晶片相关知识
晶片基础知识.ppt
2019/10/12
If
Made by:junzi_liang
LED Chip 基础知识
亮度與溫度之關係
Relative Luminance
Relative Luminance vs Ambient Temperature
140
120
100
HR
80
YL
60
40 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ambient Temperature ( C )
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LED Chip 基础知识
Vf 與溫度之關係
Forward Voltage (@20mA) vs Ambient Temperature
Forward Voltage ( V )
2.4 2.3
2.2
2.1
2
HR
1.9
YL
1.8
1.7 1.6
与电极
•电极分上电极及下电极 材料部份有Al及Au •依P型层及N型层的位置, 分为两种: P型层在上, 则为P-type N型层在上, 则为N-type •基层一般为GaAs, GaP,…等
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LED Chip 基础知识
芯片的结构( II ) 一般基层(Substrate)的材料, 如GaAs, 有吸收光之特 性, 称为AS type, 将造成发光效率变差, 解决此问题 的方法, 目前有两种: •磨除基层 •更换基层为 TS type
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LED Chip 基础知识
晶片知识简介
客户
2.8 2.8 4.0 4.0 4.0
材质
GaP/GaP GaAlInP/GaAs GaInN/GaN GaInN/GaN GaInN/GaN
蓝色
UB5 UB
右图在1/100～1/10duty 时建议使用100mA电流 ，大于1/10duty时，使用 电流下降，到直流时建 议使用30mA电流！
VFmax规格 我司
2.1 2.3 2.3 2.4 2.4 2.4 2.4 2.4 2.4 2.4
客户
640±10 630±10 630±10 588±5 588±5 590±7 583-595 622±10 606±8 629±10
客户
2.6 2.6 2.68 2.6 2.8 2.8 2.8 2.6 2.6 2.8
GaP GaAsP AlxGa1-xAs | ¸ ¥ ¤ (AlxGa1-x) 0.5In0.5P GaxIn1-xN InN
晶片分类
晶片
一般晶片
高亮晶片
二元
三元
四元
InGaN
AS
TS
OMA
四元晶片结构
蓝光晶片结构
蓝光ITO晶片的差别
~60%
金屬接觸層
>90%
ITO
ITO相对普通晶片亮度提升30％以上！！
钻 石 刀 切 割 机
镭射切割机
后段制程－分类
分类
将白膜扩张环固定在分 类机上，利用之前全检 的数据由晶片分类机将 晶片挑选于各BIN的规 格白膜上进行分类
后段制程－目测、入库
目测、入库
用显微镜人工目测，检 验晶片外观，然后由白 膜翻转至蓝膜，计数后 帖标签，经QC检验合格 后入库
颜色
红色
晶片相关知识介绍
• LED的符號
• P層與N層之接合狀況
18
晶片的特性介紹
• LED之通電狀況
P極接正電, N極接負電, 則LED發光; 反之, 則不發光
順向電壓
19
逆向電壓
晶片的特性介紹
晶片亮度與溫度之關係
Relative Luminance vs Ambient Temperature
140
Re la tiv e Lu m in a n c e
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晶片的製作流程3
• 晶片的制作流程：磊晶—電極—切割 • 磊晶流程：清洗--磊晶成長—品質分析—研磨 — Ga回收純化
品質分析： 分析厚度(磊晶層、晶片) 雜質含量(CC值) 亮度指標(BI值)
14
晶片的製作流程
• 電極流程：晶片整理—晒圖—清洗—鍍正、背金—黃光 微影—金蝕刻—熔合—測Rs(表面電阻)--黃光微影—真 空鍍鈦鋁—剝鈦鋁—去光阻—熔合—測Rs • Ⅲ-Ⅴ: GaP GaAs GaN InP GaAsP AlGaAs AlGaInP AlGaAsP • Ⅱ-Ⅵ:ZnSe • Ⅳ-Ⅵ:SiC • Chip 是以mil為單位。 • 1mil=1/1000inch=25.4um
藍光 InGaN氮化鎵銦
CREE：InGaN/SiC(碳12
晶片制作流程2
• • • • • • • • • 蒸鍍: 金屬電極蒸鍍 黃光照像: 金屬電極對準 化學蝕刻: 電極形成 金屬融合: 電性形成 切割: 晶粒形成 測試: 電性檢測 伸張: 擴張晶粒間距 目檢: 挑除不良晶粒 包裝: 包裝至藍/白膜, 貼標籤, 裝箱
Fo rwa rd Vo lta g e ( V )
2.3 2.2 2.1 2 1.9 1.8 1.7 1.6 0 10 20 30
