模拟电子技术及应用模拟试卷A

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西南交通大学电力电子技术模拟试卷-A

一、填空题1.按照电力电子器件驱动信号的性质，电力电子器件可分为____电流_____控制型器件和____电压_____控制型器件。

其中IGBT 属于____电压_____控制型器件，晶闸管属于_____电流____控制型器件。

2. PWM 控制的理论基础是_____面积等效____原理，即冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

3. 3. 如图1所示单相桥式全控整流电路带感性负载且未并联续流二极管时，T 1、T 4和T 2、T 3之间的触发脉冲相位相差 180°，晶闸管的触发角移相范围为 90° ，当触发角最大时，晶闸管承受的最大正向电压为 √2U 2 ，晶闸管承受的最大反向电压为 −√2U 2 。

（设电源相电压有效值U 2）4. 直直变换器按照输入与输出间是否有电气隔离，可分为__隔离型__和__非隔离型__两类。

5.三相桥式全控整流电路带阻性负载时，触发脉冲的移相范围为 0-120°；当触发角α大于 60° 时，电流波形断续。

6. 逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为有源逆变，欲实现有源逆变，只能采用全控电路，对于单相全波电路，当控制角0<α<π/2时，电路工作在______整流____状态，π/2<α<π时，电路工作在______有源逆变____状态。

二、简答题1. 什么是有源逆变电路，什么是无源逆变电路？二者各有什么特点？有源逆变电路的交流输出接在相对较大的交流电网上，逆变产生的交流电能被反馈回交流电网，因此交流电频率被强制为电网频率无源逆变电路的交流电直接供给负载，输出的交流电频率、电压可以是恒定的也可以是变化的 2. 对于正弦脉冲宽度调制（SPWM ），什么是调制信号？什么是载波信号？何谓调制比？在正弦脉冲宽度调制（SPWM ）中，把希望输出的波形称作调制信号；而对它进行调制的三角波或锯齿波称为载波信号；载波频率fc 与调制信号频率fr 之比，N= fc / fr 称为载波比。

电力电子技术及应用模拟试题(含参考答案)

电力电子技术及应用模拟试题（含参考答案）一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、三相交流调压电路可由三个互差(____)的单相交流调压电路组成。

A、120°B、60°C、90°D、30°正确答案：A2、对三相桥式全控变流电路实施触发时，如采用单宽脉冲触发，单宽脉冲的宽度一般取（）度较合适。

A、90B、100C、60D、10正确答案：A3、晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM ( ) Ubo。

A、大于1B、等于1C、小于1D、不确定正确答案：A4、单结晶体管产生的触发脉冲主要用于驱动（）功率的晶闸管。

A、超大B、小C、大D、中正确答案：B5、IGBT开关速度（）电力MOSFET 。

A、大于1B、等于1C、小于1D、不确定正确答案：C6、三相桥式全控整流电路要保证两只晶闸管同时导通，触发脉冲一般可采用(____)。

A、单宽脉冲、双窄脉冲B、移相脉冲、双窄脉冲C、脉冲列、双窄脉冲D、单宽脉冲、脉冲列正确答案：A7、带电感性负载的单相桥式全控整流电路中，续流二极管VDR的作用是以下哪些？①去掉输出电压的负值②扩大移相范围③变换电压④隔离一、二次侧。

(____)。

A、①②B、③④C、①②③④D、②③④正确答案：A8、调光灯电路中，单结晶体管和(____)是决定灯泡能否调节亮度的关键。

A、电抗B、电阻C、电压D、电容正确答案：D9、当负载的感抗wLd和电阻Rd的大小相比不可忽略时称之为(____)。

A、电阻性负载B、电感性负载C、电容性负载D、反电动势负载正确答案：B10、型号为KK200－9的额定电流是（）。

A、9AB、90AC、200AD、900A正确答案：C11、单相可控整流电路最基本的是(____)。

A、单相半波可控整流电路B、单相桥式半控整流电路C、单相桥式全控整流电路D、单相全波可控整流电路正确答案：A12、交流调压电路是将一定频率和电压的交流电转换为(____)的交流电。

模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)

