TP金属黄光制程简
TP金属黄光制程简
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TP金属黄光制程简介
二次压膜
Chemax
干膜要求： 附着力要好；
压膜条件： 温度：110+5 压力：3.5kg/cm210TP金属黄光制程简介
二次曝光
Chemax
曝光注意事项： 注意避免吸真空不良 曝光能量把握适度 注意对位准确，勿对偏 关注材料及底片是否涨缩 无线路可用散射光曝光机
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TP金属黄光制程简介
1
TP金属黄光制程简介
Chemax
一次曝光
TP金属黄光流程
材料 一次压干膜
一次显影
一次蚀刻金属
一次蚀刻ITO
一次去膜
二次压干膜
二次曝光
二次显影
二次蚀刻金属
二次去膜
红线框内部分流程也可用印刷制程取代
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TP金属黄光制程简介
材 料
Chemax
材
料：PET+ITO+金属
PET规格：厚度50~150um 金属类别： --Cu --Cu+NiCu -- Cu+NiCuTi --其他（NiCuNi、APC、Ag合金等） ITO类别： --非结晶ITO（方阻150~400Ω） --结晶ITO（方阻80~160Ω）
二次显影
Chemax
显影注意事项： 控制显影点40~60% 控制好显影液浓度及PH
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TP金属黄光制程简介
二次蚀刻金属
Chemax
蚀刻金属注意事项： 控制好蚀刻药水浓度 关注视窗金属残留问题 关注ITO方阻变化
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TP金属黄光制程简介
二次脱膜
Chemax
脱膜注意事项： 注意干膜反粘 控制好药液浓度 关注ITO方阻变化，不可攻击ITO
黄光工艺流程
黄光工艺流程黄光工艺流程是指在半导体制造过程中，使用光照将光刻胶曝光到硅片或其他材料表面，然后通过化学处理和蚀刻来形成图形的一种工艺流程。
下面将详细介绍黄光工艺流程的步骤。
第一步是准备硅片。
将硅片清洗干净，并使用酸洗去除硅片表面的污染物。
然后，在硅片上涂覆一层光刻胶，通常是聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）。
第二步是光刻胶的曝光。
将硅片放入光刻机中，然后使用遮罩或掩膜来控制光照的位置和形状。
光刻机会使用紫外线或其他光源照射光刻胶，使其在受到光的作用下发生化学反应。
在曝光后，光刻胶的部分区域会发生化学变化，变得溶解性或不溶解性。
第三步是光刻胶的显影。
将曝光后的硅片放入显影剂中，显影剂会溶解或去除未曝光的光刻胶，而曝光后的光刻胶会保留下来。
根据需要，可以使用不同的显影剂，如碱性显影剂或酸性显影剂。
第四步是光刻胶的固化。
为了保护曝光后的光刻胶不受到污染或损害，可以使用紫外线照射或热处理来固化光刻胶。
固化后的光刻胶会变得更加耐久和稳定。
第五步是蚀刻。
将固化后的光刻胶保护住的部分区域暴露在蚀刻剂中，蚀刻剂会溶解或去除这些区域下的材料。
根据需要，可以使用不同的蚀刻剂，如湿法蚀刻剂或干法蚀刻剂。
蚀刻剂的选择取决于要制作的图形和所使用的材料。
第六步是去除光刻胶。
在完成蚀刻后，需要将剩余的光刻胶从硅片上去除。
这可以通过使用溶剂或清洗剂来实现，将硅片浸泡在其中，以溶解光刻胶并清洗硅片表面。
通过以上步骤，黄光工艺流程可以在硅片或其他材料上形成期望的图形。
这些图形可以用于制造微芯片、光学元件、显微镜、传感器等。
黄光工艺流程的精度和重复性较高，成本较低，因此在电子、光电子学和半导体工业中得到广泛应用。
总之，黄光工艺流程是一种通过曝光、显影、固化和蚀刻等步骤来制造精密图形的工艺流程。
这种工艺流程在半导体制造和其他领域具有重要的应用价值，可以实现微米级甚至纳米级的结构制造。
黄光设备工作流程简介
黄光工艺触摸屏
黄光工艺触摸屏是一种可接收触头等输入讯号的感应式液晶显示装置，当接触了屏幕上的图形按钮时，屏幕上的触觉反馈系统可根据预先编程的程式驱动各种连结装置，可用以取代机械式的按钮面板，并借由液晶显示画面制造出生动的影音效果。
原理特征
利用压力感应进行控制触摸屏。
触摸屏作为一种最新的电脑输入设备，它是目前最简单、方便、自然的一种人机交互方式。
它赋予了多媒体以崭新的面貌，是极富吸引力的全新多媒体交互设备。
黄光工艺
微影技术说起，即可略知一二。
微影技术是将光罩上的主要图案先转移至感光材料上，利用光线透过光罩照射在感光材料上，再以溶剂浸泡将感光材料受光照射到的部份加以溶解或保留，如此所形成的光阻图案会和光罩完全相同或呈互补。