led五大原物料
led五大原物料led五大原物料分别是指：晶片，支架，银胶，金线，环氧树脂1、晶片1.1晶片的构成：由金垫，P极，N极，PN结，背金层构成（双pad晶片无背金层）。
1.2定义：晶片是由P层半导体元素，N层半导体元素靠电子移动而重新排列组合成的PN结合体。
也正是这种变化使晶片能够处于一个相对稳定的状态。
1.3晶片的发光原理：在晶片被一定的电压施加正向电极时，正向P区的空穴则会源源不断的游向N区，N区的电子则会相对于孔穴向P区运动。
在电子，空穴相对移动的同时，电子空穴互相结对，激发出光子，产生光能。
1.4晶片的分类：1.4.1按组成分：二元：如GaAs(砷化镓)，GaP（磷化镓）等三元：InGaN(氮化铟镓)，GaAlAs(砷化镓铝)，GaAsP(磷化镓砷)等四元：AlInGaP,AlInGaAs1.4.2按极性分：N/P,P/N1.4.3按发光类型分：表面发光型: 光线大部分从晶片表面发出五面发光型：表面，侧面都有较多的光线射出1.4.4按发光颜色分：红，橙，黄，黄绿，纯绿，标准绿，蓝绿，蓝2、支架：2.1支架的结构：1层铁2层镀铜（导电性好，散热快）3层镀镍（防氧化），4层镀银（反光性好，易焊线）2.2型号分类：2号，3号，4号，6号，9号，食人鱼…3、银胶(因种类较多，我们依H20E为例)3.1种类:H20E,826-1DS,84-1A…3.2组成：银粉（导电，散热，固定晶片）＋环氧树脂（固化银粉）＋稀释剂（易于搅拌）3.3使用条件:储藏条件：银胶的制造商一般将银胶以－40 °C 储藏，应用单位一般将银胶以－5 °C 储藏。
单剂为25 °C/1年（干燥，通风的地方），混合剂25 °C/72小时（但在上线作业时因其他的因素“温湿度、通风的条件”,为保证产品的质量一般的混合剂使用时间为4小时）烘烤条件：150 °C/1.5H搅拌条件：顺一个方向均匀搅拌15分钟3.4 绝缘胶：也叫白胶，乳白色，绝缘粘合作用（烘烤温度为：100°C/1.5H）4、金线（依φ1.0mil为例）LED所用到的金线有φ1.0mil、φ1.2mil金线的材质：LED用金线的材质一般含金量为99.9％金线的用途：利用其含金量高材质较软、易变形且导电性好、散热性好的特性，让晶片与支架间形成一闭合电路。
碳化硅晶片的用途
碳化硅晶片的用途碳化硅（SiC）晶片是一种具有广泛应用前景的高性能半导体材料。
它具有多种特殊的物理和化学特性，使得其在许多领域具有独特的应用优势。
以下是碳化硅晶片的几个主要用途：1.功率电子器件碳化硅晶片被广泛应用于高电压、高频率和高温环境下的功率电子器件中。
相对于传统的硅基技术，碳化硅晶片具有更好的电子迁移特性、更高的击穿电场强度和更高的热导率。
这使得碳化硅晶片成为制造高效能、高功率脉冲器件、功率变换器以及电力传送和分配系统中的关键材料。
2.光电子器件碳化硅晶片在光电子领域具有独特的应用潜力。
碳化硅晶片具有宽能带隙（2.2-3.4eV），使得其对可见光和紫外线具有很好的透过性和较低的光吸收率。
因此，碳化硅晶片被广泛用于高功率激光器、光电传感器和光纤通信系统等领域，具有较高的效能和稳定性。
3.射频和微波器件碳化硅晶片具有优异的高频性能，使得其在射频和微波器件中得到广泛应用。
碳化硅晶片的高电子迁移率和低特征阻抗使其成为高功率微波放大器、高频收发器和射频开关等器件的理想材料。
此外，碳化硅晶片在高温和高功率环境下具有较低的损耗和较高的热稳定性，使其在通信、雷达和航天等领域的微波设备中得到广泛应用。
4.电力电子模块碳化硅晶片可以用于制造高温、高功率、高压的电力电子模块，可以提高能源转换效率和系统性能。
碳化硅晶片在电力电子装置中具有良好的热导率和较低的功率损耗，可以有效降低系统的温度和能量损失。
这使得碳化硅晶片在新能源系统、工业自动化和交通运输等领域的电力电子模块中具有广泛应用前景。
5.其他应用碳化硅晶片还可以用于制造高温传感器、气体传感器和生物传感器等应用。
由于碳化硅具有优异的机械强度和化学稳定性，它可以耐受极端的环境条件，例如高温、酸碱等，使得其在特殊环境下的传感器应用中具有较高的性能和可靠性。
总结起来，碳化硅晶片具有卓越的电子特性、优异的导热性能、较高的机械强度和较低的损耗等特点，使其在功率电子器件、光电子器件、射频和微波器件、电力电子模块以及传感器等多个领域具有广泛的应用前景。
晶片基础知识
一．晶片概述晶片又称芯片，英文叫做CHIP，它是制作LED LAMP，LED DISPLAY，LED BACKLIGHT 的主要材料，由磷化镓（GaP），镓铝砷（GaAlAs），或砷化镓（GaAs），氮化镓（GaN）等材质组成，其内部结构为一个PN结，具有单向导电性。
二．晶片的外形结构1.图1及图2为焊单线晶片的外形，图3及图4焊双线晶片的外形图。
2.电极的材质：铝或金3.焊单线晶片上面电极外形：4．焊单线晶片下面电极的外形5.晶片的颜色：红色不透明，红色透明，暗红色，黑色，白色透明等6.晶片尺寸定义：以晶片底部尺寸较大的那条边尺寸为准7.焊单线晶片电极特性：正极性晶片及反极性晶片8.晶片电极的连接及对发光的影响(1)上面电极用来焊接金线或铝线，电极太大会影响发光效率，电极太小使电流不能流到晶片全体，同样也会影响发光效率。
