚/新西兰联合标准由电热水装置技术委员会（EL-20）编制，分别于2005年9月2日由澳大利亚标准化委员会和新西兰标准化委员会批准｡本标准发行日期：2005年9月14日｡________________EL-20代理委员会成员单位如下：澳大利亚工商联合会澳大利亚电气和电子制造商协会澳大利亚天然气协会澳大利亚温室效应办公室澳大利亚工业集团澳大利亚不锈钢发展协会新西兰商务部认证中心（澳大利亚）工业､旅游与资源部（英联邦）新西兰能效与节能管理局澳大利亚电气设备符合性测试协会天然气装置供应商协会（新西兰）热交换制造商协会新西兰专业工程师学会新西兰天然气安装工及给排水施工人员协会澳大利亚国家家用电器与设备能效委员会新西兰雇主和制造商协会悉尼自来水公司________________标准随时更新标准是反映科技和系统进步的有效文件，为了保持其通用性，必须定期审查所有标准，并发行新的版本｡在各版本之间，可发行修改单｡标准还可取消｡重要的是，读者自己要保证能使用现行的标准，这些现行标准包括从采购标准以后发行的任何修改单｡关于澳大利亚/新西兰联合标准的详细资料，请登录澳大利亚标准网站.au或新西兰标准网站，通过在线目录查找相关标准｡另外，两个组织都会发行一份年度打印产品目录，包括所有现行标准的全部详细内容｡关于更加频繁的修订､修改和作废的列表或通告，澳大利亚标准协会（Standards Australia）和新西兰标准协会（Standards Newzealand）会提供一些最新的方案｡关于这些服务的详细情况，用户宜与其各自国家的标准化组织联系｡为了不断进步，我们欢迎提出宝贵的意见，特别鼓励读者及时通知我们任何明显的不准确和模凌两可的内容｡请将您的意见按封底上的地址发给澳大利亚标准协会（Standards Australia）和新西兰标准协会（Standards Newzealand）的主管负责人｡________________本标准作为DR04388意见草案发行澳大利亚/新西兰标准™电热水器第一部分：能量消耗，性能和通用要求AS 1056.1首次作为AS C316-1957的一部分发行;AS C316-1970修订并重新编成AS 1056-1972;AS 1056-1977修订并重新编成标准AS 1056.1-1985;AS 1056.2 首次发行于1985年;AS 1056.3首次作为标准AS C316-1970的一部分发行;AS C316-1970修订并重新编成AS 1056-1972;AS 1056-1977修订并重新编成AS 1056.3-1985的一部分; 1991年第二版; AS 1056.1-1991､AS 1056.2-1985和AS 1056.3-1991修订､合并重新编成标准AS/NZS4692.1：2005版权所有© 澳大利亚标准/新西兰标准版权所有，翻印必究｡未经出版商的书面许可，不得以任何形式或通过任何手段【电子的或机械的（包括影印本）】复制本著作的任何部分｡澳大利亚标准协会（Standards Australia）（地址：GPO Box 476，Sydney，NSW 2001）和新西兰标准化协会（地址：Private Bag 2439，Wellington 6020）联合发布｡ISBN0 7337 6895 4序言本标准由澳大利亚标准协会（Standards Australia）/新西兰标准协会（Standards Newzealand）联合委员会 EL-020（电热水器具）编制，最终在固定的日期代替了AS 1056.1-1990 《储水式热水器-通用要求》､标准AS 1056.2-1985水式热水器-带有单一外壳的热水器的具体要求》和AS 1056.3-1991《储水式热水器-带有合成外壳的热水器的具体要求》｡本标准旨在于固定日期最终代替NZS4602：1998《低压铜储热式电热水器》和NZS4606的第一部分至第三部分以及AS 1056的第一部分至第三部分的新西兰改编本｡