模电教材第1章
模拟电子技术第1章PPT课件
多数载流子——自由电子 施主离子
少数载流子—— 空穴
7
8
2. P型半导体
在本征半导体中掺入三价杂质元素,如硼、镓等。
硅原子
+4
空穴
+4
硼原子
+4
8
电子空穴对
空穴
+4 +4
P型半导体
- - --
+3 +4
- - --
- - --
+4 +4
受主离子
多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子 9
杂质半导体的示意图
(1) 稳定电压UZ ——
在规定的稳压管反向工作电流IZ下UZ,所对应的Iz反min 向工作电u压。
(2) 动态电阻rZ ——
△I
rZ =U /I
rZ愈小,反映稳压管的击穿特性△愈U 陡。
I zmax
(3) 最小稳定工作 电流IZmin——
保证稳压管击穿所对应的电流,若IZ<IZmin则不能稳压。
(4) 最大稳定工作电流IZmax——
17
EW
R
18
(2) 扩散电容CD
当外加正向电压
不同时,PN结两 + 侧堆积的少子的 数量及浓度梯度 也不同,这就相 当电容的充放电 过程。
P区 耗 尽 层 N 区 -
P 区中电子 浓度分布
N 区中空穴 浓度分布
极间电容(结电容)
Ln
Lp
x
电容效应在交流信号作用下才会明显表现出来
18
19
1.2 半导体二极管
30
31
四、稳压二极管
稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管
பைடு நூலகம்
模电第1章复习精简版
第一章
半导体器件
价电子
(a) 硅、锗原子结构 最外层电子称价电子 4 价元素
+4
惯性核
4 价元素的原子常常用 + 4 电荷的正离子和周围 4 个价电子表示。
(b) 简化模型
图 1-1 原子结构及简化模型
第一章
半导体器件
2)
本征半导体的原子结构
完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导 体称为本征半导体。
带负电的自由电子 带正电的空穴
2. 本征半导体中,自由电子和空穴总是成对出现, 称为 电子 - 空穴对。
3. 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi 表示,显然 ni = pi 。 4. 由于物质的运动,自由电子和空穴不断的产生又 不断的复合。在一定的温度下,产生与复合运动会达到 平衡,载流子的浓度就一定了。 5. 载流子的浓度与温度密切相关(它随着温度的升 高,基本按指数规律增加)。
I / mA
60 40 死区 20 电压
0 0.4 0.8 U / V
正向特性
第一章
半导体器件
I / mA
–50 –25
– 0.02
2. 反向特性 二极管加反向电压,反 向电流很小; 当电压超过零点几伏后, 反向电流不随电压增加而增 大,即饱和;
0U / V
反向饱 和电流
– 0.04
反向特性
如果反向电压继续升高,大到一定数值时,反向电 流会突然增大;
(a)N 型半导体
(b) P 型半导体
杂质半导体的的简化表示法
第一章
半导体器件
1.2 半导体二极管
1)PN 结的形成
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体,另 一侧掺杂成为 N 型半导体,两个区域的交界处就形成了 一个特殊的薄层,称为 PN 结。
精品课件-模拟电子技术-第1章
15
第1章 半导体器件
图1.4 半导体内部载流子的运动
16
第1章 半导体器件
4
第1章 半导体器件
3) 掺杂特性 在纯净的半导体中掺入微量的杂质元素能使其导电性能 发生显著变化,这种特性称为掺杂特性。例如在纯净的硅中 掺入百万分之一的杂质,其导电能力可以增强上百万倍。各 种半导体器件的制作,正是利用掺杂特性来改变和控制半导 体的导电能力的。 此外,半导体的导电能力还会随着电场、磁场的作用而 变化。 为什么半导体会有这些独特的导电性能呢?这主要是由 其内部的原子结构所决定的。
5
第1章 半导体器件
1.1.2 半导体的原子结构 用来制造晶体管的半导体材料主要是硅和锗。下面就来
讨论这两种半导体材料的原子结构。 1. 单个原子结构 硅的化学元素符号是Si,它有一个带正电的原子核和14
