用800nm表面态方法和低温方法结合吸收区的半导体可饱和吸收镜实现掺钛蓝宝石激光克尔镜锁模(英文)

纳米晶TiO_2半导体薄膜的制备和性能_王保国

收稿日期:2004-01-10基金项目:国家自然科学基金(29906006)和天津市自然科学基金(02306211)资助项目作者简介:王保国(1962-),男,河北阜城人,天津大学化工学院副教授,硕士生导师,主要从事绿色化学工艺过程研究。

联系人:李 ,E -mail:li wei@ 。

文章编号:1004-9533(2005)01-0001-03纳米晶TiO 2半导体薄膜的制备和性能王保国,王素梅,张金利,李,刘亚娟(天津大学化工学院,绿色合成与转化教育部重点实验室,天津300072)摘要:以钛酸丁酯为前驱液,聚乙二醇2000为模板剂,采用溶胶-凝胶模板法在温和的条件下合成了纳米晶TiO 2薄膜,并对其晶相、颗粒大小和表面形貌等进行了表征。

结果表明,所制备的TiO 2薄膜表面完整,无明显的裂纹,颗粒分布均匀,粒径和膜厚度保持在纳米级。

电学性能测试表明,纳米晶TiO 2薄膜在350e 具有p -型半导体特性,p -型TiO 2半导体纳晶薄膜在新型气体传感器开发领域有着潜在的应用前景。

关键词:纳米晶;氧化物半导体;PEG 模板中图分类号:O644 文献标识码:APreparation and Characterization ofNano -Crystalline TiO 2Sensing FilmWANG Bao -guo,W ANG Su -mei,Z HANG Jin -li,LI Wei *,LI U Ya -juan(Sc hool of Che mical Engi neering,Key Laboratory for Green Chemical Technology,Tianjin Universi ty,Tianjin 300072,China)Abstract :Nanometer titania inorganic film using polyethylene glycol(PEG)as matrix and tetrabutylorthotitanateas inorganic precursor was successfully prepared.SEM,XRD and XPS were used to characterize the microstructure and crystallite morphology.The nanocrystalline TiO 2films were integral and crac k -free with small pores,whose crystallitic sizes were nanometer and even.The films spinned on sapphire tended to sho w semiconducting properties at 350e .The p -type TiO 2thin films have potential for development of a novel gas sensor.Key words :nano -crystalline;metal oxide semiconductor;PEG Template 随着科技的发展半导体材料的尺寸可减小到纳米量级范围内,由于纳米相的量子尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应等特点,使得它们呈现出了常规材料所不具备的特殊光学、电学和力学特性,以及催化和生物活性等。

蓝宝石刻蚀

对溅射的铝膜进行阳极氧化制备孔状结构，最佳的实验条件为氧化温度低于 15 °C，氧化电压为 40 V，扩孔时间为 50 min。采用阳极氧化的方法成功的制备出孔径比 0.6，深度为 0.65 μm 和 0.08 μm，周期为 0.1μm 的孔状的图形阵列。固相外延反应的实验结果表明，退火温度越高，空气氛围下保温时间越长，结晶程度越好。450 °C 低温处理 24 h，1000 °C 高温处理 3 h 后，由 SEM 结果表明孔状结构保存较好，XRD 和 Raman 结果表明氧化铝的结晶质量较好，且与蓝宝石基体的成分和晶体取向保持一致。
The results of anodized experiments showed that best condition was the oxidation temperature below 15 °C, 40 V for the oxidation voltage, 50 min for bearizing. With this condition, anodic oxidation could successed produce a sub-wavelength structure with an aperture ratio of 0.6, a depth of 0.65 μ m and 0.08 μ m, a period of 0.1 μ m. Experimental results of solid phase epitaxy showed that the higher the temperature, the better the degree of crystallization. After the heattreatment at 450 °C for 24 h and 1000 °C for 3 h, the porous structure was preserved, the crystalline quality of alumina was good, and the crystal orientation was consistent with sapphire substrate.

