3.7负阻振荡器
正弦波振荡器-PPT
2
2001年9月--12月
6
导致振荡频率不稳定得原因(续2)
2、 影响环路 Q 值得因素
o
Q1 Q2
2
Q2
Q1
f01 f02
f0
f
▪ 器件输入、输出阻抗中得有功 部分。
▪ 负载电阻得变化。
▪ 回路损耗电阻尤其就是电抗元 件 得高频损耗,环路元器件得高频 响应等。
2
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7
导致振荡频率不稳定得原因(续3)
• 泛音晶体振荡器:利用石英谐振器得泛音振动特性对频率 实行控制得振荡器称为泛音晶体振荡器。这种振荡器可以将 振荡频率扩展到甚高频以至超高频频段。
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19
1、 并联型晶体振荡电路
(1)皮尔斯(C-B)电路
RFC
Rb1
C
B
VCC
Rb 2
E
C1
Cb Re C2
JT
C
C1
E
C2
B
Lq
• 温度隔离法:将关键电抗元件置于特制得恒温槽内,使槽内得 温度基本上不随外界环境温度得变化。
▪ 利用石英谐振器等固体谐振系统代替由电感、电容构成得电 磁谐振系统,她就是高稳频率源得一个重要形式。 由于这种谐振系统构成得振荡器,不但频率稳定性、频率准确 度高,而且体积、耗电均很小,因此,在许多领域已被广泛地 采用。
0
2 L C
▪ 等号右边得负号表示频率变化得方向与电抗变化得方向刚好 相反。如电感量加大,振荡频率将降低。
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9
主要稳频措施(续1)
▪ 温度补偿法和温度隔离法:引起电抗元件电感量和电容量 变化最明显得环境因素就是温度得变化。
压控振荡器的设计与仿真
目录1 引言 (2)2 振荡器的原理 (5)2.1 振荡器的功能、分类与参数 (5)2.2 起振条件 (9)2.3 压控振荡器的数学模型 (10)3 利用ADS仿真与分析 (11)3.1 偏置电路的的设计 (12)3.2 可变电容VC特性曲线测试 (13)3.3 压控振荡器的设计 (15)3.4 压控振荡器相位噪声分析 (18)3.5 VCO振荡频率线性度分析 (23)4 结论 (24)致谢 (25)参考文献 (25)压控振荡器的设计与仿真Advanced Design System客户端软件设计电子信息工程(非师范类)专业指导教师摘要:ADS可以进行时域电路仿真,频域电路仿真以及数字信号处理仿真设计,并可对设计结果进行成品率分析与优化,大大提高了复杂电路的设计效率。
本论文运用ADS仿真软件对压控振荡器进行仿真设计,设计出满足设计目标的系统,具有良好的输出功率,相位噪声性能及震荡频谱线性度。
本论文从器件选型开始,通过ADS软件仿真完成了有源器件选型,带通滤波器选型,振荡器拓扑结构确定,可变电容VC特性曲线,瞬态仿真及谐波平衡仿真。
实现了准确可行的射频压控振荡器的计算机辅助设计。
关键字:压控振荡器,谐波平衡仿真,ADS1 引言振荡器自其诞生以来就一直在通信、电子、航海航空航天及医学等领域扮演重要的角色,具有广泛的用途。
在无线电技术发展的初期,它就在发射机中用来产生高频载波电压,在超外差接收机中用作本机振荡器,成为发射和接收设备的基本部件。
随着电子技术的迅速发展,振荡器的用途也越来越广泛,例如在无线电测量仪器中,它产生各种频段的正弦信号电压:在热加工、热处理、超声波加工和某些医疗设备中,它产生大功率的高频电能对负载加热;某些电气设备用振荡器做成的无触点开关进行控制;电子钟和电子手表中采用频率稳定度很高的振荡电路作为定时部件等。
尤其在通信系统电路中,压控振荡器(VCO)是其关键部件,特别是在锁相环电路、时钟恢复电路和频率综合器电路等更是重中之重,可以毫不夸张地说在电子通信技术领域,VCO几乎与电流源和运放具有同等重要地位。
振荡器
2) 软激励与硬激励
T 1 A 1 T B A
0
3) 幅度稳定条件:
T ( osc ) Vi V iA
Vi A V i
0
0
相位稳定条件: T ( ) 0 OSC
Vi A V i
4. 结论:
1) 正弦振荡器工作原理包括
起振条件: T ( j osc ) 1 平衡条件: T ( j osc ) 1 稳定条件: T ( osc )
q
rq 1 rq
1 Lq C q
Lq Cq
, P 1 Lq C q // C 0 S
S
当ω=ωs时,x=0为串谐,相当于短路; 当ω=ωp时, x=∞为并谐,相当于开路; 当 ω>ωp ,ω<ωs 时, x<0呈容性; 当 ωs <ω<ωp 时, x>0呈感性。
二、晶振电路
1. 并联型晶振电路:晶体JT→L(ωs <ωosc<ωp )
' 即: g L
gi:输入端对应等效电导(e对地)
gi 1 RE 1 re (当 R E re 时 ) g i 1 re
二、三点式LC振荡器
4. 结论:
1) 判断三点式振荡器是否可能振荡:在电路供电正 确前提下, 看是否满足三点式电路的构成原则。
2) 无论是什么形式的三点式振荡器——振幅的起振 条件均应满足:
c) 是否产生正弦波——看是否有正弦选频网络
§3-3、LC正弦振荡器
一、变压器耦合LC正弦振荡器
1. 单管变压器耦合电路
1) 电路
2) 工作原理
3) 结论
a) 是否可能振荡,取决于变压器正确的同名端标向 b) 是否能起振,取决于变压器是否有足够的耦合量M, c) 正反馈系数 k fV
微波电子线路总复习
g
(2)沿过A点的等反 射系数圆向负载旋 转交实轴于C点, 转过的长度即为l3
向电源
向负载
C点对应的阻抗为0.45
第32页/共40页
B
lB0.012
A..
