双向晶闸管优质课件专业知识讲座
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晶闸管及变频器培训课件
14
单相桥式全控整流电路
i1
v1
d
is
T1
T3
a
vS
R
id
T2 a 主电路
b
组：两组间、上下 桥臂间触发脉冲相差 180°电角度。
vS
vg
0
2
vd
0
id
0
vT 4 vT1
0
v v
T1
T4
t
t t t
16
几个名词术语
• （1）控制角α: 从SCR承受正向电压时刻起到触发脉冲
1 2ID
基波电流有效值
• 电源基波功率因数角φ1 ＝α； α越大，cosφ1 越小。（结论适于所有相控整流电路）
20
21
原理及波形分析：
与两相半波电路相比：
• 整流输出电压和交流电源电流波形性与两相半波不控整流相同。 • 多用了两个二极管，但可不用有中心抽头的变压器。
中小容量的不控整流领域应用广泛。
38
（二）按控制信号的性质不同分
① 电流控制型器件： 此类器件采用电流信号来实现导通或关断
控制。
如：晶闸管、门极可关断晶闸管、功率晶体 管、IGCT等；
39
② 电压控制半导体器件： 这类器件采用电压（场控原理）控制它的
通、断，输入控制端基本上不流过控制电 流信号，用小功率信号就可驱动它工作。
如：代表性器件为 MOSFET和IGBT。
电能的变换，它相对于整流是一种逆向过程，其 平均功率（能量）是从直流侧 流向交流侧的。 • （4）有源逆变与无源逆变
8
整流器的类型及性能指标
整流器的类型很多，可归纳分类如下： 1.按交流电源电流的波形可分为：
（1） 半波整流。（2）全波整流。 2.按交流电源的相数的不同可分为：
单相桥式全控整流电路
i1
v1
d
is
T1
T3
a
vS
R
id
T2 a 主电路
b
组：两组间、上下 桥臂间触发脉冲相差 180°电角度。
vS
vg
0
2
vd
0
id
0
vT 4 vT1
0
v v
T1
T4
t
t t t
16
几个名词术语
• （1）控制角α: 从SCR承受正向电压时刻起到触发脉冲
1 2ID
基波电流有效值
• 电源基波功率因数角φ1 ＝α； α越大，cosφ1 越小。（结论适于所有相控整流电路）
20
21
原理及波形分析：
与两相半波电路相比：
• 整流输出电压和交流电源电流波形性与两相半波不控整流相同。 • 多用了两个二极管，但可不用有中心抽头的变压器。
中小容量的不控整流领域应用广泛。
38
（二）按控制信号的性质不同分
① 电流控制型器件： 此类器件采用电流信号来实现导通或关断
控制。
如：晶闸管、门极可关断晶闸管、功率晶体 管、IGCT等；
39
② 电压控制半导体器件： 这类器件采用电压（场控原理）控制它的
通、断，输入控制端基本上不流过控制电 流信号，用小功率信号就可驱动它工作。
如：代表性器件为 MOSFET和IGBT。
电能的变换，它相对于整流是一种逆向过程，其 平均功率（能量）是从直流侧 流向交流侧的。 • （4）有源逆变与无源逆变
8
整流器的类型及性能指标
整流器的类型很多，可归纳分类如下： 1.按交流电源电流的波形可分为：
（1） 半波整流。（2）全波整流。 2.按交流电源的相数的不同可分为：
电力电子技术项目化教程配套课件4.2 知识点1：双向晶闸管
例如，一个100A的双向晶闸管与两个反并联45A的普通晶闸管电流容量相等。
9
6.双向晶闸管的触发电路 双向晶闸管触发电路举例一：
10
6.双向晶闸管的触发电路 双向晶闸管触发电路举例二：