个带负电的电子。电子分三层绕原子核不停地旋转,如图 1.1(a)所示。由于原子核带14个电子电量的正电,因此正常 情况下原子呈中性。锗的化学元素符号是Ge,它共有32个电 子,分四层绕原子核不停地转动,如图1.1(b)所示。
第1章 半导体器件
第1章 半导体器件
1.1 半导体的基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 半导体三极管 1.4 场效应管 本章小结 练习题
1
第1章 半导体器件
1.1 半导体的基础知识
1.1.1 半导体的基本特性 1. 什么是半导体 自然界中的物质,按其导电能力的强弱,可分为导体、
模电课件-第1章-精选文档
直(交)流→交(直)流。
(5)信号发生电路:产生正弦、三角、矩形波等。 (6)直流电源:将交流电转换成不同输出电压和电流的 直流电。
33 MHz
目录
Analog Electronics
1
导言
33 MHz
2 运算放大器 3 二极管及其基本电路 4 晶体三极管及放大电路基础 5 场效应管放大电路 6 模拟集成电路 7 反馈放大电路 8 信号的运算和滤波 9 波形的发生与变换电路 10 直流稳压电源
信号的 信号的 信号的
信号的
提取
传感器 接收器
预处理
隔离、滤波 放大、阻抗 变换
加工
运算、转 换、比较
执行
功率放大 A/D转换
33 MHz
图1.2.1电子信息系统示意图
Analog Electronics
1.2.3
电子信息系统中的模拟电路
信号的 预处理 信号的 加工 信号的 执行
信号的 提取
(1)放大电路:用于信号的电压、电流或功率放大。 (2)滤波电路:用于信号的提取、变换或抗干扰。
Analog Electronics
模拟电子技术基本教程 Fundamentals of Analog Electronics 华成英 主编
33 MHz
Analog Electronics 1. 电子技术的发展简史
电子技术诞生的历史虽短,但深入的领域却是最深最广, 它不仅是现代化社会的重要标志,而且成为人类探索宇宙宏观 世界和微观世界的物质技术基础。 1904年第一只电子器件发明以来,世界电子技术经历了 电子管、晶体管和集成电路等重要发展阶段。
模电教材(PDF)
1.正向特性2.反向特性3.反向击穿特性4.温度对特性的影响1.2.3 半导体二极管的主要参数1.最大整流电流IF2.最大反向工作电压URM3.反向饱和电流IR4.二极管的直流电阻R5.最高工作频率fM1.2.4 半导体二极管的命名及分类1.半导体二极管的命名方法第2章半导体三极管及其放大电路本章重点内容�晶体三极管的放大原理、输入特性曲线、输出特性曲线�基本放大电路的工作原理及放大电路的三种基本偏置方式�利用估算法求静态工作点�微变等效电路及其分析方法�三种基本放大电路的性能、特点2.1 半导体三极管2.1.1 三极管的结构及分类1.三极管的内部结构及其在电路中的符号N PP2.输出特性曲线(1)放大区(2) 饱和区(3) 截止区2.1.4 三极管正常工作时的主要特点1.三极管工作于放大状态的条件及特点2.三极管工作于饱和状态的条件及特点3.三极管工作于截止状态时的条件及特点*2.1.5 特殊晶体管简介1.光电三极管2.1.6 三极管的主要参数1.电流放大系数2.反向饱和电流ICBO3.穿透电流ICEO4.集电极最大允许电流ICM5.集电极、发射极间的击穿电压UCEO。
6.集电极最大耗散功率PCM2.1.7 三极管的检测与代换1.国产三极管的命名方法简介2.三极管三个电极(管脚)的估测(aωωωωω2.4.2 放大电路的图解分析法1.用图解法确定静态工作点的步骤:(1)在i c 、u ce 平面坐标上作出晶体管的输出特性曲线。
(2)根据直流通路列出放大电路直流输出回路的电压方程式:U CE = V CC -I C ·R C(3)根据电压方程式,在输出特性曲线所在坐标平面上作直流负载线。
因为两点可决定一条直线,所以分别取(I C =0,U CE =V CC )和(U CE =0,I C =E C /R c )两点,这两点也就是横轴和纵轴的截距,连接两点,便得到直流负载线。
(4)根据直流通路中的输入回路方程求出I BQ 。
模电 第一章(第五版)——康华光
& Vi 定义: 定义: Ri = & Ii
意义:本级对前级(或对信号源)的影响。 意义:本级对前级(或对信号源)的影响。在信号传输过程中直接 影响信号的衰减程度。 影响信号的衰减程度。
第一章 绪论
U D