rA0.45
第33页/共40页
非归一化值为 0.45 50 22.5 所以,四分之一波长阻抗变换器的特性阻抗为
各级波形
谐振电路
输出滤波
Nf1
负载
T1
T1
T1
TN
第13页/共40页
原理电路图
Cb
LM
LCH
Rg
Lb
CM
Vs
Rb
L CT
信 源 偏置 匹配 激励
电路 电路 电感
l1
Cc
l2
Cd RL
谐振电路
输出滤波器 负 载
脉冲发生器
Lb LCH 高频扼流圈
Cb Cc Cd 隔直流电容
Rb 自给偏压电阻 L 激励电感
扫描电路
第24页/共40页
6.负阻振荡器的噪声和频率稳定度 提高频率稳定度措施(腔体稳频、注入锁相)
第25页/共40页
第五章 微波晶体管放大器和振荡器 1.微波晶体管的S参数 2.微波放大器的增益、稳定性和噪声系数 三种功率增益、稳定性的概念及判定方法、二端口网络的 噪声系数的一般表达式、等噪声系数圆
信号输入
(3) 双平衡混频器
fs
D4
D3
fL
D1
D2
第7页/共40页
微带双平衡混频器
正面
背面
第8页/共40页
4.镜像回收和镜像抑制 镜像回收:使混频器产生的镜频功率重新利用,使其变为 中频功率,从而使在中频端口的中频信号得到加强,降低 变频损耗。 镜像抑制:抑制外来的镜频干扰,使其不能进入混频器。 镜像回收和镜像抑制在概念上是不同的,但是在改善接收 机灵敏度上是一致的。
负阻振荡器课件
VQ i VQ Vm sin t
在忽略失真的情况 下,通过管子的电流为
图3.7.3 隧道二极管特性
i IQ ii IQ Im sin t
其中,ii 是增量电流,其值为
ii
i
r
(gn )i
(gn )Vm sin t
Im sin t
3.7.1
式中,Im
如果 R1、R2 取值过大,则直流负载线(图中所示直线 Ⅱ)与伏安特性就有三个交点,就会引起静态工作点的 不稳定,例如,若原先工作在Q点,由于偶然因素使 IQ 有增大,工作点就会迅速地移到Q ,反之 IQ稍有减小,工 作点将迅速地移到Q,它们都处于伏安特性的正阻区,从 而导致振荡器停振。
该电路的起振条件是 RL rn
为电流的单值函数,属于
这一类的器件有单晶体管、
硅可控整流器和弧光放电 管等。
图3.7.1 (c) 电流 控制型器件
从两种负阻器件的伏安特性可以看出,在它们各 自的 AB段,电流、电压均呈负斜率的关系。
二、负阻器件的特性
以隧道二极管为例:
在图3.7.2所示的伏
安特性曲线中,若将静态工作
点设置在伏安特性的负斜率区,
3.7.2
图3.7.7所示是电压控制型负阻振荡器 (a)实用电路 (b)高频等效电路 (c)伏安特性
在上述电路中,R1、R2 取值应保证直流负载线与隧道二极
管伏安特性的交点(静态工作点Q )处于负阻区,如图
3.7.7(c)中的直线Ⅰ,图中
VDDO
VDD
R2 R1 R2
R R1 // R2
3.7.2
Vm r
gnVm
, g n
1 r
是隧道二极管在静态工作点
第三章 正弦波振荡器2
(3.2―12)
rbe=rbb′+(1+β)re,则起振条件gmR′LF>1可以写成
1 1 F F gm > + + + FRL FReo RB rbe
(3.2―13)
第3章 正弦波振荡器
电容三点式与电感三点式振荡器电路各有特点。 电容回授三点式振荡器电路由于输出端和反馈支路都 是电容,对于高次谐波,容抗小,所以滤除高次谐波 的能力强;高次谐波的反馈电压小,振荡器的波形质 量好。对于电容三点式电路,晶体管极间电容Cb′e、Cce 均与回路电容C2 、C1 并联,因此极间电容均可并入回 路电容中一起考虑。
L2 N 2 F≈ = L1 N1
(3.2―11)
第3章 正弦波振荡器
起振瞬间振荡器的等效电路如图3.12(c)所示。放大 器的增益A=gmR′L 。负载电阻R′L 应等于外负载电阻RL 、 回路无载谐振阻抗Reo和放大器的输入电阻Ri折合到c、 e两端的等效输入电阻R′i三者的并联。
′ RL = RL // Reo // Ri′
F2 1 1 F > + g m ri g m RL g m Reo
第3章 正弦波振荡器
在晶体管跨导和反馈系数已知的条件下,同样可 导出满足起振条件的负载电阻RL的范围。
1 RL > 1 F ) F ( gm Rre F ri
在R′iRL,ReoRL条件下,R′L≈RL,则
(3.2―9a)
1 RL > Fg m
Ⅱ(ω ) 02
(a) (b)
Ⅱ(ω02)
图3.9 多回路三点式振荡器组成
第3章 正弦波振荡器
正弦波振荡器2资料
ui
显然可以看出由于外因引起的相
位变化与频率之间的关系为 :
t
?? ? ? 0 ? ?? ? 0
??? ? ? 0 ? ?? ? 0
即可得: ? ?