（调节方式: 调节RP阻值可改变负载RL上电压的大小。）
11
6.双向晶闸管的触发电路 双向晶闸管触发电路举例三：电风扇无级调速器在日常生活中随处可见,图为常见的电风 扇无级调速器。旋动旋钮便可以调节电风扇的速度。 电风扇无级调速器电路原理图
由于双向晶闸管的内部结构原因，四种触发方式中灵敏度不相同，以Ⅲ+触 发方式灵敏度最低，使用时要尽量避开，常采用的触发方式为（Ⅰ+和Ⅲ-）与 （Ⅰ-和Ⅲ-） 。
8
5.双向晶闸管的参数
双向晶闸管的主要参数中只有额定电流与普通晶闸管有所不同， 其他参数定义相似。 ➢双向晶闸管的额定电流定义为：在标准散热条件下，当器件的单向导通 角大于170°，允许流过器件的最大交流正弦电流的有效值，用IT(RMS)表 示。 ➢ 双向晶闸管额定电流与普通晶闸管额定电流之间的换算关系式为
（a） 内部结构 （b） 等效电路 （c）图形符号
5
2.双向晶闸管的外形与引脚排列
双向晶闸管的外形与普通晶闸管类似，有塑封式、螺栓式、平板式。其内部是 是一种NPNPN五层结构的三端器件。
6
3.双向晶闸管的伏安特性
双向晶闸管有正反向对称的伏安特性曲线。
7
4.双向晶闸管的触发方式
1）Ⅰ+触发方式 ： UT1T2为正；门极电压G为正，特性曲线在第Ⅰ象限，触发灵 敏度最高。 2）Ⅰ-触发方式 ： UT1T2为正，门极电压G为负，特性曲线在第Ⅰ象限，触发灵 敏度较高。 3）Ⅲ-触发方式 ： UT1T2为负，门极电压G为负，特性曲线在第Ⅲ象限，触发灵 敏度较高。 4）Ⅲ +触发方式：UT度最低。
9
6.双向晶闸管的触发电路 双向晶闸管触发电路举例一：
10
6.双向晶闸管的触发电路 双向晶闸管触发电路举例二：
（调节方式: 调节RP阻值可改变负载RL上电压的大小。）
11
6.双向晶闸管的触发电路 双向晶闸管触发电路举例三：电风扇无级调速器在日常生活中随处可见,图为常见的电风 扇无级调速器。旋动旋钮便可以调节电风扇的速度。 电风扇无级调速器电路原理图
由于双向晶闸管的内部结构原因，四种触发方式中灵敏度不相同，以Ⅲ+触 发方式灵敏度最低，使用时要尽量避开，常采用的触发方式为（Ⅰ+和Ⅲ-）与 （Ⅰ-和Ⅲ-） 。
8
5.双向晶闸管的参数
双向晶闸管的主要参数中只有额定电流与普通晶闸管有所不同， 其他参数定义相似。 ➢双向晶闸管的额定电流定义为：在标准散热条件下，当器件的单向导通 角大于170°，允许流过器件的最大交流正弦电流的有效值，用IT(RMS)表 示。 ➢ 双向晶闸管额定电流与普通晶闸管额定电流之间的换算关系式为
（a） 内部结构 （b） 等效电路 （c）图形符号
5
2.双向晶闸管的外形与引脚排列
双向晶闸管的外形与普通晶闸管类似，有塑封式、螺栓式、平板式。其内部是 是一种NPNPN五层结构的三端器件。
6
3.双向晶闸管的伏安特性
双向晶闸管有正反向对称的伏安特性曲线。
7
4.双向晶闸管的触发方式
1）Ⅰ+触发方式 ： UT1T2为正；门极电压G为正，特性曲线在第Ⅰ象限，触发灵 敏度最高。 2）Ⅰ-触发方式 ： UT1T2为正，门极电压G为负，特性曲线在第Ⅰ象限，触发灵 敏度较高。 3）Ⅲ-触发方式 ： UT1T2为负，门极电压G为负，特性曲线在第Ⅲ象限，触发灵 敏度较高。 4）Ⅲ +触发方式：UT度最低。
晶闸管及其应用(10)PPT演示文稿
13
电工电子技术
4.输出电压及电流的平均值
1 π
U UοO 1 ππα πα
u2 dt
2U2sintd(t)
1c2osα0.9U2
IO
UO RL
14
电工电子技术
11.2.2 双向晶闸管及其交流调压
