关于PECVD真空系统改造方案
PECVD的工作原理
PECVD的工作原理PECVD是一种常用的化学气相沉积技术，其工作原理是通过在真空环境中将气体化合物分子分解成反应物，并在衬底表面上沉积形成薄膜。
下面将详细介绍PECVD的工作原理。
1. 真空环境的建立在PECVD过程中，首先需要建立一个高真空环境，通常使用真空泵将气体抽出，使得反应室中的压力降低到10^-6到10^-3毫巴的范围内。
这样可以避免气体分子与其他杂质发生碰撞反应，确保反应的纯度和可控性。
2. 气体供给系统在PECVD过程中，需要提供适当的气体供给系统。
通常使用气体罐或者气瓶将所需的气体引入反应室中。
常用的气体包括硅源气体（如二甲基硅烷、三甲基硅烷等）、氨气、氮气等。
这些气体在反应室中会发生化学反应，生成所需的薄膜材料。
3. RF功率供给系统PECVD过程中需要提供高频电场来激发气体分子，使其发生化学反应并沉积在衬底表面上。
通常使用射频（RF）功率供给系统提供高频电场。
RF功率的频率一般在13.56兆赫兹，功率的大小可以根据具体需求进行调节。
4. 反应室和衬底PECVD的反应室通常由高温石英玻璃制成，具有良好的耐高温和化学稳定性。
衬底是薄膜沉积的基板，可以是硅片、玻璃片等。
在PECVD过程中，衬底被放置在反应室中，通过加热使其达到所需的温度。
5. 气体分解和反应在PECVD过程中，气体分子首先被引入反应室中，然后通过高频电场激发，使其分解成反应物。
分解后的反应物会发生化学反应，并在衬底表面上沉积形成薄膜。
这些反应可以是氧化、氮化、硅化等不同类型的化学反应，具体反应类型取决于所使用的气体组合。
6. 薄膜生长控制在PECVD过程中，薄膜的生长速率和性质可以通过控制反应室中的气体流量、温度、压力等参数来实现。
例如，增加气体流量可以增加薄膜的生长速率，提高温度可以改善薄膜的结晶性等。
通过调节这些参数，可以实现对薄膜生长过程的精确控制。
7. 薄膜特性检测在PECVD过程结束后，需要对沉积的薄膜进行特性检测。
PECVD(真空镀膜)项目可行性研究报告
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可行性研究报告是在制定某一建设或科研项目之前，对该项目实施的可能性、有效性、技术方案及技术政策进行具体、深入、细致的技术论证和经济评价，以求确定一个在技术上合理、经济上合算的最优方案和最佳时机而写的书面报告。
可行性研究报告主要内容是要求以全面、系统的分析为主要方法，经济效益为核心，围绕影响项目的各种因素，运用大量的数据资料论证拟建项目是否可行。
pecvd工艺原理及改良点
现在有以下几个问题要解决：
1.提高硅片表面的氢含量，提高表面钝化（但是氢含量的升高会造成应力的增大，造成
薄膜易龟裂）
2.适当提高折射率
3.降低反射率
4.提高薄膜均匀性（增大硅烷流量会使沉积速率增加，增大反应压强会使速率增加，对折
射率影响较小）
5.若能达到以上效果，考虑适当较小膜厚，这样可以提高产量并降低成本。
6.提高射频功率对电离能大的气体(SiH4)影响更大。
目前jusung的设备为板式射频镀膜机，工艺时通入氮气是用来稀释硅烷
提高气体压力，射频功率和硅烷的比例都可以增加沉积速率
Psg后的硅片长时间暴露在空气中，空气中的水汽会逐渐凝聚在硅片表面，形成一层水汽膜，会提高漏电流。
等离子体的性质：通常气体分子是电中性的物质，成绝缘性，但在电离状态下，气体分子产生大量离子和电子，此时具有导电性。
等离子状态是指当电离气体中正电荷密度和负电荷密度相等时的电中性状态。
射频放电的频率一般在13.56Hz，腔内的电极产生一个频繁变换的电场，气体分子被电离并获得强大的能量，之后吸附在基片表面进行粒子重组形成薄膜。
PECVD方法得到的薄膜是一种非平衡态的薄膜，具有较大的内应力。
影响等离子状态的参数包括：
1.基片温度，基片有无偏压作用
2.气体压力，流量；稀释气体种类、含量，有无掺杂气体和掺杂气体流量比
3.放电功率，激发频率，耦合方式
4.基片种类，晶向，反应前处理，升降温速率
5.反应装置类型及固有因素。
