模拟电子技术基础知识点总结

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模拟电子技术复习资料总结

第一章半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6.杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结

* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性

二. 半导体二极管

*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:

若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路);

若V阳

1)图解分析法

该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法

模电基础知识总结

模电基础知识总结

模电基础知识总结

模拟电子技术(模电)是电子工程的重要基础学科,它研究的是电

子元件与电路的工作原理和运行规律。掌握模电的基础知识对于电子

工程师来说至关重要。本文将对模电的基础知识进行总结,希望能给

读者提供一些帮助。

一、电路基础知识

在学习模电之前,我们首先需要掌握一些电路的基础知识。电路是

电子工程中最基本的组成单元,它由电源、电阻、电容、电感等元件

组成。在电路中,电流和电压是重要的物理量。电流表示电子在电路

中的流动情况,而电压表示电子在电路中的能量转换。

二、放大器

放大器是模电中一类重要的电子元件。放大器的作用是将输入信号

放大,以便输出信号具有较高的幅度。常见的放大器有三种基本类型:电压放大器、电流放大器和功率放大器。放大器有许多重要的性能指标,如增益、输入电阻、输出电阻等。学习模电的过程中,我们需要

熟悉这些性能指标的定义和计算方法。

三、滤波器

滤波器是模电中用于剔除或改变信号中某些频率分量的电路。滤波

器可以分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器四种

类型。在实际应用中,我们经常需要使用滤波器来对信号进行处理。

了解滤波器的原理和性能对于电路设计至关重要。

四、振荡器

振荡器是一种能够产生连续波形信号的电路。在模电中有两种常见

的振荡器:正弦波振荡器和方波振荡器。振荡器的核心是一个反馈回路,该回路会使得输入信号被放大,并且以振荡的形式反馈给输入端。振荡器在通信系统、计算机等领域有广泛的应用,掌握振荡器的原理

和设计方法是模电学习的重要内容。

五、运算放大器

运算放大器(Operational Amplifier)是模电中一种重要的集成电路。它具有高增益、高输入阻抗和低输出阻抗的特点,在模拟电路中有广

模拟电子技术基础

模拟电子技术基础

模拟电子技术基础

模拟电子技术基础(一)

一、基础概念

1. 电路

电路是由电子元器件或者电气元件(例如,电阻、电容、电感等)连接而成,构成的电子装置。电路分为直流电路和交流电路,其中直流电路的电流一般是恒定不变的,而交流电路的电流则是周期性变化的。

2. 元器件

元器件是电路中最基本的构成单元,包括电阻、电容、电感等。不同的元器件对电路中的电信号具有不同的影响。例如,电阻会阻碍电流的流动,而电容则会将电信号存储下来,并释放出来。