双向晶闸管和普通晶闸管一样，也有塑料封装
型、螺栓型和平板压接型等几种不同的结构。塑料
封装型元件的电流容量只有几安培，目前，台灯调
四 A层
半
导
G
体
K
(a) 外形 (b) 符号
A 阳极
三
P1
个
PN
N1
结
P2
GG
控制极
N2
(c) 结构 K 阴极
5
电工电子技术
晶闸管是用硅材料制成的半导体器件，它有三 种结构形式： 螺栓式、平板式和塑料封装式。平板 式又分为风冷平板式和水冷平板式。
K
G V
K A
G
(a )
K G
图 10 -1 G
A 图形 符号
+ _
K EA > 0、EG > 0
电工电子技术
形成正反馈过程
iB2 iG
iC2 2iGiB1
iC1 β1iC2
12iGiB2
在极短时间内使两个 三极管均饱和导通，此 过程称触发导通。
8
晶闸管导电实验
电工电子技术
（1）晶闸管截止时，
若uA>0, uG≤0，晶闸管 仍然 截止；
（2）晶闸管截止时，
2. 晶闸管控制电路(控制极与阴极之间)加正向 电压或正向脉冲(正向触发电压)。
晶闸管导通后，控制极便失去作用。 依靠正反 馈，晶闸管仍可维持导通状态。
电工电子技术
4.输出电压及电流的平均值
1 π
U UοO 1 ππα πα
u2 dt
2U2sintd(t)
1c2osα0.9U2
IO
UO RL
14
电工电子技术
11.2.2 双向晶闸管及其交流调压
双向晶闸管和普通晶闸管一样，也有塑料封装
型、螺栓型和平板压接型等几种不同的结构。塑料
封装型元件的电流容量只有几安培，目前，台灯调
四 A层
半
导
G
体
K
(a) 外形 (b) 符号
A 阳极
三
P1
个
PN
N1
结
P2
GG
控制极
N2
(c) 结构 K 阴极
5
电工电子技术
晶闸管是用硅材料制成的半导体器件，它有三 种结构形式： 螺栓式、平板式和塑料封装式。平板 式又分为风冷平板式和水冷平板式。
K
G V
K A
G
(a )
K G
图 10 -1 G
A 图形 符号
+ _
K EA > 0、EG > 0
电工电子技术
形成正反馈过程
iB2 iG
iC2 2iGiB1
iC1 β1iC2
12iGiB2
在极短时间内使两个 三极管均饱和导通，此 过程称触发导通。
8
晶闸管导电实验
电工电子技术
（1）晶闸管截止时，
若uA>0, uG≤0，晶闸管 仍然 截止；
（2）晶闸管截止时，
2. 晶闸管控制电路(控制极与阴极之间)加正向 电压或正向脉冲(正向触发电压)。
晶闸管导通后，控制极便失去作用。 依靠正反 馈，晶闸管仍可维持导通状态。
第20章晶闸管及其应用93807 68页PPT文档
通态平均电压（UF）等级一般用A ~ I字母 表示，由 0.4 ~ 1. 2V，每 0.1V 为一级。
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20.2 可控整流电路
20.2.1 单相半波可控整流
T
1. 电阻性负载
1) 电路
+ + uT –
+
u
RL uo
–
–
u < 0 时：
若uG = 0，晶闸管不导通，uo0, uT u。
普通可控硅IF为1A — 1000A。
i
IF含义说明
IF
t
2
IF 21 0Imsi ntd(t)Im
返回
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UF:通态平均电压（管压降）。
在规定的条件下，通过正弦半波平均电流 时，晶闸管阳、阴极间的电压平均值。 一般为1V左右。 IH：维持电流
