1维光子晶体的带隙研究
可调一维光子晶体的带隙特性
Ke r y wo ds:f r o lc rclqu d c y t l e r e e t i i i r s a ;ba d— p;t a s e t i n ga r n f r ma rx
光 子 晶体具有 光子带 隙和光子 局域 以至 能调节 光子 的运 动状 态 的特点 , 它在 研 究 和未 来 的应用 方 面 使 颇 受青 睐 , 现在 人们 对 光子 晶体 的理论 研 究 已经 相 光子 晶体是 由高低折 射 率材料 在空 间上作周期 交 替排列 而得 到 的人 工 微结 构 , 其 内部存 在 光子 在 当成 熟 , 尤其 是对 一维光 子晶 体的研究 , 大部 分是参 照 电子在半 导体材 料 中的运动来 解决 光子在 光子 晶
A b t a t W e pu i i r s a i o o — m e son lph t i r s a s t f c , a h n a l sr c : tl qu d c y t l nt ne di n i a o on c c y t la he de e t nd t e pp y
c a g d b d u tn h lcrcf l n e st h n e ya j si gt eee ti i di tn i e y,S st fe tt eb n — a f h t ncc y t1 O a o a fc h a d g p o o o i r sa .Th nwe p e
u e t r n f rm a rx me h O s u he ba d ga ft e p t i r t la d t e e ta f c t s he t a s e ti t od t t dy t n — p o h ho on c c ys a n he d f c fe t i.Th e
一维光子晶体全向带隙限光特性的研究
RES EARCH oN THE RACTEI TI CI US CS oF oPTI CAL TRANS I S ON M S I W I TH oM NI RECTI NA L DI o BANDGA P NTRo L N D oTo NI Co I 1 PH C
o e d me i n l h t n c c y t l t cu e p r me e h n e . n— i s n o a o o r sa r tr a a tri c a g d Omn i ci n l a d g p l t fl h l b p i su s i r t a n a mi o g t l e d e o b i i w i i lme t d i n l r m 。t 0 .B o d a d Omn i ci n l b n g p l t l h 5 n p ia mp e n e n a g e fo 0 o 9 。 r a b n i dr to a a d a i i t i a 1 0 m o t l e i m g n 5 c wa ee g h n a e a h e e y s lc ea p o ra es u t r l a a t r v ln t e r c iv d b e e t h p r p t t cu a r me e s b t i r p Ke r s p o o c c y t l; a f rm ti t o ; u rc l n l ss t n miso p c r m; a d a mi y wo d : h t n r s s t n e rx me h d n me a a y i; r s i a r s a i a a sin s e t u b n g pl t i
一维光子晶体的能带结构计算与分析
medium layer A which is one of medium layers composing the photonic crystal at first,
or the optical thickness of the substitute layer is even times of A.By contraries,when
effects and new techniques.Hence it is essential to study the relationship between
structures and photonic band gaps. Transfer matrix method is a powerful and straightforward tool to analysis the band
dependence with the ratio of the medium layer’S refractive index which components the 1 D photonlc crystal,the larger the ratio of the refractive index(na/rib),the wider the
even times of COo.The relation ship between photonic band gap of 1 D temary photonic
medium crystal and the refractive index,thickness,number of the
layer is similar to 1 D
dielectric constant which can create some ranges of forbidden frequencies for
利用平面波展开法在matlab中计算一维光子晶体的带隙结构
利用平面波展开法在matlab中计算一维光子晶体的带隙结构光子晶体是一种周期性的光学结构,它具有在一定频率范围内禁带结构的特性,这种结构对于光子的传播和控制具有重要意义。
利用平面波展开法在Matlab中计算一维光子晶体的带隙结构是一种常见的方法,本文将详细介绍这种计算方法的步骤和原理。
一维光子晶体是一种由周期性介质层叠而成的光学结构,在这种结构中,光的传播受到周期性介质的布拉格散射影响,从而产生禁带结构。
为了计算一维光子晶体的带隙结构,我们可以利用平面波展开法,该方法可以将一维光子晶体看做平面波在周期性介质中的传播,并通过布拉格散射条件来求解光子的能带结构。
在Matlab中,我们可以通过编写相应的程序来实现对一维光子晶体带隙结构的计算。
在编写程序之前,我们首先需要了解平面波展开法的原理和计算步骤。
平面波展开法的基本思想是将光子晶体的电磁场表示为平面波的叠加,然后利用布拉格散射条件求解电磁场的分布和能带结构。
平面波展开法的计算步骤如下:1. 定义光子晶体的周期性结构,包括介质的折射率分布和周期性的层叠结构。