??
?0
第二十页,编辑于星期二:五点 四十七分。
提出问题:要保证振荡的相位平衡点的稳定 ,必须当振荡器频率发生变化的
同时,要求振荡电路内部能够产生一个新的相位变,化而这个相位变化与外
ui
晶体管
?Y
ic1 LC ? Z
选频网络
u c1
uf
反馈网络
?F
其中 : ? ? : 为集电极基波电流
ic1与基极输入电压
u
的相角
i
? Z : 为 LC谐振回路基波谐振阻抗 的相角
第十五页,编辑于星期二:五点 四十七分。
三 振荡电路分析实例
如下图所示的电路为互感耦合正弦波振荡器
.
1 . 自 激振荡过程 :
GHz
THz
3. 1 概述
RC 振荡器
微波半导体
振荡器:在没有激励信号的情况下,能自动的L将C振直荡器流负电阻振源荡器能量转
换为周期性交流信号输出的电子电路。
晶体振荡器
1.振荡器的分类:
按振荡原理分类
反馈振荡器
按振荡频率分类 负阻振荡器
低频振荡器
高频振荡器
按振荡波形分类
正弦波振荡器 非正弦波振荡器(多谐振荡器等)
dt
频率稳定的条件.
如果设某种原因 ,相位平衡破坏 ,产生一个很小的相位增益量。
AF ? u f
即设: ? ? T ? 0
ui
反馈信号u f 超前原输入信号 ui 一个相角
第4章负阻振荡器
RB2
RE
Vo
-
CE
C2
CB
RB2 RE
C2
RB
+ Vi -
T RC
C1
L
+
RL C2
T RE
C1
+ RL Vo -
+ Vf -
Vo -
+ Vi -
+ Vf C -2
L
共射组态
电容三点式
共基组态
4.2.1 三点式振荡电路
VCC RB1 CB C L1 RB2 RE CE CB RB2 RE L1 L2 C RL RC CC RB1 RC VCC CC
U i
+
U o
-
C
+
L
●
Lf
U f
-
T (osc ) 2nπ 相位平衡条件:
(n 0,1,2, )
+ U f
4.1.1 平衡和起振条件
起振条件
振荡平衡条件描述了振荡器 U i 等幅输出时的状态,但并没有 反映振幅的大小和如何达到要 + Uf 求的振幅。 +
第4章负阻振荡器
4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7
反馈振荡器的工作原理 LC正弦波振荡器 LC振荡器的频率稳定度 晶体振荡器 RC正弦波振荡器 负阻正弦波振荡器 寄生振荡、间歇振荡和频率占据
引言
一、振荡器的定义
振荡器——就是自动地将直流能量转换为具有一定波形
大功率和高效率
4.1 反馈振荡器的工作原理
反馈放大器:
比较器: X X i X f
' i
1.8~3.3V低功耗精密CMOS振荡器DSC1003说明书
1.8~3.3VGeneral DescriptionThe DSC1003 is a silicon MEMS based CMOS oscillator offering excellent jitter and stability performance over a wide range of supply voltages and temperatures. The device operates from 1 to 150MHz with supply voltages between 1.8 to 3.3 Volts and extended temperatures from -40ºC to 105ºC. The DSC1003 has the same functionality and performance as the DSC1001 but with greater output drive (C L< 25pf).The DSC1003 incorporates an all silicon resonator that is extremely robust and nearly immune to stress related fractures, common to crystal based oscillators. Without sacrificing the performance and stability required of today’s systems, a crystal-less design allows for a higher level of reliability, making the DSC1003 ideal for rugged, industrial, and portable applications where stress, shock, and vibration can damage quartz crystal based systems.Available in industry standard packages, the DSC1003 can be “dropped-in” to the same PCB footprint as standard crystal oscillators. Block DiagramFeatures∙Frequency Range: 1 to 150MHz∙Exceptional Stability over Temperature o±10 PPM , ±25 PPM, ±50 PPM ∙Operating voltageo 1.7 to 3.6V∙Operating Temperature Rangeo Ext. Industrial -40ºC to 105ºCo Industrial -40ºC to 85ºCo Ext. Commercial -20ºC to 70ºCo Commercial 0ºC to 70ºC ∙Low Operating and Standby Currento6mA Operating (40MHz)o15uA Standby∙Ultra Miniature Footprinto 2.5 x 2.0 x 0.85 mmo 3.2 x 2.5 x 0.85 mmo 5.0 x 3.2 x 0.85 mmo7.0 x 5.0 x 0.85 mm∙Excellent Shock and VibrationResistance∙Lead Free, RoHS & Reach SVHCCompliantBenefits∙Pin for pin “d rop in” replacement for industry standard oscillators∙Semiconductor level reliability,significantly higher than quartz ∙Short mass production lead-times∙Longer Battery Life / Reduced Power∙Compact Plastic package∙Cost EffectiveApplications∙Mobile Applications∙Consumer Electronics∙Portable Electronics∙CCD Clock for VTR Cameras∙Low Profile Applications∙Industrial1.8~3.3V1Ordering CodeSpecifications (VDD = 1.8 to 3.3v) T A =850C unless otherwise specifiedNotes:1.Absolute maximum ratings are those values beyond which the safety of the device cannot be guaranteed. The device should not be operated beyond these limits.2. t SU is time to stable output frequency after V DD is applied. t SU and t EN (after EN is asserted) are identical values.3.Measured over 50k clock cycles.* See Ordering Information for detailsVDD = 1.8vVDD = 2.5vVDD = 3.3vOutput WaveformStandby FunctionTest CircuitV DD25pF*V SD V VOutputStandby#Board Layout (recommended)Solder Reflow ProfilePackage DimensionsT e m p e r a t u r e (°C )200°217°150°25°260°Ordering InformationDSC1003 PTS – xxx.xxxx TExample: DSC1003CE1–123.0000TThe example part number above is a 123.0000MHz oscillator in Plastic 3.2x2.5mm package, with ±50ppm stability over an operating temperature of -20 to +70o C, shipped in Tape and Reel.Disclaimer:Micrel makes no representations or warranties with respect to the accuracy or completeness of the information furnished in this data sheet. This information is not intended as a warranty and Micrel does not assume responsibility for its use. Micrel reserves the right to change circuitry, specifications and descriptions at any time without notice. No license, whether express, implied, arising by estoppel or otherwise, to any intellectual property rights is granted by this document. Except as provided in Micrel’s terms and conditions of sale for such products, Micrel assumes no liability whatsoever, and Micrel disclaims any express or implied warranty relating to the sale and/or use of Micrel products including liability or warranties relating to fitness for a particular purpose, merchantability, or infringement of any patent, copyright or other intellectual property right.MICREL, Inc. ● 2180 Fortune Drive, San Jose, California 95131 ● USA Phone: +1 (408) 944-0800 ● Fax: +1 (408) 474-1000 ● Email:******************● 。