2.输出电阻(方法:测试信号取代负载接入,并令Vi=0,测试信 .输出电阻(方法:测试信号取代负载接入,并令 号电压与测试电流之比, 号电压与测试电流之比,图1.5.3) )
或写为
& AV = AV (ω )∠ϕ (ω )
& Vo ( jω ) 其中AV (ω ) = & Vi ( jω )
称为幅频响应 ∠ϕ (ω ) = ϕ o (ω ) − ϕ i (ω ) 称为相频响应
第一章 绪论 例1.如果Rif, AVO无穷大,RO=0, . 用互阻放大电路等效模型等效该电路, & IS 求出Ri和ARO 解:解题思路:给出互阻放大电 解题思路: 路模型(如下图),并将题给电
& V 定义: 定义: Ro = & I
意义:本级输出带负载的能力。 意义:本级输出带负载的能力。 注意: 交流电阻。 注意:输入输出电阻通常指的是交流 交流
第一章 绪论 3.增益A .增益 意义:反映放大电路在输入信号控制下, 意义:反映放大电路在输入信号控制下,将供电电源
能量转换成信号能量的能力。 能量转换成信号能量的能力。 对于无量纲的AV和AI,常用分贝表示,如 电压增益: GV=20lgAV (dB) 电流增益: GI=20lgAI (dB) 功率增益:GP=10lgAP (dB) 例:AV=10——即20dB AV=100——即40dB AV=1000——即60dB 说明:1.AV、AI为负值,表示Vi、Vo反相;-20dB表示衰减到1/10,即|A|=0.1
《模拟电子技术》教学课件 第一章
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第一章常用半导体器件 1. 1 半导体基础知识 1.2 PN 结的形成及特性结的形成及特性 1.3 半导体二极管 1 .4 半导体担躇徊第詹贸莲雄烦咖窿酗议沁售误据苫寻笆放站屯跪疆治杆蜡腹逞峭挚累央靡希辐鹰蚕撑佩叫驶术刮藏澄毅鳞蝇墒快绝缓坡冲垛烛邓虱柱毗虏浙本文由 jingzonglei 贡献《模拟电子技术》教学课件第一章《模拟电子技术》教学课件第一章本文由jingzonglei 贡献 ppt 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。
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第一章常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 PN 结的形成及特性结的形成及特性 1.3 半导体二极管 1.4 半导体担躇徊第詹贸莲雄烦咖窿酗议沁售误据苫寻笆放站屯跪疆治杆蜡腹逞峭挚累央靡希辐鹰蚕撑佩叫驶术刮藏澄毅鳞蝇墒快绝缓坡冲垛烛邓虱柱毗虏浙 ppt 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。
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第一章常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 PN 结的形成及特性结的形成及特性 1.3 半导体二极管 1.4 半导体担躇徊第詹贸莲雄烦咖窿酗议沁售误据苫寻笆放站屯跪疆治杆蜡腹逞峭挚累央靡希辐鹰蚕撑佩叫驶术刮藏澄毅鳞蝇墒快绝缓坡冲垛烛邓虱柱毗虏浙第一章常用半导体器件《模拟电子技术》教学课件第一章《模拟电子技术》教学课件第一章本文由jingzonglei 贡献 ppt 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。
模电第1章-电路模型和电路的基本定律
1.4 电路的基本元件及其特性
电路的基本元件是构成电路的基本元素。电路中 普遍存在着电能的消耗、磁场能[量]的储存和电场能 [量]的储存这三种基本的能[量]转换过程。表征这 三种物理性质的电路参数是电阻、电感和电容。 只含一个电路参数的元件分别称为理想电阻元 件、理想电感元件和理想电容元件,通常简称电 阻元件、电感元件和电容元件。 元件的基本物理性质是指当把它们接入电路时, 在元件内部将进行什么样的能量转换过程以及表现 在元件外部的特征。
1.4 电路的基本元件及其特性