由于微影制程的环境是采用黄光照明而非一般摄影暗房的红光，所以这一部份的制程常被简称为“黄光”。
微影制程很好地实现了黄光工艺触摸屏视觉上的精准度。
应用
主要应用于公共信息的查询、领导办公、工业控制、军事指挥、电子游戏、点歌点菜、多媒体教学、房地产预售等。
iphone5感应线路就是采用黄光工艺的触摸电容屏，此种电容屏有助于手机在超窄边框上面布线，使手机工艺如钟表般精细，更薄，身材更漂亮，更有利于超窄边款手机的散热，更是贴合技术的绝配。
触摸屏黄光制程介绍
触摸屏黄光制程介绍触摸屏黄光制程介绍高精度网印制版及印刷技术是触摸屏制程中的核心技术，随着触摸屏市场的迅猛发展，对触摸屏生产成本和技术的要求也越来越高，谁的成本低、技术精，谁就能抢先占领市场，这同时也给触摸屏厂家就选择什么制程更能符合公司长远发展提出了疑问，那么触摸屏厂家到底是选择黄光制程还是印刷制程呢？11. 51Touch：利满洋行主要从事滚筒印刷制程，是这方面的专家，请您就目前黄光制程和滚筒印刷制程的区别做一个详细的介绍吧。
利满洋行：黄光制程和滚筒印刷制程就印刷制程而言，在成本和工艺上还是有很大区别的，我这里有一个比较详细的描述与大家分享一下：一、TP厂 : 黄光制程 vs 印刷制程黄光制程 vs 印刷制程二、黄光制程与滚筒网印的投资评估比较.1.) 黄光制程设备投资成本昂贵.- 黄光制程投资额由RMB 20M-70M不等，如卷对卷制式更不止此数，- 上下游工序、材料均须另作配合，- 樱井滚筒机的投资额相对是小巫见大巫了。
2.) 黄光制程设备占地面积较大, 影响生产厂使用的灵活性.任何工厂需要生产安排的灵活性，纵使黄光制程有其优点，而优点往往从接“大单“中才能反映出来，因其制程必须使用一定的蚀刻用化学剂，TP工厂接单的“单头量”直接影响每件成本，而现今电子产品讲求多花样，推陈出新是生存之道，所以TP厂的灵活性不是任何先进生产方式可以代替的。
樱井滚筒机设备摆放也不需要特定的楼层/位置, 而生产时只需要换网板就能马上生产不同尺寸的型号机种了。
3.) 制程设备投资与长远使用性风险评估.黄光制程是30多年前由MEMS 开始在半导体业界采用，20多年前TFT LCD厂家也开始使用，后来应用面扩展到PV 和TP，相对于PV 和TFT , TP结构比较有多变的空间，尤其各品牌都追求薄和轻，这趋势都直接引伸出不同的工艺模式，高昂的黄光制程投资额使投资风险一直成为决策的最大障碍。
在国内TFT 用黄光也不到10年，TP就更不用说了，但网印在国内累积了大量经验和人材，而TP厂的网印技术与人才皆是公司的重要资产，企业投资在现成和累积的资产上，使它延伸及增值，对长线企业发展最为有利。
黄光制程工艺流程
黄光制程工艺流程黄光制程工艺是一种在半导体加工中常用的工艺流程，它主要用于芯片制造中的光刻步骤。
光刻是一种将芯片设计的图案转移到硅片表面的关键工序。
在黄光制程中，光刻胶和光罩的使用对于芯片的质量和性能起着至关重要的作用。
下面是关于详细的描述，以帮助读者更好地理解这个过程。
第一步：准备光罩首先，我们需要准备好用于光刻的光罩。
光罩是一种具有所需图案的透明薄片，其材料通常是玻璃或石英。
光罩上的图案由芯片设计师根据芯片功能需求制作。
光罩的制作通常使用电子束曝光或激光曝光等方法。
第二步：准备硅片准备好待加工的硅片。
这些硅片通常经过前期的清洗和抛光等处理。
在准备硅片时，必须确保其表面平整且干净，以便后续的光刻步骤可以获得最佳效果。
第三步：涂覆光刻胶将硅片放置在旋涂机上，然后将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面。
光刻胶可以保护硅片表面不受氧化和污染物的侵蚀，并提供一个平坦的表面用于将图案转移到硅片上。
涂覆光刻胶后，通常使用烘烤等方法进行固化，以确保光刻胶的性能和稳定性。
第四步：对齐和曝光将准备好的光罩放置在光刻机上，并将其与涂覆了光刻胶的硅片对准。
通过微调光罩和硅片的位置，确保图案的精确对齐。
然后，使用紫外线或深紫外线等光源对光罩进行照射，以将图案转移到光刻胶上。
照射时间和强度的控制非常重要，可影响芯片的精度和分辨率。
第五步：显影曝光后，将硅片放入显影机中进行显影。
显影是使用显影液将未曝光的光刻胶部分溶解掉，从而暴露出硅片上的图案。
显影液的选择和浸泡时间需要根据光刻胶和芯片制造的要求进行优化。
第六步：清洗将经过显影的硅片进行清洗，去除残余的光刻胶和显影液。
清洗过程通常使用化学溶剂和超声波技术，以确保芯片表面的干净和平整。
第七步：检验和测量对清洗过的芯片进行检验和测量。
这可以包括检查图案的完整性和准确性，以及芯片上不同部分的厚度、尺寸和形状等参数的测量。
第八步：后续处理根据芯片的具体用途，可能需要进行一些附加的工艺步骤，如沉积金属层、刻蚀等等。
TP制程详细介绍 ppt课件
耐酸渗透、耐酸粘连 100%
PPT课件
耐酸渗透、耐酸粘连 100%
覆膜异物，气泡
100%