在振荡频率点
c b
e
X1
X2
故称为三点式振荡器
X3
三点式振荡器要实现振荡,必须满足相位平衡条件与振幅平衡条件.为此 电路组成结构必须遵循两个原则.
c b
高
频 电
原则一
子
与线 路晶体管
发射极相
联结的电
抗X1、
X2性质必
须相同。
即
be、ce间
电抗性质
e
X1
X2
X3
遵循以上两个原则才能 满足: 相位条件
线 同相,电路满足振荡的相位平衡条件。
路
对 f0 以外的其它频率,L1C 回路处于失谐状态,不 再呈纯电阻性,因而U0 与 Ui 不再是反相关系,自然Uf 与 Ui 也不再是同相关系,也就是说对 f0 以外的电信号,电 路不能满足振荡的相位平衡条件。这样,就保证了振荡电
路只能够输出频率为 f0 的单一频率的正弦波。
高
接成的负反馈,在低频或高频时转化成正反馈,当满足一定
频
条件时就产生了自激振荡。
电
子
线
路
(a) 负反馈放大电路
(b) 正反馈振荡电路
● 输入信号 X i
比较(a)和(b)两图,很容易看出负反馈放大电
● 净输入信号
X
' i
● 输出信号 X o
● 反馈信号 X f
路与正反馈振荡电路的区别。
负反馈时放大器的闭环增益
高
A fu
U 0 U S
U
i
U 0 U
f
1
U 0 U
U
f
f
U
i
1
Au T
频 电 子
当 T <1 时为负反馈放大器
第3章 正弦波振荡器
)
AF = 1 = n = 0,1,2, L ϕ A + ϕ F = 2 nπ
分别称为振幅平衡条件和相位平衡条件。
1. 振幅平衡条件
Uo
U0 U f U f AF = . = =1 Ui U0 Ui U f = Ui
Uf
0
Uo
θ>90° θ<90°
放大特性
A B
Ui
① ②
F 0 Uo
0
C Ui=Uf
ω02 < ω g < ω01
图3.9 多回路三点式振荡器组成
ωg < M min (ω01 , ω02 )
实际上电抗元件总有电阻损耗;管子各极间存在极间 阻抗,这些都影响振荡器的工作状态。工程中,振荡器工 作频率ωg近似等于回路谐振角频率ω0。
例3.1 在右图所示振 荡器交流等效电路中, 三 个LC并联回路的谐振频 率分别是f01, f02, f03, 试问 f01、 f02、f03满足什么 条件时该振荡器能正常工 作? 解: 只要满足三点式组成 法则, 该振荡器就能正常 工作。
(6)利用自偏置保证振荡器能自行起振,并使放大器由甲 类工作状态转换成丙类工作状态。 根据振荡条件,振荡器应包括放大器、选频网络、反馈 网络。 放大器采用有源器件,如晶体三极管、场效应管、差分 放大器、运算放大器等。 选频网络可用LC并联谐振回路、RC选频网络、晶体滤波 LC RC 器等。 反馈网络可以是RC移相网络、电容分压网络、电感分压 网络、变压器耦合反馈网络或电阻分压网络等。
V X1 C2 X3 L (a) X2 C1 L2 X1 X3
V L1 X2 C (b)
反馈网络是由电容元件完成的, 称为电容反馈振荡器, 也称 为考必兹(Colpitts)振荡器。图(b)称为电感反馈振荡器,也 称哈特莱(Hartley)振荡器。
第三章正弦波振荡器ppt课件
相位平衡的稳定条件为:
Байду номын сангаас
T (osc )
T ()
0SC
0
' osc
osc
()arctanQ0 2 0
——当相位平衡条件遭到破坏时,线路本身 重新建立起相位平衡点的条件。
在整堂课的教学中,刘教师总是让学 生带着 问题来 学习, 而问题 的设置 具有一 定的梯 度,由 浅入深 ,所提 出的问 题也很 明确
A
1
V iA
Vi
图3-1-2 满足起振和平衡条件时的环路增益
在整堂课的教学中,刘教师总是让学 生带着 问题来 学习, 而问题 的设置 具有一 定的梯 度,由 浅入深 ,所提 出的问 题也很 明确
3.1.2 稳定条件
平衡状态有稳定平衡和不稳定平衡,振荡器工作 时要处于稳定平衡状态。
如果振荡器在各种不稳定因素作用下,能在原平 衡点附近达到新的平衡,而一旦排除了不稳定因素 ,振荡器又能自动回到原平衡状态,则称这种平衡 状态是稳定的。
在整堂课的教学中,刘教师总是让学 生带着 问题来 学习, 而问题 的设置 具有一 定的梯 度,由 浅入深 ,所提 出的问 题也很 明确
互感耦合振荡器
根据振荡回路(相移网络)与三极管不同电极的连 接点分为集电极调谐型、发射极调谐型和基极调谐型。
+(+) - -
三种互感耦合振荡器
在整堂课的教学中,刘教师总是让学 生带着 问题来 学习, 而问题 的设置 具有一 定的梯 度,由 浅入深 ,所提 出的问 题也很 明确
X3异性
在整堂课的教学中,刘教师总是让学 生带着 问题来 学习, 而问题 的设置 具有一 定的梯 度,由 浅入深 ,所提 出的问 题也很 明确
振荡器与信号源ppt
正弦波振荡电路得组成
(1)控制能量转换得有源器件(如晶体管、 场效应管、集成放大器等):常以基本放大电 路代替,其作用就是保证电路从起振到有一定 幅值得输出电压。
(2)选频网络:由RC、LC、石英晶体等电路 组成。它决定了振荡频率f0
(3)正反馈网络:由变压器、R、L、C及其组 合电路组成,保证Ui=Uf。在起振过程中使Uo 从很小逐渐增大到稳定得幅值。
振荡器得频率稳定度则就是指在一定时间间隔内,由于各种 因素变化,引起得振荡频率相对于标称频率变化得程度。
绝对准确度 相对准确度