PET装置真空系统的改造
收稿日期:2009202219。
作者简介:刘轶群(19712),女,江苏南通人,工程师,工学学士,从事化纤技术管理工作。
PET 装置真空系统的改造刘轶群(中国石化洛阳分公司,河南 洛阳 471012)摘要:介绍了EG 蒸气喷射真空泵运行原理和结构特点,从EG 单耗,废水排放量和综合能耗等方面对改造后的生产运行情况进行了分析,指出了PET 生产中EG 蒸气喷射泵取代水蒸气喷射泵的优越性。
关键词:PET;真空系统;EG 蒸气喷射泵中图分类号:T Q323141 文献标识码:B 文章编号:100828261(2009)03200432030 前言 洛阳石化20万t/a PET 装置采用杜邦工艺,由CP 21和CP 222条生产线组成,其中CP 21线直纺短纤,CP 22线直纺长丝。
其真空系统采用116MPa 水蒸气四级喷射,每小时消耗3.8t 蒸气和400t 循环水。
自2000年开工以来,一旦公用工程波动,真空系统就会受到大幅影响,进而影响到PET 装置的平稳运行。
同时由于水蒸气不断地冲刷,使真空泵的喷嘴磨损严重,导致真空系统能力不足。
在生产过程中,水资源消耗量过大并产生大量含有机物的废水,使得PET 装置与同类型企业相比,能耗过高,污水处理的负担重。
为提高PET 装置的运行可靠度,加强节水减排工作,决定对真空系统进行改造,用EG 蒸气喷射泵取代水蒸气喷射泵,已在2008年5月份实施。
1 EG 蒸气喷射真空泵原理及结构特点 EG 蒸气喷射真空泵由喷嘴、混合室、扩大室等组成,内部构造如图1所示。
其工作过程可分为绝热膨胀、混合和压缩3个阶段。
在绝热膨胀阶段,工作蒸气通过缩放喷嘴后,压力能转化为速度能,以极高的速度进入扩压器,同时工作蒸气的压力在喷嘴出口处下降得很低,于是被抽气体由气体入口处冲入混合室;在混合阶段,工作蒸气与被抽气体发生碰撞、混合,进行能量交换,到扩压器喉部完成混合,2种气体达到同一速度;在压缩阶段,经过扩压器喉部后,混合气速度降低,压力进一步上升,在扩压器出口达到大气压力或后一级喷射器的入口压力,把被抽气体排出。
PECVD常见问题及其解决方案
清洁感应器
总电源无法开启
欠压保护继电器烧坏
Load chamber: water failure WW1（或是其它数字序号）
Process chamber: water failure WW3（或其它数字序号）
Microwave 7: gen. error(1-8号任意一个等离子源，即微波源有错误不能启动)
刚刚启动控制软件的时候
不明，但与冷却水压有关
结束工艺后往工艺腔中填充氮气的时候
System: water failure WW5(或者是其它数字序号)
1.刚刚开机的时候；
2.启动等离子源半分钟到2分钟之内。
冷却水流量不过，原因是水压超出正常范围
首先关闭停止工艺，关闭软件，调整冷却水进水口和出水口的水压进水3±0.2bar，出水2±0.2bar，再启动软件
启动等离子体后0.5-2分钟内
与冷却水有关，可能会与上述错误同时发生
同上
加热器报错
Load chamber: infrared heater error contactor
启动等离子源后0.5-2分钟之内，且这三个报错一般同时出现
一般是由于冷却水流量报警时间超过微波电源的最长允许时间，微波电源启动安全联锁,启动加热器报警。
停止工艺，关闭软件，重新调整冷却水压，进水3±0.2bar，出水2±0.2bar，再启动软件
Process chamber: heater 2 error contactor
System: N2pressure to low
在连续向上料、下料和工艺腔中充氮气的时候
氮气压力过低，是进气口流量不够的表现
某个腔的压力开关出错，无法发送“>900mbar”或“<1mbar”的信号，导致腔与腔之间的闸门阀无法打开
PECVD项目可行性研究报告范文
PECVD项目可行性研究报告范文真空镀膜（PECVD）项目可行性研究报告一、项目背景与目标随着科技的不断进步，新材料的应用领域日益扩大，其中真空镀膜技术由于其独特的优势在多个领域得到广泛应用。