3. 电压、电流和电阻

电压是电路中电子流动的驱动力,也称电势差,通常用符号V表示。电压越高,电流也相应地越大。电压的单位是伏特(V)。

电流是电子在电路中流动的数量,通常用符号I表示。电流的单位是安培(A)。

电阻是电路中阻碍电流流动的因素,通常用符号R表示。电阻的单位是欧姆(Ω)。电阻的大小越大,则电流通过电路的速度越慢。

4. 电路图

电路图是用符号表示电路中各种元器件的图示。通过电

路图,我们可以识别电路中所使用的元器件,并了解电路中各元器件之间的连接关系。

二、基础元器件

1. 电阻

电阻是电路中最基本的元器件之一,其作用是阻碍电流的流动。电阻的物理量是电阻值,通常用符号R表示。电阻的单位是欧姆(Ω)。

电阻分为固定电阻和变阻器两种。固定电阻一般以芯片电阻或线圈形式存在,主要是用来控制电路中的电流。变阻器则被用来调节电路中电阻的大小。

2. 电容

电容是能够将电能存储在其中的元器件。电容器的物理量是电容值,通常用符号C表示。电容的单位是法拉(F)。

电容一般分为电解电容和固体电容。电解电容主要应用于大电容电路中,而固体电容一般应用于小电容电路中。

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共发射极、共基极、共集电极。

2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流,从

而控制集电极电流,实现信号放大。

3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大,共集电极

放大倍数最小。

三.三极管的基本放大电路

1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。

2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。

3.共基极放大电路---具有电压放大的作用,输入电阻较低。

4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置,使其工作在放大区,保证放大电路的稳定性。

四.三极管的应用

1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。

2.开关---控制大电流的通断。

3.振荡器---产生高频信号。

4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性,实现稳定的

输出电压。

模拟电子技术复资料总结

第一章半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质,如硅Si、锗Ge。

2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子,是半

导体中的两种主要载流体。

5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。根据掺杂元素的不同,可分为P型半导体和N型半导体。

6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。

7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结,具有单

向导电性和接触电位差等特性。

8.PN结的伏安特性是指在不同电压下,PN结的电流和电

压之间的关系。

二.半导体二极管

半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结

第一章半导体二极管

一.半导体的根底知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯洁的具有单晶体构造的半导体。

4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。表达的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴,少子是电子〕。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子,少子是空穴〕。

6.杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结

* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性

二. 半导体二极管

*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的上下:

假设 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);

假设 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

模电知识点识点总结

模电知识点识点总结

模电知识点识点总结

一、电路分析

电路分析是模拟电子技术中的基础知识点,它涉及到电路的基本元件、电路定律、戴维南

定理、诺顿定理、等效电路、交流电路分析等内容。在电路分析中,学生需要掌握电路元

件的特性和参数,熟练掌握欧姆定律、基尔霍夫电压定律、基尔霍夫电流定律等基本定律,能够准确分析电路中的电压、电流和功率等参数。

二、放大电路

放大电路是模拟电子技术中的重要内容之一,它是指通过放大器将输入信号放大的过程。

学生需要掌握放大器的基本分类、放大器的基本参数、放大器的频率特性等知识,理解放

大器的工作原理,能够设计各种类型的放大电路。

三、模拟信号处理

模拟信号处理是模拟电子技术中的核心内容之一,它涉及到模拟信号的获取、处理、传输

和存储等过程。学生需要掌握模拟信号的采样定理、量化处理、模拟信号滤波等知识,能

够设计模拟信号处理系统,提高模拟信号处理的质量和效率。

四、模拟滤波器设计

滤波器是模拟电子技术中的重要内容之一,它是指用于对信号进行滤波处理的电路。学生

需要掌握滤波器的分类、滤波器的性能指标、滤波器的设计方法等知识,能够设计各种类

型的模拟滤波器,提高信号的质量和准确性。

五、集成电路设计

集成电路设计是模拟电子技术中的核心内容之一,它涉及到集成电路的设计原理、工艺流程、器件制造等一系列内容。学生需要掌握集成电路的基本结构、工作原理、设计方法等

知识,能够设计各种类型的集成电路,提高集成电路的性能和可靠性。

总之,模拟电子技术是电子工程中非常重要的一门课程,它涉及到电路分析、放大电路、

模拟信号处理、模拟滤波器设计、集成电路设计等方面的知识。学生在学习模拟电子技术

模拟电子技术基础知识汇总

模拟电子技术基础知识汇总

模拟电子技术

第一章半导体二极管

一.半导体的根底知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。表达的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴,少子是电子〕。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子,少子是空穴〕。

6. 杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结

* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性

二. 半导体二极管

*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的上下:

假设 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);

假设 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

1〕图解分析法

模电 知识点总结

模电 知识点总结

模电知识点总结

一、基本概念

1. 电路元件:模拟电子技术的基本元件包括电阻、电容、电感、二极管、晶体管等。其中,电阻用于限制电流,电容用于储存电荷,电感用于储存能量,二极管用于整流、开关等,