在室温下，控制极开路、晶闸管维持导通 状态所必须的最小电流。 一般为几十到一百多毫安。
晶闸管返回晶Fra bibliotek管元件电压、电流级别
前一页 后一页
额定正向平均电流IF通用系列为： 1、5、10、 20、30、50、100、200、 300、400、500、600、800、1000A 等14种 规格。
额定电压UFRM通用系列为： 1000V以下的每100V为一级，1000V到3000 V的每200V 为一级。
IG3 > IG2 > IG1 IG3 IG2 IG1=0A
U UFRM UBO
反向特性
正向特性
返回
2. 主要参数
前一页 后一页
UFRM： 正向重复峰值电压（晶闸管耐压值）
晶闸管控制极开路且正向阻断情况下,允
第1章--电力晶体管和晶闸管PPT课件
SCR饱和导通。
A
P1
N1 N1
P2
P2
N2
K a)
A
IA PNP
V1 G IG Ic1
Ic2 R
NPN V2
S
EG
IK
EA
K
b)
图1-4 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理
a) 双晶体管模型 b) 工作原理
〔具体描述〕如果IG(门极电流)注入V2基极，V2导通，产生IC2（ β2IG ）。它同时 为V1的基极电流，使V1导通，且IC1= β 1IC2,IC1加上IG进一步加大V2的基极电流， 从而形成强烈的正反馈，使V1V2很快进入完全饱和状态。此时SCR饱和导通，通
开路情况下，不使元件从断态到通态转换的最大 阳极电压上升率称为断态电压临界上升率。
5）通态电流临界上升率di／dt ：在规定条件下，
晶闸管在门极触发开通时所能承受不导致损坏的 通态电流最大上升率称为通态电流临界上升率。
.
27
六、晶闸管门极伏安特性及主要参数
1、门极伏安特性 指门极电压与电流的关系， 晶闸管的门极和阴极之间只 有一个PN结， 所以电压与 电流的关系和普通二极管的 伏安特性相似。门极伏安特 性曲线可通过实验画出，如 图1-6所示。
➢ SCR一旦导通，门极G将失去控制作用，即无论EG如何，均保持导通状态。SCR 导通后的管压降为1V左右，主电路中的电流I由R和RW以及EA的大小决定；
➢ 当UAK<0时，无论SCR原来是什么状态，都会使R熄灭，即此时SCR关断。其实， 在I逐渐降低（通过调整RW）至某一个小数值时，刚刚能够维持SCR导通。如果 继续降低I，则SCR同样会关断。该小电流称为SCR的维持电流。
为门极触发电流IGT，相应的门极电压称为门极触 发电压UGT。
A
P1
N1 N1
P2
P2
N2
K a)
A
IA PNP
V1 G IG Ic1
Ic2 R
NPN V2
S
EG
IK
EA
K
b)
图1-4 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理
a) 双晶体管模型 b) 工作原理
〔具体描述〕如果IG(门极电流)注入V2基极，V2导通，产生IC2（ β2IG ）。它同时 为V1的基极电流，使V1导通，且IC1= β 1IC2,IC1加上IG进一步加大V2的基极电流， 从而形成强烈的正反馈，使V1V2很快进入完全饱和状态。此时SCR饱和导通，通
开路情况下，不使元件从断态到通态转换的最大 阳极电压上升率称为断态电压临界上升率。
5）通态电流临界上升率di／dt ：在规定条件下，
晶闸管在门极触发开通时所能承受不导致损坏的 通态电流最大上升率称为通态电流临界上升率。
.