在这种背景下，本项目旨在建立一套完整的PECVD真空镀膜生产线，满足市场对高质量镀膜产品的需求。
二、市场分析1.PECVD技术的应用领域广泛，包括光电子、半导体、太阳能等多个行业，具有很大的市场潜力。
2.随着科技的进步，对材料性能的要求也越来越高，高质量的镀膜产品市场需求量不断增加。
三、技术分析1.PECVD技术是通过将原料气体引入真空室，利用高频电场和磁场激活原料气体，使其发生反应并沉积在基底上，形成薄膜。
2.该技术具有镀膜速度快、沉积均匀、成本低等优点，适用于多种材料的镀膜。
四、项目实施方案1.建立PECVD真空镀膜生产线，包括真空室、高频电场发生器、磁场发生器、原料气体供给系统等。
2.确定合适的材料和工艺参数，以满足不同行业对镀膜产品的需求。
五、经济效益分析1.镀膜产品具有较高的附加值，市场价格相对较高，可带来较高的销售收入。
2.镀膜生产线投资成本较高，但具有较长的使用寿命，可以提供长期稳定的产能。
3.项目运营期间，通过提高产能利用率、优化生产流程以及降低能源消耗等措施，可以降低生产成本，提高盈利能力。
六、投资回报分析1.根据预测的市场需求量和售价，通过建立PECVD真空镀膜生产线可以实现年销售收入X万元。
2.预计项目投资为Y万元，包括设备采购、厂房建设、人员培训等。
3.假设年运营成本为Z万元，包括设备维护费用、人员工资等。
4.在年销售收入和运营成本的基础上，计算投资回报率（IRR）、净现值（NPV）等指标，评估项目的经济效益。
七、风险分析1.市场竞争激烈，需充分了解市场需求，提供高质量的产品以获取竞争优势。
2.技术风险，需要具备一定的技术实力，以保证生产线的稳定运行。
3.政策风险，可能涉及到环保、安全等政策要求，需遵守相关法规。
pecvd真空电子压力表设定(最新80F)
一、 设置方法
1. 界面按钮说明：
：变更设定值
:设置、确认、返回上一层
2. 设置流程图：
长按设置键 三秒，进入[ F 0 ]单位切换功能
选定单位后按 确定返回上级，[ F 0 ]设定完成
设定 H_2 值为：0
选择设定颜色后按 键确认返回功能设定模式
[ F 2 ]功能设定完成
长按 键返回初始界面，参数设定完成
按 或 键选择[ F 1 ]，按 键进入输出模式设定
选择 1_n 后按 键进入设定
设定 n1L 值为：0.15 ， n1H 值为：0.26
设定好输出值后按 键确认
Hale Waihona Puke 设定 H_1 值为：0
选择设定颜色后按 键确认返回功能设定模式
[ F 1 ]功能设定完成
按 或 键选择[ F 2 ]，按 键进入输出模式设定
选择 1_P 后按 键进入设定
设定 P1L 值为：-15.95 ， P1H 值为：-0.05
设定好输出值后按 键确认
PECVD 改造结果
保定英利二公司PECVD设备改造评估报告保定英利二公司电池车间PECVD设备在厂家的配合下进行了改造。
涉及到的主要改造内容是：在原有4个微波电源的基础上增加两组微波电源，使石英管的数量由原来的4根增加为6根。
改造目的：进一步优化镀膜后硅片的均匀性、优化工艺提高电池转换效率、增加设备产能。
一：工艺调整11月12日PECVD-7线进行例行维护，维护后对厂家工艺参数进行了部分调整。
具体如下：二：膜厚折射率及其均匀性维护后，膜厚要求控制在83±2nm、折射率要求在2.09±0.02、膜厚均匀性要求在1以内，目前PECVD-7线已运行70小时，其膜厚折射率和均匀性2小时测试一次，基本正常，具体见下表：由上表可见，新工艺的膜厚、折射率及其均匀性在70小时的运行时常内是十分稳定的。
运行70小时（截止目前）内工艺上的变动有：1、带速由生产初的150升至目前的198cm/min（满足设计产能）。
2、相位在第30小时处由5增至10。
其它参数均无变动。