晶体管用于放大、开关等。

2. 信号:在模拟电子技术中,信号是指随时间或空间变化的电压或电流。常见的信号形式

有直流信号、交流信号、脉冲信号等。

3. 放大器:放大器是模拟电子技术中的重要元件,用于放大输入信号的幅度。常见的放大

器有运放放大器、晶体管放大器等。

4. 滤波器:滤波器是用于选择特定频率范围内的信号,常用于滤除噪声、提取特定频率成

分等。

5. 调制解调:调制是将基带信号调制到载波上,解调是将载波信号解调还原为基带信号。

调制解调技术是模拟电子技术中的重要应用之一。

二、基本电路

1. 电阻电路:电阻是最基本的电路元件之一,常用于限制电流、调节电压和波形、分压等。常见的电阻电路包括电压分压电路、电流分压电路、电阻网络等。

2. 电容电路:电容是能存储电荷的元件,常用于滤波、积分、微分等。常见的电容电路包

括RC电路、LC电路、多级滤波器等。

3. 电感电路:电感是储存能量的元件,常用于振荡器、磁耦合放大器等。常见的电感电路

包括RLC电路、振荡电路、滤波器等。

4. 滤波器电路:滤波器是用于选择特定频率范围内的信号的电路,常用于滤除杂散信号、

提取特定频率成分等。常见的滤波器包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、陷波滤

波器等。

5. 放大器电路:放大器是用于放大电压、电流信号的电路,常用于信号调理、传感器信号

放大、运算放大器电路等。常见的放大器电路包括运算放大器电路、放大器电路、多级放

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模拟电子技术复习资料总结

第一章半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6. 杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结

* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性

二. 半导体二极管

*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:

若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);

若 V阳

1)图解分析法

该式与伏安特性曲线

的交点叫静态工作点Q。

模电基础知识总结

模电基础知识总结

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导言

模拟电子技术(Analog Electronics)是电子学的一个重要分支,包括分析和设计各种电子电路,以便于对在电子系统中表现为连续值的信号进行处理。模拟电子技术是电子技术的核心内容之一,广泛应用于各种电子系统中。本文将对模拟电子技术的基础知识进行总结。

电路基础

电压、电流与电阻

•电压:电荷的偏移量,单位为伏特(V)。

•电流:电荷单位时间通过导体的速度,单位为安培(A)。

•电阻:导体抵抗电流的能力,单位为欧姆(Ω)。

电路定律

•欧姆定律: $ V = IR $

•基尔霍夫定律:

–基尔霍夫电压定律:节点电压之和为零。

–基尔霍夫电流定律:分支电流之和为零。

放大器

放大器概述

放大器是一种电子电路,用于增加信号的幅度。放大器可以分为电压放大器、电流放大器和功率放大器等类型。

放大器特性

•增益(Gain):输出信号幅度与输入信号幅度的比值。

•带宽(Bandwidth):放大器能够放大信号的频率范围。

•输入/输出阻抗:放大器的输入和输出接口的阻抗匹配对信号传输至关重要。

滤波器

滤波器概述

滤波器是一种能够选择特定频率信号的电路。常见的滤波器类型包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器。