(2)下面电极通过银胶与支架或PCB接触，它是用来使电流均匀流到晶片内，下面电极有圆形，格子状或全面电极，全面电极导电性好，但对光的吸收要太于前两种形状。
顺向电流的大小，与顺向电压的大小有关。
晶片的工作电流在10-20mA左右。
单位：mA4．反向电压（VR）：施加在晶片上的，晶片保持截止状态的电压。
5．反向电流（IR）：指的是晶片施加反向电压所产生的电流，此电流越小越好。
此电流过大容易造成反向击穿。
6．亮度（IV）：指的是光源的明亮程度。
单位换算：1cd=1000mcd 1mcd=1000µcd7.波长（HUE）：反映晶片发光颜色。
单位：nm波长不同晶片，其发光颜色不同。
8．不同波长光的定义（1）波长大于0.1mm 电波（2）760 nm –0.1mm 红外光（3）380 nm -760nm 可见光（4）10 nm-380 nm 紫外光。
晶片知识1
晶元（Episar）广镓（Huga）新世纪光电（Genesis Photonics）光电（Arima）泰谷光电（Tekcore）联胜（HPO）汉光（HL）光磊:ED 鼎元:TK 洲技 TC 路美:LMLED和LED芯片制造商包括：晶电（Epistar）、燦圆（Formosa Epitaxy）、华上（Arima Optoelectronics）、光磊（Opto Tech）、鼎元（Tyntek）、华兴（Ledtech Electronics）、东贝（Unity Opto Technology）、光鼎（Para Light Electronics）、亿光（Everlight Electronics）、佰鸿（Bright LED Electronics）、今台（Kingbright）、菱生精密（Lingsen Precision Industries）、立基（Ligitek Electronics）、光宝（Lite-On Technology）。
评价答案好:2不好:0原创:0非原创:0伍平波2010-02-01 14:27满意答案好评率：0%一、欧司朗(Osram)欧司朗是世界上两大光源制造商之一，总部设在德国慕尼黑，研发和制造基地在马来西亚，是西门子全资子公司。
2007财政年度(截至2007年9月30日)，Osram全球销售业绩高达47亿欧元。
欧司朗的客户遍布全球近150个国家和地区。
凭借着创新照明技术和解决方案，Osram不断开发人造光源的新领域，产品广泛使用在公共场所、办公室、工厂、家庭以及汽车照明各领域。
欧司朗拥有多项世界领先的专利，众多世界著名工程都选择了Osram的照明产品和方案。
从世界高楼的台北101大厦，到极尽豪华的迪拜帆船酒店;从2000年悉尼奥运体育场，到2006年世界杯慕尼黑安联球场;从庄严肃穆的北京天安门，到现代建筑经典瑞典马尔摩旋转大厦…Osram的照明产品都闪耀在其中。
欧司朗在中国共设有三个生产基地，并拥有研发中心，公司在华员工总数接近8000人。
最新LED晶片知识
Maximum Rating 30 100 5
-30 to +85 -40 to +100
2000
Unit mA mA V ℃ ℃ V
7. 晶片主要厂家/与型号编码
1. 晶元 (Epistar) 台湾最大的晶片生产商之一 晶片编码原则 (其晶片型号通常以ES-与ET-开头)
8. 磊芯片材料标准
中国台湾地区晶片厂商
序号 公司名称
英文名 成立时间 生产产品
1
国联光电
2
璨圆光电
3
华上光电
4
晶元光电
UEC FOBEPI ARIMA EPISTAR
1993.9 1999.11 1998.9 1996.9
InGaAlP GaN
GaN 光电相关
材料 InGaAlP
GaN 外延片 与芯片
GaP, GaAsP
9.晶片评估
1.评估流程: 来料检验==>安排试产==>固晶实验 ==> 焊线实验==>老化实验==>不良
分析==>OK/NG 2.检验项目包括： 2.1、来料资料有无规格书（没有规格书不建议盲目的去实验）； 2.2、来料的芯片参数（亮度、电压、波长等）是否符合规格要求，
外观（电极位置）是否与规格书上相同； 2.3、尺寸测量：需要采用精确的高倍显微镜进行测量，实际尺寸
性层,二层为背覆层. 发光区为活性层. 4. 去除基板型without subsrate双异质结构;在砷化镓基板上,先长一层砷
化铝镓磊晶,再将双异质结构长在此磊晶层上,最后将砷化镓基板去掉.其 目的为减少砷化镓基板 对所发出之红光吸收. 5. 芯片弯曲bow;量正面中心点与背面中心点之厚度查. 6. 厚度变量thickness variation: 指在芯片上特定点间,厚度之差异. 7. 成长方式growth: 指磊晶成长方式. 8. 传导型态conduction type: 指电性上传导之主要型态. 9. 渗入杂质dopant: 指渗入基片或磊晶层之杂质元素. 10.载子溶度carrier concentration: 指渗入杂质溶度. 11 发光波长wavelength: 指磊芯片受激后发光之波长.由铝含量控制. x=0.35时,波长为660nm. 12.发光亮度output power: 指磊芯片受激后发光之亮度.