三：参数对比及跟踪11月14日，在PECVD前均匀分片两批，每批200片，分别投入7线和8线PECVD，然后走同一印刷烧结测试，对比其电参，结果如下：PECVD-7线生产的电池要求全部投入印刷4线进行生产，以下是截取近期生产线上的测试数据，进行对比，结果如下：PECVD-7线生产的电池要求全部投入印刷4线进行生产，以下是截取近期生产线上的测试数据，进行对比，结果如下：由上表可以看出，12号以前，7线PECVD其生产数据基本和黄颜色的平均数据持平；但在12号以后，其红颜色的PECVD-7线的生产数据要优于其它线的数据，基本和上述严格分片对比的数据一致。
综上所述，7线PECVD改造完成后。
通过修改工艺参数，在同等功率下按带速计算，产能提升了26%。
保证膜厚及折射率的工艺要求，并且均匀性和稳定性较改造前有所改善。
电池在电参数表现上要比未改造的生产线有小幅提升。
PET装置真空系统的改造及节能
能耗 比较表 。通 过 表 １的数 据 可知 ， 在相 同负荷 下 ， 热 量 消耗 减少 了 ４ ％ ， 环 冷 却 水 量 减 少 了 １％ ， ０ 循 ７ 且 不再 需 要软水 ， 也无 须处 理废 水 ， 有 这些 都 大大 所 节 约 了能 源 ， 高 了工 程价 值 。 提
作者简介 ： 网兰 （９ ２ ） 男 ， 高 １８ ． ， 江苏兴化人 ， 助理工程师 ， 工学学士 ， 从事化工工程设计工作 。
第 ２期
高 网兰 ， ：Ｅ 等 Ｐ Ｔ装 置真 空 系统 的改造 及节 能
４ １
家 倡导 的节 能 减 排 政 策 。 为 提 高 Ｐ Ｔ装 置 的运 行 Ｅ 可 靠度 ， 强节 水减 排 工作 ， 加 浙江 赐 富化纤 有 限公 司 提 出 了对真 空 系统 进 行 改 造 的 计 划 ， 由扬 州 惠通 并 化 工技 术有 限 公 司承接 该改 造项 目。通 过对 现行 真 空 系 统 的研 究 ， 定 采用 Ｅ 决 Ｇ蒸 气 喷 射 泵 取代 水 蒸 气 喷射 泵 。
Ｅ Ｇ蒸气喷射泵代替原来的 四级水蒸气 喷射泵 。为 得到较高的真空度 ，Ｇ蒸气喷射泵采用多级 串联 的 Ｅ 形式。在多级串联喷射系统里 ， 前一级喷射器喷出 的气流中不仅有被抽气体 ， 而且还有该级 的工作蒸 气 ， 后一 级 的 负 担 增 加 ， 减 少 后 一 级 的蒸 气 消 使 为
ＧＡＯ ａ —ａ ＳＨＩＤｉ ｇ ｌｎ Ｗ ｎｇ ｌ ｎ， ｎ —ｉ
（ ａｇｈｕＨ ｉ ｎ ｈｍｉ ｌ ｎｉｅｒ ｇ ｅｈｑ ｅＣ ． ｔ． Ｙ ｎｚｏ ２０ ９ Ｃ ｉａ Ｙ ｎｚｏ ｕｔ ｇＣ ｅ ｃ ｇｎｅｉ ｃｉｕ ｏＬｄ ， ａｇｈｕ２ ５０ ， ｈｎ ） ｏ ａＥ ｎＴ
用 ， 达 到节 水减 排 的效果 。 并
PECVD RF系统原理和故障改善
55中国设备工程Engineer ing hina C P l ant中国设备工程 2019.05 （上）随着显示技术的快速发展，PECVD 技术(等离子增强化学气相淀积)作为非金属薄膜沉积工艺，应用越来越广泛,它利用低压下气体辉光放电过程来激活分子，从而降低了化学气相淀积的温度。
在当前各种等离子放电装置中，射频电源通常采用固定频率为13～14MHz 、输出阻抗恒定50～75Ω的功率源。
通常PECVD 反应室的负载阻抗与功率源的阻抗相等的几率是极小的，并且负载的阻抗随着工艺条件如气体，压力等改变发生非线性变化，射频功率源与负载间的阻抗存在不同程度的失配现象，导致射频传输线上存在反射功率，射频功率源产生的功率无法有效传输至负载，能量被耗散。
如图1所示，需将匹配器连接于射频电源与反应室之间，通过改变匹配器阻抗值大小，使匹配器能够补偿射频电源输出阻抗与真空反应室负载阻抗之间的差值，达到阻抗完全匹配的目的，从而使射频电源的输出功率能够有效地传输到反应室中进行等离子体激发。
图1 射频阻抗匹配系统示意图1 PECVD RF 系统1.1 PECVD RF 系统构成PECVD G8.5设备 RF 系统构成如图2，包括RF Generator ，RF match ，反应腔室。
RF Generator：射频发生器，频率13～14MHz 可变。
PECVD RF 系统原理和故障改善周立,杨晓东,金哲山,董杰,周东淇,张猛,胡毓龙,李应胜（北京京东方显示技术有限公司，北京 100176）摘要：本文介绍了PECVD G8.5设备RF 系统的结构和工作原理。
