高精度激光温控系统设计

高精度激光温控系统设计张晓杰1，于航2，赵宝奇3，刘春华1，唐刚锋1（1．中航工业洛阳电光设备研究所，河南洛阳471009；2．空军驻北京地区军事代表局，北京100009；3．中国人民解放军驻洛阳电光设备研究所空军代表室，河南洛阳471009）摘要：针对大功率半导体激光器精确温控较为困难的问题，提出了一种高精度温控系统的设计方法。

该系统采用数字PID控制以及细分温度区间的方法，实现了精确温控。

在对某大功率激光器的试验中，在高低温环境下，温控精度可以达到ʃ2ħ。

试验结果表明，该系统温控精度高，加热/制冷效率高，为大功率半导体激光器的温度控制提供了一种良好的解决方案。

关键词：半导体激光器；数字PID控制；温度控制中图分类号：V271．4文献标志码：A文章编号：1671－637X（2010）09－0082－04 Design of a High-Precision Temperature Control Systemfor Semiconductor LaserZHANG Xiaojie1，YU Hang2，ZHAO Baoqi3，LIU Chunhua1，TANG Gangfeng1（1．Luoyang Institute of Electro-Optical Equipment，Luoyang471009，China；2．Military Deputy Bureau of Air Force in Beijng，Beijing100009，China；3．Military Deputy Office of PLA in Luoyang Institute of Electro-Optical Equipment，Luoyang471009，China）Abstract：A method for design of a high-precision temperature control system for high-power semiconductor lasers was proposed．Digital PID arithmetic and precise temperature range partition were used to improve the temperature control precision．In test to a high-power laser，the temperature control precision could reach ʃ2ħwhen ambient temperature ranged from－45ħto60ħ．Experimental result showed that this system can control temperature with high precision and high efficiency，which provide a good system for temperature control of high-power semiconductor laser．Key words：semiconductor laser；digital PID control；temperature control0引言激光半导体泵浦固体激光器（DPL）以其高效率、高光束质量、结构紧凑、长寿命等优点引起人们极大的研究兴趣［1］。

半导体激光器是利用半导体二极管（LD）PN结正向电流中粒子数反转实现受激辐射产生激光的［2］。

对半导体来说，由于电子是在各能带之间进行跃迁，而不是在分立的能级之间跃迁，所以跃迁能量不是个确定值，这使得半导体激光器的输出波长展布在一个很宽的范围上。

当温度变化时，LD输出波长会随之变化，进而影响DPL输出功率的变化，本文提出了一种控制LD温度的方法，从而保证激光器输出收稿日期：2009－08－31修回日期：2010－01－28作者简介：张晓杰（1980—），女，辽宁朝阳人，工程师，研究方向为半导体激光电源与激光控制。

功率的稳定。

1LD温度控制需求在LD中，为实现对激光的谱线耦合，必须调整LD 的输出波长，使其与激光晶体的吸收峰值匹配。

LD的输出波长易受温度和注入电流的影响，一般LD温度漂移系数约为0．26 0．3nm/ħ。

目前固体激光器的吸收谱线带宽很窄（对Nd：YAG的吸收峰宽度只有4 5nm），因此LD的精确温控已成为阻碍DPL工程应用的关键技术问题。

由图1可知，NdʒYAG激光器输出功率最大时波长为809nm；输出功率围绕最大值波动为ʃ10%时，波长从808．2nm变化到810nm［3］；综合以上指标，则：（810－808．2）ː0．3=6ħ。

所以，不考虑其他因素，仅考虑LD输出波长对输出功率影响，一般为保证Vol．17No．9Sep．2010第17卷第9期2010年9月电光与控制Electronics Optics＆ControlNdʒYAG激光器的输出功率稳定度≤ʃ10%，温度控制精度需要控制在ʃ3ħ以内。

图1激光器输出功率与LD波长的关系Fig．1Laser output versus LD wavelength2LD高精度温控系统2．1组成及工作原理温控电路主要由温度传感器、单片机、半导体制冷器（TEC）、驱动电路组成，如图2所示。

图2温控系统原理框图Fig．2Block diagram of temperature control system在－45 +60ħ的环境下，温度传感器实时测量半导体激光器阵列温度，单片机采集后，首先判断是否超过告警温度70ħ，如果超过则启动快速控制制冷，同时告警；如果没有超过，则将实测温度与温控点温度（45ħ）比较，高于温控点温度，则使TEC制冷；低于温控点温度，则TEC制热，从而使半导体阵列保持在温控点温度工作。

2．2温度采集调理电路考虑空间限制和测温范围因素，采用PT100铂热电阻传感器。

温度传感器埋在LD阵列里，因为它是热源；为采集准确，一个LD阵列放3个传感器，然后取平均值。

采用单片机片上的8位A/D，考虑需要采集温度范围是－45 +70ħ，而单片机采集的电压范围是0 5V，根据这个精度要求设计采集电路（如图3所示），则温度采集精度高于ʃ0．5ħ。