LED晶片
LED晶片（LED chip）一、LED晶片的作用LED晶片为LED的主要原材料，LED主要依靠晶片来发光。
二、LED晶片的组成主要有砷(AS)铝(AL)镓(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Ｓi)这几种元素中的若干种组成。
三、LED晶片的分类1、按发光亮度分：A、一般亮度：R﹑H﹑G﹑Y﹑E等B、高亮度：VG﹑VY﹑SR等C、超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等D、不可见光(红外线)：R﹑SIR﹑VIR﹑HIRE、红外线接收管：PTF、光电管：PD2、按组成元素分：A、二元晶片(磷﹑镓)：H﹑G等B、三元晶片（磷﹑镓﹑砷）：SR﹑HR﹑UR等C、四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟)：SRF﹑HRF﹑URF﹑VY﹑HY﹑UY﹑UYS﹑UE﹑HE、UG四、LED晶片特性表LED晶片型号发光颜色组成元素波长（nm）晶片型号发光颜色组成元素波长（nm）SBI蓝色lnGaN/sic 430 HY超亮黄色AlGalnP 595SBK较亮蓝色lnGaN/sic 468 SE高亮桔色GaAsP/GaP 610DBK较亮蓝色GaunN/Gan 470 HE超亮桔色AlGalnP 620SGL青绿色lnGaN/sic 502 UE最亮桔色AlGalnP 620DGL较亮青绿色LnGaN/GaN 505 URF最亮红色AlGalnP 630DGM较亮青绿色lnGaN 523 E桔色GaAsP/GaP635PG纯绿GaP 555 R红色GAaAsP 655SG标准绿GaP 560 SR较亮红色GaA/AS 660G绿色GaP 565 HR超亮红色GaAlAs 660VG较亮绿色GaP 565 UR最亮红色GaAlAs 660UG最亮绿色AIGalnP 574 H高红GaP 697Y黄色GaAsP/GaP585 HIR红外线GaAlAs 850VY较亮黄色GaAsP/GaP 585 SIR红外线GaAlAs 880UYS最亮黄色AlGalnP 587 VIR红外线GaAlAs 940UY最亮黄色AlGalnP 595 IR红外线GaAs 940五、注意事项及其它1、LED晶片厂商名称：A、光磊（ED）B、国联（FPD）C、鼎元（TK）D、华上（AOC）E、汉光（HL）F、AXT G、广稼2、LED晶片在生产使用过程中需注意静电防护。
晶振晶片的工艺流程
晶振晶片的工艺流程晶振晶片（Crystal oscillator chip）是一种电子元件，用于产生稳定的高频时钟信号，广泛应用于各种电子设备中。
晶振晶片的工艺流程可以分为以下几个步骤：1. 片基制备：晶振晶片的制备从选择合适的基片开始。
通常使用石英石作为基片，石英具有优异的机械和热学特性，能够提供稳定的振荡频率。
然后，在脱脂、清洗等工序后，将基片切割成合适的尺寸。
2. 衬底膜制备：在基片上制备衬底膜，通常使用化学蒸镀、溅射、离子束沉积等工艺。
衬底膜的主要作用是提高晶振晶片的机械强度和硬度，并提供良好的晶圆黏附性。
3. 结晶层生长：在经过衬底膜制备的基片上进行结晶层生长。
结晶层通常是以蒸镀或者溅射的方式进行，材料可以是金属、化合物或混合物。
结晶层的厚度和材料的选择对晶振晶片的振荡频率和性能有重要影响。
4. 掩膜制备：在结晶层上制备掩膜。
掩膜是根据晶振晶片的设计要求，在结晶层上形成排列有序的电极和电路图案。
制备掩膜通常采用光刻、溅射等技术，将光刻胶涂布在结晶层上，然后通过曝光、显影等步骤，形成所需的电路结构。
5. 金属电极制备：在掩膜上制备金属电极。
金属电极是晶振晶片用于输入和输出振荡信号的接触点。
金属电极通常通过蒸镀、溅射或电镀等工艺制备。
制备金属电极包括先进行金属表面处理，然后利用掩膜进行电极定义，最后剩余掩膜被去除。
6. 封装和测试：最后一步是对晶振晶片进行封装和测试。
封装是将制备好的芯片放置在合适的封装盒中，通常使用双引线封装或其他特定形式的封装。
封装完成后，通过仪器设备进行测试和调试，以确保晶振晶片的性能和稳定性。
总结起来，晶振晶片的工艺流程包括片基制备、衬底膜制备、结晶层生长、掩膜制备、金属电极制备、封装和测试等步骤。
这些步骤中每一步都十分关键，影响着晶振晶片的性能和质量。