f f f0
f f f0
f0
f0
1、短期频率稳定度主要与温度变化、电源电压变 化与电路参数不稳定性等因素有关。 2、长期频率稳定度主要取决于有源器件与电路元 件及石英晶体得老化特性,与频率得瞬间变化无关。 3、瞬间频率稳定度主要就是由于频率源内部噪声 而引起得频率起伏,它与外界条件与长期频率稳定 度无关。
电子钟: 1、5V电池→振荡电路→微型电机→表针
(使用得就是1、5V直流电池提供电能,由振荡电 路产生精确得方波频率信号,驱动步进电机,电机 再带动表针转动)
无线电技术中,超外差接收机中(如收音 机)振荡电路可以接收无线电信号;
在自动控制中,振荡电路用来完成监控、 报警、无触点开关控制以及定时控制;
晶体振荡器则可以比较容易地实现10-4~10-6。 对晶体施加恒温控制,还可提高到10-7~10-8数量级。 目前晶体振荡器频率稳定度得极限就是10-12~10-13。
▪ 利用基音振动实现对频率控制得晶体称为基音晶体,其余 称为泛音晶体。采用AT切割石英片得基频频率一般都限制 在20MHz以下。因为此时石英片得厚度仅有0、041mm,频 率再高,石英片得厚度太薄,不足以提供必要得强度。
大学_《高频电子电路》(王卫东版)课后答案下载
《高频电子电路》(王卫东版)课后答案下载《高频电子电路》(王卫东版)内容简介绪论0.1通信系统的组成0.2发射机和接收机的组成0.3本书的研究对象和任务第1章高频小信号谐振放大器1.1LC选频网络1.1.1选频网络的基本特性1.1.2LC选频回路1.1.3LC阻抗变换网络__1.1.4双耦合谐振回路及其选频特性1.2高频小信号调谐放大器1.2.1晶体管的高频小信号等效模型1.2.2高频小信号调谐放大器1.2.3多级单调谐放大器__1.2.4双调谐回路谐振放大器__1.2.5参差调谐放大器1.2.6谐振放大器的稳定性1.3集中选频放大器1.3.1集中选频滤波器1.3.2集成宽带放大器1.3.3集成选频放大器的应用1.4电噪声1.4.1电阻热噪声1.4.2晶体三极管噪声1.4.3场效应管噪声1.4.4噪声系数__小结习题1第2章高频功率放大器2.1概述2.2高频功率放大器的工作原理 2.2.1工作原理分析2.2.2功率和效率分析2.2.3D类和E类功率放大器简介 2.2.4丙类倍频器2.3高频功率放大器的动态分析----------DL2.FBD2.3.1高频功率放大器的动态特性 2.3.2高频功率放大器的负载特性2.3.3高频功率放大器的调制特性2.3.4高频功率放大器的放大特性2.3.5高频功率放大器的调谐特性2.3.6高频功放的高频效应2.4高频功率放大器的实用电路2.4.1直流馈电电路2.4.2滤波匹配网络2.4.3高频谐振功率放大器设计举例2.5集成高频功率放大电路简介2.6宽带高频功率放大器与功率合成电路2.6.1宽带高频功率放大器2.6.2功率合成电路__小结习题2第3章正弦波振荡器3.1概述3.2反馈型自激振荡器的工作原理 3.2.1产生振荡的基本原理3.2.2反馈振荡器的振荡条件3.2.3反馈振荡电路的判断3.3LC正弦波振荡电路3.3.1互感耦合LC振荡电路3.3.2三点式LC振荡电路3.4振荡器的频率稳定度3.4.1频率稳定度的定义3.4.2振荡器的稳频原理3.4.3振荡器的稳频措施3.5晶体振荡器3.5.1石英晶体谐振器概述3.5.2晶体振荡器电路3.6集成电路振荡器3.6.1差分对管振荡电路3.6.2单片集成振荡电路E16483.6.3运放振荡器3.6.4集成宽带高频正弦波振荡电路3.7压控振荡器3.7.1变容二极管3.7.2变容二极管压控振荡器3.7.3晶体压控振荡器__3.8RC振荡器3.8.1RC移相振荡器3.8.2文氏电桥振荡器__3.9负阻振荡器3.9.1负阻器件的基本特性----------DL3.FBD3.9.2负阻振荡电路 3.10振荡器中的几种现象3.10.1间歇振荡3.10.2频率拖曳现象3.10.3振荡器的频率占据现象3.10.4寄生振荡__小结习题3第4章频率变换电路基础4.1概述4.2非线性元器件的特性描述4.2.1非线性元器件的基本特性4.2.2非线性电路的工程分析方法4.3模拟相乘器及基本单元电路4.3.1模拟相乘器的基本概念4.3.2模拟相乘器的基本单元电路4.4单片集成模拟乘法器及其典型应用 4.4.1MC1496/MC1596及其应用4.4.2BG314(MC1495/MC1595)及其应用 4.4.3第二代、第三代集成模拟乘法器 __小结习题4第5章振幅调制、解调及混频5.1概述5.2振幅调制原理及特性5.2.1标准振幅调制信号分析5.2.2双边带调幅信号5.2.3单边带信号5.2.4AM残留边带调幅5.3振幅调制电路5.3.1低电平调幅电路5.3.2高电平调幅电路5.4调幅信号的解调5.4.1调幅波解调的方法5.4.2二极管大信号包络检波器5.4.3同步检波----------DL4.FBD5.5混频器原理及电路 5.5.1混频器原理5.5.2混频器主要性能指标5.5.3实用混频电路5.5.4混频器的干扰5.6AM发射机与接收机5.6.1AM发射机5.6.2AM接收机5.6.3TA7641BP单片AM收音机集成电路 __小结习题5第6章角度调制与解调6.1概述6.2调角信号的分析6.2.1瞬时频率和瞬时相位6.2.2调角信号的分析与特点6.2.3调角信号的频谱与带宽6.3调频电路6.3.1实现调频、调相的方法6.3.2压控振荡器直接调频电路6.3.3变容二极管直接调频电路6.3.4晶体振荡器直接调频电路6.3.5间接调频电路6.4调频波的解调原理及电路6.4.1鉴频方法及其实现模型6.4.2振幅鉴频器6.4.3相位鉴频器6.4.4比例鉴频器6.4.5移相乘积鉴频器6.4.6脉冲计数式鉴频器6.5调频制的`抗干扰性及特殊电路6.5.1调频制中的干扰及噪声6.5.2调频信号解调的门限效应6.5.3预加重电路与去加重电路6.5.4静噪声电路6.6FM发射机与接收机6.6.1调频发射机的组成6.6.2集成调频发射机6.6.3调频接收机的组成6.6.4集成调频接收机__小结习题6----------DL5.FBD第7章反馈控制电路 