本标准属于下列标准的一部分：标准AS/NZS4692 电热水器;4692.1 第一部分：能量消耗，性能和通用要求;4692.2 第二部分：最低能量性能标准（MEPS）要求和能量标识｡标准AS/NZS4692系列标准的总体目标是促进热水器的高质量､性能和能效水平｡标准AS/NZS4692 的各部分汇总如下：(a)第一部分包括试验步骤､最低性能要求以及热水器的其它要求，还包括电动储水式热水器的确定恒定的热损失修订后的试验方法以及确定热水出水量和混合热水出水量的方法｡(b)第二部分包括电动储水式热水器和电动热交换式热水器的最低能量性能标准（MEPS）要求，包括了电动储水式热水器“顶级节能奖”标识的具体细则，其结构适合现行立法参考，并与第一部分一起使用｡修订后的标准AS/NZS4692标准现在包括以前AS 1361标准包括的热交换式热水器的要求，政府旨在引进冷冻水和沸水分配器的最低能量性能标准（MEPS）水平，这将包括在今后的标准AS/NZS4692.2修正或修订中｡冷冻水和沸水分配器的试验方法将作为本标准单独的一部分｡为了按照标准AS/NZS4692.2的要求进行管制，按照本标准或AS 1056.1的修改单5或AS 1361的修改单（适合时）的热损失试验在通知之日前具有同等效力，之后只能按照本标准进行试验｡所有图表中附注的强制条款的明确声明被视为本标准的要求｡为了定义附录的应用场合，本标准已经采用了术语“规范性附录”和“资料性附录”｡“规范性附录”属于标准的有机组成部分，而“资料性附录”仅供参考并且属于指导性附录｡目录页次第一节范围和总则1.1 范围 (11)1.2 应用 (11)1.3 参考文件 (12)1.4 定义 (14)1.5 其它规范的符合性 (20)第二节设计和构造要求2.1 本节范围 (21)2.2 强度 (21)2.3 与水接触的材料和零部件 (23)2.4 水管件 (24)2.5 水管子 (24)2.6 排水设施 (25)2.7 水套管 (25)2.8 保护支架 (25)2.9 绝热 (26)2.10 维护保养设施 (26)2.11 包装 (27)第三节电气零部件3.1 本节范围 (28)3.2 加热单元 (28)3.3 温度控制装置和热保护装置 (30)第四节标志和使用说明4.1 本节范围 (32)4.2 标志和使用说明 (32)4.3 安装说明 (32)第五节热水器和容器贮存的具体要求5.1 本节范围 (34)5.2 热水出水量/标称量 (34)5.3 水密性 (34)5.4 带有合成外壳的热水器 (35)5.5 有单一外壳的加热器 (41)5.6 自带进水箱的加热器 (43)5.7 恒温控制器 (45)5.8 增压式加热单元 (46)5.9 标记和说明须知 (47)第六节热交换水加热器的具体要求6.1 本节范围 (48)6.2 热水出水量/标称容量 (48)6.3 强度 (48)6.4 自带进水箱的加热器 (49)6.5 恒温控制器-表面接触式 (49)6.6 标志和使用说明 (49)6.7 产品规格 (49)附录A 证实符合本标准的手段 (50)B 标准化的试验条件 (61)C 确定恒定的热损失 (73)D 确定热水出水量 (81)E 混合热水出水量 (87)F 储水式热水器的典型规格 (94)G 不透气容器的压力疲劳测试 (100)H 铜､低压热水器外壳的构造细则 (102)I 配置和确定空气温度传感器的时间常数 (107)J 线性回归 (111)K 水的密度 (113)L 试验室配置 (116)M 确定玻璃状搪瓷上釉衬料可溶性的方法 (119)N 确定水箱热损失的误差 (123)澳大利亚标准/新西兰标准_________澳大利亚/新西兰标准电热水器_________第一部分：能量消耗､性能和总体要求_________第一节范围和总则1.1 范围本标准规定了下列类型电热水器的试验方法以及性能和构造要求｡(a)额定热水出水量达到630L或者标称容量达到710L的储水式热水器，包括太阳能､热泵和间接加热系统的储水零部件｡