27
六、晶闸管门极伏安特性及主要参数
1、门极伏安特性 指门极电压与电流的关系， 晶闸管的门极和阴极之间只 有一个PN结， 所以电压与 电流的关系和普通二极管的 伏安特性相似。门极伏安特 性曲线可通过实验画出，如 图1-6所示。
➢ SCR一旦导通，门极G将失去控制作用，即无论EG如何，均保持导通状态。SCR 导通后的管压降为1V左右，主电路中的电流I由R和RW以及EA的大小决定；
➢ 当UAK<0时，无论SCR原来是什么状态，都会使R熄灭，即此时SCR关断。其实， 在I逐渐降低（通过调整RW）至某一个小数值时，刚刚能够维持SCR导通。如果 继续降低I，则SCR同样会关断。该小电流称为SCR的维持电流。
为门极触发电流IGT，相应的门极电压称为门极触 发电压UGT。
晶闸管电路PPT课件
发射结具有单向导电性，以二极管D表示 等效电路
在两个基极之间加正向电压UBB
伏安特性曲线
当发射极电压为0：UA=RB1×UBB/(RB1+RB2)= UBB
称分压系数(分压比)，一般为0.3~0.9，是单结晶体管 的重要参数
提高发射极电压UE：当UE<UA,PN结反偏,IE几乎为0 RB1呈高阻，单结晶体管截止。
2) 动态特性较好，关断时间较短。 1μs / (5 ~ 30) μs
3) 主要用于直流调压和直流开关电路。 4) 电路简单，工作频率高。
l 符号 与晶闸管相似。
3. 功率晶体管（GTR）
（300A，100V或100A，300V）
l 特点 1) 可在高电压和强电流定额下使用； 2) 正向导通压降（0.3 ~ 0.8）V，功率损耗
R×1
10 ~ 100
”
R×1
50 ~ 500
逆向：G -”,K
“+”
注意：当A—K间为高阻值，而K—G间逆向电阻大于顺向电
阻时，管子良好。
1. 双向晶闸管（TRIAC）
l 特点 1) 三端子NPNPN元件； 2) 采用交流电源； 3) 相当于两只普通晶闸管反并联； 4) 双向控制，简化触发电路； 5) 成本低，可靠性好； 6) 主要应用于家用电器控制，调节交流电压。
半控桥式全波整流电路
电路与二极管桥式全波整流电路相似
负载上有相同 方向电流通过
+–
–+
在u正半周，当无uG出现： T1截至，uo,io为零 在u正半周，当有uG出现： u+T1RLD2u–
在u负半周，当有uG出现： u– T2RLD1u+
无论正负半周，RL上均有电流通过， 负载电压平均值为半波时的一倍
在两个基极之间加正向电压UBB
伏安特性曲线
当发射极电压为0：UA=RB1×UBB/(RB1+RB2)= UBB
称分压系数(分压比)，一般为0.3~0.9，是单结晶体管 的重要参数
提高发射极电压UE：当UE<UA,PN结反偏,IE几乎为0 RB1呈高阻，单结晶体管截止。
2) 动态特性较好，关断时间较短。 1μs / (5 ~ 30) μs
3) 主要用于直流调压和直流开关电路。 4) 电路简单，工作频率高。
l 符号 与晶闸管相似。
3. 功率晶体管（GTR）
（300A，100V或100A，300V）
l 特点 1) 可在高电压和强电流定额下使用； 2) 正向导通压降（0.3 ~ 0.8）V，功率损耗
R×1
10 ~ 100
”
R×1
50 ~ 500
逆向：G -”,K
“+”
注意：当A—K间为高阻值，而K—G间逆向电阻大于顺向电
阻时，管子良好。
1. 双向晶闸管（TRIAC）
l 特点 1) 三端子NPNPN元件； 2) 采用交流电源； 3) 相当于两只普通晶闸管反并联； 4) 双向控制，简化触发电路； 5) 成本低，可靠性好； 6) 主要应用于家用电器控制，调节交流电压。
半控桥式全波整流电路
电路与二极管桥式全波整流电路相似
负载上有相同 方向电流通过
+–
–+
在u正半周，当无uG出现： T1截至，uo,io为零 在u正半周，当有uG出现： u+T1RLD2u–
在u负半周，当有uG出现： u– T2RLD1u+
无论正负半周，RL上均有电流通过， 负载电压平均值为半波时的一倍
晶闸管ppt课件
+-
①开关S断开： 灯L不亮。
②S与1闭合： 门极电位高于阴极电
L
位，门极承受正压，
灯L亮。