通过不断的优化和改进，可以提高晶振晶片的工艺制程，提高产品的性能和可靠性。
晶片
晶片基础知识一.晶片的作用:晶片为LED的主要原材料,LED主要依靠晶片来发光.二.晶片的组成.主要有砷(AS) 铝(AL) 镓(Ga) 铟(IN) 磷(P) 氮(N)锶(Ｓr)这几种元素中的若干种组成.三.晶片的分类1.按发光亮度分:A.一般亮度:R﹑H﹑G﹑Y﹑E等.B.高亮度:VG﹑VY﹑SR等C.超高亮度:UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等D.不可见光(红外线):IR﹑SIR﹑VIR﹑HIRE. 红外线接收管 :PTF.光电管 : PD2.按组成元素分:A. 二元晶片(磷﹑镓):H﹑G等B.三元晶片（磷﹑镓﹑砷）:SR﹑HR﹑UR等C.四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟):SRF﹑HRF﹑URF﹑VY﹑HY﹑UY﹑UYS﹑UE﹑HE、UG等四.晶片特性表(详见下表介绍)晶片型号发光颜色组成元素波长(nm) 晶片型号发光颜色组成元素波长(nm)SBI 蓝色 lnGaN/sic 430 HY 超亮黄色 AlGalnP 595SBK 较亮蓝色 lnGaN/sic 468 SE 高亮桔色 GaAsP/GaP610DBK 较亮蓝色 GaunN/Gan470 HE 超亮桔色 AlGalnP 620SGL 青绿色 lnGaN/sic 502 UE 最亮桔色 AlGalnP 620DGL 较亮青绿色 LnGaN/GaN505 URF 最亮红色 AlGalnP 630DGM 较亮青绿色 lnGaN 523 E 桔色 GaAsP/GaP635PG 纯绿 GaP 555 R 红色 GAaAsP 655SG 标准绿 GaP 560 SR 较亮红色 GaA/AS 660G 绿色 GaP 565 HR 超亮红色 GaAlAs 660VG 较亮绿色 GaP 565 UR 最亮红色 GaAlAs 660UG 最亮绿色 AIGalnP 574 H 高红 GaP 697Y 黄色 GaAsP/GaP585 HIR 红外线 GaAlAs 850VY 较亮黄色 GaAsP/GaP585 SIR 红外线 GaAlAs 880UYS 最亮黄色 AlGalnP 587 VIR 红外线 GaAlAs 940UY 最亮黄色 AlGalnP 595 IR 红外线 GaAs 940五.注意事项及其它1.晶片厂商名称: A.光磊(ED) B.国联(FPD) C.鼎元(TK) D.华上(AOC)E.汉光(HL)F.AXTG.广稼2.晶片在生产使用过程中需注意静电防护.。
半导体材料碳化硅晶片
半导体材料碳化硅晶片1. 什么是碳化硅晶片？好吧，先来给大家普及一下什么是碳化硅晶片。
简单来说，碳化硅（SiC）是一种半导体材料，听起来是不是挺高大上的？它的特点是耐高温、抗辐射、导电性强，简直就是半导体界的“超级英雄”！想想吧，像我们平时用的电子产品，虽然小巧可爱，但里面的材料可得是“八面玲珑”的，才能保证它们在不同环境下都能正常工作。
比如说，碳化硅晶片就能在高温下也能保持稳定性能，真的是一把好手，谁用谁知道！2. 碳化硅的优势2.1 超高温耐受能力说到碳化硅的优点，首先就得提它的高温耐受能力。
你想啊，咱们平常使用的硅晶片，在温度升高的时候，可能就得打“退堂鼓”了，可碳化硅可不是那么简单的角色！它可以在极高温度下工作，简直是“温度杀手”的克星。
不怕热的它，广泛应用于电动汽车、光伏发电和航空航天等领域，感觉就像是“肩扛大梁”的大力士，力大无比，威风凛凛！2.2 节能减排的环保先锋另外，碳化硅在能效方面也是一把好手！它的导电性能优越，能有效降低能量损耗。
这就好比你在开车时，油耗少了，自然就省了不少钱，对吧？而且，随着全球环保意识的提升，碳化硅晶片的使用可以帮助我们减少碳排放，简直是“绿色先锋”！所以说，咱们用碳化硅，不仅是为自己省钱，也是为地球出了一份力，真的是两全其美啊。
3. 碳化硅的应用领域3.1 电动汽车的“强劲动力”咱们再来聊聊碳化硅在电动汽车中的应用。
近年来，电动汽车越来越火，但要说动力强劲，那可少不了碳化硅的身影。
想象一下，当你踩下油门，瞬间就能体验到那种飞速的感觉，那可不是一般的车能做到的。