2. 将电磁场表示为平面波的叠加形式,即电磁场可以由一系列波矢和频率确定的平面波组成。
3. 根据布拉格散射条件,求解平面波在周期性介质中的传播行为,得到光子的色散关系。
4. 根据色散关系,求解光子的能带结构,包括带隙的位置和宽度等信息。
在Matlab中,我们可以通过编写相应的程序来实现以上计算步骤。
我们需要定义光子晶体的周期性结构,包括介质的折射率分布和周期性的层叠结构。
然后,我们可以利用Matlab中的矩阵运算和数值方法来求解平面波在周期性介质中的传播行为,并得到光子的色散关系。
我们可以利用色散关系来计算光子的能带结构,并可视化带隙结构的位置和宽度。
假设我们要计算周期性介质的折射率分布为正弦形式的一维光子晶体的带隙结构。
该光子晶体的周期性结构如下:n(x) = n0 + Δn * sin(2πΛx)其中n0为基准折射率,Δn为周期性介质的折射率差,Λ为周期长度。
一维光子晶体光学传输特性及带隙变化规律的理论研究
山东理工大学
毕业设计(论文)
一维光子晶体传输特性的理论研究
学院:理学院
专 业:物理学
学生姓名:张国辉
指导教师:高金霞
毕业设计(论文)时间:二О一一年3月21日~6月18日共12周
摘要
本论文的主要内容如下:
简单阐述了光子晶体的概念,主要特征、应用、发展状况、及制作方法。从麦克斯韦方程组出发,推导了光在光子晶体中传播的基本微分方程和一维光学传输矩阵理论。根据传输矩阵法,计算了一维光子晶体的带隙结构及传输特性。利用此种方法进行了模拟计算,得到如下结论:当光子晶体周期数达到一定数值时出现光子禁带。随着周期数的进一步增加,带隙宽度会有较为明显的增加,达到某一峰值增加幅度逐渐减小。而带隙中心波长位置基本不变。在相同的周期数情况下,一维光子晶体高低折射率比大者其带隙宽度较大。无论对于TM波还是TE波,光子禁带都随入射角度的增大向短波长方向移动。但TE波入射,光子禁带宽度随入射角度的增加而增大。而TM波入射,光子禁带宽度随入射角度的增加而减小。还发现缺陷模的厚度对透射峰值具有明显的调节作用,透射峰值会随着厚度的增加而增大,当达到峰值后透射率便随厚度逐渐降低。并且随着缺陷层折射率的增加,缺陷模的中心波长位置也向低频方向移动,同时透射峰值逐渐增大。
1.2.2光子晶体的主要特性
光子晶体的两个主要性质是光子禁带和光子局域,它是光子晶体的应用基础,正是基于光子晶体的这些性质[3],光子晶体才展现出了诱人的应用前景。
基于Rouard方法的一维光子晶体带隙结构计算
1 概 述
光子 晶体 ( h tncC y tlP ) 介 电常 数 周 P o o i r sa, C 是 期性 分布 的一种 新 型 材 料 , 基 本 特 征 就 是 存 在 光 其
( p r me to e to i n n o ma i n E g n e i g,Xi a n tt t fP s n l c mmu ia i n,Xi a 1 0 l De a t n fElc r n c a d I f r t n i e r o n n I s iu eo o ta d Te e o nct o n 7 0 6 ,Ch n ) ia
Absr t I h spa r,t e Rou r S m e ho tac : n t i pe h a d’ t d. w h c i i l u e n t hi im tc n t e c lultons o ih s w dey s d i he t n fl op i s a d h ac a i f wav gude e i gr tn he r a i g t o y,i n r du e nt hec l uato ft n ga t u t e fo - i e i a hot i r s a nd t au e si t o c d i o t a c l ins o heba d— p s r c ur s o ne d m nson lp on c c y t la he c s s f h e r ton o ot i n - a x a n d i i f t e m ulib a nt r e e c he r fph ialo is The r lva t ort e g ne a i fph onc ba d g p e pli e n lghto h t— e m i e f r n e t o y o ysc ptc . ee n
利用平面波展开法在matlab中计算一维光子晶体的带隙结构
利用平面波展开法在matlab中计算一维光子晶体的带隙结构1. 引言1.1 研究背景光子晶体是近年来新型功能性材料的研究热点之一,其具有周期性结构对光子的传播性质具有重要影响,表现出许多独特的光学性质。
光子晶体的带隙结构是其中一个最基本的性质,也是许多光子晶体应用的关键。
通过调控光子晶体的结构参数,可以实现对光子带隙的调控,从而实现光子晶体的光学性能优化和设计。
利用平面波展开法在Matlab中计算一维光子晶体的带隙结构具有重要意义,可以为光子晶体的设计和性能优化提供有力支持。
本文将从理论基础出发,详细介绍平面波展开法的原理,光子晶体的带隙结构计算方法,以及在Matlab中实现算法的过程。
希望通过本研究对光子晶体的带隙结构有更深入的理解,为未来的光子晶体研究和应用提供新的思路和方法。
1.2 研究目的研究目的是利用平面波展开法在Matlab中计算一维光子晶体的带隙结构,通过研究光子晶体的带隙结构,可以深入了解光子晶体的光学特性和传输特性。
这对于设计和制造新型光子晶体材料具有重要意义。
目的在于探究光子晶体的带隙结构与其微结构之间的关系,为调控光子晶体的光学性质提供理论指导。
通过计算一维光子晶体的带隙结构,可以更好地理解光子晶体在光学通信、光子器件和传感器等领域的应用潜力,并为实际应用提供技术支持。
研究光子晶体的带隙结构还有助于拓展光学材料的设计思路,推动光子晶体材料在光电子领域的发展。
通过本研究,可以为光子晶体的应用研究和材料设计提供重要的理论基础和技术支持。
1.3 研究意义光子晶体的带隙结构计算是光子学研究的重要内容之一,能够揭示光子在晶格周期性结构中的行为规律。
利用平面波展开法在Matlab 中计算一维光子晶体的带隙结构,可以快速准确地获得光子晶体的能带结构,为进一步研究光子传输、光谱性质等提供重要依据。
通过本研究,可以深入了解光子晶体的光学性质,为光子学领域的发展和光子晶体材料的应用提供理论支持。
一维光子晶体的带隙分析
学 多层 介 质 膜 ,具 有 光 子 禁 带 8 1 过 时域 有 限差 分 法 (D D 的 数 值 计算 表 明 ,用 参数 调节 一维 .通 FT) 光 子 晶体 的介 质 填 充 率而 实现 对 禁 带位 置 的调 节 是 有 效 的 .