图3温度采集电路Fig．3Temperature acquisition circuit被测电压和A/D采样值的关系为（A/D采样值ˑ5）28=被测电压。

该电路可以通过改变电阻的值任意设置测温范围。

2．3驱动电路设计普通大功率三极管和绝缘栅功率器件（包括MOS-FET和IGBT等），由于器件结构的不同，具体的驱动要求和技术也大不相同。

前者属于电流控制器件，要求合适的电流波形来驱动；后者属于电场控制器件，要求一定的电压来驱动［4］。

当驱动信号与功率器件不需要隔离时，有许多驱动集成电路；当需要驱动器的输入端与输出端电气隔离时，一般采用光电耦合器或利用脉冲变压器来提供电气隔离。

本电路中单片机输出的PWM信号不足以直接驱动功率管组成的H桥电路，所以需要增加驱动能力，接一个成品驱动器。

目前，这类成品驱动器种类很多，如TI公司的UCC37XXX系列、TOSIBA公司的TPS28XX系列、SHARP公司的PC9xx系列等。

本设计中采用了国际整流器公司的IR2110。

驱动部分电路见图4。

图4TEC驱动电路示意图Fig．4The sketch of TEC drive circuit2．4温控的执行元件选择及应用基于帕尔贴（Peltier）效应制成的TEC半导体制冷38第9期张晓杰等：高精度激光温控系统设计器是进行制冷或加热的半导体器件［5］。

在TEC两端加上直流工作电压会使TEC的一端发热，另一端制冷；把TEC两端的电压反向则会导致相反的热流向。

而且尺寸、功率很多选择，并有体积小、重量轻、制冷效率高、环境适应性好、使用方便的特点。

当电流一定时，产冷量随热端温度的升高而降低，为保证TEC可以提供足够的制冷量，必须对其热端充分散热，以保证冷热端温差不大于额定的最大温差。

半导体阵列通电工作时所产生的热量逐级传递，最后所有能量将由散热片散掉，所以：Q=ΔQ+Q（1）式中：Q为散热功率；ΔQ为半导体制冷器的电功率；Q0为激光阵列热功率。

由于激光阵列热功率为115W，制冷片按温差60ħ时最低效率40%计算，则需要制冷片的电功率为100/40%=287W。

所以，Q=ΔQ+Q=287+ 115=402W；低温下加热，要在5min的时间从－45ħ加到45ħ，温差90ħ，所以要求TEC有足够的功率。

根据尺寸、供电等要求，TEC选用4片Ferrotec的9500/199/100B，其尺寸为40mmˑ40mmˑ3．5mm，其单片电气指标为Umax =27．4V，Imax=10A，Qmax=148W。

安装方式见图5。

图5TEC安装结构图Fig．5Structure of TEC setup半导体阵列、热沉、TEC和散热片紧紧贴在一起，其中TEC冷端接触热沉，热端接触散热片。

在TEC与热沉和散热片之间均匀地涂一层导热硅脂以避免其间空气薄层对导热性的影响。

3软件的算法以及仿真用单片机实现控制，体积小、可靠性高、易修改。

采用Microchip的PIC单片机是由于其抗干扰能力强，适合工业控制使用。

由于电源内有大电流等，对抗干扰要求较高，如果采用DSP或51等单片机，则抗干扰能力差，可能误读数据，造成死机等［6－7］。

3．1控制算法PID算法是工业控制系统中，使用最广泛的一种方法，就是比例、积分、微分算法，可以成比例改变控制的参量，可以消除偏差，可以根据偏差的变化速率调整控制参量。

该算法的优点有：计算机输出增量，所以误动作小；不需要累加，控制增量的确定仅与最近的3次采样值有关，因而比较容易通过加权处理获得比较好的控制效果，增量PID控制算式［8］为Uk=U（k－1）+Kpˑ［E（k）－E（k－1）］+KiˑE（k）（2）式中：Uk为最终输出量；U（k－1）为上一次输出；Kp为PID系数；E（k）为偏差；E（k－1）为上一次的偏差；Ki 为PID系数。

对PID运算的结果进行归一化，然后通过改变PWM信号的占空比改变供给TEC上的电流大小。

软件系统流程如图6所示。

首先对单片机进行初始化，然后将测得的温度与设定温度进行比较。

由于PID算法是精确控制，需要一定的时间才能达到控制点。

所以这里采用细分区间，在离温控点远的区域，用固定占空比的PWM信号大功率工作。

试验中，TEC供电是27V，加热时采用的占空比为50%，制冷时采用的占空比为35%；在温控点附近区域，用PID算法不断变换PWM信号的占空比，从而趋近温控点，这个区域越小，则PWM信号的占空比变化范围越小，这个区域越大，PWM信号占空比变化范围越大。