这背后，碳化硅晶片在电池管理系统和驱动电机中的作用可谓至关重要，简直是“马力十足”的代言人！所以说，电动汽车未来的发展，离不开这些“幕后英雄”。
3.2 电子设备中的“隐形卫士”再说说我们日常生活中用到的电子设备，像手机、电脑、平板等等。
它们的小巧与强大，离不开碳化硅的支持。
想象一下，你在家里追剧，手机没电了，结果发现充电速度如蜗牛般缓慢，简直让人抓狂。
晶片制造中的材料科学创新有哪些
晶片制造中的材料科学创新有哪些在当今科技飞速发展的时代，晶片已经成为了众多电子设备的核心组件，从智能手机到超级计算机，从医疗设备到航空航天，几乎无所不在。
而晶片制造中的材料科学创新，则是推动这一领域不断前进的关键力量。
首先，让我们来了解一下什么是晶片。
晶片，通常是由硅等半导体材料制成的薄片状物体，上面集成了大量的电子元件，如晶体管、电容器等。
这些微小的元件通过复杂的电路连接在一起，实现了各种计算和控制功能。
在晶片制造中，材料的纯度至关重要。
高纯度的硅材料是制造优质晶片的基础。
过去，为了获得高纯度的硅，科学家们不断改进提炼和纯化工艺。
如今，化学气相沉积（CVD）技术的创新使得硅材料的纯度能够达到极高的水平，大大减少了杂质对电子性能的影响。
除了硅，化合物半导体材料也在晶片制造中崭露头角。
例如，砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等材料具有比硅更高的电子迁移率，能够在高频和高速应用中表现出色。
这些材料的创新应用，为 5G 通信、卫星通信等领域带来了突破。
在绝缘材料方面，氧化硅曾经是主流选择。
但随着晶片集成度的不断提高，传统的氧化硅绝缘性能逐渐难以满足需求。
于是，高介电常数（Highk）材料应运而生。
Highk 材料如铪基氧化物，具有更好的绝缘性能，能够有效地减少漏电现象，提高晶片的性能和能耗效率。
金属材料在晶片制造中也扮演着重要角色。
铜逐渐取代铝成为晶片布线的主要材料，因为铜具有更低的电阻，能够提高信号传输速度和降低功耗。
然而，铜的扩散问题曾经是一个挑战。
通过在铜表面添加阻挡层材料，如氮化钽（TaN），有效地解决了这一问题。
在光刻工艺中，光刻胶材料的创新也至关重要。
传统的光刻胶在分辨率和灵敏度方面存在一定的限制。
新型光刻胶材料，如极紫外（EUV）光刻胶，能够实现更小的特征尺寸，为晶片制造迈向更小制程提供了可能。
此外，还有一些新兴的材料正在探索和研究中。
例如，二维材料如石墨烯、二硫化钼等，由于其独特的物理性质，有望在未来的晶片制造中发挥重要作用。
LED晶片基础知识扫盲及制造.doc
LED晶片基础知识扫盲及制造LED晶片基础知识扫盲%1.晶片的作用：晶片為LED的主要原材料,LED主要依靠晶片來發光.%1.晶片的組成.主要有碑（AS）鋁（AL）錄（Ga）錮（IN）磷（P）氮（N）鍵（Si）這几种元素中的若干种組成.%1.晶片的分類1.按發光亮度分：A. —般亮度:R、H、G、Y、E 等.B•高亮度:VG、VY、SR等C.超高亮度:UG、UY、UR、UYS、URF、UE 等D.不可見光（紅外線）:IR、SIR、VIR、HIRE.紅外線接收管：PTF.光電管:PD2.按組成元索分：A.二元晶片（磷、錄）：H、G等B.三元晶片（磷、錄、H巾）：SR、HR、UR等C・四元晶片（磷、鋁、錄、錮）:SRF、HRF、URF、VY、HY、UY、UYS、UE、HE、UG 等%1.晶片特性表（詳見下表介紹）晶片型號發光顏色組成元索波長（血）晶片型號發光顏色組成元素波長（nm）SBI 藍色InGaN/sic 430 HY 超亮黃色AlGalnP 595SBK 較亮藍色InGaN/sic 468 SE 高亮桔色GaAsP/GaP610DBK 較亮藍色GaunN/Gan470 HE 超亮桔色AlGalnP 620SGL 青綠色InGaN/sic 502 UE 最亮桔色AIGalnP 620DGL較亮青綠色LnGaN/GaN505 URF最亮紅色AlGalnP 630 DGM較亮青綠色WG Q N523 E 桔色GaAsP/GaP635PG 純綠GaP 555 R 紅色GAaAsP 655SG標准綠GaP 560 SR較亮紅色GaA/AS 660G綠色GaP 565 HR超亮紅色GaAlAs 660VG較亮綠色GaP 565 UR最亮紅色GaAlAs 660UG 最亮綠色AlGalnP 574 H 高紅GaP 697Y 黃色GaAsP/GaP585 HIR 紅外線GaAlAs 850VY 較亮黃色GaAsP/GaP585 SIR 紅外線GaAlAs 880UYS 最亮黃色AlGalnP 587 VIR 紅外線GaAlAs 940UY最亮黃色AlGalnP 595 IR紅外線GaAs 940第四章芯片制造概述-Tby r53858概述木章将介绍基木芯片生产T艺的概况。