模拟电子技术单选考试模拟题（含答案）一、单选题（共100题，每题1分，共100分）1、放大电路中的所有电容器的作用均为通交隔直。

( )A、错误B、正确 ;正确答案：B2、输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈。

（）A、对 :B、错正确答案：A3、正弦电流经过二极管整流后的波形为( )。

A、仍为正弦波。

B、矩形方波;C、等腰三角波;D、正弦半波;正确答案：D4、三极管超过( )所示极限参数时,必定被损坏。

A、集电极最大允许电流ICMB、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEOC、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放大倍数正确答案：C5、对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是:( )A、ic=βibB、ie=βibC、ie=βic正确答案：A6、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。

（）A、错B、对 :正确答案：A7、放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。

( )A、正确 ;B、错误正确答案：B8、N型半导体中的多数载流子是（）A、空穴B、负离子C、自由电子D、正离子正确答案：C9、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、光电耦合B、阻容耦合C、直接耦合D、变压器耦合正确答案：C10、如果两个信号,它们的大小相等,相位相同,则它们是( )信号。

A、共模B、模拟C、差模正确答案：A11、理想集成运放的输出电阻为（）。

A、不定。

B、∞；C、0；正确答案：C12、PN结两端加正向偏置电压时，其正向电流是由（）而成。

A、少子扩散B、少子漂移C、多子漂移D、多子扩散正确答案：D13、因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为（）A、交越失真B、截止失真C、频率失真D、饱和失真正确答案：C14、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在( )。

A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。

模拟电子技术试卷及答案

《模拟电子技术》试卷一.填空题(每空1分,共30分)1．P型半导体掺入三价元素，多子是自由电子，少子是空穴。

2．PN结主要特性是具有单向导电性，即正导通，反向截止。

3．三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。

4．在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的放大区；在数字电路中三极管一般工作在截止区或饱和区，此时也称它工作在开关状态。

5．幅度失真和相位失真统称为频率失真，它属于线性失真。

6．功率放大电路的主要作用是向负载上提供足够大的输出功率，乙类功率放大电路的效率最高。

7．放大电路中为了稳定静态工作点，应引入a（a.直流负反馈，b.交流负反馈）。

8．三极管串联型稳压电路由取样电路、基准电路、比较电路和调整电路四大环节组成。

9．分压式偏置电路具有稳定静态工作点作用，其原理是构成电压串联负反馈。

10．集成运算放大器是直接耦合放大电路。

集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端同相；后者的极性同输出端反相。

11．根据MOS管导电沟道的类型，可分为PMOS和NMOS型。

二、单项选择题（每题2分，共20分，将答案填在下表中）1．常温下，硅二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V；锗二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V。

CA) 0.3，0.5，0.5，0.7 B) 0.5，0.7，0.3，0.5C) 0.5，0.7，0.1，0.2 D) 0.3，0.5，0.1，0.22．下图中的3种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（ D ）A) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETB) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道耗尽型C) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETD) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；N沟道结型3．在共射基本放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大I E，电压放大倍数将（A）A) 增加B)减小C) 不变D) 不能确定4．如图所示差分放大电路中，为提高抑制零点漂移的能力，试问采用下列（ B ）措施好。