结合PECVD 设备在实际生产过程中反射功率过高的问题，通过RF Generator 设置，RF match 电容配比实验，设备故障以及备件管理的分析，制定了相应的解决对策，从而实现RF 系统阻抗匹配，降低RF 系统故障发生率。
关键词：PECVD；阻抗匹配；反射功率；射频发生器；匹配器中图分类号：O484 文献标识码：A 文章编号：1671-0711（2019）05（上）-0055-02RF Match：射频匹配器，由Load 电容和Tune 电容并联构成，Load 电容实现负载电阻匹配，Tune 电容实现负载相位匹配，与反应室串联。
实验三十五 等离子增强化学汽相沉积(PECVD)制备薄膜材料2
实验三十五等离子增强化学气相沉积制备介质薄膜材料实验名称：等离子增强化学气相沉积（PECVD）制备介质薄膜材料实验项目性质：综合训练所涉及课程：集成电路工艺原理计划学时：2学时一、实验目的1．了解真空的获得方法和测量技术；2．了解机械泵、工作原理和操作方法；3．掌握化学汽相沉积法制备薄膜材料的原理和方法。
二、实验原理1．真空的获得和测量真空存在于一个封闭的且压力比周围大气压小很多的环境中。
压强大于102Pa的低真空系统只需初级泵（如机械泵）就可获得。
中级真空和高级真空的获得需要初级泵(前级泵）和高级泵（次级泵）共同作用，如图1所示。
图1高真空系统与真空环境获得方法密切相关的是真空的测量技术，根据真空度（气体压力）的范围的不同，其测量方法和原理也各不同。
真空测量元件常被称为真空规，真空测量技术分为低真空和高真空测量，常用的有三种方法：热偶真空规：气体的热导率随气体压力变化，通过热电偶测出热丝的温度，也就相应的测出了环境的气体压强。
测量范围0.1-100Pa.薄膜真空规:通过薄膜在气体压力差下产生机械位移，测量电极间电容，对气压进行绝对测量，测量结果与气体种类无关。
测量范围：10-3 - 100Pa 电离真空规:由阴极，阳极和离子收集极组成，热阴极发射电子飞向阳极的过程中，使气体分子电离，并被离子收集极收集形成电流，根据离子电流测出气体压强。
测量范围：10-9 - 1Pa2．等离子体增强化学气相沉积制备薄膜的基本原理化学气相沉积（CVD）是制备各种各样薄膜材料的一种重要和普遍使用的技术，利用这一技术可以在各种基片上制备元素及化合物薄膜。
在化学气相沉积过程中，气体与气体在包含基片的真空室中相混合。
在适当的温度下，气体发生化学反应将反应物沉积在基片表面最终形成固态薄膜。
在所有化学气相沉积过程中所发生的化学反应是非常重要的。
等离子增强化学气相沉积（PECVD）是使用等离子体能量来产生并维持CVD 反应。
等离子体的基本作用是促进化学反应，在等离子体中电子的平均能量（1-20eV）足以使大多数气体电离或分解，从而使PECVD的反应温度远低于LPCVD的反应温度，各种薄膜材料都可以在温度敏感的基片上形成。
PET装置真空系统的改进
待专用工具加工制作好后 ， 将尼龙穿线沿穿线 管 送人 液封 槽后 ， 继续 往穿 线 管 内喂送尼 龙穿 线 ， 直 到尼龙穿线的输送高度穿过整条下液管 ， 到达刮板 冷凝器 内。此时要注意的是 ， 操作此项工作之前 ， 一 定要关停刮板冷凝器的搅拌装置 ， 以免尼龙穿线达 到刮板 内的时候被搅拌轴卷入引发事故 。这样 ， 通 过 此种 简便 实用 的方 法 ， 利 用 尼龙 穿线 强 行 捅 开 下
因为低 聚物从 气象 管线 出来 部分 会 附着在 刮板 冷凝 器 的 内壁 上 ， 有 部 分死 角 位 置 刮 板 冷凝 器 的搅 拌 刮刀无 法 清理 到 ， 长 时 间运行 后 ， 刮板冷 凝器 的内 壁上 低 聚物 积累 到一 定 数 量 后 ， 会 大 量 整 体掉 入下 液管 ， 如掉 入 低聚 物体 积过 大无 法通 过下 液管 时 ， 即 会造 成下 液管 堵 塞 ， 引发事故 。 在 刮板 冷 凝 器 的鞍 座 增 加振 动 电机 ， 专 门针对 刮 板冷 凝器 内壁 积聚 低 聚物事 项 。因刮 板冷凝 器 考 虑 热膨胀 ， 鞍座下 采用 的是 弹 簧底座 ， 在 鞍座 上增 加 振 动 电机是 可行有 效 的 。如 图 ３所示 ， 经 测算 ， 在 鞍