(b)加热储水容积达710L的热交换式热水器;(c)使用电阻性加热作为主要能源的热水器，但是热损失和出水的试验方法还是适用于其它类型的热水器（例如太阳能热水器和热泵）｡注：1.打算采购超出本标准范围的热水器建议将本标准的相关要求包括在其规范中，典型的产品规格型式见附录F｡2.本标准的试验方法还可应用于不在本标准范围内的产品规格｡1.2 应用证明符合本标准要求的手段应符合附录A的规定｡标准化的试验条件应符合附录B的规定｡确认标准的热损失应符合附录C的规定｡1.3 参考文件本标准参考了下列文件：AS1210 压力容器1308 电热水器-恒温控制器和热保护切断装置1357 主要用于热水系统的阀门1357.1 第一部分：保护阀门1357.2 第二部分：控制阀门1361 电动热交换式热水器-家用1432 给排水､燃气管件和排水应用的铜管1566 铜和铜合金-轧制扁材1722 惠氏螺纹牙样的管螺纹1722.1 第一部分：密封管螺纹1722.2 第二部分：紧固管螺纹2239 流电（牺牲）的印迹保护2812 金属铆焊-术语词汇表AS3498 给排水产品的授权要求 -热水器和热水储水箱3688 供水-金属管件和接头AS/NZS3161 审批和试验规范-恒温控制器和能量调节器3500 给排水3500.1 第一部分：水设施3500.4 第四部分：加热水设施3823 电器装置的性能-空气调节装置和加热泵3823.1.1 第一部分.1 试验方法-非管道式空气调节装置和加热泵-性能的测试和标定等级4020 与饮用水接触的产品测试4692 电热水器4692.2 第二部分：最低能量性能标准（MEPS）要求和贴标识60335 家用和类似电器装置-安全60335.1 第一部分：通用要求（IEC 60335-1：2001，MOD）60335.2.15 第二部分.15：液体加热器具的特定要求60335.2.21 第二部分.21：特定要求-储水式热水器HB 18 第三方认证和鉴定指南HB 18.28 （ISO/IEC 导则28）产品型号第三方认证方案的总则NZS3501 水､燃气和卫生系统用铜管规范4602 低压铜热储水式电热水器4606 储水式热水器6214 家用热储水式电热水器的恒温控制器和热保护切断装置（只用于交流电）ASTMA 240 铬和铬-镍不锈钢的标准规范S31600 压力容器和通用应用场合的板材和带材BS21 压紧接头用螺纹连接的管材和管件的管螺纹规范｡BS EN1652 铜和铜合金-通用应用场合的板材､带材和圆材1044 金属铜焊料BS EN ISO228-1 压紧接头不用螺纹连接的管螺纹公差和牌号ISO/IEC17025 测试和校准实验室胜任能力的通用要求NZBC 新西兰建筑规范G12 给水设施1.4 定义下列术语和定义适用本标准｡1.4.1 空气源热泵式热水器由带有一个空气源蒸发器的热泵和一个将热量输送至热水储水式容器的冷凝器组成的一种系统｡环境能量从大气的潜伏热和显热收集｡1.4.2 粘合型釉瓷涂层附着在容器主要构件上并且能耐受连续暴露至热水的一种涂层，粘合性釉瓷涂层的种类如下：(a)X级涂层 -旨在用于水温不超过70 ℃的粘合型涂层;(b)Y级-溶解性低于X级涂层的粘合型涂层，旨在更加能耐受温度达到70 ℃的水的溶解作用或者在温度超过70 ℃时使用｡1.4.3 水套容器四周的夹套及其绝热层｡1.4.4 容器热水（或热交换式热水器的传热液）在其中加热､加热和储热或者储热的容器（包括配件）｡1.4.5 保护支架用于支撑容器或容器配件的支架､支撑物或约束装置｡1.4.6 容积式热水器水从底部或者底部附近进入容器且当其从顶部或顶部抽出时排出热水的一种储水式热水器｡容积式热水器有以下几种类型：(a)水槽供水式热水器：一种透气容积式热水器，从分体安装的给水箱供水，给水箱的水位自动保持｡(b)自由出水式热水器：一种装有常开出口的容积式热水器，热水根据储水容器的容积排出，流量由进水给水管路上阀门控制｡(c)低压热水器：专门设计成工作压力不超过120kPa的一种容积式热水器，可采用透气式，也可采用不透气式｡(d)总水源压力式热水器：一种非透气容积式热水器，旨在直接连接至给水系统，并且(i)在澳大利亚，温度/泄压阀（安全阀）的设定值不超过1400KPa;(ii)在新西兰，设计的工作压力超过120KPa｡(e)侧进水式热水器：一种低压热水器，带有自由水面，其进口从接在热水器侧面的给水箱供水，热水从位于自由水面下方的出水口抽出｡(f)自带水箱的热水器：无自由水面的低压热水器，其中进水通过附着固定在热水器上的给水箱供给。