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制程设备简介
制程名称
普通印刷Process
耐酸固化
镭射Process
耐酸固化
黄光+感光银Process
曝光
设备照片
制程作用
通过UV光照射使耐酸层固 通过UV光照射使耐酸层固 化，稳定耐酸层化学特性 化，稳定耐酸层化学特性
注意事项
蚀刻纹、蚀刻脏污
蚀刻纹、蚀刻脏污
蚀刻纹、蚀刻脏污
Direct Yield
99.5%
PPT课件
99.5%
99.5%
8
制程设备简介
制程名称
普通印刷Process
银浆印刷
镭射Process
银浆印刷
黄光+感光银Process
感光银印刷
设备照片
制程作用
在ITO层印刷银浆线路形成导 电回路
线路一次成型，无需其他制程 辅助（线宽线距约80/80um)
PPT课件
1
前段 Process Follow
普通印刷(G510) ITO开料
OVER缩水 耐酸印刷 耐酸固化 ITO蚀刻 银浆印刷 银浆烘烤
上下OCA贴合 PET开槽
上下线贴合 外形冲切 功能/外观检验
PPT课件
镭射(U9900) ITO开料
OVER缩水 耐酸印刷 耐酸固化 ITO蚀刻 银浆印刷 银浆烘烤 银浆镭射雕刻 上下OCA贴合 PET开槽 上下线贴合 外形冲切
设备照片
制程作用
通过强酸将耐酸覆盖之外 的ITO蚀刻，再通过碱将
耐酸胶剥离，在材料表面 形成完整的ITO pattern
黄光制程简介2
6500
6000
5500 2000 2500 3000 3500 4000
Spin Speed (rpm)
Coating Uniformity Parameter
• Resist Temperature
– Domed profile (high in center) ---> lower resist temp. – Dished profile (low in center) ---> raise resist temp
Thickness (Angstron)
7360 7350 7340 7330 7320 7310 7300 7290 7280 7270 7260 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
22.6 oC 22.0 oC 21.8 oC 21.4 oC
Wafer Position
Contributors to Resist Thickness and Uniformity
2. Illumination intensity of KrF exposure tool is too low. →Much faster resist is require.⇒Chemically Amplified Resist
Substrate Pretreatment
1. Dehydrating Bake
Spin Speed
Thickness Uniformity
Resist volume Dispense rate
Dispense
Timing
Exhaust
Softbake
• Purpose • Consideration – Remove solvent – Optimize soft bake temperature – Control resist • sufficient high to release stress sensitivity and • not too high to desensitize resist linewidth – Consistency and uniformity of temperature – Stress release • to control resist sensitivity and linewidth
触摸屏TP技术讲解
3.3 FPC
1.FPC 一般指柔性线路板，是以聚酰亚胺或聚酯薄膜为基材制成的一种具有高 度可靠性，绝佳的可挠性印刷电路板 ，具有配线密度高、重量轻、厚度薄的特点！。 产品结构（见右图）： a、铜箔基板：基本分成电解铜与压延铜两种. 厚度上常见的为1oz 1/2oz 和 1/3 oz！ b、基板胶片：常见的厚度有1mil与1/2mil两种 c、覆盖膜保护胶片：表面绝缘用. 常见的厚度有1mil与1/2mil. 注：同类型的压延铜弯折性都强过电解铜。 生产工艺： 表面处理：沉金，此金并非纯金，而是镍金， 沉金后的产品在抗氧化性能上有显著的提升！
2.2、电容式触摸屏： 与电阻式触摸屏不同，电容式触摸屏是利
用人体的电流感应进行工作的。
电容式触摸屏的感应屏是一块四层复合玻 璃屏，玻璃屏的内表面和夹层各涂有一层 导电层，最外层是一薄层矽土玻璃保护层。 当我们用手指触摸在感应屏上的时候，人 体的电场让手指和和触摸屏表面形成一个 耦合电容，对于高频电流来说，电容是直 接导体，于是手指从接触点吸走一个很小 的电流。这个电流分从触摸屏的四角上的 电极中流出，并且流经这四个电极的电流 与手指到四角的距离成正比，控制器通过 对这四个电流比例的精确计算，得出触摸 点的位置。