1.4.1 电阻元件和欧姆定律 电阻:是电路中阻止电流流动、表示能量损耗大 小的参数。电阻有线性电阻和非线性电阻之分(这 里只讨论线性电阻)。 所谓线性电阻,是指电阻元件的阻值R是个常数, 加在该电阻元件两端的电压u和通过该元件中的电流 i之间成正比关系,即 u=Ri 非线性电阻的伏安特性:其曲线可以是通过坐标原点 或不通过坐标原点的曲线,也可以是不通过坐标原点 的直线。
P UI
或 p ui
(2)当电流、电压取非关联的参考方向时
P -UI 或 p -ui
如果P>0(或p>0)时,表示元件吸收功率,是负载 如果P<0(或p<0)时,表示元件发出功率,是电源
1.2.2 功率的计算 例: 如图所示各元件电流和电压的参考方向,已知 U1=3V,U2=5V,U3=U4=-2V,I1=-I2=-2A, I3=1A,I4=3A。试求各元件的功率,并指出是吸收 还是发出功率?是电源还是负载?整个电路的总功 率是否满足功率守恒定律?(a)(b)来自1.2.2 功率的计算
电功率: 该元件两端的电压与通过该元件电流的乘积
P UI
如果电压和电流都是时变量时,瞬时功率写成
p ui
模电第一章半导体基础及二极管电路
vS
if (vS 0) vS
if (vS 0) vS
D1
vS
RL vO
D2
D1
vO
RL vO
D2
D1
RL vO
vS
D2
t
t
D1
RL vO
D2
38
二极管整流电路:全波整流
D4
D1
AC
Line
vS
vO
vS
Voltage
R
t
D2
D3
3
本征半导体及其特性
导 体 (Conductor)
电导率 >105 铝、金、钨、铜等金属,镍铬等合金。
半导体 (Semiconductor)
电导率 10-9~ 102 硅、锗、砷化镓、磷化铟、碳化镓、重掺杂多晶硅
绝缘体 (Insulator)
电导率10-22 ~10-14
二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅等
RL VO
当 RL不变时:
Vs
Vo
Vz
I Vo z
IR
VR
Vo 当 Vs 不变时:
# 不加R可以吗?
RL Io IR Vo Iz IR VR
Vo
41
二极管模拟电路:限幅电路(一)
限幅:按照规定的范围,将输入信号波形的一部分传 送到输出端、而将其余部分消去。一般利用器件的开 关特性实现
I evD /VT S
当vD 100mV 时,i IS ,反向电流基本不变
模电第一章半导体基础(场效应管)
④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值, 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值,对 于结型场效应三极管, 约大于10 于结型场效应三极管,反偏时RGS约大于 7 ,对 约是10 于绝缘栅型场效应三极管, 于绝缘栅型场效应三极管 RGS约是 9~1015 。 低频跨导g ⑤ 低频跨导 m 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用, 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用, gm可以在转 移特性曲线上求取,单位是 移特性曲线上求取,单位是mS(毫西门 毫西门 子)。 。 最大漏极功耗P ⑥ 最大漏极功耗 DM 最大漏极功耗可由P 决定, 最大漏极功耗可由 DM= uDS iD决定,与双极型 三极管的P 相当。 三极管的 CM相当。
的区域,曲线基本平行等距。 的区域,曲线基本平行等距。 此时,发射结正偏, 此时,发射结正偏,集电结 反偏,电压大于0.7 左右 左右(硅 反偏,电压大于 V左右 硅 管) 。
1.4 场效应管
结型场效应管 绝缘栅型场效应管 场效应管的主要参数 晶体管和场效应管的比较
概述
1.定义 1.定义 是利用电场效应来控制输出电流的半导体器件。 是利用电场效应来控制输出电流的半导体器件。 电场效应来控制输出电流的半导体器件 仅一种载流子参与导电,又称单极型晶体管 单极型晶体管。 因仅一种载流子参与导电,又称单极型晶体管。 2.分类 2.分类 从参与导电的载流子来划分, 沟道器件和 从参与导电的载流子来划分,有N沟道器件和 沟道 P沟道器件。 沟道器件 沟道器件。 从场效应管的结构来划分, 从场效应管的结构来划分,有结型场效应管 绝缘栅型场效应管。 和绝缘栅型场效应管。
DS
UGS(th) UGS(th)
2UGS(th) 2UGS(th)