模电模拟试卷

《模拟电子技术》模拟试题一一．填充题（每空1分，共20分）1．在本征半导体中，有和两种载流子。

2．与反向偏置相比，正向偏置时PN 结的宽度、等效电阻。

3．晶体管工作在放大区时，要求发射结向偏置、集电结向偏置。

4．在晶体管三种基本放大电路中，输入电压与输出电压同相并具有电压放大能力的是共放大电路，没有电压放大能力的是共放大电路。

5．在多级放大电路中常用的三种耦合方式中，只能放大交流信号的耦合方式有耦合和耦合两种。

6．差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻E R ，可以使电路的电压放大倍数降低，提高。

7．负反馈放大电路产生自激振荡的条件是平衡条件和平衡条件。

8．在运放组成的电压比较器中，运放一般工作在或状态。

9．组成正弦波振荡器的电路单元除了有放大电路、正反馈网络外，还有和。

10．整流电路的功能是将交流电压转换成电压，滤波电路主要用来滤除整流电路输出中的。

二．分析计算题（共80分）1．（12分）电路如附图1.1所示，已知I U =18V ，硅稳压管Z D 的稳定电压Z U =10V ，动态电阻Z r 可以忽略。

试求：（1）O U 、O I 、I 、Z I 的值；（2）当负载电阻值减小一半，即L R =0.5k Ω时的O U 、O I 、I 、Z I 的值。

2．（16分）电路如附图1.2所示，已知T 的BE U =18V 、β=100、'bb r =300Ω。

试求静态工作点及u A 、i R 、o R 的值。

3．（14分）电路如附图1.3所示，已知集成运放A 性能理想，T 1和T 2的特性一致，CES U 可以忽略。

（1）请说出2R 引入的是哪种反馈？（2）试求该电路的电压放大倍数i o u /U U A =的值。

（3）若t)V 3140(sin 414.1i =u ，试求输出功率o P 、功放级的电源消耗功率V P 和效率η。

4．（14分）电路如附图1.4所示，已知T 1和T 2的性能一致，β=100、'bb r=300Ω、BE U =0.6V 。

《模拟电子技术》试卷A与参考答案

《模拟电子技术》试卷（A卷）一、填空题（本题共5小题，每小题4分，共 20 分）1. 多级放大电路常见的三种耦合方式中，若要求各级静态工作点互不影响，可选用耦合方式；若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号，可选用耦合方式；若要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用耦合方式。

2. 某放大电路中，晶体管三个电极的电流测出分别为：I1=1.2mA、I2=0.03mA、I1=1.23mA。

由此可知：电极1是极，电极2是极，电极3是极。

若已知I1电流方向流入晶体管，则I2电流方向与I1电流方向、I3电流方向与I1电流方向。

3. 硅二极管导通压降的典型值是 V、锗二极管导通压降的典型值是 V；NPN型管的集电极电流和基极电流晶体管；PNP型管的集电极电流和基极电流晶体管。

4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同，其中饱和失真和截止失真属于失真；幅频失真和相频失真属于失真。

5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小，称为反馈；若反馈量使放大电路的净输入量增大，称为反馈。

放大电路通常采取反馈。

6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是元件；串联型直流稳压电路的调整管正常工作在状态；开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。

二、判断正、误题（本题共10小题，每小题1分，共10分）1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）2. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。

（）3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。

（）4. 发光二极管正常工作在正向导通区，其导通压降为0.7V。

（）5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管，复合管的类型取决于第一个管子的类型。

（）6. 单门限电压比较器的抗干扰能力比滞回电压比较器的抗干扰能力强。

（）7. 整流的目的就是把交变的电压、电流转换为单向脉动的直流电。

（）8. 放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。

模拟电子技术-试卷A

，、二、选择题（10分）1. 差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的( )。

A. 差B. 和C. 平均值2. 图示电路中，已知稳压管DZ的稳定电压UZ=5V，流过稳压管的电流IZ为（）A、5mAB、10mAC、20mAD、40 mA3.某放大电路的增益为105，则折算成dB数为（）。

A.60dBB.80dBC.100dBD.120dB4.在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为5W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为（）。

A．2W B．1W C．0.5W D.0.2W5. 如果在电路中测出某PNP锗管三个电极对地电位分别为:E6.0VV=，B5.8VV=，C1.0VV=，则该管工作在（）区。

A.放大B.饱和C.截止D.击穿6.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（）。

A. 10kΩB. 2kΩC. 4kΩD. 3kΩ7. 通用型集成运放的输入级多采用（）。

A.共基接法B.共集接法C.共射接法D.差分接法8. 已知某一放大器的A=100,现要求引入负反馈后，增益A f=10，问反馈系数K f应为（）。

A.0.01 B.0.05 C.0.09 D.0.19.为了减小输出电阻，应在放大电路中引入（）；为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入（）。

A.电流负反馈B.电压负反馈C.直流负反馈D.交流负反馈。

《模拟电子技术》试卷(十套附答案)