2.4、表面声波触摸屏
红外线触摸屏原理很简单，只是 在显示器上加上光点距架框，无需 在屏幕表面加上涂层或接驳控制器。 光点距架框的四边排列了红外线发 射管及接收管，在屏幕表面形成一 个红外线网。用户以手指触摸屏幕 某一点，便会挡住经过该位置的横 竖两条红外线，计算机便可即时算 出触摸点位置。因为红外触摸屏不 受电流、电压和静电干扰，所以适 宜某些恶劣的环境条件。其主要优 点是价格低廉、安装方便、不需要 卡或其它任何控制器，可以用在各 档次的计算机上。不过，由于只是 在普通屏幕增加了框架，在使用过 程中架框四周的红外线发射管及接 收管很摸屏原理很简单，只是在显 示器上加上光点距架框，无需在屏幕表 面加上涂层或接驳控制器。光点距架框 的四边排列了红外线发射管及接收管， 在屏幕表面形成一个红外线网。用户以 手指触摸屏幕某一点，便会挡住经过该 位置的横竖两条红外线，计算机便可即 时算出触摸点位置。因为红外触摸屏不 受电流、电压和静电干扰，所以适宜某 些恶劣的环境条件。其主要优点是价格 低廉、安装方便、不需要卡或其它任何 控制器，可以用在各档次的计算机上。 不过，由于只是在普通屏幕增加了框架， 在使用过程中架框四周的红外线发射管 及接收管很容易损坏。
露光(黄光)制程介绍
正型光阻
Original
曝光 (照光處)
顯影
長鏈(強壯)
裂解
曝光處—洗掉光阻
負型光阻
短鏈(弱)
聚合(Cross Link)
曝光處—光阻留著
光阻 光罩/底片
光阻
正負光阻Pattern說明
基板
基板
紫外線
曝光
負光阻 正光阻
基板
顯影後
基板
正光阻優點：高解析(解析能力3um)、負光阻(乾膜解析約15 um) 負光阻優點：便宜
2.鄰接式曝光機(Proximity Mode) 備註：適用油墨曝光、感光銀膠曝光、RBM曝光
3.投影式曝光機(Stepper) 備註：半導體、LCD、超細線路、超高解析、高對
位精度 4.LDI曝光系統(Laser Direct Imaging)
備註：無需光罩、高對位精度
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曝光波長
曝光機感光光譜
I-Line H-Line G-Line
G-line: 436 nm H-line: 405 nm I-line: 365 nm
乾膜感光光譜 適合感光光譜365nm
➢每支乾膜需確認其感光範圍，再確認該乾膜 是否可適用於該曝光機。
➢一般曝光機為I、H、G Line共存or單一波長 I Line為主。
接觸式曝光機(Contact Mode)
底片製作說明-----RD、繪圖必知
底片組成：PET+藥膜 底片製作流程： 快速記憶PET上正型光阻+曝光+顯影
PET塗藥膜(正型光阻)雷射繪片(曝光)顯影乾燥 正片
底片構造
藥膜 PET
YLO出圖
For 正型光阻、印刷製程
TP制程详细介绍解析
设备照片
制程作用
通过UV光照射使耐酸层固 化，稳定耐酸层化学特性
通过UV光照射使耐酸层固 化，稳定耐酸层化学特性
通过紫外光照，在干膜上 曝光所需要的ITO图案
注意事项 Direct Yield
耐酸干燥不完全、材料变 形
100%
耐酸干燥不完全、材料变 形
100%
异物会造成ITO残留
100%
制程设备简介
前段 Process Follow
普通印刷(G510) ITO开料 镭射(U9900) 黄光+感光银 (G730)
ITO开料 OVER缩水
耐酸印刷 耐酸固化 ITO蚀刻 银浆印刷 银浆烘烤 银浆镭射雕刻 IR自动线缩水 干膜贴覆
OVER缩水
耐酸印刷 耐酸固化 ITO蚀刻 银浆印刷 银浆烘烤
曝光
显影/蚀刻 感光银印刷 感光银浆烘烤 银浆曝光、显影、固化 上下OCA贴合 PET开槽 上下线贴合 外形冲切 功能/外观检验
100%
100%
100%
制程设备简介
普通印刷Process
制程名称 /
镭射Process
镭射雕刻
黄光+感光银Process
银浆曝光、显影、固化
设备照片
/
制程作用
/
将银浆线路通过激光雕刻的方 式加工成所需要的线宽线距 （40/40um)
通过光罩曝光，使之前印刷的 整块银浆形成更窄的线宽线距 通过显影蚀刻掉多余的银浆， 最终形成所需要宽度的银线 （30/30um以下） 显影不完全造成银线连线
在ITO层印刷银浆线路形成导 电回路 线路为整块状，需要使用镭射 将线路雕刻成更窄的（线宽线 距约40/40um)
在ITO层印刷银浆线路形成导 电回路 线路为整块状，需要经过曝光 显影后使线路形成更窄的（线 宽线距约30/30um以下)
黄光制程工艺流程
根据光敏材料的性质，选择合适的光 源波长和功率。
显影设备
显影设备
用于将光固化后的膜进行显影，去除未固化的材 料。
显影方式
可以采用浸泡显影、喷淋显影等方式。