关键 词 ： Ｐ Ｅ Ｔ； 真 空 系统 ； 优 化 中 图分 类 号 ： Ｔ Ｑ ３ ２ ３ ． ４ １ 文献 标 识 码 ： Ｂ 文章编号 ： １ ０ ０ ８ — ８ ２ ６ １ （ ２ ０ １ ６ ） ０ ６ － ０ ０ ４ ４ － ０ ２
０ 前言
江苏盛虹科技 股份有 限公 司 自２ ０ ０ ３至今共 引进 了中纺院年产 ２ ５ 万ｔ Ｐ Ｅ Ｔ装置 ６套 ， 中纺 院工 艺包设 计的是五釜 流程 ， 整个 工艺包分 为 ２个 阶段 。第 一 阶 段为原料精对苯二 甲酸与 乙二醇 的酯化 反应生成对苯 二 甲酸乙二醇酯 ， 第二 阶段 为缩 聚反应 ， 即低分子链 的 对苯二甲酸 乙二醇酯缩 聚成高分子链 的聚对苯二 甲酸
PECVD工艺及流程
判断PECVD 的产出硅片的质量
氮化硅颜色与厚度的对照表
颜色
硅本色
褐色 黄褐色 红色 深蓝色 蓝色 淡蓝色
厚度 （nm）
0-20
20-40 40-50 55-73 73-77 77-93 93-100
颜 色 厚度（nm） 颜 色 厚度（nm）
加热系统：位于石英管外，有五个温区。
PECVD设备结构
冷却系统： 是一套封闭的循环水系统，位于加热系统的金属外
壳，四进四出并有一个主管道，可适量调节流量大 小。 冷却系统的优点
没有消耗净室空气 不同管间无热干涉 炉环境的温度没有被热空气所提升 空气运动（通风装置）没有使房间污染 噪音水平低
Alarms：警报内容 Help: 简要的说了一下解除警报以及其他方面的方法 CESAR：控制电脑，每一个系统都安装了CESAR控制
电脑及CESAR 控制软件，此控制电脑独立于 主电脑独立于主电脑系统中。
控制界面
运行顺序控制
数据资料记录
温度
特气
真空
晶片装载
CESAR控制电脑示意图
判断PECVD 的产出硅片的质量
冷却系统示意图
PECVD设备结构
特气柜：MFC 气动阀
MFC：气体流量计（NH3 CF4 SiH4 O2 N2）
SiH4
1.8 slm
NH3
10.8 slm
CF4
3.6 slm
O2
3 slm
N2
15 slm
气动阀：之所以不用电磁阀是因为电磁阀在工作时容易产 生火花，而气动阀可以最大程度的避免火花。
单（多）晶颜色差：
PECVD工艺流程
PECVD工艺流程PECVD工艺流程一、工艺过程1.启动真空泵，先抽中间工艺腔室，再抽两头的装载、卸载腔室。
2.待工艺腔室真空到达5.0e-3时，启动加热器，将其激活。
3.将4个微波源进行复位。
4.复位后开始输送特气NH3、SiH4.5.待温度达到400℃查看工艺方案状态，检查参数是否与之前一致。
6.选择工艺号，进行加载开启。
7.待工艺开始运行后，启动传动，进行石墨舟预热（约2-3次）二、原材料及注意事项1.核对上道工序流过来的产品，检查数量是否与流程单一致，并检查产品是否有缺角，裂纹，挑出退回。
2.上料时要轻，稳，准，尽量避免人为造成碎片。
3.下料时也要轻，稳，准，尽量避免人为造成碎片。
4.下料的同时要检查镀膜质量，首先用眼光判断是否有需要返工待产品，如：绒面色斑，镀膜不良，亮点，水痕印，手指印，刻蚀线过宽，盒子印是否过大，吸盘印。
5.从下料的产品中抽取6—10片进行膜厚与折射率待测试，如有变动则需要修改参数（具体修改视实际情况而定）。
6.将下料好的产品与流程单一起流到下道工序，确保数量与流程单一致，并确保产品中无缺角，碎片等。
三、工艺操作规范1. 上料时要戴好乳胶手套，用吸盘进行装片，装满一舟进行镀膜（一舟为36片）。
2. 如不满36片则用假片补充。
或用下一张流程单的片子进行补满，应做好标记（如在舟边上放一小片碎片）。
3. 待石墨舟经过上料腔，加热腔，工艺腔，冷却腔，下料腔后进行下料。
4. 下料时也要戴好乳胶手套，用吸盘进行取片，同时检查镀膜质量。
5. 如实记录一天产量，报废及返工片，测试记录与设备运行记录。
四、安全1. 石墨舟属于贵重物品，在存放，搬运，使用过程中需小心谨慎，不可将其损坏。
2. 硅片也属于贵重物品，在生产时要小心认真，尽量避免人为损坏。