7.1概述7.2反馈控制电路的基本原理与分析方法 7.2.1基本工作原理7.2.2数学模型7.2.3基本特性分析7.3自动增益控制电路7.3.1AGC电路的工作原理7.3.2可控增益放大器7.3.3实用AGC电路7.4自动频率控制电路7.4.1AFC电路的组成和基本特性7.4.2AFC电路的应用举例7.5锁相环路7.5.1锁相环路的基本工作原理7.5.2锁相环路的基本应用7.6单片集成锁相环电路简介与应用 7.6.1NE5627.6.2NE562的应用实例__小结习题7第8章数字调制与解调8.1概述8.2二进制振幅键控8.2.12ASK调制原理8.2.22ASK信号的解调原理8.3二进制频率键控8.3.12FSK调制原理8.3.22FSK解调原理8.4二进制相移键控8.4.12PSK调制原理8.4.22PSK解调原理8.5二进制差分相移键控8.5.12DPSK调制原理8.5.22DPSK解调原理__小结习题8第9章软件无线电基础9.1概述9.2软件无线电的关键技术 9.3软件无线电的体系结构 9.4软件无线电的应用__小结习题9附录A余弦脉冲分解系数表部分习题答案参考文献《高频电子电路》(王卫东版)图书目录本书为普通高等教育“十二五”、“十一五”国家级规划教材。
FWZ-Ⅰ型微量振荡器使用说明书
FWZ-Ⅰ型微量振荡器使用说明书广州市丰华生物工程有限公司公司地址:广州经济技术开发区银谊街6号(510730)业务电话:020-******** 020-92099258转208 服务电话:************转225,223传真:************网址:电子邮箱:*******************目录一、产品名称.......................................... 1二、型号...............................................1三、执行标准...........................................1四、主要结构、性能.....................................1五、产品用途...........................................1六、产品特点...........................................2七、安装及使用说明.....................................2八、注意事项...........................................3九、产品的保管及免费修理期限...........................4FWZ-I型微量振荡器使用说明书一、产品名称微量振荡器二、型号FWZ-Ⅰ型三、执行标准Q/(YY)GZFH09-2002四、主要结构、性能电源电压:AC 220V±10%电源频率:50Hz±2%输入功率:50W±10%实验环境温度:20℃~25℃振荡转速:连续可调节 300rpm~1500rpm振荡噪音:≤50dB外形尺寸:290mm╳320mm╳200mm重量:8kg工作制:连续运行安全分类:1类熔断器:TΦ5X20 2A五、产品用途主要满足96微孔板为载体的免疫反应实验,主要用于免疫反应孵育时微量振荡。
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i 中基波电流振幅与外加正弦电压振幅的比值。
可见,当静态工作点一定时,随着输入电压的增大, 电流正、负半周的顶部出现凹陷,并且不断加深, 因此,基波电流分量的增长逐步趋缓,结果使 gn ( av ) 减小,如图3.7.4(b)所示。
3.7.1
3.7.2
负阻振荡器
负阻(Negative-Resistance)振荡器是采用负 阻器件与 LC谐振回路共同构成的一种正弦波振荡器, 主要工作在 100 MHZ以上的超高频段。 一、负阻振荡原理 1. 组成条件:
发射极组态的某种点接触三
极管和真空四极管等。
图3.7.1 (b)电压 控制型器件
3.7.1
2、电流控制型器件 (图3.7.1 (c)),也称 为S型负阻器件,其电压 为电流的单值函数,属于
这一类的器件有单晶体管、
硅可控整流器和弧光放电 管等。
图3.7.1 (c) 电流控制型器件
从两种负阻器件的伏安特性可以看出,在它们各 自的 AB段,电流、电压均呈负斜率的关系。
3.7※
负阻振荡器
负阻振荡器:利用负阻器件抵消回路中的正阻损耗, 产生自激振荡的振荡器。由于负阻器件与回路仅有两端 连接,故负阻振荡器又称为“二端振荡器”。
3.7.1
负阻器件的基本特性
一、负阻的概念 常见的电阻,不论线性电阻还是非线性电阻,都属 于正电阻。其特征是流过电阻电流越大,其电阻两端的 电压降也越大,消耗功率也越大,如图3.7.1(a)所示。 三者的关系为
二、负阻器件的特性 以隧道二极管为例: 在图3.7.2所示的伏安特 性曲线中,若将静态工作点设 置在伏安特性的负斜率区,则 直流电阻 R
V V V 2 1 I I 2 I1 可见,尽管器件的微变电阻是负值,但其直流电阻 仍是正值,这说明负阻器件起着从直流电源中获取能量 并将其转换成交变能量的作用。显然,负阻器件是指它 的微变(增量)电阻为负值的器件。