显影剂选择
根据光敏材料的性质，选择合适的显影剂。
蚀刻设备
1 2
蚀刻设备
用于对硅片进行蚀刻处理，形成电路和图形。
蚀刻方式
可以采用化学蚀刻、物理蚀刻等方式。
技术挑战
光刻机精度要求高
黄光制程需要高精度的光刻机，以确保图案的精确复制和加工。
制程控制难度大
黄光制程涉及多种材料和复杂的化学反应，对制程参数和环境条件 要求极高，控制难度较大。
设备维护与升级成本高
黄光制程设备昂贵且维护成本高，同时随着技术更新换代，设备升 级也面临较大压力。
环境影响与可持续发展
特点
黄光制程具有高精度、高稳定性和高效率的特点。在微电子、精密机械、光学 等领域中，黄光制程广泛应用于表面处理、光刻、曝光等关键工艺环节。
黄光制程的重要性
提高产品质量
黄光制程能够有效地提高产品的质量和性能，降低不良率，提高 生产效率。
满足高精度需求
随着科技的发展，产品对精度的要求越来越高，黄光制程能够满足 高精度、高稳定性的制造需求。
03
聚酯
聚酯是一种常用的高分子材料，具有良好的透明性和机械性能，常用于
制造中低端光掩膜和光刻胶。
光敏材料
光敏材料
光敏材料是黄光制程中的核心材料之一，用于制造光掩膜和光刻胶。它们在受到特定波长 的光线照射后，会发生化学反应，从而产生交联或降解等变化。
光刻胶
光刻胶是光敏材料的一种，分为正性胶和负性胶两种类型。正性胶在受到光线照射后会变 得可溶，而负性胶则会变得不溶。它们在光刻工艺中起到关键的作用。
黄光工艺文档
黄光工艺1. 介绍黄光工艺（Golden Photolithography）是一种常用于集成电路制造过程中的生产工艺，主要用于芯片上的图案形成和微影扩大。
它是将光通过透镜传导到光刻胶上，通过光刻胶的化学反应将图案转移到硅片上的一种技术。
黄光工艺在现代芯片制造过程中起着重要的作用，它可以制造出高分辨率、高精度的微细图案，使得芯片性能得到提升。
本文将介绍黄光工艺的原理、步骤和应用。
2. 工艺步骤黄光工艺主要包括以下步骤： 1. 制备硅片：首先，需要选择适当纯度的硅片，并进行表面处理，以确保图案能够精准地转移到硅片上。
2. 涂覆光刻胶：将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面，形成一层厚度均匀的光刻胶薄膜。
3. 预烘烤：将涂覆有光刻胶的硅片进行预烘烤，使得光刻胶在硅片表面形成薄膜，并且排除其中的气泡。
4. 掩膜/曝光：在光刻胶表面放置一张掩膜，掩膜上有所需的图案，然后利用光刻机进行曝光，使得掩膜上的图案转移到光刻胶上。
5. 显影：将曝光后的硅片浸泡在显影液中，使得未曝光的光刻胶被溶解掉，形成所需的图案。
6. 清洗：清洗已经显影完毕的硅片，去除掉余下的光刻胶和显影液。
7. 退火：通过高温退火的过程，使得光刻胶更加牢固地附着在硅片上。
8. 重复以上步骤：根据需要，可以重复以上步骤，逐步形成复杂的图案。
3. 黄光工艺的原理黄光工艺的原理是利用光的作用，将图案转移到光刻胶上。
其基本原理如下：1. 光刻胶的感光性：光刻胶在曝光的过程中会发生化学反应，可被光的能量激发。
2. 掩膜的功能：掩膜上有所需的图案，它会在光的照射下，将图案投射到光刻胶上。
3. 光的传导：通过光刻机中的透镜和光源，使得光能被聚焦并传导到掩膜上。
4.显影液的作用：显影液能够溶解掉未经曝光的光刻胶，使得图案出现。
4. 应用领域黄光工艺广泛应用于集成电路制造、光电子器件制造、传感器制造等领域。
它可以高精度地制造出微细的芯片结构，实现更小、更快的集成电路和传感器等器件。
TP(GFF)制作流程
制程作用
注意事项 Direct Yield
蚀刻不完全、过蚀刻会造成产品功能NG
99.8%
制程设备简介
IR自动线缩水 干膜贴覆
图示பைடு நூலகம்明
曝光
ITO显影/蚀刻/剥膜
设备照片
银浆印刷
银浆烘烤 银浆镭射雕刻 上下OCA贴合 PET开槽 上下线贴合 外形冲切 功能/外观检验
制程作用
在ITO层印刷银浆线路形成导电回路
序号 1 2
重点工作事项
担当
3
4 5
Thanks
缩水不完全会造成产品功能异常
99.8%
制程设备简介
IR自动线缩水 干膜贴覆
图示说明
曝光
ITO显影/蚀刻/剥膜
设备照片
银浆印刷
银浆烘烤 银浆镭射雕刻 上下OCA贴合 1.通过压膜机在产品ITO表面贴覆完整干膜， 保护ITO层
制程作用
PET开槽 上下线贴合 外形冲切 功能/外观检验
注意事项 Direct Yield
制程设备简介
IR自动线缩水 干膜贴覆
图示说明
曝光
ITO显影/蚀刻/剥膜
设备照片
银浆印刷
银浆烘烤 银浆镭射雕刻 上下OCA贴合 PET开槽 上下线贴合 外形冲切 功能/外观检验
制程作用
通过测试软件，对sensor成品功能测试
注意事项 Direct Yield
97%
三、TP第三事业部11周重点工作事项
贴合异物、气泡
99.5%
制程设备简介
IR自动线缩水 干膜贴覆
图示说明
曝光
ITO显影/蚀刻/剥膜