能源科学技术：太阳能光伏发电技术题库考点五

能源科学技术：太阳能光伏发电技术题库考点五1、填空题自（）瑞士格桑理工大学的教授开发出转换效率为7.9%的新型色素增感型太多是能电池被叫做（）。

正确答案：1991年；格雷尔电池2、填空题太阳灶的热效率是指太（江南博哥）阳灶提供的（）与它接收太阳的能量之比。

正确答案：有效热能3、单选单晶硅电池的制造工艺主要流程为（）A.表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜B.表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极C.表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极D.表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极正确答案：C4、填空题由于单晶硅基片的制造技术和（）等的半导体技术有很多的共同点，因此新技术从半导休整上导入是有右能的，最近引人注目的技术之一是（）。

正确答案：LSI；RTP技术5、填空题CIS的禁带宽度为（），是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev 偏小的值正确答案：1.0ev6、问答题了解PN结正向电压—电流特性；多子与少子；非平衡少数载流子注入；正向电流（电池的暗电流）及方向。

正确答案：特性：势垒区中的电场减小，由Vo变为（Vo-V）；势垒高度减小，由eV0变为e（Vo-V）；势垒区宽度w减小。

出现非平衡载流子注入：载流子扩散电流大于漂移电流。

n区中电子不断扩散到p区，p区中空穴不断扩散到n 区，这种注入载流子的，为非平衡少子。

正向电流：对PN结施加正向偏压V 后，扩散电流大于漂移电流，导致非平衡少子注入而产生的电流。

方向由p指向n。

7、填空题平板玻璃具有的特点是具有（）；（）；（）；（）；（）；（）等性能。

正确答案：透光，透明，保温，隔声，耐磨，耐气候变化8、问答题太阳电池的光谱响应的意义是什么？请简答光谱响应的大小取决于哪两个因素？正确答案：太阳电池的光谱响应是指一定量的单色光照到太阳电池上，产生的光生载流子被收集后形成的光生电流的大小。

因此，它不仅取决于光量子的产额，而且取决于收集效率。

被动调Q锁模运转Tm∶LuScO_(3)陶瓷激光器特性

收稿日期: 2021-04-30; 修订日期: 2021-05-15 基金项目: 国家重点研发计划(2017YFB0405204) ; 国家自然科学基金(11774257,61564008) ; 甘肃省高等学校产业支撑计划项目
(2020C-23) ; 甘肃省重点研发计划项目(21YFIGE300) ; 天水师范学院研究生创新引导项目( TYCX2035) 资助 Supported by National Key R&D Program of China ( 2017YFB0405204 ) ; National Natural Science Foundation of China (11774257,61564008) ; Industrial Support Program for Colleges and Universities in Gansu Province(2020C-23) ; Key R&D Plan of Gansu Province(21YFIGE300) ; Tianshui Normal University Postgraduate Innovation Guidance Project( TYCX2035)
第 42 卷第 7 期 2021 年 7 月
发光学报
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
文章编号: 1000-7032(2021)07-1049-08
Vol. 42 No. 7 July, 2021
被动调 Q 锁模运转 Tm∶ LuScO3 陶瓷激光器特性
张明霞, 袁振, 杜晓娟, 王翀, 王文婷, 薛婧雯, 令维军∗, 董忠∗
实现连续和调 Q 激光输出,对应的中心波长分别为 1 980 nm 和 1 976 nm,并详细描述了该陶瓷的特性[30] 。该工作丰富了激光透明陶瓷材料在 2 μm 波段的种类,并且在掺 Tm3 + 或 Tm3 + 、Ho3 + 共掺陶瓷全固态激光器中其中心波长首次小于 2 μm,恰好位于水分子强吸收带 1 800 ~ 2 000 nm 区域,因而必将会有更大的应用潜力,引起了研究人员的关注。