1一维光 子 晶体 的 F D模型 DT
1 . 1时域 有 限 差分 法 (D D) F T 基本 原 理 时 域 有 限差 分 法 的主 要 思 想 是 把 Maw l方 程 在 时 xe l
收 稿 日期 : 08 1 5 20— — 02 作者 简介 :李振 华 (92 ) 18~ ,男 ,河北廊 坊人 ,北京工 业大 学硕 士 . 究方 向:新 型材料 的物性 . 研
维普资讯
第 3 期
李 振华 ,等 :一 维光 子晶体 的带 隙分析
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一维光子晶体的能带结构研究.
目录摘要.............................................................. I I Abstract.......................................................... I II 前言.............................................................. I V 第一章光子晶体 (1)1.1 光子晶体简介 (1)1.2 光子晶体的结构 (1)1.3 光子晶体的特性 (2)1.3.1 光子晶体具有周期性结构 (2)1.3.2 光子晶体具有光子禁带 (3)1.3.3 光子晶体能抑制自发辐射 (3)1.3.4 光子晶体具有光子局域 (4)第二章一维光子晶体的能带结构研究 (5)2.1 研究一维光子晶体能带的方法 (5)2.1.1 特征矩阵法 (5)2.1.2 平面波展开法 (6)2.2 一维光子晶体的能带结构研究 (8)第三章一维光子晶体的特征 (11)3.1 光子禁带 (11)3.2 光子局域 (12)第四章一维光子晶体光带隙性能的影响因素探讨 (15)4.1 周期数的影响 (15)4.2 折射率比值的影响 (15)4.3 中心波长的影响 (16)第五章结论 (19)参考文献 (20)致谢 (21)一维光子晶体的能带结构研究摘要在当今世界,科学家们在不断研究大规模集成电路时发现由于电子的特性,半导体器件的集成快到了极限,而光子有着电子所没有的优越特性:传输速度快,没有相互作用。
所以科学家们希望能得到新的材料,可以像控制半导体中的电子一样,自由地控制光子,即光子晶体。
随着科学技术的发展特别是制造工艺技术的发展,使得光子晶体的制造不仅变得可能,还得到了长足的进步,在可见光及红外波段可以制成具有所需能带结构的光子晶体,实现对光子的控制。
本论文主要对一维光子晶体的能带、禁带进行深入地研究,这对设计和制备一维光子晶体具有指导意义。
利用平面波展开法在matlab中计算一维光子晶体的带隙结构
利用平面波展开法在matlab中计算一维光子晶体的带隙结构一维光子晶体是一种周期性介质结构,具有禁带结构,在光学和光电器件中有着重要的应用。
利用平面波展开法(PWE)可以有效地计算光子晶体的带隙结构。
本文将介绍如何利用Matlab编程实现一维光子晶体的PWE计算,并对其带隙结构进行分析。
1. 研究背景光子晶体是一种具有周期性介质结构的材料,在光学领域有着广泛的应用。
其具有光子禁带结构,对于特定波长的光具有较强的反射和传输特性,因此在传感器、激光器、光子集成电路等领域有着重要的应用价值。
而一维光子晶体是光子晶体的一种简化形式,具有周期性的沿着一个方向的结构。
利用PWE方法可以有效地计算一维光子晶体的带隙结构,并为光子晶体的设计和应用提供重要的理论指导。
2. PWE方法原理平面波展开法是一种用于计算周期性结构光学性质的方法,其基本原理是将周期性结构中的电磁波场用平面波进行展开,通过求解Maxwell方程组得到波动方程的本征解,从而得到介质中的光子带隙结构。
对于一维光子晶体,其周期性结构沿着一个方向周期性变化,可以采用平面波在这个方向上的分量进行展开,通过矩阵形式的折射率矩阵、磁导率矩阵、传输矩阵等求解方法,得到光子晶体的带隙结构。
3. Matlab实现在Matlab中,可以通过编写程序实现一维光子晶体的PWE计算。
首先需要定义光子晶体的结构参数,包括周期长度、介质折射率、入射光波长等。
然后构建平面波展开的函数,将Maxwell方程组转化为矩阵形式,通过对角化矩阵得到本征值和本征矢量,从而得到光子晶体的带隙结构。
最后通过绘制带隙结构图和计算带隙频率等方法,对光子晶体的光学性质进行分析和评价。
4. 结果与分析通过Matlab程序计算得到的一维光子晶体的带隙结构可以得到带隙频率和带隙宽度等重要的光学性质参数。
根据带隙的位置和宽度,可以对光子晶体的传输和反射特性进行分析,评价其在光学器件中的应用价值。
通过调整结构参数和入射光波长等参数,可以进一步优化光子晶体的性能,并为其在传感器、激光器等应用中提供设计指导。
含左手材料的一维三元准周期光子晶体带隙特性研究
,
1 计 算 模 型
一
维 三 元 光 子 晶体 由折 射 率 分 别 为 、 。和
对 应 的几 何 厚 度 分 别 是 d d 、 和 d期 光子 晶体 的带 隙特 征 , 一
D p lr 应 与 C ee o o pe 效 h rk v辐 射 逆 转 、 常 折 射 现 反 象 和原 子 自发 辐 射 率 的特 殊 改 变 等 ] 因而 含 有 。 L HM 的 一 维 光 子 晶 体 具 有 许 多 奇 特 的 物 理 效
量 子光 学 学 报 1 ( ) 1  ̄2 0 2 1 63 :2 5 2 。00
AcaS n c a t m tc t i ia Qu n u Op ia