滤波器设计

•利用电容和电感可以设计无源RC和RL滤波器。

•主动滤波器使用放大器来增强滤波效果。

•数字滤波器基于离散时间信号进行设计。

零件及器件

二极管与晶体管

•二极管:具有单向导电特性,用于整流和电压调节。

•晶体管:根据不同类型(NPN/PNP),可作为放大器、开关或振荡器使用。

集成电路

•集成电路(IC):将多个电子元器件集合在一起形成的整体,方便应用到复杂的电路中。

模电必考知识点总结

模电必考知识点总结

模电必考知识点总结

一、基本电路理论

1. 电路基本定律

欧姆定律、基尔霍夫定律、电路中的功率计算等基本电路定律是模拟电子技术学习的基础,了解和掌握这些定律对于学习模拟电子技术是非常重要的。

2. 电路分析

了解如何对电路进行简化、等效电路的转换、戴维南定理和诺依曼定理等电路分析的基本

方法。

3. 电路稳定性

掌握电路的稳定性分析方法,包括如何对直流放大电路和交流放大电路进行稳定性分析。

4. 传输线理论

了解传输线的基本特性,包括传输线的阻抗、反射系数、传输线的匹配等知识。

二、放大电路

1. 二极管放大电路

了解二极管的基本特性和放大电路的设计原理,包括共射放大电路、共集放大电路和共基

放大电路等基本的二极管放大电路。

2. 晶体管放大电路

了解晶体管放大电路的基本原理和设计方法,包括共射放大电路、共集放大电路和共基放

大电路等基本的晶体管放大电路。

3. 放大电路的频率响应

了解放大电路的频率响应特性,包括截止频率、增益带宽积等相关知识。

4. 反馈电路

掌握反馈电路的基本原理和分类,了解正反馈和负反馈电路的特点和应用。

三、运算放大电路

1. 运算放大器的基本特性

了解运算放大器的基本特性,包括输入输出阻抗、放大倍数、共模抑制比等相关知识。

2. 运算放大器的电路应用

了解运算放大器在反馈电路、比较电路、滤波电路、振荡电路等方面的应用,掌握运算放大器的基本应用方法。

四、滤波器电路

1. RC滤波器和RL滤波器

了解RC滤波器和RL滤波器的基本原理、特性和应用,包括一阶和二阶滤波器的设计和性能分析。

2. 增益电路和阻抗转换电路

掌握增益电路和阻抗转换电路的设计原理和方法,了解它们在滤波电路中的应用。

模拟电子技术基础知识

模拟电子技术基础知识

模拟电子技术基础知识

一、模拟电子技术基础- -模拟信号与模拟电路

1、模拟信号

我们将连续性的信号称为模拟信号,而将离散型的信号称为数字信号。

2、模拟电路

模拟电路是对模拟信号进行处理的电路,其最基本的处理是对信号的放大,含有功能和性能各异的放大电路。

二、模拟电子技术基础- -电子信息系统的组成

电子信息系统由信号的提取、信号的预处理、信号的加工和信号的驱动与执行四部分构成,如下列图所示。

三、模拟电子技术基础- -半导体

1、基本概念

导体:极易导电的物体;

绝缘体:几乎不导电的物体;

半导体:导电性介于导体和绝缘体之间的物质;

2、本征半导体

共价键:在硅和锗的结构中,每个原子与其相邻的原子之间形成共价键,共用一对价电子;

自由电子:由于热运动,具有足够能量而摆脱共价键束缚的价电子;

空穴:由于自由电子的产生,使得共价键中产生的空位置;

复合:自由电子与空穴相碰同时消逝的现象;

载流子:运载电荷的粒子;

导电机理:在本征半导体中,电流包括两部分,一部分是自由电子移动产生的电流,另一部分是由空穴移动产生的电流,因此,本征半导体的导电技能取决于载流子的浓度。温度越高,载流子浓度越高,本征半导体导电技能越强。

3、本征半导体

共价键:在硅和锗的结构中,每个原子与其相邻的原子之间形成共价键,共用一对价电子;

自由电子:由于热运动,具有足够能量而摆脱共价键束缚的'价电子;

空穴:由于自由电子的产生,使得共价键中产生的空位置;

复合:自由电子与空穴相碰同时消逝的现象;

载流子:运载电荷的粒子;

导电机理:在本征半导体中,电流包括两部分,一部分是自由电子移动产生的电流,另一部分是由空穴移动产生的电流,因此,本征半导体的导电技能取决于载流子的浓度。温度越高,载流子浓度越高,本征半导体导电技能越强。

模拟电子技术基础知识考点

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模拟电子技术基础知识考点

模拟电子技术基础知识考点

上学期间,大家对知识点应该都不陌生吧?知识点就是学习的重点。还在苦恼没有知识点总结吗?下面是小编整理的模拟电子技术基础知识考点知识点,仅供参考,欢迎大家阅读。

模拟电子技术基础知识考点 1

1、基本放大电路种类(电压放大器,电流放大器,互导放大器和互阻放大器),优缺点,特别是广泛采用差分结构的原因。

2、负反馈种类(电压并联反馈,电流串联反馈,电压串联反馈和电流并联反馈);负反馈的优点(降低放大器的增益灵敏度,改变输入电阻和输出电阻,改善放大器的线性和非线性失真,有效地扩展放大器的通频带,自动调节作用)

3、基尔霍夫定理的内容是什么?