半导体或芯片岗位招聘笔试题与参考答案

招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、半导体器件中，以下哪个材料是制作晶体管的最佳选择？A、硅（Si）B、锗（Ge）C、砷化镓（GaAs）D、碳化硅（SiC）2、在半导体工艺中，以下哪个步骤用于形成晶体管的有源区？A、光刻B、扩散C、蚀刻D、离子注入3、题干：在半导体制造过程中，下列哪种设备用于在硅片上形成绝缘层？A. 溶胶-凝胶法B. 气相沉积法C. 化学气相沉积法D. 离子注入法4、题干：下列哪种材料在制造芯片时用作硅片的基板？B. 蓝宝石C. 硅D. 玻璃5、题干：在半导体制造过程中，以下哪个步骤是用于形成晶体管的沟道区域？A. 源极/栅极/漏极扩散B. 化学气相沉积（CVD）C. 光刻D. 离子注入6、题干：以下哪个选项不是半导体器件性能退化的主要因素？A. 氧化B. 金属污染C. 温度D. 磁场7、以下哪种技术不属于半导体制造中的光刻技术？A. 具有曝光光源的接触式光刻B. 具有投影光源的接触式光刻C. 具有曝光光源的投影式光刻D. 具有投影光源的扫描式光刻8、在半导体制造过程中，以下哪种工艺是用来形成半导体器件中的掺杂层的？A. 离子注入B. 化学气相沉积D. 硅烷刻蚀9、在半导体制造过程中，下列哪一种工艺主要用于晶体管的掺杂？A. 离子注入B. 化学气相沉积C. 蚀刻D. 光刻 10、以下哪一项不是半导体芯片制造过程中的关键环节？A. 材料制备B. 设备测试C. 晶圆加工D. 封装测试二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？（）A. 光刻B. 沉积C. 刻蚀D. 化学气相沉积E. 离子注入2、以下哪些是影响芯片性能的关键因素？（）A. 电路设计B. 材料选择C. 制造工艺D. 封装技术E. 电源电压3、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？A. 光刻B. 溅射C. 化学气相沉积D. 离子注入E. 硅片切割4、以下哪些是影响半导体器件性能的主要因素？A. 杂质浓度B. 静电放电C. 温度D. 电压E. 射线辐照5、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤？A. 光刻B. 化学气相沉积（CVD）C. 离子注入D. 硅片切割E. 激光打标6、在芯片设计过程中，以下哪些工具或方法有助于提高设计效率？A. 逻辑综合B. 硅基模拟C. 动态仿真D. FPGA原型E. 硅验证7、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤？（）A. 光刻B. 刻蚀C. 化学气相沉积D. 离子注入E. 线宽控制8、以下哪些因素会影响芯片的性能？（）A. 集成度B. 电压C. 温度D. 材料E. 制造工艺9、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤？（）A. 光刻B. 化学气相沉积C. 离子注入D. 晶圆切割E. 热处理 10、以下哪些是影响半导体器件性能的关键参数？（）A. 集电极电压B. 跨导C. 开关速度D. 噪声电压E. 耗散功率三、判断题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、半导体制造过程中，光刻是直接在硅片上形成电路图案的关键步骤。

蓝宝石衬底氮化镓的激光剥离技术与湿法剥离技术

蓝宝石衬底氮化镓的激光剥离技术与湿法剥离技术一、引言随着科技的不断发展，半导体材料的研究与应用越来越受到关注。

蓝宝石衬底氮化镓（GaN-on-sapphire）作为一种具有高硬度、高热导率、高电子迁移率等优异特性的半导体材料，在LED、激光、射频等领域具有广泛的应用前景。

然而，如何实现高效、低成本的氮化镓薄膜剥离成为产业界的一大挑战。

本文将对蓝宝石衬底氮化镓的激光剥离技术与湿法剥离技术进行详细介绍，以期为相关领域的研究与发展提供参考。

二、蓝宝石衬底氮化镓概述1.材料特性氮化镓具有良好的半导体性能，其带隙宽度可调，具有较高的击穿电压、热稳定性和化学稳定性。

蓝宝石衬底氮化镓具有以下优点：（1）良好的晶体结构；（2）较高的热导率，有利于热管理；（3）较低的杂质扩散速率，有利于器件性能的提高；（4）与硅衬底相比，蓝宝石衬底具有较高的硬度，有利于薄膜的耐磨性。