文 章 编 号 :1 0 — 6 4 2 1 ) 30 1 — 6 0 76 5 ( 0 0 0 — 2 50
含 左 手 材 料 的 一 维 三 元 准 周 期 光 子 晶 体 带 隙 特 性 研 究
基 金项 目:湖北省 教育 厅基 金项 目( o 7 30 ) Q2 o 2 0 1
作 者 简 介 :李 文 胜 ( 5) 1 5 - ,男 ,湖 北 监 利 人 ,湖 北 汽 车 工 业 学 院 理 学 系 副 教 授 ,主 要 从 事 光 学 的 教 学 与 研 究 。 E 9 ^
mal l n h n 2 0 9 @ sn . o i:i s e g 0 0 9 we ia c m
关 键 词 :三 元 光 子 晶 体 ; 色 散 ; 准 周 期 ; 主 带 隙 ; 绝 对 宽 度 ; 相 对 宽 度
一维光子晶体结构参数对禁带带隙的影响研究
成的一维光子 晶体 , 电常数 比约 为 1 / , 介 3 1 当填 充比为 0 1 . 6时, 计算得 禁带 带宽为 0 2 6 ×2c A, . 54 n/
禁带的 中心频 率为 0 3 7 ×2 c A, 实验 数据 吻合 。 . 48 n/ 与 关键 词 :平 面波 法 ; 子 禁带 ; 隙宽度 ; 小二乘 曲线 和 曲面拟合 光 带 最
J 1 2 0 u. 0 7
一
维 光 子 晶体 结 构参 数对 禁 带 带 隙 的影 响研 究
刘 兵 , 竺 子 民
( 中科 技 大 学 光 电 子科 学 与 技 术 学 院 ,湖 北 武 汉 4 0 7 ) 华 3 0 4
摘
要 :采 用平 面波 法( wM ) 算 一维光 子 晶体 的带 隙结构 。 分别就 构造 一维 光子 晶体 结构 的 P 计
Ab t a t The b nd p s r c ur fo — me son lph o c c y t lwa alul t d a rv d sr c : a ga t u t e o ne di n i a ot ni r s a sc c a e nd de ie
wih h ln wa e t t e p a e v me h d ( to PW M ) Th efcs f h ilc r c n tn s f ih l w . e f t o t e dee ti o sa t o hg /o e c
r fa tv fl ki g u ne di n i n l ho o c c y t ls r c ur nd fli g r to b t e e r c ie ims ma n p o — me s o a p t ni r s a t u t e a iln a i e we n
光子晶体材料的光子带隙研究
光子晶体材料的光子带隙研究光子晶体材料是一种由周期性微结构构成的材料,其特点是可以在禁带内产生光子带隙。
这种光子带隙可以限制特定波长的光在材料中传播,使得光子晶体具有尺度效应和特殊的光学性质。
光子带隙的研究对于光子晶体材料的设计和应用具有重要意义。
光子带隙是指在光子晶体材料中存在一个波长范围,在该范围内光不能通过材料。
这个波长范围被称为光子带隙。
光子带隙的形成是由于光的波长与光子晶体的周期性结构相互作用导致的。
当光子晶体的周期性结构的尺度与入射光的波长相当或者小于一定的倍数时,入射光的相位延迟受到限制,从而形成光子带隙。
光子带隙的产生使得光子晶体材料具有了许多特殊的光学性质。
首先,光子带隙的存在使得光子晶体材料在一定波长范围内对特定的光波长具有高反射率。
这种特性使得光子晶体材料在光学薄膜、反射镜等器件中有着广泛的应用。
其次,光子带隙还可以用来控制光的传播方向。
当光子晶体材料中存在光子带隙时,只有在特定的角度范围内,光才能穿过材料,而在其他角度上则被完全反射。
这种局域传播的特性在光学波导和用于光学通信设备中有着重要的应用。
光子晶体材料的光子带隙研究至今已有多年历史,研究者们一直致力于寻找更好的设计和制备方法来实现更加完美的光子带隙结构。
其中一个重要的研究方向是在光子晶体材料中引入缺陷。
通过在光子晶体中引入缺陷,可以改变光子带隙的性质,使得光子晶体材料在更广泛的光波长范围内产生光子带隙。
这种缺陷引入的方法被称为缺陷模式制备。
缺陷模式制备具有很高的灵活性,可以根据需要来控制光子晶体材料的光学性质。
研究者们可以通过选择不同的缺陷形状和大小来改变光子带隙的大小和位置。
通过改变缺陷的位置和尺寸,研究者们可以实现光子带隙的“开闭”,即在不同波长范围内打开或关闭光子带隙。
这种“开闭”的特性为光子晶体材料的应用提供了更大的灵活性。
光子晶体材料的光子带隙研究还面临着一些挑战。
首先,制备光子晶体材料的周期性结构需要非常精细的加工技术。
一维掺杂光子晶体带隙结构的研究
该 导带 深度 会 随着 掺 杂 的位 置 , 自身 性 质 的改 变 和
而 影 响禁带 中心导 带 的深度 。
本 文从 一维 掺 杂 光 子 晶体 的 基 本 结 构 出发 , 利
构 , 当选择掺 杂位 置和 杂质 折射 率 , 适 就会 在 禁 带 中心 出现 一 个 极 深 的 导 带 , 维光 子 晶体 的这 种 一 特 性 可应 用 于滤 波 器件 和 光 学谐振 腔 的设 计 。
关 键词 : 理光 学 ; 物 传输 矩 阵 法 ; 维光 子 晶体 ; 一 光子 带 隙 结构
一
维 掺 杂 光 子 晶 体 带 隙 结 构 的 研 究
郭立 帅 , 文羽 付
(陇东学 院 物理 与电子工程学院 , 肃 庆 阳 7 5 0 ) 甘 4 00
摘 要 : 于传输 矩 阵 法 , 值研 究 了掺 杂一 维 光子 晶体 带 隙特 征 。研 究表 明 : 维掺 杂光 子 晶 体 基 数 一