③S与2闭合： 门极承受反压，灯L 不亮 。
结论：阳极和门极同时承受正压时，晶闸管导通 。
当晶闸管的阳极电位高于阴极电位，且仅在门极电位高于 阴极时，晶闸管导通。
22
1.晶闸管的导通条件
第十章
实验三：接上实验
——如果电流上升太快，可能造成局部过热而使晶
闸管损坏
39
2、新型电力电子元件简介
(1)双向晶闸管(TRIAC) (2)可关断晶闸管(GTO)
(3)功率晶体管GTR (4)绝缘栅双极型晶 体管IGBT
40
40
第十章
知识回顾
晶闸管的结构 晶闸管的导通条件 晶闸管的主要参数
41
10.3可控整流电路
1
2
K
S
G
A E
+-
①开关S断开： 灯L亮。
②S与1闭合： 门极电位高于阴极电
L
位，门极承受正压，
灯L亮。
③S与2闭合： 门 极 承 受 反 压 ， 灯 L 亮。
结论：晶闸管一旦导通，门极失去作用 。
控制晶闸管的导通只须正向脉冲电压称之为触发脉冲即可。
23
第十章
〔简单描述〕晶闸管SCR相当于一个半可控的、可开不可关的 单向开关。
2. 将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和阴极 间加反相电压。
25
第十章
26
三. 晶闸管伏安特性 (If(U)曲线 )
正向平均电流
I IF
+_
维持电流
UBR URRM
反向转折电压 _
IH o U +
①开关S断开： 灯L不亮。
②S与1闭合： 门极电位高于阴极电
L
位，门极承受正压，
灯L亮。
③S与2闭合： 门极承受反压，灯L 不亮 。
结论：阳极和门极同时承受正压时，晶闸管导通 。
当晶闸管的阳极电位高于阴极电位，且仅在门极电位高于 阴极时，晶闸管导通。
22
1.晶闸管的导通条件
第十章
实验三：接上实验
——如果电流上升太快，可能造成局部过热而使晶
闸管损坏
39
2、新型电力电子元件简介
(1)双向晶闸管(TRIAC) (2)可关断晶闸管(GTO)
(3)功率晶体管GTR (4)绝缘栅双极型晶 体管IGBT
40
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第十章
知识回顾
晶闸管的结构 晶闸管的导通条件 晶闸管的主要参数
41
10.3可控整流电路
1
2
K
S
G
A E
+-
①开关S断开： 灯L亮。
②S与1闭合： 门极电位高于阴极电
L
位，门极承受正压，
灯L亮。
③S与2闭合： 门 极 承 受 反 压 ， 灯 L 亮。
结论：晶闸管一旦导通，门极失去作用 。
控制晶闸管的导通只须正向脉冲电压称之为触发脉冲即可。
23
第十章
〔简单描述〕晶闸管SCR相当于一个半可控的、可开不可关的 单向开关。
2. 将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和阴极 间加反相电压。
25
第十章
26
三. 晶闸管伏安特性 (If(U)曲线 )
正向平均电流
I IF
+_
维持电流
UBR URRM
反向转折电压 _
IH o U +
晶闸管电路经典最新版PPT
正弦半波电流的有效值
触9U发(1电+c或路os和)主反/2电RL路电的电压压波形，管子始终导通。注：此处“反电压”错误。
3）要使晶闸管阻断(截止), 必须切断阳极电源或使阳极
型号及其含义（国产晶闸管）
负载电压平均值为半波时的一倍
3）要使晶闸管阻断(截止), 45U, 晶闸管全导通
u+ T1 RL D2 u–
1) 可在高温下工作；（室温） 2) 加正向导通压降（0.8 ~ 1）V； 3) 反向电压就截止，加正向电压就导通； 4) 额定值可达200A和400V，或更高。
注：它相当于一只开关。
9.2 可控整流电路
半波可控整流电路
半控桥式整流电路
可控
半波可控整流电路