2.应用领域蓝宝石衬底氮化镓广泛应用于高亮度LED、激光器、射频器件、功率电子器件等领域。

随着市场需求的增长，研究蓝宝石衬底氮化镓的剥离技术具有重要意义。

三、激光剥离技术原理1.激光剥离技术简介激光剥离技术是一种利用高能激光束对薄膜进行局部照射，使其产生热应力而实现薄膜与衬底分离的方法。

该方法具有剥离速度快、剥离效果好、无污染等优点。

2.激光剥离过程激光剥离过程主要包括以下几个步骤：（1）预处理：对薄膜表面进行清洗、抛光等处理，以提高激光剥离效果；（2）激光剥离：采用高能激光束对薄膜进行局部照射，使其产生热应力，从而实现薄膜与衬底分离；（3）冷却：激光剥离后，及时对薄膜进行冷却，以减小薄膜残余应力，提高剥离质量。

四、湿法剥离技术原理1.湿法剥离技术简介湿法剥离技术是一种利用化学溶液对薄膜进行腐蚀，使其与衬底分离的方法。

该方法具有操作简便、成本低廉、环保等优点。

2.湿法剥离过程湿法剥离过程主要包括以下几个步骤：（1）预处理：对薄膜表面进行清洗、抛光等处理，以提高湿法剥离效果；（2）化学腐蚀：采用特定的化学溶液对薄膜进行腐蚀，使其与衬底分离；（3）冲洗：将腐蚀后的薄膜进行冲洗，去除残留的化学溶液；（4）干燥：冲洗后的薄膜进行干燥处理，以备后续应用。

formation of long- and short-periodic nanoripples on stainless steel irradiated

实验装置实验是利用商用的钛宝石激光再生放大系统。产生激光的中心波长为800nm，脉宽为50fs，激光的能量为3.5毫焦。激光系统的重复频率在1-1000内可调节。激光通过焦距为250mm 透镜聚焦到样品（不锈钢）的表面。把样品放到距离激光焦点中心前32mm处。
Formation of long- and shortperiodic nanoripples on stainless steel irradiated by femtosecond laser pulses
abstract
• The split of long-periodic(LP) ripples plays the decisive role in the formation of short-periodic （SP）ripples. • 长周期的分裂对短周期的条纹的形成起着决定性的作用。
近年来，用飞秒激光脉冲在金属表面诱导长周期条纹的过程引起了人们的广泛关注。Guo 等人在铜，银和金的表面研究了表面周期条纹的形成的超快动力学过程。他们发现在铜表面形成的表面图案比在金上清楚明显，这是由于铜有更强的电子和光子的耦合率。他们还研究了在铂与金上长周期条纹演化。他们提出，当周期条纹的深度越深，越规则时，可以通过增加空气与金属接触面的有效反射率来减少条纹周期。黄等人在铜和锌上研究了长周期条纹，提出来周期条纹是由表面等离激元与入射光的相互干涉所致的。除了长周期的周期条纹，Namba组利用飞秒激光脉冲在不锈钢表面诱导短周期条纹。就像参考文献指出了一样，大量的实验需要进行去支持更深的见解来解释在金属表面短周期条纹形成的物理机制。金属纳米结构可以支持表面等离激元共振，共振波长和局域表面增强都对几何外形非常敏感。这些金属纳米结构在纳米光学领域有着重要的用处。例如，局域等离激元共振峰的移动，表面增强拉曼散射和红外吸收。最近，Guo等人在铝和铂的表面发现长周期条纹，发现这些表面周期条纹的形成显著改变了材料的光学特性。通过调节激光频率和脉冲数，可以制备绿色，金色和黑色的铝薄膜。被铂，镍和钛黑化的金属光学吸收率提高到了85%— 95%。与此同时，在钨灯灯丝表面形成长周期条纹，发射的效率可以提高到100%。激光诱导周期纳米结构为人们提供一种方法改变金属的光学特性，在太阳能有广泛的应用前景，光学敏感元件。本文中，我们研究利用800nm飞秒激光脉冲在不锈钢表面诱导长周期和短周期条纹的形成。我们的实验结果长周期条纹的分裂在短周期条纹形成过程中起着非常重要的作用。我们利用泵博—探测技术实验和数值模拟研究长周期和短周期条纹形成的超• 主要内容：在半导体上，诱导周期条纹已经研究了四十多年。用长脉冲的激光得到的表面周期条纹非常接近激光的波长。这些周期条纹是由于入射激光与表面散射光场相互干涉所致的；近年来用线偏振飞秒激光脉冲诱导得到了比激光波长小很多的周期条纹。为了理解周期条纹的形成的机理，很多小组提出了不同的模型。如自组织，局域电场增强，激光与等离激元的干涉。