《模拟电子技术》试卷目录《模拟电子技术》试卷1 (1)《模拟电子技术》试卷1答案 (5)《模拟电子技术》试卷2 (7)《模拟电子技术》试卷2答案 (10)《模拟电子技术》试卷3 (12)《模拟电子技术》试卷3答案 (16)《模拟电子技术》试卷4 (18)《模拟电子技术》试卷4答案 (20)《模拟电子技术》试卷5 (23)《模拟电子技术》试卷5答案 (26)《模拟电子技术》试卷6 (28)《模拟电子技术》试卷6答案 (30)《模拟电子技术》试卷7 (32)《模拟电子技术》试卷7答案 (35)《模拟电子技术》试卷8 (36)《模拟电子技术》试卷8答案 (39)《模拟电子技术》试卷9 (41)《模拟电子技术》试卷9答案 (44)《模拟电子技术》试卷10 (46)《模拟电子技术》试卷10答案 (49)《模拟电子技术》试卷1班级：姓名总分：一、填空（每空1分，共15分）1. 二极管最主要的特性是（），它的两个主要参数是反映正向特性的（）。

2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。

３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。

４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。

５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。

６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。

二、选择题（每空2分，共10分）1. 在图示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。

若把电源电压调整到V=10V，则（）。

A. I=2mAB. I<2mAC. I>2mAD. I=10mA2. 集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以（）。

Ａ. 减小温漂Ｂ.增大放大倍数Ｃ. 提高输入电路Ｄ. 减小噪声３. 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（）负反馈。

Ａ. 电压串联Ｂ. 电压并联Ｃ. 电流串联Ｄ. 电流并联４. 欲实现Au＝-100的放大电路，应选用（）电路。

模拟电子技术考试模拟题+答案

模拟电子技术考试模拟题+答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、在基本放大电路中,影响直流负载线斜率大小的是( )A、RB的值B、Ucc的值C、RC的值D、β值正确答案：C2、电容的单位换算正确的是( )A、1F=1000000μFB、1μF=1000000pFC、1μF=10-6FD、以上都是正确答案：C3、为了提高交流放大电路的带负载能力，应选用( )作为输出级。

A、共发射极放大电路B、功率放大器C、射极输出器D、都可以正确答案：C4、功率放大电路的转换效率是指( )。

A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、输出功率与信号输入功率之比正确答案：B5、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A6、当用万用表不同电阻挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为( )A、该管已坏B、万用表各挡有差异C、二极管的电阻可变D、以上答案均不正确正确答案：B7、串联谐振是指电路呈纯( )性。

A、电阻B、电感C、电抗D、电容正确答案：A8、电阻47KΩ±1%的色环为( )。

A、黄-紫-橙-金B、黄-紫-红-黑-棕C、黄-紫-黑-橙-棕D、黄-紫-黑-红-棕正确答案：D9、稳压二极管两端电压变化量与通过它的电流空化量之比值称为稳压二极管的动态电阻。

稳压性能好的稳压二极管的动态电阻( )A、较小B、较大C、还与其他因素有关D、大小均一样正确答案：A10、安装桥式整流电路时，若将其中一只二极管虚焊，则通电工作时可能产生的后果是( )。

A、输出电压的极性改变B、输出电压只有原来的一半C、两只二极曾烧坏D、只有应焊的一只二极管烧坏正确答案：B11、在固定偏置放大电路中，如果负载电阻增大，则电压放大倍数( )A、增大B、无法确定C、减小D、不变正确答案：C12、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号，若从示波器显示的输出信号波形发现底部(负半周)削波失真，则该放大电路产生了( )失真。

模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)

模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。

2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。

3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。

4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。

5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。

6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。

7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。

8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。

9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。

10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。

频带最宽的是组态。

二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE的变化情况为（）。

A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。

A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。

A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。

模拟电子技术试题(含答案)

模拟电子技术基础试卷及答案一、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。

A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。

A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。

A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。

A ．减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i5.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。

A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路6.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。

A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器7．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。

a ．不用输出变压器b ．不用输出端大电容c ．效率高d ．无交越失真 8．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。

a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区9.理想集成运放具有以下特点：（ B ）。

A. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =∞B. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =0C. 开环差模增益A u d =0，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =∞D. 开环差模增益A ud =0，差模输入电阻R id =∞，输出电阻R o =010.在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ D ），则说明引入的是负反馈。

《模拟电子技术》自测题(A)[2]