牧场物语金手指

02004214: xxxx 持有物第 1 格 02004218: xxxx 持有物第 2 格 0200421C: xxxx 持有物第 3 格 02004220: xxxx 持有物第 4 格 02004224: xxxx 持有物第 5 格 02004228: xxxx 持有物第 6 格 0200422C: xxxx 持有物第 7 格 02004230: xxxx 持有物第 8 格 ■xxxx 持有物表 0100 马铃薯 0200 黄瓜 0300 草莓 0400 包心菜 0500 蕃茄 0600 玉米 0700 洋葱 0800 南瓜 0900 菠萝 0A00 茄子 0B00 红萝卜 0C00 地瓜 0D00 菠菜 0E00 辣椒 0F00 S 蛋 1000 M 蛋 1100 L 蛋 1200 金蛋 1300 P 型蛋 1400 X 型蛋 1500 温泉蛋 1600 蛋黄酱 S 型 1700 蛋黄酱 M 型 1800 蛋黄酱 L 型 1900 蛋黄酱 G 型 1A00 蛋黄酱 P 型 1B00 蛋黄酱 X 型 02004214:02004214: 1C00 牛乳 S 型 1D00 牛乳 M 型 1E00 牛乳 L 型 1F00 牛乳 G 型 2000 牛乳 P 型 2100 牛乳 X 型 2200 S 奶酪 2300 M 奶酪 2400 L 奶酪 2500 G 奶酪 2600 P 奶酪 2700 X 奶酪 2800 苹果 2900 蜂蜜 2A00 竹笋 2B00 野葡萄 2C00 蘑菇 2D00 毒蘑菇 2E00 松菇 2F00 青色草 3000 绿色草 3100 红色草 3200 黄色草 3300 橙色草 3400 紫色草 3500 蓝色草 3600 黑色草 3700 白色草 3800 月下美人 3900 营养饮品 3A00 营养饮品 (新产品) 3B00 醒神饮料 3C00 醒神饮料 (新产品) 3D00 葡萄酒 3E00 葡萄汁 3F00 饭团 4000 面包 4100 油 4200 小麦粉 4300 咖哩粉 4400 肉丸粉 4500 巧克力 4600 消闲茶(轻松茶) 4700 SUGDW 苹果 4800 HMSGB 苹果

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PA4433
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RS3517 RS3517XP PA4110 (F-750 Only)
RS3517 RS3517XP PA4110 (F-750 Only)
CA5514 RS3517 RS3517XP
CA5514
RS3517 RS3517XP
F-650 Super Duty, F-750 (2008-on)
Cummins ISB (5.9L) Eng.
F-650, F-750 (To 2007)
Cummins ISB (5.9L) Eng.
F-650, F-750
F-650 F-650, F-750 F-650, F-750
Cummins ISB 200 (6.7L) Eng.
PF7852 KIT
4C2Z-9N-184-BA Set of 2 Fuel Elements
IHC T444E (7.3L) Eng. IHC VT365 (6.0L) Eng. V8-406 (6.7L) FI Turbo Diesel Eng.