根据 薄膜光 学 理 论 , 波在 分 层 周 期 性介 质 中 光 的传 输 特性可 用 Ⅳ 个 2 2阶 特 征 矩 阵 来 表 示 , 设 折射 率 为 / 几何 厚度 为 d的介 质层 , 特 征矩 阵为 / , , 则
的带隙是 由光子晶体结构决定的, 不掺 杂时, 禁带中心无导带; 当掺 杂时, 禁带中心位置出现一个极
窄 的导 带 , 且 导 带深度 随 着掺 杂位 置 的不 同而 变化 , 并 当掺 杂位置 一 定 时 , 变 杂质层 的折 射 率 , 改 发 现 随着折 射 率的 变化 , 带 中心 的导 带深度 也 会 随折射 率 变化 而 变化 , 禁 这样 我 们 可 以根 据 晶体 的 结
镜像对称一维光子晶体带隙特征
其 中 6 =  ̄ j oO , 2r hcs/A n
() 2
' =, / j s r / ,c 0 /  ̄ oj
() 3
对 于 一维 光 子 晶 体 , 当晶体 包 含 Ⅳ 层 介 质 时 , 整个 晶体 系统 的特 征 矩 阵 可 以 由各 个介 质 的特 征矩 阵 M 的连乘求 得
轴的位置都有密切的关系 。
关 键 词 : 子 晶体 ; 维 ;镜 像 对 称 ;晶 体 缺 陷 光 一
中 图 分 类 号 :04 1 5
引 言
光子 晶体 概念 是 1 8 9 7年 提 出 的¨ , 于其 潜 由 在 的应用 价值 , 们对 其 进 行 了广 泛 的理 论 模 拟 和 人
陷态 , 点缺 陷 , 缺 陷 , 缺 陷 等" 。通 过 在 晶 体 如 线 面 中引 入各 种缺 陷或 者 缺 陷 组 合 , 以制 作 各 种 类 型 可 的光 集成 器件 , 如任 意角 度 弯 曲的波 导 , 道 下载 滤 通
波器 , 波分 复用 器等 的理论 和实 验研 究 。 , 要 是 通 过改 变 周 期 结 构 主 有关 一维 光子 晶体 中缺 陷 的研究 已经 存 在大 量 中某 一层 或两 层介 质 的厚度 或者 折 射率 的方 式 引入 缺陷 , 这种 方式 引 入 的 缺 陷 , 意 性 比较 强 , 少 一 随 缺 定 的规 律性 。而 当 引入 缺 陷 具 有 一 定 的 规 律性 时 , 对 缺 陷形 成 的本 质 及 其 变 化 规 律 还 有 待 进 一 步 探 讨 。有 关镜 像 对 称 的 一 维 光 子 晶 体 也 有 相 关 的 报
道
, 由 于 其选 取镜 像 对称 位 置 的 特殊 性 , 但 即
一维光子晶体的带隙结构研究
一维光子晶体的带隙结构研究1 一维光子晶体的带隙结构研究近年来,一维光子晶体受到越来越多的关注,它能带来新颖而有趣的物理性质以及卓越的量子特性,在多领域的应用中具有重要意义。
一维光子晶体具有与普通实体晶体不同的量子特性,这就要求它们的研究者了解它的带隙结构,即该晶体中能够支持电子振动的能带。
由于一维光子晶体的端晶体机构,其电子微观结构与普通实体晶体有许多不同之处。
它具有超高的光学非线性及损耗比值,拥有极其宽的带隙,这一特性非常重要,可用来实现深紫外至可见光光子检测、通信、能源储存等应用。
因此,研究一维光子晶体的带隙结构及其特性成为各学科关注的研究焦点。
常见的带隙计算方法有集体模型计算、坐标变换计算、拉格朗日变量计算等,但尚未有一种完整的方法能够计算出一维光子晶体的带隙结构。
目前,在带隙结构方面,以实验法分析和理论解释为主,中间缺少定量研究。
因此,为了更精确地估计一维光子晶体的带隙结构,我们结合精确计算和实验法,开展了带隙结构的精确计算研究。
首先,通过精细模型量子力学方法计算得到一维光子晶体的电子结构,接着将结构放置在对应的坐标系下,利用拉格朗日变量计算带隙结构,将带隙结构的计算结果与实验测量结果进行比较,以进一步检验带隙计算精度。
第二步,根据实际应用,进一步可以分析带隙结构上下界,得到具体的非线性光子学应用。
首先,观察电子带结构:分析电子能量带谱,探查格拉司能隙的位置,以了解该系统的光学性质;其次,计算并比较光子能量带和电子能量带的差别以及电子振动弛豫性能,从而估计一维光子晶体的损耗特性;最后,依据电子结构的裂变,计算和分析轨道移动和电子振动相之间的关系,以此类推计算其非线性光学性质。
2 结论自从1938年由贝尔发现普朗克振荡器和普朗克果仁,科学家就开始关注一维光子晶体的物理性质,而本研究可以帮助我们更快地了解深紫外至可见光带隙结构及特性,从而实现更多应用。
结合精确计算和实验法,可以更精确地估计出一维光子晶体的带隙结构,这样可以更好地分析电子能量带的位置以及电子振动的弛豫性能,从而得出一维光子晶体的损耗特性。
一维掺杂光子晶体结构参数对带隙结构影响
2 数值计算结果及分析
根据( ) ( ) , 3 一 6 式 对一维掺杂光子晶体 的带隙 结构进行数值研究 , 设一维光子 晶体基本周期结构 中两 层介 质 的光学 厚度相 等 , 均为某 一波 长 A 。的 m 倍, m为大于 0的常数 , nd = 2 m 。则有 即 1。 nd = A ,
。
, 一
() 6
光子晶体的反射率为
R=
层交替排列构成的一维周期性结构 , 每一层介 质在 其他 两维 空 间方 向上 是 均 匀分 布 的 , 当一 维 光 子 晶 体中出现了折射率不 同于 。n 时, ,: 一维光子 晶体 中掺人了杂质 , 我们称其为一维掺杂光子晶体 , c 用 表示杂质层 , 折射率记为 , 掺杂有 多种形式 , 我们
第3卷 第 1 1 期 21 0 2年 3月
延安大学学报(自然科学版 )
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V L 3 No 1 o 1 .