设备照片
银浆印刷
银浆烘烤 银浆镭射雕刻 上下OCA贴合 PET开槽 上下线贴合 外形冲切 功能/外观检验 在PET(上线+上下OCA）FPC口位置开出槽口， 方便FPC bonding
TP触摸屏的黄光工艺
TP触摸屏的黄光工艺黄光工艺黄光详细工艺黄光最详细工艺1. PR 前清洗A. 清洗：指清除吸附在玻璃表面的各种有害杂质或油污。
清洗方法是利用各种化学浓剂（KOH）和有机浓剂与吸附在玻璃表面上的杂质及油污发生化学反应和浓解作用，或以磨刷喷洗等物理措施，使杂质从玻璃表面脱落，然后用大量的去离子水（DI 水）冲洗，从而获得洁净的玻璃表面。
（风切是关键）B. 干燥：因经过清洗后的玻璃，表面沾有水或有机浓剂等清洗液。
这样会对后续工序造成不良影响，特别是对后续光刻工艺会产生浮胶、钻蚀、图形不清晰等不良现象。
因此，清洗后的玻璃必须经过干燥处理。
目前常采用的方法是烘干法，而是利用高温烘烤，使玻璃表面的水分气化变为水蒸气而除去的过程，此方法省时又省力。
但是如果水的纯度不变，空气净化等不多或干燥机温度不够，玻璃表面残存的水分虽经气化为蒸气，但在玻璃表面还会留下水珠，这种水珠将直接影响后续工序的产品质量。
C. 十槽清洗机，PR 清洗机制程参数之设定：1—3 槽KOH 溶液为0.4~0.7N，温度为60±5℃，浸泡时间为2~3min／槽纯水溢流量为0.5±0.2 ㎡／n.,KOH 溶度为1.0N~1.6N,温度为40±5℃,喷洗压为0.2~1.0kgf/c ㎡,传动速度为3.0~4.5m/min,磨刷转速为85~95rpm,压力为0.2~1.0kg/c ㎡，纯水温度为40±5℃，干燥机1.2.3 段温度为110℃±10℃。
注：玻璃清洗洁净度不够之改改善对策，适当加入少许KOH 溶液，改变KOH，溶液，经常擦拭风切口，喷洗等处，亦可调态清洗机传动速度，将传速度减慢。
2. PR 涂佈光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合，综合性的精密表面加工技术。
光刻的目的就是按照产品设计要求，在导电玻璃上覆感光胶。
A．光刻胶的配制光刻胶的性能与光刻胶的配比有关。
配比的选择原则是即要光刻胶是有良好的抗蚀能力，又要有较高的分辨率。
TP制程详细介绍解析
TP制程详细介绍解析TP制程是一种用于生产制造业产品的生产管理方法，它是基于生产计划进行生产，以实现高效率和高质量的生产过程。
TP制程主要包括生产计划、生产控制和生产改进三个环节，下面将详细介绍TP制程的具体内容。
1.生产计划：生产计划是TP制程的核心，它主要包括产品需求计划、生产计划和物料需求计划三个方面。
首先，产品需求计划是基于市场需求、销售预测和库存情况等数据，确定产品的未来需求量和生产时间表。
通过分析市场和销售数据，制定产品的产量和交货周期，以满足市场需求。
其次，生产计划是根据产品需求计划，确定生产资源的分配和产能安排，制定生产的时间表和计划。
通过分析生产能力和资源情况，确定生产的数量和时间，实现生产的规模化和可控制性。
最后，物料需求计划是基于产品需求计划和生产计划，确定所需物料的数量和采购时间，以保证生产的顺利进行。
通过分析产品的BOM表和库存情况，制定物料的采购计划，确保所需物料的准时供应。
2.生产控制：生产控制是TP制程的执行环节，它主要包括生产调度、生产执行和生产跟踪三个方面。
首先，生产调度是根据生产计划，对生产工序和机器设备进行合理的安排和调度。
通过分析生产资源和工序的情况，确定各项生产任务的时间表和执行顺序，以提高生产效率和资源利用率。
其次，生产执行是指按照生产计划和调度安排，进行生产任务的具体操作和实施。
通过控制生产过程的参数和操作，确保产品的质量和生产的稳定性，减少资源的浪费和消耗。
最后，生产跟踪是通过对生产过程进行监控和追踪，实时了解生产任务的进展和完成情况。
通过收集和分析生产数据，识别生产问题和瓶颈，及时进行调整和改进，提高生产效率和质量。
3.生产改进：生产改进是TP制程的持续改进环节，它主要包括质量管理、成本优化和效率提升三个方面。
首先，质量管理是通过建立和实施质量控制体系，确保产品质量的稳定和可靠。
通过制定质量标准和检查流程，对产品进行检测和验证，提高产品的一致性和可靠性。
TFTLCD黄光制程介绍资料
IVO
Info Vision
2021/10/15
Cleaner introduction
IVO
Info Vision
The structure of E-UV chamber
2021/10/15
Cleaner introduction
The measurement of contact angle
分辨率
• 能够在玻璃基板上形成符合要求的最小 的特征图形。形成的CD越小，PR的分辨 能力和光刻系统就越好
2021/10/15
Coater introduction
IVO
Info Vision
对比度