BF1222-O BF1222 BF1222-SP PF7678
F2TZ-9N-184-A F2TZ-9N-184-A E8TZ-9N-184-A F4TZ-9N-184-A
BC3Z-9601-A Panel Air Element
FUEL F Super Duty
V8-445 (7.3L) Turbo Diesel Eng.
E-450 Super Duty
V8-363 (6.0L) FI Turbo Diesel Eng.
F-450, F-550 Super Duty

国内外材料对照表

SCS经常加工材料（中外牌号对照）表序号Item种类(Description)各国牌号中国(GB)国际标准(IS0)德国(Germany)美国(American)日本(JIS)英国(BS)DIN W-NrASTM UNSAISI1黑色金属(bla ck metal)碳素结构钢(Carbon steel)Q235-A(A3)Fe360B RSt37-2 1.0038A283GRCSAPH38050A172优质碳素结构钢(fine carbonsteel)20C20e CK20G102001020s20c 050A20345C45e CK45 1.1191G104501045S45C 060A47435Mn G103701037S35C 080A355易切削结构钢(cutting steel)Y15Pb 11MnPb289SMnPb28 1.0718G1214412L14SUM24L 6合金结构钢(alloy structural steel)40Cr 41Cr441Cr4 1.7035G514005140SCr440530A40715CrMo 15CrMo5 1.7262SCM415835CrMo 34CrMo434CrMo4 1.7220G413504135SCM435708A37942CrMo 42CrMo442CrMo4 1.7225G414004140SCM44010弹簧钢(spring steel)65Mn 65Mn4G156601566080A6711轴承钢(axletree steel)GCr15100Cr61.3505G5298652100SUJ2535A9912碳素工具钢(Carbon tool steel)T8TC80C80W1 1.1525T72301W108Extra SK6,SK513T10TC105C105W2 1.1645T72301W110ExtraSK4,SK3BW1B 14合金工具钢(alloy tool steel)Cr12210Cr12X210Cr12 1.208T30403D3SKD1BD315Cr12Mo1V1X155CrVMo121 1.2379T30402D2SKD11BD2169Mn2V 90MnV290MnCrV81.2842T315022BO21750CrV41.2241189CrWMn T31501O1SKS3BO119高速工具钢(high speed steel)W18Cr4V HS18-0-1S18-0-1 1.3355T12001T1SKH2BT120不锈钢(stainless steel)Y1Cr18Ni917X12CrNiS18.8 1.4305S30300303SUS303303S21210Cr18Ni911X5CrNi18.9 1.4301S30400304SUS304304S15220Cr17Ni12Mo220,20a X5CrNiMo18.10 1.4401S31600316SUS316316S162300Cr17Ni14Mo219,19a X2CrNiMo18.10 1.4404S31603316L SUS316L 316S1224OCr18Ni10Ti15X10CrNiTi18.91.4541S32100321SUS321321S12251Cr178X8Cr17 1.4016S43000430SUS430430S1526Y1Cr178aX12CrMos171.4104S4*******F SUS430F 27Y3Cr13S42020420F SUS420F 287Cr17S44002440A SUS440A 2911Cr17A-1b X105CrMo17 1.4125S44004440C SUS440C 300Cr17Ni4Cu4NbX5CrNiCuNb17.4S17400630SUS630meta l)SCS经常加工材料（中外牌号对照）表序号Item 种类(Description)各国牌号中国(GB)国际标准(IS0)德国(Germany)美国(American)日本(JIS)英国(BS)DIN W-Nr ASTM UNS AISI2PTFE polytetrafluoroethylene聚四氟乙烯3POM polyformaldehyde聚甲醛4PA polyamide聚酰胺5ABS acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物6PC polycarbonate聚碳酸酯7PE polyethylene氯乙烯8PVC poly(vinyl chloride)聚氯乙烯9PSU polysulfone聚砜10PUR polyurethane聚氨酯11酚醛树脂布层fabric phenolic laminated胶木板12环氧玻璃纤维板FR-4epoxy polyesterglass fiber plank环氧玻璃纤维板工程塑料(engineeringplastic)法国(NF)A37-2XC18XC42H1S250Pb42C415CD4.0534CD4100C6Y2105Z200C12Z160CDV12.0390MV890MCW5HS18-0-1Z10CNF18.09 Z6CN18.09 