“双碳”目标下膜技术发展的思考

化工进展Chemical Industry and Engineering Progress2022年第41卷第3期“双碳”目标下膜技术发展的思考徐南平，赵静，刘公平（材料化学工程国家重点实验室，江苏南京211816）摘要：实现碳达峰和碳中和，本质在于使经济社会发展彻底摆脱对含碳矿产资源的依赖，其关键在科技创新。

作为一种高效节能的共性分离技术，膜技术在这个过程中可以发挥怎样的作用？本文从零碳能源重构、低碳流程再造、非二气体减排及负碳体系构建四个方面详细阐述了膜技术在实现“双碳”目标的关键技术途径中所发挥的重要作用，主要包括零碳电力存储、绿氢制备及利用、工业流程优化及节能降耗、CO 2及非二气体捕集、CO 2转化再利用等。

文中分析了相关领域膜技术的发展现状，并对“双碳”目标下我国未来膜技术的研究方向和发展目标进行了展望，指出通过一系列颠覆性膜技术的大规模应用，可助力实现可再生能源成本全球最低、低碳流程再造代价最小两大战略目标，为我国实现碳中和提供坚实的技术支撑。

关键词：碳达峰；碳中和；含碳矿产资源；膜技术中图分类号：TQ028.8文献标志码：A文章编号：1000-6613（2022）03-1091-06Thinking of membrane technology development towards “carbon emission peak ”and “carbon neutrality ”targetsXU Nanping,ZHAO Jing,LIU Gongping(State Key Laboratory of Materials-Oriented Chemical Engineering,Nanjing 211816,Jiangsu,China)Abstract:The essence of achieving “carbon emission peak”and “carbon neutrality”is to completely getrid of the dependence of economic and social development on carbon-containing mineral resources.The key solution towards this issue is to develop innovative science and technology.As an efficient and energy-saving generic separation technology,what role can membrane technology play in this process?This paper discusses the important functions of membrane technology in the pivotal technical approaches to realizing “carbon emission peak”and “carbon neutrality”targets from four aspects:zero-carbon energy system reconstruction,low-carbon-process engineering,non-CO 2gas emission reduction and negative-carbon-system creation.The involved technical approaches mainly included zero-carbon-electricity storage,green hydrogen preparation and utilization,process optimization and energy consumption reduction of current industrial processes,CO 2and non-CO 2gas capture,CO 2conversion and reuse.The recent developments of membrane technology in the relevant fields are analyzed,and the future development directions and goals of the membrane technology in China are prospected.It is anticipated that the large-scale applications of various disruptive membrane technologies in the future could contribute to achieving the two strategic objectives of the lowest renewable energy cost in the world and the minimum priceof low-carbon-process engineering,and then provide technical supports for realizing “carbon neutrality”观点DOI ：10.16085/j.issn.1000-6613.2021-2143收稿日期：2021-10-19；修改稿日期：2021-11-09。