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一维光子晶格的带隙位置以及影响带隙宽度的因素研究
Vo . 9 NO 6 13 . NO . 2 1 V 00
维 光 子 晶 格 的 带 隙 位 置 以及 影 响 带 隙宽 度 的 因素研 究
一
张 印 ,杨 立森 ,房 艳 永 ,张 宝光 ,张 兰根 ,陈 磊 ,付 存 宝
( 内蒙 古 师 范 大 学 物 理 与 电子 信 息 学 院 , 蒙古 呼 和 浩 特 0 0 2 ) 内 1 0 2
第 6期 1 2 实 验 方 法 .
张 印 等 :一 维 光 子 晶 格 的 带 隙 位 置 以 及影 响带 隙宽 度 的 因 素研 究
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在图 1 示 的实验装 置 中去掉功 率计 ( 置 1 , 所 装 ) 采用 波长 为 5 2 m、 3 功率 为 3 D 4 mw 的激 光器 , 经两孔 空 间分 布光场将 偏振 态和强 度完 全相 同的两束 光 J 、 z 称入 射 到 L Nb 。: e , 半 玻 片 P改 变其 偏振 J 对 i O F 上 经
张 作者 简 介 :
印( 9 3 )女 , 1 8 一 , 内蒙 古 通辽 市人 , 内蒙 古 师 范 大学 硕 士 研 究 生
杨 1 5 一 , 内蒙 古 锡林 浩特 市 人 , 内蒙 古 师范 大 学 教 授 。 要从 事非 线 性 光 学 研 究 , - i:a gs mn .d . n 主 E ma y n l( l  ̄i u eu a . 通信 作 者 : 立 森 ( 9 3 )男 ,
第 3 卷 第 6期 9
21 0 0年 l 1月
内蒙 古师 范 大 学 学报 ( 自然科 学 汉 文版 )
J u n l f I n rM o g l r a i e st ( t r l ce c d t n o r a n e n oi No m l o a Un v r i y Na u a in e E i o ) S i
微波段—维光子晶体带隙结构的研究
微波段—维光子晶体带隙结构的研究随着科技的发展,光电子学日益成为重要的技术领域,晶体带隙结构在光电子材料中具有重要的地位,已成为研究的热点。
微波段是电子信息技术的重要组成部分,对于研究微波段的维光子晶体带隙结构具有很高的价值,以提高微波段的性能。
因此,开展以微波段维光子晶体带隙结构为标题的研究具有重要意义。
维光子晶体带隙结构的研究可以从宏观和微观角度出发,即研究其宏观表现和微观本质。
首先,目前研究的维光子晶体带隙结构基本是由非线性维光子材料制成,其具有高速度、宽带和低功耗等优点,可以实现微波数字信号处理。
其次,它具有微小体积、节能等特性,从而可以有效提高系统效率。
从微观角度出发,研究维光子晶体带隙结构还必须分析它的光子晶体结构、制备方法以及光子带隙特性。
首先,可以在不同材料组合制备不同的维光子晶体带隙结构,以满足不同应用的要求。
另外,还可以通过结构优化来提高维光子晶体带隙结构的性能,如降低带隙尺寸和带隙宽度等。
此外,为了提高微波段的性能,还必须进行数学模拟和有效的实验测试。
在实际应用中,微波段维光子晶体带隙结构的应用非常广泛,如用于微波段的光器件和传感器、被动元件、光纤通信等等。
首先,它可以实现高速微波信号的处理,同时可以提高系统的效率。
其次,它具有微小的体积、节能的特性,可以有效减少系统的体积。
此外,采用微波段维光子晶体带隙结构还可以更好地实现环境适应性,从而加强系统的抗干扰性。
综上所述,微波段维光子晶体带隙结构具有极大的研究价值和应用价值,是当前研究的热点。
在实际应用中,可以有效提高微波段的性能,节能减少系统体积,并增强系统的抗干扰性,从而保证系统的稳定性和可靠性。
因此,进一步研究微波段维光子晶体带隙结构是必要的,以期为维光子新型材料的应用发展提供新的思路。
微波段—维光子晶体带隙结构的研究
微波段—维光子晶体带隙结构的研究近年来,随着微波技术的发展,微波带隙结构技术已经受到了广泛的关注。
由于该结构具有超高密度和宽带行为,因此可以被用于多种应用领域,如:微波调制器、微波滤波器、智能卡,以及一些物理研究领域。
维光子晶体带隙结构作为一种非线性介质,具有完美的自相关和超快的响应时间,因此,它的性能可以有效地改善微波带隙结构的表现。
对微波带隙结构的研究主要集中在几个方面:首先,研究带隙结构的特性,包括带隙的宽度和深度;其次,研究带隙结构的调制效率,即该结构的信号传播效率;最后,开发出能够充分利用其性能的小型结构。
本研究旨在探究如何利用维光子晶体介质来改善带隙结构的性能。
首先,将微波带隙结构和维光子晶体介质结合,形成一个新的结构维光子晶体微波带隙结构;其次,研究该结构的宽度和深度,探究性能;最后,应用该结构进行改进,提高其信号传播效率。
首先,研究旨在构造一种新的微波带隙结构,将一块维光子晶体和一块微波带隙结合。
研究表明,当使用维光子晶体作为填充介质时,可以构造出一种新的微波带隙结构。
结果表明,该结构可以有效地改善带隙结构的性能,并显著提高其宽度和深度。
接下来,研究对微波带隙结构的调制效率进行了研究。
在维光子晶体微波带隙结构中,除了增加填充介质外,还进行了调节陶瓷片尺寸,使其能够更好地传播信号。
研究结果显示,采用维光子晶体填充介质和调节陶瓷片可以有效地提高信号传播效率,达到微波带隙结构的预期效果。