基尔霍夫定律包括电流定律和电压定律。

电流定律:在集总电路中,任何时刻,对任一节点,所有流出节点的支路电流代数和恒等于零。电压定律:在集总电路中,任何时刻,沿任一回路,所有支路电压的代数和恒等于零。

4、描述反馈电路的概念,列举他们的应用?

反馈,就是在电子系统中,把输出回路中的电量输入到输入回路中去。

反馈的类型有:电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈、电流并联负反馈。负反馈的优点:降低放大器的增益灵敏度,改变输入电阻和输出电阻,改善放大器的线性和非线性失真,有效地扩展放大器的通频带,自动调节作用。

电压(流)负反馈的特点:电路的输出电压(流)趋向于维持恒定。

5、有源滤波器和无源滤波器的区别?

无源滤波器:这种电路主要有无源元件R、L和C组成

有源滤波器:集成运放和R、C组成,具有不用电感、体积小、重

量轻等优点。

集成运放的开环电压增益和输入阻抗均很高,输出电阻小,构成有源滤波电路后还具有一定的电压放大和缓冲作用。但集成运放带宽有限,所以目前的有源滤波电路的工作频率难以做得很高。

(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

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模拟电子技术复习资料总结

第一章半导体二极管

一。半导体的基础知识

1.半导体-——导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2。特性———光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体—--—纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子 --——带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子.

5。杂质半导体———-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体.体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6. 杂质半导体的特性

*载流子的浓度—-—多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻-—-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型———通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7。 PN结

* PN结的接触电位差———硅材料约为0.6~0。8V,锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性--—正偏导通,反偏截止。

8。 PN结的伏安特性

二. 半导体二极管

*单向导电性-——-——正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性-———同PN结。

*正向导通压降—-—-——硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0。3V。

*死区电压----—-硅管0。5V,锗管0。1V。

3。分析方法————-—将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:

若 V

阳 >V

(正偏),二极管导通(短路);