晶片（半导体元件产品的统称）详细资料大全
晶片（半导体元件产品的统称）详细资料大全积体电路（英语：integrated circuit，缩写作IC；或称微电路（microcircuit）、微晶片（microchip）、晶片/晶片（chip）在电子学中是一种把电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。
基本介绍•中文名：晶片•外文名：microchip•别称：微电路、微晶片、积体电路•含义：半导体元件产品的统称•制造设备：光刻机简介,介绍,积体电路的发展,分类,制造,封装,简介将电路制造在半导体晶片表面上的积体电路又称薄膜（thin-film）积体电路。
另有一种厚膜（thick-film）积体电路（hybrid integrated circuit）是由独立半导体设备和被动组件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。
从1949年到1957年，维尔纳·雅各比（Werner Jacobi）、杰弗里·杜默（Jeffrey Dummer）、西德尼·达林顿（Sidney Darlington）、樽井康夫（Yasuo Tarui）都开发了原型，但现代积体电路是由杰克·基尔比在1958年发明的。
其因此荣获2000年诺贝尔物理奖，但同时间也发展出近代实用的积体电路的罗伯特·诺伊斯，却早于1990年就过世。
介绍电晶体发明并大量生产之后，各式固态半导体组件如二极体、电晶体等大量使用，取代了真空管在电路中的功能与角色。
到了20世纪中后期半导体制造技术进步，使得积体电路成为可能。
相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件，积体电路可以把很大数量的微电晶体集成到一个小晶片，是一个巨大的进步。
积体电路的规模生产能力，可靠性，电路设计的模组化方法确保了快速采用标准化积体电路代替了设计使用离散电晶体。
积体电路对于离散电晶体有两个主要优势：成本和性能。
成本低是由于晶片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个电晶体。
晶片基本知识
晶片基本知識晶片的構造二.晶片的分類及常用晶片晶片的分類有三種:二元,三元和四元1.二元(2-element):GaN,GaP常用晶片:C430-CB290-E1000,ED-011YGU,ED-013YGU,ED-010RN,ED-011RD2.三元(3-element):InGan,GaAIAS,GaASP常用晶片:C470-CB290-E1000, C505-CB290-E1000,C512-CB290-E1000,C525-CB290-E1000, C525-CB230-E1000, C525-UB230-E1000,C470-CB230-E1000,C470-UB290-E1000,ED-012SRD,ED-011URED-010SR,D-012SO,ED-011HY3.四元(4-element):AlGaInP常用晶片:ES-CAYL512,ES-CASO512,ES-CAHR512,ES-CASR512UED-712SYS-MV,ES-CAYO512,UED-712UR-V,UED-712SO-V三. 晶片的發光原理1. 可見光:(1)400 500 600 700 800 900(2) 產生方法:A. 熱輻射: 物體溫度上升至白熾狀態而發光(如燈泡)B. 激發發光: 8種a. 生物發光b.化學發光c.磨擦發光d.燃燒發光e. 陰檄射線發光f.熱發光g.輻射線發光h.電發光2. 光的三原色:紅,綠,藍3. 半導體材料組成(2)組成晶片的材質400 500 600 700 800GaAsGaN4. 發光原理(1) P-N 接面之能帶分布圖P 型 N 型 P 型 N 型 傳導帶☉☉☉☉☉價電帶 a. 無電壓時 b.加入順向電壓時Ec.電場力作用(2) P-N接面之伏安特性(3)發光效率:能量完全轉化為光子時,內部量子效率即過100%,但由于受到晶片本身的吸收或反射,外部量子效率最高只能達40%.四.晶片主要性能指標:Vf,Iv,Wd(1)Vf: 影響不同區域芯片的Vf因素有:a.蒸發材料時的不均勻分布b.退火溫度的不均勻(2)Iv: 影響因素見發光效率(3)Wd: 影響為:材料及配比(4)Vf與Wd的關系式:Wd=1240/Vf(nm)注:藍色激活層能帶為2.7v.,但受摻Si的影響及墊檄金屬的接觸導致20mA下,正面電壓為3.8v,只要改善四件結構和摻雜水平,就可獲低于3.0v的正面電壓.。