一．填空题（每小题2分，共30分）1．对 PN 结二极管，当（ p ）区外接高电位，而（ n ）区外接低电位，则PN结为正偏。

2． P型半导体中多数载流子是（空穴） ,少数载流子是( 自由电子 ) ；N型半导体中多数载流子是( 自由电子 ), 少数载流子是（空穴）。

位 3 ．二极管的正向电流是由（多数）载流子的（扩散）运动形成的；反向电流是由（少数）载流子的（漂移）运动形成的。

4．三极管的输出特性有三个工作区，分别是（饱和区）、（截至区）、（放大区）。

5．为了提高β值，晶体管 BJT 在结构上具有发射结杂质密度（大），基区杂质密度和基区（小）的特点。

6．场效应管 FEJ 的三种基本放大组态∶ CS组态、CD组态和CG组态，其放大特性分别与BJT的(CE）组态、（CC）组态和（CB）组态相似。

7， FET 的（沟导宽度）效应与 BJT 的基区宽度效应相似，基区宽度效应使集电结反偏电压变化对集电极电流ic有影响，而FET的效应使（栅源）电压的变化对íd生影响。

8．稳压管是利用二极管（反向击穿）特性工作的。

9，差动放大器依靠电路的（对称）和（共模输人）负反馈来抑制零点漂移。

10．晶体管工作受温度影响是由于温度升高（R Eβ）增加所致。

11．如果放大器出现非线性失真，则输出频率分量一定比输入频率分量（多）。

12，负反馈以损失（增益）为代价，可以提高（电路）的稳定性；减少（非线性）失真。

13，放大器无反馈时的输出电阻为 RO，对电压取样负反馈的输出电阻为（R O／（1＋A F）），而电流取样负反馈的输出电阻为（R0（1＋A F））。

14， BTJ 放大器电路中，由于（耦合电容）的影响，使低频段增益是频率的函数，且，由于（极间电容）的影响，使高频段增益也是频率的函数。

15， FET的小型号跨导定义为 gm＝(dīD／d u Q s) ，且，耗尽型管与增强型管 gm 不同，是因为其平方律公式（不同）。

模拟电子技术期末试卷含答案

试题_ 2007 _年~__2008__年第 1 学期课程名称：模拟电子技术专业年级：自动化06级考生学号：考生姓名：试卷类型： A 卷 ■ B 卷 □ 考试方式: 开卷 □ 闭卷 ■………………………………………………………………………………………………………一、选择正确答案填入空内。

(每空2分，共20分)1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

A ．温度B ．掺杂工艺C ．杂质浓度2、在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察o u 和i u 的波形，发现波形相位相反，则该电路为（）。

A ．共基极放大电路B ．共射级放大电路C ．共集电极放大电路3、三级放大电路中dB 20V3V2V1===A A A ，电路将输入信号放大了（）倍。

A ．60 B ．103 C ．1064、多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是（）。

A ．输入级 B ．增益最高的一级 C ．输出级5、差分放大电路中，当m V 300i1=v ，m V 200i2=v 时，共模信号=ic v （）。

A ．500mV B ．100mV C ．250mV6、为了提高放大电路的输入电阻并稳定输出电流，则应在放大电路中引入（）。

A ．电压并联负反馈 B ．电流串联负反馈 C ．电压串联负反馈7、某二阶滤波器的传递函数表达式为：24522+++S S S ，则该滤波器是（）。

A ．二阶高通滤波器B ．二阶带通滤波器C ．二阶带阻滤波器8、单相桥式整流电路由四个二极管组成，流过每个二极管的电流为（）。

A ．4O I B ．2O IC ．O I 9、在图1所示电路中，设运算放大器是理想器件，输出电压约为（）。

A ．─7.5 VB ．─3.5VC ．─2.5 V图110、与甲类功率放大方式比较，乙类OCL 互补对称功率放大方式的主要优点是（）。

A ．不用输出变压器 B ．不用输出端大电容 C ．效率高二、填空题。

电路与模拟电子技术模拟试题及答案

附录A 模拟试题A.1 模拟试题一一、选择题(每小题1.5分，共15分)1 某电源向一负载电阻R, 供电(如图A1- 1 所示)。

当负载电阻R, 从100Ω减至10Ω,负载电压U 约下降1%。

则该电源是( )。

(a) 理想电压源(b) 理想电流源(c) 含有内阻R₀≈01Ω的电压源 (d) 不能确定2 在图A1-2 所示电路中，理想电流源Iq 发出的电功率P 为( )。