R2 取值过大,则直流负载线(图中所示直线 如果 R1、 Ⅱ)与伏安特性就有三个交点,就会引起静态工作点的 不稳定,例如,若原先工作在Q 点,由于偶然因素使 IQ 有增大,工作点就会迅速地移到Q ,反之 IQ 稍有减小,工 作点将迅速地移到Q,它们都处于伏安特性的正阻区,从
而导致振荡器停振。
1 josc L 0
geo
1 ge 2C
或
geo gn( av )
振荡角频率 osc o 振幅稳定条件为
1 LC
0
g n ( av )
Vm 相位稳定条件则依靠并联谐振回路具有负斜率变化 的相频特性予以保证。
3.7.2
3、电流控制型负阻振荡器: 单结晶体二极管的伏安
特性如图3.7.6(a)所示。负
•(1)负阻器件和 LC选频网络组成 ;
•(2)建立合适静态工作点; •(3) 负阻器件与 LC回路正确连接;
3.7.2
2、电压控制型负阻振荡器 负阻器件与 LC回路并联连接,如图3.7.5所示,图中
geo ( 1 ) gn( av ) 为负阻器 Reo 为谐振回路的固有谐振电导,
件的平均增量负电导。该电路的齐次微分方程为: d 1 C dt g e 0 dt L 式中 ge geo gn(av) 当
ii
i
r
( g n )i ( g n )Vm sin t I m sin t
3.7.1
Im 式中,
Vm 1 g nVm , g n 是隧道二极管在静态工作点 r r
上的微变(增量)电导,其值为负( gn为正值)。因此,
加到器件上的平均功率为
1 T 1 T P i dt (VQ Vm sin t ) ( I Q I m sin t )dt T 0 T 0
gn 为定值。 由图3.7.3知,当器件在小信号工作时,
当器件在大信号工作时,通过器件的电流波形是非
正弦的,如图3.7.4(a)所示。
在这种情况下, 为了表示器件的负 阻特性,引入参数 (
g )n ( av )
图3.7.4 隧道二极管工作在大信号时的特性 (a) 电流波形 (b) 平均电导特性
称为平均负增量电导。 gn ( av ) 的定义:
平衡条件为:reo rn ( av ) josc L
1 joscC
LC
0
1 r r osc o 或 eo n ( av ) (振荡角频率)
振幅稳定条件为: rn ( av ) 0 I m 相位稳定条件则依靠串联谐振回路具有负斜率变 化的相频特性予以满足。
3.7.2
3.7.1
正功率表示能量的消耗,负功率表示能量的产
生,即负阻器件在一定条件下,不但不消耗交流能
量,反而向外部电路提供交流能量,当然该交流能
量并不存在于负阻器件内部,而是利用其能量变换
特性,从保证电路工作的直流能量中取得。所以负 阻振荡器同样是一个能量变换器。
负阻器件有两种类型: 1、电压控制型器件 (图3.7.1(b)),也称为 N型负阻器件,其电流为电 压的单值函数,具有这种特 性的器件有隧道二极管、共
ge 1 时,对上式求解得: 图3.7.5 负阻振荡原理图 2oC
A 和 为由起始条件决定的常数。
t ) (t ) Aet cos(o
其中,o
2 o
2
o
1 LC
可以证明该电路的振幅起振条件为:gn
平衡条件为 geo gn ( av ) joscC
二、负阻振荡器电路 为保证振荡器的正常工作,电流型负阻器件应与 串联谐振回路相连接;电压型负阻器件则应与并联谐 振回路相连接。 图3.7.7(a)所示是电压控制型负阻振荡器的实用电路。 R2 组成隧道二极管的直流供电电路,提供 VDD 、 图中, R1 、 C1是高频旁路电容,用来避免直流 合适的静态工作点 Q ; 供电电路对回路Qe的影响,L和C是谐振回路的电感和电 rn 和 容,RL为负载电阻。图3.7.7(b)是高频等效电路, Cn为隧道二极管的等效负电阻和电容, RL // Reo为等效 RL 负载,Reo为回路的固有谐振电阻;
2 Vm I m Vm gn VQ I Q 给器件的平均功率; 式中,
2 Vm gn 表示器件给出的交流功率 。 2
3.7.1
I m IQ ,则 P 0 由于Vm VQ ,
因此,负阻器件本身总是消耗功率的,它所以能够 通过负电导给出交流功率,是由于它具有将直流功率的 一部分转换为交流功率的作用。
阻器件串接在谐振回路中,以 保证加到负阻器件的电流控制 量是正弦的,如图3.7.6(b) 所示,。此时,器件的负阻特
性应由平均负电阻 rn( av) 表示。
图3.7.6 电流控制型负阻振荡原理图 (a) 伏安特性 (b) 负阻振荡器原理电路
3.7.2
采用同样的分析方法可以得到它的起振条件:
rn reo
3.7.2
图3.7.7所示是电压控制型负阻振荡器 (a)实用电路 (b)高频等效电路 (c)伏安特性
R2 取值应保证直流负载线与隧道二极 R1、 在上述电路中, 管伏安特性的交点(静态工作点Q )处于负阻区,如图 3.7.7(c)中的直线Ⅰ,图中 R2 VDDO VDD R R1 // R2 R1 R2 3.7.2
Vo R Io
图3.7.2
隧道二极管特性
微变(增量)电阻: r
3.7.1
当在 Q 点加上 微弱的正弦电压 (如图3.7.3所示)
i Vm sin t
时,则
VQ i VQ Vm sin t
在忽略失真的情况下, 通过管子的电流为
图3.7.3 隧道二极管特性
i IQ ii IQ I m sin t ii 是增量电流,其值为 其中,
rn 该电路的起振条件是 RL
rn ( av ) 平衡条件 RL
振荡频率近似为 fosc
1 L(C Cn )
3.7.2
P I V 这里
V I R
3.7.1
图3.7.1 电阻器件的伏安特性 (a)正电阻器件 (b)电压控制型负阻器件 (c) 电流控制型负阻器件
负电阻是流过其间的电流越大,电阻两端电压越小, 故电流、电压增量的方向相反,两者的乘积为负值,如图 3.7.1(b)、(c)所示:
V I R