晶片介绍.jsp
1
前言
LED 作為新一代的光源﹐其外形多樣﹐但是其產品的特性主要由芯片及封裝 工藝所決定。 LED芯片作為LED的重要發光部件﹐其芯片的特性很大程度上決定了LED的 特性. 為此了解LED芯片的特性﹐對于LED產品的開發及其應用有著很重要的意 義.
Silicon
*Thermal Conductivity GaAs: 46 W/m-K GaP: 77 W/m-K Si: 125 ～ 150 W/m-K Cupper:300~400 W/m-k SiC: 490 W/m-K
Copper
GaP
GaP
12
MB 晶片簡介
■ 特點﹕ 2﹕通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時反射光子，避免襯底 的吸收. 3: 導電的Si 襯底取代GaAs 襯底，具備良好的熱傳導能力(導熱系數相差3~4 倍)，更適應於高驅動電流領域。 4: 底部金屬反射層﹐有利于光度的提升及散熱 5: 尺寸可加大﹐應用于High power 領域﹐eg : 42mil MB
2
AS 晶片簡介
■ 定義﹕
AS 晶片﹕Absorbable structure (吸收襯底）晶片﹔經過近四十年的發展努 力 ﹐台灣LED光電業界對于該類型晶片的研發﹑生產﹑銷售處于成熟的階段﹐各大 公司在此方面的研發水帄基本處于同一水帄﹐差距不大.
大陸芯片制造業起步較晚 ﹐ 其亮度及可靠度與台灣業界還有一定的差距﹐在這 里 我 們 所 談 的 AS 晶 片 ﹐ 特 指 UEC 的 AS 晶 片 ﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等 ■ 特點﹕ 1. 四元晶片﹐采用 MOVPE工藝制備﹐亮度相對于常規晶片要亮 2. 信賴性優良 3. 應用廣泛
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晶片相关知识讲述第一节：LED制程简介；
第二节：晶片的制做原理及组成原料；第三节：晶片的特性及发光原理；
第四节：常用晶片的种类；
第五节：晶片的分片方式；
第六节：晶片的正确使用及影响因素。
第一节：LED制程简介
发光二极体：Light Emitting Diode（LED）是一种具有两个电极端子、在电子间施加电压，通过电流会立即发光的光电元件。
由于LED是自体发光，用手触摸并不会有热的感觉，且寿命可达十万个小时以上。
LED依制作流程可分为上、中、下游与应用四个部份。
上游制程主要是单晶棒经由切割、研磨、抛光，而形成单晶片。
单晶片为磊晶成长用基板。
磊晶片透过不同磊晶成长法，制造ⅢⅤ族化合物半导体，如：磷化镓（GaP）、砷化镓（GaAs）、磷砷化镓(AsGaP) 、砷化铝镓（AlGaAs）、磷化铝铟镓（AlGaInP）、氮化铟镓（GaInN）等磊片，然后进入中游制程。
下游制程主要是封装完成LED成品。
将晶粒粘著（Dice Bond）、打线（Wire Bond）后，置入树脂的模具中，封装完成不同基本零件或模组，等树脂硬化后取出剪脚，完成LED成品。
若依封装成品可分为灯泡型(Lamp)、数字/字元显示型(Digital/Character) 、表面粘著型(Surface Mount) 、点矩阵型(Dot Matrix) 、集束型(Chuster)等。
而使用LED成品制作成显示器材，则属于应用层面。
应用：户外显示屏幕、第三煞车灯、交通记号等。
LED具有低耗电量、低发热量、使用寿命长、反应速率快、耐震性高等特性、是符合环保要求的光电元件。
应用于资讯、通讯、消费性电子等方面。
主波长(Dominate Wavelength, λp)
色调(Hue)
17
18。