(a)-3 W (b)21 W (c)3 W (d)-21 W图 A1-1 图A1-23 某感性负载的额定功率为P 、,额定功率因数为ccs φn,并联电容后接额定电压，若所并联的电容使电路发生谐振，则总负载(含电容在内)消耗的功率P 及功率因数cosφ与其P、及cs pw 的关系是( )。

(a)P=Px,cos φ=csφy(b)P>Pv,cos φ=cospw(c)P= Pw,cos p>cos Pw (d)P=Pw,cos φ<csPn4 若电感L 变为原来的,则电容C 应为原来的( ),才能保持在原频率下的串联谐振。

(a) 倍(b)4 倍(c)2 倍(d) 倍5. 同双极型晶体管的输入电阻相比，场效应管的输入电阻( )。

(a) 小得多 (b) 大得多(c) 与双极型晶体管大致相同6 整流电路如图A1-3 所示，负载电阻RL=Rz=100k2, 变压器副边电压u₂的有效值U₂=100V, 直流电流表A 的读数为( )。

(设电流表的内阻为零)(a)09 mA (b)1 mA (c)0.45 mA (d)0 mA图 Al-37 单相半波整流、电容滤波电路中，滤波电容的接法是( )。

(a)与负载电阻R; 申联 (b) 与整流二极管并联(c) 与整流二极管串联 (d) 与负载电阻R₂并联8 电路如图A1-4 所示，欲使该电路能起振，则应该采取的措施是( )。

(a) 改用电流放大系数β较大的晶体管。

(b) 减少反馈线圈L, 的匝数。

西南交通大学网络教育学院模拟电子技术A第次作业

模拟电子技术A第2次作业(B)集电极(C)基极正确答案：A解答参考：4. 放大电路如图所示，其中的晶体管工作在( )。

(A)放大区(B)饱和区(C)截止区正确答案：B解答参考：5.整流电路如图所示，变压器副边电压有效值U2为25V，输出电流的平均值，则二极管应选择（）。

整流电流平均?值反向峰值电压(a) 2AP2 16mA 30V(b) 2AP3 25mA 30V(c) 2AP4 16mA 50V(d) 2AP6 12mA 100V (A)2AP2(B)2AP3(C)2AP4(D)2AP6正确答案：C解答参考：6. 反馈放大器的方框图如图所示，要使放大器产生自激振荡，其相位条件是（）。

(A)反馈电压与电压之间的相位差为(B)反馈电压与电压之间的相位差为(C)反馈电压与电压之间的相位差为零正确答案：C解答参考：7. 在计算低频小功率晶体管输入电阻r时，有三位同学用了三种方法，而且计be算结果差别很大，请指出正确的表达式是（）。

(A)r be =(B)r be =(C)r be = 300＋正确答案：A解答参考：(B)(C) I o(D) I o正确答案：B 解答参考：11.电路如图所示，电容CE 远大于C1和C，其中满足自激振荡相位条件的是下列图中（）。

(A)(B)(C)正确答案：B解答参考：12. 正弦波振荡电路如图所示，其振荡频率为（）。

(A)(B)(C)正确答案：A解答参考：四、主观题(共5道小题)13.电路如图1 所示，设输入信号, 的波形如图 2 所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压的波形，并说明t1,t2时间内二极管 D1，D2 的工作状态。

参考答案：t1:D1导通，D2截?止t2 :D2导通，D1截?止14.电路如图 1 所示，设 D1，D2均为理想元件，已知输入电压 u i=150sin V 如图 2 所示，试画出电压 u o的波形。

参考答案：15.电路如图所示，求输出电压 u o与输入电压 u I之间运算关系的表达式。

(完整版)模拟电子技术测试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。

2、漂移电流是温度电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为0，等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为无穷，等效成断开；4、三极管是电流控制元件，场效应管是电压控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变小，发射结压降不变。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是共基、共射、共集放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用电压并联负反馈，为了稳定交流输出电流采用串联负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=1/（1/A+F），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=1/ F。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW，其中BW=fH –fL，1+AF称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为差模信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真，而采用甲乙类互补功率放大器。

13、OCL电路是双电源互补功率放大电路；OTL电路是单电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1，输入电阻大，输出电阻小等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制零点漂移，也称温度漂移，所以它广泛应用于集成电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调幅，未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为载波信号。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=KUxUy，电路符号是。