若 V

阳 <V

(反偏),二极管截止(开路)。

1)图解分析法

模电常见知识点总结

模电常见知识点总结

模电常见知识点总结

一、基本概念

1. 电压、电流、功率:电压是电势差,单位是伏特;电流是电荷在单位时间内通过导体的

数量,单位是安培;功率是单位时间内能量的转化率,单位是瓦特。

2. 电路元件:电路元件主要包括电阻、电容和电感。电阻是电流对电压的阻碍作用,单位

是欧姆;电容是储存电荷的能力,单位是法拉;电感是存储磁场能量的元件,单位是亨利。

3. 信号处理:模拟信号是连续的信号,可以采用模拟电子技术进行处理。模拟信号的处理

包括滤波、放大、混频等操作。

4. 放大器:放大器是一种能够增加信号幅度的电路,通常包括运放放大器、功率放大器等

类型。

5. 混频器:混频器是一种能够将两个不同频率的信号进行混合的电路,主要用于调频、调

相和倍频等应用。

6. 滤波器:滤波器可以根据频率特性对输入信号进行滤波,主要包括低通滤波器、带通滤

波器和高通滤波器等。

7. 稳压器:稳压器是一种能够在负载变化时保持输出电压稳定的电路,主要包括线性稳压

器和开关稳压器。

8. 模拟信号的采样与保持、量化与编码:在数字信号处理中,要将模拟信号转换为数字信号,需要进行模拟信号的采样与保持、量化与编码等操作。

二、基本电路分析方法

1. 基尔霍夫定律:基尔霍夫定律是电路分析中的重要方法之一,包括基尔霍夫电流定律和

基尔霍夫电压定律。

2. 节点分析法和支路分析法:节点分析法和支路分析法是电路分析中常用的两种方法,用

于求解电路中的电压和电流。

3. 物理尺解法:物理尺解法是一种将电路问题转化为几何问题进行求解的方法,通常用于

分析长线搭接、三角形回路等特殊电路。

模拟电子技术基础 知识点总结

模拟电子技术基础 知识点总结

模拟电子技术复习资料总结

第一章半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6. 杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结

* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性

二. 半导体二极管

*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:

若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);

若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

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模拟电子技术复习资料总结

第一章半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6.杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结

* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性

二. 半导体二极管

*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:

若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路);

若V阳

1)图解分析法

该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法

➢直流等效电路法

*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:

若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路);

若V阳

*三种模型

➢微变等效电路法

三.稳压二极管及其稳压电路

*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章§2-1三极管及其基本放大电路

一. 三极管的结构、类型及特点

1.类型---分为NPN和PNP两种。

2.特点---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触

面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。

二. 三极管的工作原理

1. 三极管的三种基本组态

2. 三极管内各极电流的分配

* 共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件

式子称为穿透电流。

3. 共射电路的特性曲线

*输入特性曲线---同二极管。

* 输出特性曲线

(饱和管压降,用U CES表示

放大区---发射结正偏,集电结反偏。

截止区---发射结反偏,集电结反偏。

4. 温度影响

温度升高,输入特性曲线向左移动。

温度升高I CBO、I CEO、I C以及β均增加。

三. 低频小信号等效模型(简化)

h ie---输出端交流短路时的输入电阻,

常用r be表示;

h fe---输出端交流短路时的正向电流传输比,

常用β表示;

四. 基本放大电路组成及其原则

1. VT、V CC、R b、R c 、C1、C2的作用。

2.组成原则----能放大、不失真、能传输。

五. 放大电路的图解分析法

1. 直流通路与静态分析

*概念---直流电流通的回路。

*画法---电容视为开路。

*作用---确定静态工作点

*直流负载线---由V CC=I C R C+U CE确定的直线。

*电路参数对静态工作点的影响

1)改变R b:Q点将沿直流负载线上下移动。

2)改变R c:Q点在I BQ所在的那条输出特性曲线上移动。

3)改变V CC:直流负载线平移,Q点发生移动。

2. 交流通路与动态分析

*概念---交流电流流通的回路

*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。

*作用---分析信号被放大的过程。

*交流负载线--- 连接Q点和V CC’点V CC’= U CEQ+I CQ R L’的

直线。

3. 静态工作点与非线性失真

(1)截止失真

*产生原因---Q点设置过低

*失真现象---NPN管削顶,PNP管削底。

*消除方法---减小R b,提高Q。

(2)饱和失真

*产生原因---Q点设置过高

*失真现象---NPN管削底,PNP管削顶。

*消除方法---增大R b、减小R c、增大V CC 。

4. 放大器的动态范围

(1)U opp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。

(2)范围

*当(U CEQ-U CES)>(V CC’ -U CEQ)时,受截止失真限制,U OPP=2U OMAX=2I CQ R L’。

*当(U CEQ-U CES)<(V CC’ -U CEQ)时,受饱和失真限制,U OPP=2U OMAX=2 (U CEQ-U CES)。*当(U CEQ-U CES)=(V CC’ -U CEQ),放大器将有最大的不失真输出电压。

六. 放大电路的等效电路法

1.静态分析

(1)静态工作点的近似估算

(2)Q点在放大区的条件

欲使Q点不进入饱和区,应满足R B>βRc。

2.放大电路的动态分析

* 放大倍数

* 输入电阻

* 输出电阻

七.分压式稳定工作点共射

放大电路的等效电路法

1.静态分析

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