转移特性曲线
模电第1章资料
G K
A
K A G
(a)
A
G
P1 N1 P2 N2
J1 J2 J3
K (b)
K G
A (c)
图 1-4 晶闸管的外形、 (a) 外形; (b) 结构; (c) 图形符号
第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路
常用的晶闸管有螺栓式和平板式两种外形,如图1-4(a)所 示。晶闸管在工作过程中会因损耗而发热,因此必须安装散 热器。螺栓式晶闸管是靠阳极(螺栓)拧紧在铝制散热器上, 可自然冷却;平板式晶闸管由两个相互绝缘的散热器夹紧晶 闸管, 靠冷风冷却。 额定电流大于200 A的晶闸管都采用平 板式外形结构。此外,晶闸管的冷却方式还有水冷、油冷等。
第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路
4.反向恢复时间trr 反向恢复时间是指功率二极管从所施加的反向偏置电流 降至零起到恢复反向阻断能力为止的时间。
第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路
1.1.3 1. 整流二极管多用于开关频率不高的场合,一般开关频率
在1 kHz以下。 整流二极管的特点是电流定额和电压定额可 以达到很高,一般为几千安和几千伏,但反向恢复时间较长。
I F ( AV )
(1.5
~
2) I 1.57
式中的系数1.5~2是安全系数。
第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路
2.正向压降UF 正向压降UF是指在规定温度下,流过某一稳定正向电 流时所对应的正向压降。
第1章 功率二极管、晶闸管及单相相控整流电路
3. 反向重复峰值电压URRM 反向重复峰值电压是功率二极管能重复施加的反向最高 电压, 通常是其雪崩击穿电压UB的2/3。一般在选用功率二 极管时, 以其在电路中可能承受的反向峰值电压的两倍来选 择反向重复峰值电压。
集成电子技术基础教程-模电教材习题与习题解答-四篇 1章
第一章 信号发生电路题4.1.1 一个负反馈放大器产生自激振荡的相位条件为πϕ)12(+=n AF ,而正弦振荡器中的相位平衡条件是πϕn AF 2=,这里有无矛盾?题4.1.2 振荡器的幅度平衡条件为1=F A&&,而起振时,则要求1>F A &&,这是为什么? 题4.1.3 RC 桥式正弦振荡器如图题4.1.3所示,其中二极管在负反馈支路内起稳幅作用。
(1) 试在放大器框图A 内填上同相输入端(+)和反相输入端(—)的符号,若A 为μA741型运放,试注明这两个输入端子的管脚号码。
(2) 如果不用二极管,而改用下列热敏元件来实现稳幅:(a )具有负温度系数的热敏电阻器;(b )具有正温度系数的钨丝灯泡。
试挑选元件(a )或(b )来替代图中的负反馈支路电阻(R 1或R 3),并画出相应的电路图。
解:(1) RC 桥式正弦振荡器中,由于RC 串并联网络在f=f o 时,其相移φAF =0,为满足相位条件:φAF =φA +φF =0,放大器必须接成同相放大器,因此与RC 串并联网络连接的输入端为(+),与负反馈支路连接的输入端为(-),若A 为A741,其管脚号为:反相输入端为2,同相输入端为3。
(2) (a)负温度系数的热敏电阻取代R 3; (b)正温度系数的钨丝灯泡取代R 1。
图题4.1.3题4.1.4 试用相位平衡条件判别图题4.1.4所示各振荡电路。
(1) 哪些可能产生正弦振荡,哪些不能?(注意耦合电容C b 、C e 在交流通路中可视作短路。
)(2) 对哪些不能满足相位平衡条件的电路,如何改变接线使之满足相位平衡条件?(用电路图表示。
)解:(1) 不满足相位平衡条件。
(2) 电路(b)中,通过切环与瞬时极性法,可判断该电路不满足相位平衡条件。
而将反馈信号引入T 1基极时,即可满足相位平衡条件。
(3) 由电路(c)中的瞬时极性可知,该电路满足相位平衡条件。
数电模电第一章知识点
数电模电第一章
知识点一杂质半导体
N型半导体:多子是电子,少子是空穴
1. 起导电作用的主要是多子
P型半导体:多子是空穴,少子是电子
2. 多子扩散PN结变宽;少子漂移PN结变窄
3. P端接低电位,N端接高电位,PN结反偏,处于高电阻截至状态;
4. P端接高电位,N端接低电位,PN结正偏,处于低电阻导通状态;