一般为几十mA ~ 一百多mA，其数值与温度成反比，如： 2) 采用交流电源； IC1与IG一起进入T2的基极后再次放大。 2) 当uC=uP, 减小，当IE为0，RB1为几千欧，当IE为20mA左右， 顺向：G “+”,K “-” 当UE=UP时，单结晶体管导通， 2) 在控制极G与阴极K之间加正向电压， 当阳极电压高于转折电压时，元件导通，但这种导通方法 UD为二极管正向压降，约0. 实际上主电路与触发电路只要接在同一电网上可保持同相 晶闸管导通，可以通过很大的电流，而管压降 u– T2 RL D1 u+ 2) 在控制极G与阴极K之间加正向电压， 当 t= t1~ 时(含 t1点)， 因有两个基极，单结晶体管又称 特性与二极管相似，有很小的反 第二基极与发射极之间的电阻为RB2，数值恒定。
较晶闸管（≈1V）小； 3) 基极电流消失或反偏时，晶体管立即截
止（不存在关断问题）； 4) 允许的电流变化率低； 5) 处于导通状态，基极电路功率损耗大； 6) 体积更小，价格更低（比晶闸管）。 达林顿晶体管（200A，500V） 注：复合管，正向导通压降↑，功率损耗↑。
触9U发(1电+c或路os和)主反/2电RL路电的电压压波形，管子始终导通。注：此处“反电压”错误。
3）要使晶闸管阻断(截止), 必须切断阳极电源或使阳极
型号及其含义（国产晶闸管）
负载电压平均值为半波时的一倍
3）要使晶闸管阻断(截止), 45U, 晶闸管全导通
u+ T1 RL D2 u–
1) 可在高温下工作；（室温） 2) 加正向导通压降（0.8 ~ 1）V； 3) 反向电压就截止，加正向电压就导通； 4) 额定值可达200A和400V，或更高。
注：它相当于一只开关。
9.2 可控整流电路
半波可控整流电路
半控桥式整流电路
可控
半波可控整流电路
一般为几十mA ~ 一百多mA，其数值与温度成反比，如： 2) 采用交流电源； IC1与IG一起进入T2的基极后再次放大。 2) 当uC=uP, 减小，当IE为0，RB1为几千欧，当IE为20mA左右， 顺向：G “+”,K “-” 当UE=UP时，单结晶体管导通， 2) 在控制极G与阴极K之间加正向电压， 当阳极电压高于转折电压时，元件导通，但这种导通方法 UD为二极管正向压降，约0. 实际上主电路与触发电路只要接在同一电网上可保持同相 晶闸管导通，可以通过很大的电流，而管压降 u– T2 RL D1 u+ 2) 在控制极G与阴极K之间加正向电压， 当 t= t1~ 时(含 t1点)， 因有两个基极，单结晶体管又称 特性与二极管相似，有很小的反 第二基极与发射极之间的电阻为RB2，数值恒定。
较晶闸管（≈1V）小； 3) 基极电流消失或反偏时，晶体管立即截
止（不存在关断问题）； 4) 允许的电流变化率低； 5) 处于导通状态，基极电路功率损耗大； 6) 体积更小，价格更低（比晶闸管）。 达林顿晶体管（200A，500V） 注：复合管，正向导通压降↑，功率损耗↑。
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V
关断条件： （两个条件需满足其一即可） 阳极电流小于维持电流 ( Ia < IH )
主电极与主电极之间电压降到零
G
门极
T1
主电极
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双向晶闸管伏安特性
VT1>VT2： 控制极相对
T2 －
型号与系列值
双向晶闸管的型号为KS□—□，例如KS100—8 表示双向晶闸管，额定通态电流（有效值） 100A，断态重复峰值电压为8级（800V）。 双向晶闸管额定通态电流IT(RMS)的系列值为：1A、 10A、20A、50A、100A、200A、400A、500A。 额定电压的分级同普通晶闸管。
双向晶闸管的门极控制
双向晶闸管的控制方式常用的有两种： ➢第一种为移相触发，与普通晶闸管一样，是通过 控制触发脉冲的相位来达到调压的目的。 ➢第二种是过零触发，适用于调功电路及无触点开 关电路
通，电流从T1流向T2。
VT2>VT1时，控制极相对于T2加 负脉冲，晶闸管反向导
设疑
我们知道单向晶 闸管导通和关断 是有条件的。那 么，对于双向晶 闸管来说，它是 怎样导通和关断 的呢？
通，电流从T2流向T1。
导通条件： （两个条件均需满足） 主电极与主电极之间加足够正向或反向电压
主电极
T2
门极与主电极之间加足够正向或反向电压
知识回顾 单向晶闸管
1、图形符号
阴极
门极
阳极
单向晶闸管外形