• PR从曝光区域到非曝光区域的过度的陡 度
对比度差
PR
对比度好
PR
Film
2021/10/15
Glass
AAJET
2021/10/15
Cleaner introduction
The basic principle of inclined rinse
IVO
Info Vision
2021/10/15
Cleaner introduction
IVO
Info Vision
Brush structure
2021/10/15
IVO
Info Vision
2021/10/15
Cleaner introduction
IVO
Info Vision
The simple drawing of roller brush & AAjet rinse section
2021/10/15
Cleaner introduction
黄光制程简介
2. 光阻的分类
光阻分正光阻 ( Positive photoresist) 和负光阻 ( Negative photoresist)。感光的部分溶于显影剂(Developer)的叫正 光阻，感光的部分不溶于显影剂的叫负光阻。
Litho 光阻在图形中的作用:
• Used to “resist” etch. • Used to “resist” ion implantation. • Accurately “aligned” to other patterns. • Critically sized.
BAKE
Ion Imp
1-3
CST stage
1-0
PR strip
1-2
CST stage
2-24 2-23 2-22 2-21 2-20 2-19 2-8 2-7 2-6 2-5
HHP HHP LHP CP L CP L ADH T RS T CP 2-29 2-28 2-27 2-26 2-25 LHP LHP LHP LHP LHP
Litho
BARC HMDS coat
Deposition
Photo in-line process flow overview
BAKE(*) Cooling1 PR Coat(**) TARC(***) Soft Bake Cooling2
(*) Absolutely we remove moisture on the wafer before BARC coating : Secondary reaction (**) EBR is not absolute process : We can use WEE instead of EBR ==> Need recipe tuning (***) TARC should be coated after PR bake(Soft bake) : Do not TARC bake(Secondary reaction) ($) We can change from before exposure to after exposure for I-line,but DUV cannot. ($$) PED control is very important to maintain process performance for DUV,but I-line isn’t. ($$$) ADI procedure is important to reduce ADI loss : Scope ==> OL ==> CD
黄光制程工艺流程
EXPO
Exposure
曝光波长：i线（365nm）， h线（405nm）， g线（436nm）。
Mask：也叫掩膜板。电路图即是通过曝光从 Mask上转移到玻璃上。
高压汞灯发光原理：在真空的石英管中加入 定量的高纯汞，通过对两端电极提供高电压 差，产生高热，将汞汽化，汞蒸气在高电位 差下，受激发而放电，从而产生紫外线辐射。 内部的卤素元素，就有催化及保护的功用。
18
Post-bake
Post Bake
Post Bake：也叫Hard bake。使经显影后的 光阻固化，从而使其图形稳定。 主要控制参数：烘烤温度，烘烤时间。
19
ADI
ADI
After Developing Inspection：检查玻璃 品质。
20
CDC
CDC
Critical Dimension：关键尺寸，线宽。 Overlay：套合度。 Total Pitch：第一层的套合度。
Exposure
Exposure：此步骤是黄光制程中的关键所在， 通过曝光，使受到光照的部分光阻溶解于显 影液的速度异于未曝光的那部分光阻，从而 达到转移光罩上图形的过程。曝光方式有三 种：接触式、接近式和投影式。其中投影式 又分scan和step。我们公司采用的曝光方式为 接近式，曝光GAP值 一般为100~250μm。 主要控制参数：曝光能量，曝光GAP，曝光 机plate stage温度。 主要品质异常：曝光偏移，固定光阻残留异 常，过曝。