知识点二二极管
P N
电流方向
1.伏安特性曲线
2.二极管限幅
题型(书P10例1-2)
3.稳压二极管工作与反向击穿状态
知识点三三极管
1.e—发射区;b—基区;c—集电区
2.I E=I C+I B;IE≈IC>>IB ;I E=I EBS(e UBE/UT-1)
3.三极管输出特性
截止区:Uc>Ue>Ub 放大区:Uc>Ub>Ue 饱和区:Ub>Uc>Ue。
模拟电子技术第一章PPT课件
06 反馈放大电路
反馈的基本概念
反馈:将放大电路输出信号的一部分或全部,通过一定 的方式(反馈网络)送回到输入端的过程。
反馈的判断:瞬时极性法。
反馈的分类:正反馈和负反馈。 反馈的连接方式:串联反馈和并联反馈。
正反馈和负反馈
正反馈
反馈信号使输入信号增强的反 馈。
负反馈
反馈信号使输入信号减弱的反 馈。
集成化与小型化
随着便携式设备的普及,模拟电子技术需要实现 更高的集成度和更小体积,以满足设备小型化的 需求。
未来发展趋势
智能化
01
随着人工智能技术的发展,模拟电子技术将逐渐实现智能化,
能够自适应地处理各种复杂信号和数据。
高效化
02
未来模拟电子技术将更加注重能效,通过优化电路设计和材料
选择,提高能量利用效率和系统稳定性。
电压放大倍数的大小与电路中 各元件的参数有关,可以通过 调整元件参数来改变电压放大 倍数。在实际应用中,需要根 据具体需求选择合适的电压放 大倍数。
输入电阻和输出电阻
总结词
详细描述
总结词
详细描述
输入电阻和输出电阻分别表 示放大电路对信号源和负载 的阻抗,影响信号源和负载 的工作状态。
输入电阻越大,信号源的负 载越轻,信号源的输出电压 越稳定;输出电阻越小,放 大电路对负载的驱动能力越 强,负载得到的信号电压越 大。
共基放大电路和共集放大电路
共基放大电路的结构和工作原理
共基放大电路是一种特殊的放大电路,其输入级和输出级采用相同的晶体管,输入信号 通过输入级进入,经过晶体管的放大作用,输出信号被送到输出级,最终输出放大的信
号。
共集放大电路的结构和工作原理
共集放大电路是一种常用的放大电路,其结构包括输入级、输出级和偏置电路。输入信 号通过输入级进入,经过晶体管的放大作用,输出信号被送到输出级,最终输出放大的 信号。共集放大电路的特点是电压增益高、电流增益低、输出电压与输入电压同相位。
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五、模拟信号与模拟电路
信号: 1. 信号:是反映消息的物理量 如温度、压力、流量,自然界的声音信号等等, 如温度、压力、流量,自然界的声音信号等等, 因而信号是消息的表现形式。 因而信号是消息的表现形式。 信息需要借助于某些物理量(如声、 信息需要借助于某些物理量(如声、光、电) 的变化来表示和传递。 的变化来表示和传递。 2. 电信号 由于非电的物理量很容易转换成电信号, 由于非电的物理量很容易转换成电信号,而且 电信号又容易传送和控制, 电信号又容易传送和控制,因此电信号成为应用 最为广泛的信号。 最为广泛的信号。 电信号是指随时间而变化的电压u或电流 或电流i 电信号是指随时间而变化的电压 或电流 ,记 作u=f(t) 或i=f(t) 。
二、“模拟电子线路”课程的特点 模拟电子线路”
2. 实践性 实用的模拟电子电路几乎都需要进行调试 才能达到预期的目标,因而要掌握以下方法: 才能达到预期的目标,因而要掌握以下方法: 常用电子仪器的使用方法 电子电路的测试方法 故障的判断与排除方法 EDA软件的应用方法 软件的应用方法
Electronic Design Automation
二、“模拟电子线路”课程的特点 模拟电子线路”
1、工程性 、
实际工程需要证明其可行性。 实际工程需要证明其可行性。 强调定性分析。 强调定性分析。 实际工程在满足基本性能指标的前提下总是容许存 在一定的误差范围的。 在一定的误差范围的。 电子电路的定量分析称为“估算” 电子电路的定量分析称为“估算”。 近似分析要“合理”。 近似分析要“合理” 抓主要矛盾和矛盾的主要方面。 抓主要矛盾和矛盾的主要方面。 电子电路( 含有非线性半导体器件的电路) 电子电路(指含有非线性半导体器件的电路)归根 结底是电路。 结底是电路。 估算不同的参数需采用不同的模型, 估算不同的参数需采用不同的模型,可用电路的 基本理论分析电子电路。 基本理论分析电子电路。