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2、单向晶闸管的导通关断条件
单向晶闸管具有： 单向导通的可控性。
导通条件： （两个条件均需满足） 阳极与阴极之间加正向电压 门极与阴极之间加正向电压
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常见双向晶闸管引脚排列
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二、双向晶闸管特性
VT1>VT2时，控制极相对于T2加正脉冲，晶闸管正向导
温馨的床当头之处灯，请如联系本何人或来网站实删除现。 调光呢
？
怎么 办？？
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双向晶闸管
教学目标 【知识目标】掌握双向晶闸管的结构及工作特性 【能力目标】培养学生“做中学”的探索性思维 教学重点和难点
（4）Ⅲ－触发方式
阳极电压为第一阳极 T1为 负，T2为正；门极电压是 G为负，特性曲线在第Ⅲ 象限，为负触发。
四种触发方式中，Ⅲ+触发方式的触发灵敏度最低，因此实际 应用中只采用（Ⅰ+、Ⅲ－）与（Ⅰ－、Ⅲ－）两组触发方式。
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于T2加正脉
冲，晶闸管
G
正向导通，
T1 ＋
电流从T1流
向T2。
VT2>VT1： 控制极相对 于T2加 负脉 冲，晶闸管 G 反向导通， 电流从T2流 向T1。
T2 ＋
T1 －
14-2
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（2）Ⅰ－触发方式
阳极电压为第一阳极 T1为 正，T2为负；门极电压是G 为负，特性曲线在第Ⅰ象 限，为负触发。
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三、双向晶闸管的触发方式
（3）Ⅲ+触发方式
阳极电压为第一阳极T1 为 负，T2为正；门极电压是 G为正，特性曲线在第Ⅲ 象限，为正触发。
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三、双向晶闸管的触发方式
双向晶闸管正反两个方向都能导通，门极加正负电压都能触发。 主电压和触发电压相互配合，可以得到四种触发方式：
（1）Ⅰ+触发方式
阳极电压为第一阳极 T1为 正，T2为负；门极电压是G 为正，特性曲线在第Ⅰ象限， 为正触发。
关断条件： （两个条件需满足其一即可） 阳极电流小于维持电流 ( Ia < IH ) 阳极与阴极间加反向电压或正向电压降到零
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讲授新课 当之处，请联系本人或网站删除。 一、双向晶闸管结构、符号
1、外形与结构：五层(NPNPN)三端的 硅半导体闸流元件。相当于两个门极接 在一起的普通晶闸管反并联。
【重点】双向晶闸管的导通关断条件 【难点】双向晶闸管调光电路的安装与调试
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知识回顾 晶闸管种类
晶闸管种类
普通晶闸管 双向晶闸管 快速晶闸管 可关断晶闸管 光控晶闸管 逆导晶闸管
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ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱT2
2、图形符号
主电极
T2
G G
T1
G
门极
VT
T1
主电极
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常见双向晶闸管的外形
主电极
T2
G 门极
T1 主电极
螺栓式 塑封式 平板式
双向晶闸管从外观上看， 和普通晶闸管一样，有小 功率塑封型、大功率螺栓 型和特大功率平板型。一 般调光台灯、吊扇无级调 速等多采用塑封型。