学反应进行图形转移的媒体，有正性光阻和负性光阻之分。 正性光阻经过紫外曝光后，被曝光的区域发生光分解或降 解反应，使性质发生变化优先溶于正性显影液，未曝光的 部分则被保留形成正型图形。负性光阻的性质正好与之相 反，是未被曝光的部分溶于负性显影液中。
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曝光注意事项： 注意避免吸真空不良 曝光能量把握适度 需要使用平行光曝光机
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Hale Waihona Puke TP金属黄光制程简介一次显影
Chemax
显影注意事项： 控制显影点40~60% 控制好显影液浓度及PH 显影后最好有烘干以增加干膜附着力 关注显影后线宽是否与底片一致
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TP金属黄光制程简介
一次蚀刻金属
Chemax
反应原理 使用氧化剂在酸性环境下氧化金属 蚀刻注意事项： 注意蚀刻后线路品质，避免线路锯齿 控制好蚀刻药液浓度 注意干膜是否有浮离问题 药水不能攻击ITO
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TP金属黄光制程简介
二次压膜
Chemax
干膜要求： 附着力要好；
压膜条件： 温度：110+5 压力：3.5kg/cm2
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TP金属黄光制程简介
二次曝光
Chemax
曝光注意事项： 注意避免吸真空不良 曝光能量把握适度 注意对位准确，勿对偏 关注材料及底片是否涨缩 无线路可用散射光曝光机
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TP金属黄光制程简介
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TP金属黄光制程简介
Chemax
TP金属黄光制程简介
细线路蚀刻图片
蚀刻不良，钜齿图片
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TP金属黄光制程简介
一次蚀刻ITO
Chemax
蚀刻ITO注意事项： 注意蚀刻后线路品质，避免线路锯齿 控制好蚀刻药液浓度 注意干膜是否有浮离问题 药液不能攻击金属 非晶ITO蚀刻较快，注意控制好蚀刻速 度避免蚀刻过度
8
TP金属黄光制程简介
一次脱膜
Chemax
脱膜注意事项： 控制好药液浓度； 控制去膜点30~50% 注意干膜反粘 关注材料方阻变化，药液不能攻击ITO 注意D/F Adhesion Promotor是否去除干净
材
料：PET+ITO+金属
PET规格：厚度50~150um 金属类别： --Cu --Cu+NiCu -- Cu+NiCuTi --其他（NiCuNi、APC、Ag合金等） ITO类别： --非结晶ITO（方阻150~400Ω） --结晶ITO（方阻80~160Ω）
3
TP金属黄光制程简介
一次压膜
Chemax
二次显影
Chemax
显影注意事项： 控制显影点40~60% 控制好显影液浓度及PH
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TP金属黄光制程简介
二次蚀刻金属
Chemax
蚀刻金属注意事项： 控制好蚀刻药水浓度 关注视窗金属残留问题 关注ITO方阻变化
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TP金属黄光制程简介
二次脱膜
Chemax
脱膜注意事项： 注意干膜反粘 控制好药液浓度 关注ITO方阻变化，不可攻击ITO
干膜的选择 NiCu及NiCuTi表面平整，干膜不易结 合，需选用附着力好的干膜，如需要 做30以下细线路还需选择解析度良好 的干膜； 压膜条件 温度：110+5 压力：3.5kg/cm2
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TP金属黄光制程简介
一次曝光
Chemax
制程能力： 底片（film）：最细可做20/20um 玻璃底片（光罩）：最细可做10/10um
TP金属黄光制程简介
Chemax
TP金属黄光制程简介
制作 群安电子
1
TP金属黄光制程简介
Chemax
一次曝光
TP金属黄光流程
材料 一次压干膜
一次显影
一次蚀刻金属
一次蚀刻ITO
一次去膜
二次压干膜
二次曝光
二次显影
二次蚀刻金属
二次去膜
红线框内部分流程也可用印刷制程取代
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TP金属黄光制程简介
材 料
Chemax