3. 上下料时石墨舟处于高温状态，注意避免被其烫伤，应用耐高温手套进行搬取。
4. 破碎的硅片十分锋利，小心手指或其他人体部位被其刺伤或划伤。
一种PECVD镀膜设备的真空缓冲系统[实用新型专利]
![一种PECVD镀膜设备的真空缓冲系统[实用新型专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/8265f98e9b6648d7c0c7469a.png)
专利名称：一种PECVD镀膜设备的真空缓冲系统专利类型：实用新型专利
发明人：严汉元
申请号：CN201120298524.5
申请日：20110817
公开号：CN202369636U
公开日：
20120808
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本实用新型提供了一种PECVD镀膜设备的真空缓冲系统，包括真空室，真空室管路连接真空泵，其特征在于：在真空室与真空泵之间的管路上连接有一真空缓冲罐，在真空缓冲罐与真空室之间设有电动阀门，电动阀门连接真空室的进料门打开关闭传感器及设于真空室内的压力传感器。
由于真空缓冲罐的缓冲作用，本实用新型对生产效率的提高和质量的提高有积极的意义，生产效率的提高主要是因为抽真空时间的缩短；膜的质量的提高主要是因为真空室真空度的稳定性提高，使镀膜的条件更加理想化所致。
同时，经过本实用新型的改进，可以大大的延长真空泵的使用寿命，经过和原来真空泵的使用寿命和故障率对比，使用寿命延长一倍以上，故障率下降50%以上。
申请人：百力达太阳能股份有限公司
地址：314512 浙江省嘉兴市桐乡市河山镇工业园
国籍：CN
代理机构：上海申汇专利代理有限公司
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等离子增强化学气相沉积系统PECVD技术指标
设备名称
数量
功能及技术参数
1、必要功能：
采用等离子体增强化学气相沉积方法生长碳纳米材料、SiO2, Si3N4等介电膜。
2、主要技术பைடு நூலகம்标：
1）、生长腔室∶大于Φ内250X250（优质不锈钢材质，循环水冷，3个观察窗、一个电弧法兰、两个高压法兰、抽气法兰、放气以及充气法兰）。
2）、真空系统：极限真空度：10-5Pa。系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S；系统从大气开始抽气，40分钟可达到6.6x10-4 Pa；停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa。
其他要求
质保期
1年
售后服务及培训要求
现场培训，厂家负责设备调试、培训操作人员，终身提供技术支持。质保期内设备的维修免费，质保期以外的设备的维护，只收取成本费，所有配件、备件质保期外可长期按成本价及时提供。在接到用户要求进行技术支持的通知后，应在48小时内赶到技术服务现场。
交货时间及地点
合同签订后5个月内，温州大学
3）样品台：>25mm，可手动升降；加热温度1000℃，程序控温；控温精度为±1℃。
4)、四路质量流量计控制工作气体和反应气体并配相应的截止阀
5)、电控系统：电源：射频溅射电源一台，功率500W；样品控温电源一台；机械泵、真空室照明控制电源一台。分子泵、真空计、总控电源一台。所有电源均安放在一个标准电控机柜中。
6)、整套系统安装在一型钢结构的支撑架上，支撑架上方铺盖不锈钢装饰板，围板和支撑架喷塑处理；配备溅射室上盖升降机一台，对泵、阴极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施
3、次要技术指标：
（1）尾气控制排放、稀释系统。
（2）系统可根据使用需求对系统进一步调整。
PECVD真空镀膜设备生产建设项目可行性研究报告范文
PECVD真空镀膜设备生产建设项目可行性研究报告范文一、项目背景及目标分析随着科技的不断发展，高新技术产业迅速崛起，真空镀膜技术作为一项重要的表面处理技术，在光电、光学、电子、航空等领域有着广泛的应用。