最后,本研究开发出一种小型、高度调节的结构,可以有效地充分利用维光子晶体带隙结构的性能特点。
为了达到这一目标,本研究首先将带隙尺寸调整到最小,然后利用一组调节结构,包括可调节的维光子晶体微波带隙结构和多种调节结构,使其能够充分利用维光子晶体的性能。
经过上述研究,我们可以得出结论,应用维光子晶体作为填充介质和调节结构,可以有效地改善微波带隙结构的性能,提高其宽度和深度以及信号传播效率,并开发出小型、高度调节的结构。
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第32卷 第5期2008年10月激 光 技 术LASER TEC HNOLOGYV o.l 32,N o .5O ctober ,2008文章编号:1001-3806(2008)05-0508-021维光子晶体的带隙研究何修军1,2,谢 康1*,向安平2,蒋孟衡2(1.电子科技大学光电信息学院,成都610054;2.成都信息工程学院光电技术系,成都610225)摘要:为了得到给定波长为通带或禁带的光子晶体,采用光学传输矩阵方法,模拟研究了由光子带隙结构如何得到相应的光子晶体结构。
通过优化计算得到了指定波长带隙结构的光子晶体。
结果表明,光学传输矩阵法完全能得到给定波长为通带或禁带的光子晶体。
这一结果有助于光子晶体的广泛应用。
关键词:光学器件;光子晶体;传输矩阵法;光子带隙中图分类号:O 734 文献标识码:AR esearch of band gap of 1-D photonic crysta lsHE X iu-jun 1,2,X I E K ang 1,X I ANG An-p ing 2,JI ANG M eng-heng2(1.Schoo l of Optoe lectron ic Infor m ati on ,U niversit y o f E l ectronics Sc ience &T echno l ogy o f Chi na ,Chengdu 610054,Ch i na ;2.D epart m ent of O ptoe l ectronic T echno logy ,Chengdu U n i ve rsity o f Inf o r m ati on T echno l ogy ,Chengdu 610225,Ch i na)Abstrac t :F or photonic cry sta ls whose certa i n w ave length is forbi d band or per m it band ,ho w to ga i n the photonic crystals structure from the pho ton ic band gap structure w as st udied by m eans of transfer m a trix m ethod .S i m u l ation result w as obta i ned about the photon i c crysta l s o f the certa i n wave l eng th band gap .T he resu lt sho w s t he m e t hod can comp l ete ly g ai n t he pho ton ic crysta l s who se t he ce rtain w aveleng t h is forb i d band o r per m it band .T he result conduces to the ex tensive app licati on of the photon i c crystals .K ey word s :optical dev ices ;pho ton i c crysta l s ;transfer m atri x m ethod ;pho t on i c band g ap基金项目:成都信息工程学院院选科研资助项目(CRF200602)作者简介:何修军(1970-),男,博士研究生,主要从事光通信及光学材料方面的研究。
*通讯联系人。
E -m a i:l kangx ie @uestc .edu .cn收稿日期:2007-05-17;收到修改稿日期:2007-09-03引 言光子晶体是介质的折射率在空间呈周期性变化的结构,YABLONOV I TC H 等从理论上预言了介电常数呈周期性排列的光子晶体具有光子带隙(pho ton ic band gap ,PBG ),光子模式在PBG 区的重新分布使光子晶体内活性物质的光发射完全禁止或发射效率异常提高,在光子晶体中引入缺陷,可使光子局域化[1-3],这些独特的光学特性及潜在的应用前景吸引了研究者的研究兴趣,人们利用这些效应可以设计多种光子晶体器件,如光子晶体光纤、光子晶体波导、光子晶体滤光器、光子晶体分束器、光子晶体反射镜、光子晶体偏振器、光子晶体开关、光子晶体微腔、光子晶体激光器以及光子晶体天线等[4-7]。
与电子晶体相似,光子晶体也具有1维、2维与3维结构之分。
1维光子晶体为两种不同介电常数的介质层一层排列的结构,其排列周期长度与光子波长同数量级;2维光子晶体主要通过电子束、离子束刻蚀在某种介质上打孔技术实现,由于受刻蚀精度的限制,制备近红外、可见光波长量级的3维光子晶体还存在挑战。
到目前为止,大量的研究工作集中在各种类型结构的2维光子晶体的制作、光子禁带的存在性研究以及有关的器件的应用研究方面。