二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ B ）状态，但其两端电压必须（ C ），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（ F ）状态。

《模拟电子技术》试卷A（答案）

2011—2012学年春季学期《模拟电子技术基础》考试试卷（A ）卷（答案）考试形式：闭卷考试时间： 120 分钟满分： 100 分2、密封线左边请勿答题，密封线外不得有姓名及相关标记。

一、选择题（共15空，每空2分，共30分）1. 杂质半导体中多数载流子浓度( B )。

A 、只与温度有关B 、取决于掺杂浓度，几乎与温度无关C 、与温度无关D 、与掺杂浓度和温度都无关2. 稳压管的稳压区是其工作在( C ) 。

A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿D. 无偏置状态3. P 沟道增强型MOS 管的电路符号为( B )。

4. 工作在放大状态的某PNP 晶体三极管，各电极电位关系为( A )。

A.V C <V B <V E B. V C >V B >V E C.V C <V E <V BD. V C >V E >V B5. 在共射基本放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大I E ，电压放大倍数将（ A ）。

A. 增加B. 减小C. 不变D. 不能确定6. 用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e ，将使电路的（ B ）。

A. 差模放大倍数数值增大 B. 抑制共模信号能力增强 C. 差模输入电阻增大 D. 共模抑制比变小学号：姓名：学院：年级：专业：------------------------------------------------- 密－封－线 ------------------------------------------------------7.某两级阻容耦合共射放大电路，不接第二级时第一级的电压放大倍数为100倍，接上第二级后第一级电压放大倍数降为50倍，第二级的电压放大倍数为50倍，则该电路总电压放大倍数为（ B ）。

A.5000倍B. 2500倍C. 150倍D. 200倍8.基本差动放大电路中，两个单边放大器的电压增益为100。

模拟电子技术考试试题汇总及答案

如何调整？⑶若 , 和的，，
，假设、、中任意一个开路，将会产生什么后果？
⒋在图5-3桥式整流、电容滤波电路中,U2=12V(有效值)，RL=20Ω, C=2000µF。试问：①正常时？②如果电路中有一个二极管开路，是否为正常值的一半？③如果为下列数值，可能出了什么故障？
(a) (b) (c)
6.某LC振荡电路的振荡频率为，如将LC选频网络中的电容C增大一倍，则振荡频率约为（ c ）。
A、200kHz B、140kHz C、70kHz D、50kHz
7.甲乙类互补对称电路与乙类互补对称电路相比，主要优点是( c )。
A、输出功率大 B、效率高 C、交越失真小 D、电路结构简单
8.要求提高放大电路的带负载能力，同时减小对信号源索取的电流，应引入（ a ）。
⒉图5-2中的集成均为理想运放，各电路均满足深负反馈条件，试判断它们的反馈组态和极性，并分别估算它们的电压放大倍数。
⒊一单电源互补对称电路如图5-3所示，设、的特性完全对称，为正弦波，
，。试回答：⑴静态时，电容两端电压就是多少？调整哪
个电阻能满足这一要求？⑵动态时，输出电路出现交越失真，应调整哪个电阻？
图2
二、VB=
rbe=200+101
RO=RC=3.3
三、（12分）
放大电路如图3 a、b、c、d所示。
（1）试分别说明4个放大电路所属的组态；
（2）当信号源为电压源，且内阻不为零时，最好采用图中哪一个电路作为输入级？
（3）为了使放大电路有较强的带负载能力，最好采用图中哪一个电路作为输出级？
（4）当信号的频率范围比较宽，肯包含较高的频率成分时，最好采用图中哪一个电路进行放大？
③(a) ，说明电容开路，无滤波作用。

模拟电子技术试卷及答案

模拟试卷一一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是___________ 。

2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。

3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。

4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。

5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。

这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。

6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。

二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，V，则这只三极管是( )。

A．NPN 型硅管B．NPN 型锗管C．PNP 型硅管D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。

A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。

A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。

B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。

C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。

D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。

4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。

A．输入电阻高B．输出电阻低C．共模抑制比大D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。

A．减小C，减小Ri B．减小C，增大RiC．增大C，减小Ri D．增大C，增大Ri6．如图所示复合管，已知V1的b1 = 30，V2的b2 = 50，则复合后的 b 约为( )。