而PECVD真空镀膜设备作为其中的一种，具有高镀膜速率、均匀性好、反应条件温和等优点，成为较为主流的一种技术。
因此，本报告旨在对PECVD真空镀膜设备生产建设项目进行可行性研究。
二、项目市场前景分析目前，我国光电、光学、电子、航空等领域的发展势头正在迅猛，对高品质的表面处理技术的需求不断增加。
PECVD真空镀膜设备作为一种优质的表面处理技术，具有广阔的市场前景。
根据市场调研，我国PECVD真空镀膜设备市场规模将逐年增长，并且目前市场上尚未出现较为成熟的竞争对手。
三、项目技术可行性分析1.技术可行性：PECVD真空镀膜设备的核心技术较为成熟，已经在相关领域得到广泛应用。
项目所需的工艺生产线技术已经具备。
2.供应链可行性：项目所需的原材料、设备和配件都能够从国内外市场上获得，供应链基本可行。
3.设备可行性：市场上已有多家知名企业生产PECVD真空镀膜设备，并且该设备的可靠性和稳定性已经得到验证。
四、项目风险分析1.市场风险：由于PCEVD真空镀膜设备市场规模较大，市场竞争激烈，项目需要制定有效的市场推广策略，提高产品竞争力。
2.技术风险：虽然PECVD真空镀膜设备技术成熟，但是项目还需要进一步研究和开发，以提高设备的镀膜速率和均匀性。
3.经营风险：项目经营过程中需要注意管理和运营，避免因经营不善导致的资金损失和市场份额下降。
五、项目可行性分析1.技术可行性：PECVD真空镀膜设备技术成熟，市场需求大，具备较高的技术可行性。
2.经济可行性：根据市场调研数据分析，项目的投资回报周期较短，经济效益较好。
3.社会可行性：项目的推广和应用将促进相关行业的发展，对提高我国高科技产业的竞争力具有积极意义。
六、项目实施方案1.构建PECVD真空镀膜设备的生产线，并选用具有先进技术和稳定性好的设备。
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所需材料清单
名称 规格 数量 标色 2 粉红色 1 黄色 2 绿色 三通 连接管 波纹管Байду номын сангаас其它
密封及紧固 件
执行计划
编号 5/24~5/25 5/25~5/25 5/26~5/28 5/28~6/11 6/14 6/14
临时方案
现场测绘
报价及确认
加工
安装调试
评估
方案完善及 推进
谢谢！ 谢谢！
PECVD原有单台上下料腔真空系统
上下料腔 EH4200
角阀
尾气燃烧筒
GV600
PECVD原有相领两台上下料腔真空系统
PECVD最终改造后相领两台上下料腔真空系统
chamber1
chamber2
PECVD临时改造后相领两台上下料腔真空系统
临时方案-------先改造一台做试验
成本低，用料省，不浪费，其中（绿顔色）波纹管及（黄顔色） 联接管可以作为抢修工具，一旦一组真空泵损坏，可以用此工 具迅速组装一路临时真空管路，防止真空故障带来的停机，停 线损失，可以为真空泵修复赢得时间。
PECVD真空系统改造方案 真空系统改造方案
丁连生
改造内容及现状
真空系统故障导致停机停线频发， 一．PECVD真空系统故障导致停机停线频发，是影响设备 生产各项运行指标 真空系统故障导致停机停线频发 是影响设备&生产各项运行指标 实现的主要问题之一，也是目前解决停线问题的努力方向之一. 实现的主要问题之一，也是目前解决停线问题的努力方向之一 难度大， 二．真空系统故障处理时间长,难度大， 真空系统故障处理时间长 难度大 尤其真空泵卡死后， 三．目前我公司不具备自己维修真空泵的能力.尤其真空泵卡死后，设备人员除 目前我公司不具备自己维修真空泵的能力 尤其真空泵卡死后 了联系供应商更换备用泵后，基本上是束手无策. 了联系供应商更换备用泵后，基本上是束手无策 泵组一套GV600+EH4200售价 万人民币，而维修成本 售价50万人民币 四．成本高：PECVD泵组一套 成本高： 泵组一套 售价 万人民币， 万元/次 约5万元 次 万元 五．我公司目前只有一套泵备用，一旦送外维修，将存在库存风险。 我公司目前只有一套泵备用，一旦送外维修，将存在库存风险。