但随着应用研究的深人,实际应用有时需要得到给定频段的带隙结构,这样开展任意带隙的光子晶体研究就显得十分必要了。
作者试图就给定频段的禁带或通带,而寻求相对应的光子晶体结构,对1维光子晶体的光子禁带特性的影响做深入研究,这对于设计特定要求的光子禁带特性和开展有关的应用研究具有指导意义。
1 光子晶体带隙计算理论设1维光子晶体是由两种相对介电常量分别为E A ,E B 的不同材料A 和B 交替构成,所含周期单元AB 或BA 数为N ,每个周期单元中各介质层均分别为d A ,d B ,该1维光子晶体的结构简写为(AB)N,空间周期为u =d A +d B ,一束频率为的光从左向右入射到图中所示的1维周期性结构材料中。
当光波入射到光子晶体时,下面利用传输矩阵来计算透射谱。
每一个介质层的特征矩阵为:第32卷 第5期何修军 1维光子晶体的带隙研究 M j=co s D jiG js i n D j i G j sin D j cos Dj(1)式中,D j =-2PKE j d j cos H j ,G j =E 0L 0#E j cos H j (TE )或G j =E 0L 0#E jcos H j(TM ),其中,K 为入射光波的真空中的波长,H j 为入射光波跟入射面法线的夹角,则整个1维光子晶体的总传输矩阵为[8]:M =(M A M B )N=a bc d(2)由此可得光子晶体的透射率。
反射系数:r =a G 0+b G 0G N +1-c -d G N +1a G 0+b G 0G N +1+c +d G N +1(3)透射系数:t =2G 0a G 0+b G 0G N +1+c +d G N +1(4)透射率:T =t #t*(5)式中,G 0,G N +1为光子晶体的两个外侧情况,/*0表示共轭。
2 给定带隙的光子晶体结构计算在计算光子晶体某一波长范围的带隙时,通常在这一波长范围内取多个点K i ,波长K i 的光通过1维光子晶体其透射率为T i ,所有点的透射率之和为E Ti,其平均值为T ,并设u =E n mT i,v =Enm(T i -T )2,如要使K m ,,,K n 范围内的光成为通带或禁带,只需u,v 取极值即可。
当u 取极大值且v 取极小值时为通带;当u 取极小值且v 取极小值时为禁带,由此可求出相应的光子晶体的结构参量。
3 计算结果取H j =0,E A =12.96,E B =2.1025,光子晶体厚度为15L m,即采用正入射情况,通过上面的计算可得到指定带隙的光子晶体结构。
图1为一个通带或禁带,其中图1a 中波长1L m ~1.2L m 为禁带,对应的结构参量d A =125nm,d B =62.5n m,图1b 中波长1L m ~1.2L m 为通带,对应的结构参量d A =125nm,d B =250nm 。
图2为一个通带和禁带,其中图2a 中波长0.8L m ~1L m 为禁带,1.2L m ~1.4L m 为通带,对应的结构参量d A =150nm,d B =300n m;图2b 中波长0.8L m ~1L m 为通带,1.2L m ~1.4L m 为禁带,对应的结构参量d A =125nm,d B =100n m 。
结果表明,运用此优化方法完全能得到某个波长为通带或禁带的光子晶体结构。
4 结 论根据光子晶体的实际应用需要,即很多情况下需要某个给定波长为通带或禁带,讨论了指定带隙的计算,并运用传输矩阵和优化计算得到了满意的结果。
证明采用该优化方法计算指定带隙的光子晶体是可行的。
参考文献[1] VLASOV A Y,LUTEROVA K,PELANT I ,et al .Enh ance m en t of opt-ical gai n of se m i condu ctors e mb edded i n three -d i m ens i onal phot on ic crystals [J].A P L ,1997,71(12):1616-1618.[2] WANG W J ,ZHO U J Y,XI AO W N .L i gh t distri bu ti on and l ocali za -tion i n one -d i m ens i on alperi odic struct u re [J].A cta Photon i ca S i n ica ,2005,34(7):1086-1089(i n Ch i nese).(下转第512页)509激光技术2008年10月2.3塑料焊接制作完毕的全息图相当于1个衍射光栅,并记录了焊缝图形的全部信息(相位和振幅)。
如图3所示,F i g.3Sch e mati c d i agra m of laser w el d i ng of p lasti cs w it h hol ogra m当激光束再次照射全息图衍射后得到共轭光波,形成焊缝图形的实像,即激光束的光斑形状被调制成与预知焊缝图形形状一致。
利用调制完的激光束照射两塑料的接合面,激光被下层塑料所吸收产生热量并传入上层塑料,在热集中区域(焊缝区域),塑料就被融化,热熔融状态下的塑料大分子在焊接压力的作用下相互扩散,产生范德华力,在后续压力冷却后紧密地连接在一起,此过程由一个对激光束透明的夹具提供压力。
最终理想所得焊缝形状与预知焊缝形状相同。
3小结由于实验条件限制,作者提出了基于全息技术的激光透射塑料焊接方法,并对其进行了理论研究,详细阐述了该方法的基本原理,为将来进一步的实验研究打下坚实的理论基础。