1.1 半导体基础知识
1.1.1 本征半导体
什么是半导体?什么是本征半导体? 什么是半导体?什么是本征半导体? 一. 半导体 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 导体--有良好的导电性。 导体--有良好的导电性。铁、铝、铜等低价金 --有良好的导电性 属元素, 属元素,其最外层电子在外电场作用下很容易产生定 向移动,形成电流。 向移动,形成电流。 绝缘体--几乎不能或不能导电。惰性气体、 绝缘体--几乎不能或不能导电。惰性气体、橡 --几乎不能或不能导电 胶等,其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强, 胶等,其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强, 很难成为自由电子, 很难成为自由电子,只有在外电场强到一定程度时 才可能导电。 才可能导电。
外加能量越高(温度越高),产生的电子空穴对越多。 外加能量越高(温度越高),产生的电子空穴对越多。 ),产生的电子空穴对越多 在一定温度下,本征激发和复合同时进行, 在一定温度下,本征激发和复合同时进行,当本征激发 所产生的电子空穴对与复合的电子空穴对数目相等时,达 所产生的电子空穴对与复合的电子空穴对数目相等时, 到动态平衡。换言之,在一定温度下, 到动态平衡。换言之,在一定温度下,电子空穴对的浓度 是一定。 是一定。 理论分析表明
五、模拟信号与模拟电路
4. 模拟电路
模拟电路:对模拟量进行处理的电路。 模拟电路:对模拟量进行处理的电路。 最基本的处理是对信号的放大。 最基本的处理是对信号的放大。 放大:输入为铝信号, 放大:输入为铝信号,有源元件控制电源使负载获 得大信号,并保持线性关系。 得大信号,并保持线性关系。 有源元件:能够控制能量的元件。 有源元件:能够控制能量的元件。
+4
+4
+4
共 价 键
+4
+4
+4
+4
+4
束缚电子
+4
2. 本征半导体中的两种载流子
激发与复合
电子 电子 电子
当温度升高或受 复合 到光的照射时, 束缚电子能量增 高,有的电子可 以挣脱原子核的 空穴 束缚,而参与导 电,成为自由电 子。
电子
空穴 电子
本征 激发 自由电子
空穴
电子 电子 电子 电子
五、模拟信号与模拟电路
3. 电子电路中信号的分类
模拟信号 对应任意时间值t 均有确定的函数值u或 ,并且u 对应任意时间值 均有确定的函数值 或i,并且 的幅值是连续取值的, 或 i 的幅值是连续取值的,即在时间和数值上均具 有连续性。 有连续性。
数字信号 在时间和数值上均具有离散性, 或 在时间和数值上均具有离散性,u或 i 的变化在 时间上不连续,总是发生在离散的瞬间; 时间上不连续,总是发生在离散的瞬间;且它们的 数值是一个最小量值的整数倍,当其值小于最小量 数值是一个最小量值的整数倍, 值时信号将毫无意义。 值时信号将毫无意义。 大多数物理量所转换成的信号均为模拟信号。 大多数物理量所转换成的信号均为模拟信号。
1.1.2 杂质半导体
为了提高半导体的导电能力,通过扩散工艺, 为了提高半导体的导电能力,通过扩散工艺, 提高半导体的导电能力 在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的半 导体称为杂质半导体 控制掺杂浓度, 杂质半导体。 导体称为杂质半导体。控制掺杂浓度,就可控 制杂质半导体的导电性能。 制杂质半导体的导电性能。 在本征半导体中掺入五价杂质元素,例 在本征半导体中掺入五价杂质元素, 如磷,砷等,称为 型半导体 型半导体( 如磷,砷等,称为N型半导体(Negative)。 ) 在本征半导体中掺入三价杂质元素, 在本征半导体中掺入三价杂质元素,例 如硼,铝等,称为 型半导体 型半导体( 如硼,铝等,称为P型半导体(Positive)。 )
13
cm 3 cm 3
E 导电机制
- +
+4
空穴的移动实质 是价电子依次填 补空穴。 补空穴。
+4
+4
自由电子
+4
+4
+4
+4
+4
+4
自由电子 带负电荷 电子电流 载流子 空穴 带正电荷 空穴电流 +=总电流
本征半导体的导电性取决于外加能量: 本征半导体的导电性取决于外加能量: 温度变化,导电性变化;光照变化,导电性变化。 温度变化,导电性变化;光照变化,导电性变化。
六、具体要求