Z6CND17.12 Z2CND17.12 Z6CNT18.11Z8C17Z10CF17Z30CF13Z100CD17Z6CND17.04法国(NF)Z6CN18.09 Z6CND17.12Z6CNT18.10Z8C17Z20C13Z6CNU17.04瑞典(Sweden)H20H20,SH法国(NF)Cu-a1,Cu-a2CuZn40CuZn40CuZn40Pb CuSn4Zn4Pb4CuSn6PCuAl6CuBe2202450525083606160827075法国(NF)UNS ASTM1铜冶炼产品T2(99.90)Cu-ETP E-Cu57C11000C11000C1100C101Cu-a1,Cu-a22加工黄铜H62CuZn40CuZn40C27400C27400C2800CZ109(Cu60)CuZn403H59CuZn40CuZn40C28000C28000(Cu60)C2801CZ109(Cu60)CuZn40 4HPb62-0.8CuZn35Pb1C35000C35000C35015HPb59-1CuZn39Pb1CuZn40Pb2C38000C38000C3710CZ122CuZn40Pb6加工青铜QSn4-4-4CuSn4Pb4Zn3C54400C54400C5441CuSn4Zn4Pb47QSn6.5-0.1CuSn6CuSn6C51900C51900C5191PB103CuSn6P 8QSn6.5-0.4 CuSn6CuSn6C51900C51900C5191PB103CuSn6P 9QAl5CuAl5CuAl5C60600C60600CA101CuAl6 10QBe2CuBe2CuBe2C17200C17200C1720CuBe2 11铸造青铜ZCuSn10Zn2GCuSn10Zn2G-CuSn10Zn C90500C90500BC3G1CuSn12变形铝及铝合金2A11(LY11)AlCuMg1A920172017A20172017122A12(LY12)AlCuMg2A920242024A202420242024135A02(LF2)AlMg2.5A950525052A5052N45052 145A03(LF3)AlMg3A950525052A5052N45052 155083(LF4)5083AlMg4.5Mn A950835083A5083N85083 166A02(LD2)A960616061A6061H20176061(LD30)6061AlMg1SiCu A960616061A6061H206061 186063(LD31)6063AlMgSi0.5A960636063A6063H96063 1960826082AlMgSiMn6082 207A04(LC4)A9707570757075 2170757075AlZnMgCu1.5A970757075A70757075UNS ASTM22铸造及压铸铝合金ZL101Al-Si7Mg G-AlSi7Mg A03560A03560AC4C LM25A-S7G99.9％纯铜，硬度低，加工易变形，易氧化，导电导热性好。

FDA变更指南中英文

Guidance for IndustryChanges to an ApprovedNDA or ANDA已批准申请的新药变更指南U.S. Department of Health and Human ServicesFood and Drug AdministrationCenter for Drug Evaluation and Research (CDER)April 2004CMCRevision 1I. INTRODUCTION AND BACKGROUNDThis guidance provides recommendations to holders of new drug applications (NDAs) and abbreviated new drug applications (ANDAs) who intend to make post approval changes in accordance with section 506A of the Federal Food, Drug, and Cosmetic Act (the Act) and § 314.70 (21 CFR 314.70). The guidance covers recommended reporting categories for postapproval changes for drugs other than specified biotechnology and specified synthetic biological products. It supersedes the guidance of the same title published November 1999. Recommendations are provided for postapproval changes in (1) components and composition, (2) manufacturing sites, (3) manufacturing process, (4) specifications, (5) container closure system, and (6) labeling, as well as (7) miscellaneous changes and (8) multiple related changes.本指南给打算将已批准变更的新药上市申请和新药报审简表申请的持有者提供建议，使其按照联邦食品、药品、化妆品法案的506A部分和§ 314.70 (21 CFR 314.70)。