1. 保证出勤,认真听课 保证出勤, 经常点名,缺课3 经常点名,缺课3次及以上取消考试资格 2. 做好实验 做好预习,自己动手,认真总结, 做好预习,自己动手,认真总结,通过实验考试 3. 独立完成作业 4. 及时答疑,不拖欠 及时答疑,
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
第1章 常用半导体器件
1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 晶体三极管
本课程是入门性质的技术基础课
一、课程的目的
本课程通过对常用电子元器件、 本课程通过对常用电子元器件、模拟电路及其系统 的分析和设计的学习, 的分析和设计的学习,使学生获得模拟电子技术方面的 基础知识、基础理论和基本技能, 基础知识、基础理论和基本技能,为深入学习电子技术 及其在专业中的应用打下基础。 及其在专业中的应用打下基础。 1. 掌握基本概念、基本电路、基本分析方法和基本实验 掌握基本概念、基本电路、 技能。 技能。 2. 具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力, 具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力, 以及将所学知识用于本专业的能力。 以及将所学知识用于本专业的能力。
四、电子技术的发展
很大程度上反映在元器件的发展上 : • • • • 1947年 年 1958年 年 1969年 年 1975年 年 贝尔实验室制成第一只晶体管 集成电路 大规模集成电路 超大规模集成电路
第一片集成电路只有4个晶体管,而1997年一片集 第一片集成电路只有 个晶体管, 年一片集 个晶体管 成电路中有40亿个晶体管。有科学家预测, 成电路中有 亿个晶体管。有科学家预测,集成度还将 亿个晶体管 年的速度增长, 年达到饱和。 按10倍/6年的速度增长,到2015或2020年达到饱和。 倍 年的速度增长 或 年达到饱和 学习电子技术方面的课程需时刻关注电子技术的发 展!
自由电子产生的同时, 自由电子产生的同时,在其原来的共价键中就出现了一个空 称为空穴 空穴带正电。电子与空穴是成对出现的,称为载 空穴,空穴带正电 位,称为空穴 空穴带正电。电子与空穴是成对出现的,称为载 流子。 流子。 与本征激发相反的现象——复合 与本征激发相反的现象 复合
3. 本征半导体中载流子的浓度
模拟电子线路
主讲教师: 主讲教师: 孙克梅
教材: 教材:
华成英,童诗白. 华成英,童诗白.模拟电子技术基础 第四版). ).高等教育出版社 (第四版).高等教育出版社
实验指导书: 实验指导书:
李秀人.电子技术实训指导. 李秀人.电子技术实训指导.国防工 业出版社
参考书: 参考书:
1、孙肖子等.模拟电子技术基础.西安 、孙肖子等.模拟电子技术基础. 电子科技大学出版社 2、康华光.电子技术基础模拟部分(第 、康华光.电子技术基础模拟部分( 四版). ).高等教育出版社 四版).高等教育出版社 3、谢嘉奎等.电子线路(第四版).高 ).高 、谢嘉奎等.电子线路(第四版). 等教育出版社
3 2 − E GO 2 kT
ni = p i = K 1T e
常温300K时: 时 常温
T—热力学温度 k—玻耳兹曼常数 禁带宽度( EGO—禁带宽度(热力学零
度时破坏共价键所需 能量) 能量) 与材料有关的常数 K1—与材料有关的常数
1.43 × 10 10 硅:
电子空穴对的浓度
2 锗:.38 × 10
三、如何学习这门课程
1. 掌握基本概念、基本电路和基本分析方法 掌握基本概念、 基本概念 基本概念:概念是不变的,应用是灵活的, 基本概念:概念是不变的,应用是灵活的, “万 变不离其宗” 变不离其宗”。 基本电路:构成的原则是不变的, 基本电路:构成的原则是不变的,具体电路是多种 多样的。 多样的。 基本分析方法: 基本分析方法:不同类型的电路有不同的性能指标 和描述方法,因而有不同的分析方法。 和描述方法,因而有不同的分析方法。 2. 学会辩证、全面地分析电子电路中的问题 学会辩证、 根据需求,最适用的电路才是最好的电路。 根据需求,最适用的电路才是最好的电路。 要研究利弊关系,通常“有一利必有一弊” 要研究利弊关系,通常“有一利必有一弊”。 3. 注意电路中常用定理在电子电路中的应用