PMNPT

PMN-PT的制备技术及特性13S011060 王建俊自1970年问世后,透明铁电陶瓷引起了人们的广泛重视。

随后人们发现这种材料在当代许多新技术如计算技术、显示技术、激光技术、全息存贮、微声技术以及光电子学诸领域中都有广阔的应用前景。

目前铌酸锂晶体作为一种非线性光学晶体材料,在光通信领域得到广泛应用。

除了不能作光源探测器以外,铌酸锂晶体适合制作各种光的控制耦合和传输器件,如光隔离、放大、波导、调制等器件。

但是由于生长技术长期得不到突破,人们一直在努力寻找性能更好、价格更便宜的新材料替代铌酸锂晶体。

于是,PLZT、PMN-PT的研究受到重视。

首先介绍一下PMN-PT的结构与特性。

PMN-PT光电透明陶瓷属于钙钛矿型多晶结构,可以用ABO3表示:(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-x PbTiO3(PMN-PT)。

其中A位为Pb元素,B位为Mg、Nb和Ti元素。

为了达到最佳的透光效果和电光系数，数,某些元素如Ba或La被加入到PMN-PT中,部分取代A位的Pb元素。

PMN-PT 的相位图[7,8]表明:PMN-PT材料成分分布被分为3个主要区域:二次方区、存储区和线性区。

光电材料的成分主要分布在二次方区域,且二次方区域的x取值为0.1～0.35。

PLZT、PMN-PT同属于一类弛豫材料,具有各向同性的最小能量稳定结构和易被扭曲的电场。

在外电场作用下,所有的畴都倾向于外电场排列,即发生极化,光就会产生双折射,从而表现出很强的电光效应。

然后对PMN-PT透明光电陶瓷的制备技术进行一个简要介绍。

实验证明,为了达到陶瓷的透光性,从陶瓷粉料的制备到陶瓷的烧结都较普通陶瓷的制备工艺提出了更高的要求。

首先是粉末的制备，制备光电透明陶瓷粉末的方法主要有化学方法和机械方法。

化学方法主要包括共沉淀法和溶胶-凝胶法。

共沉淀法是由铅溶液、镁溶液、铌溶液和钛溶液按一定的摩尔比混合,在搅拌中形成四组元共沉淀。

沉淀物经过洗涤、烘干,形成PMN-PT陶瓷粉末。

蓝宝石衬底上硅外延技术

蓝宝石衬底上硅外延技术摘要--蓝宝石衬底上硅技术本质（SOS）是一个异质外延的过程，即蓝宝石晶圆上生长一层SI薄层（典型厚度小于0.6微米）。

SOS隶属CMOS技术中绝缘体衬底上的硅外延技术（SOI）。

因为与生俱来的耐辐射特性，SOS主要用于航天和军事应用。

通常情况下使用的是高纯度人工栽培的蓝宝石晶体。

通常是由加热分解硅烷，后使之沉淀于蓝宝石衬底上得到硅。

SOS的优势在于其极好的电绝缘性，可有效防止杂散电流造成的辐射扩散到附近元件。

但SOS商业化遥遥无期，因为很难适用于在现代晶体管的高密度应用。

这是SOS过程中硅和蓝宝石晶格之间的差异所引起的错位、结对和堆垛缺陷形成的结果。

此外，在最接近的界面的硅会受到来自衬底的铝污染。

关键词：1.蓝宝石晶圆2.超薄硅薄膜3. SOS的优势和劣势4. SOS电路与系统5. SOS性能改善正文：蓝宝石晶圆蓝宝石也被称为刚玉或α-氧化铝。

氧化铝含铬时被称为红宝石，含铁和钛作为杂质时，就被称为蓝色的蓝宝石（blue sapphire）。

为得到非常纯净的蓝宝石，在一个控制的环境中作蓝宝石的大晶体生长，其体重可超过50公斤。

蓝宝石晶圆不沿晶体对称轴的切割，而是沿所谓的“R平面”作大约60 °角切割，即（1102）晶面。

R平面上氧原子间隔接近在硅晶体（100）面的原子间距。

R平面的氧原子平方对称，映射了在硅（100）面的对称性。

R平面平方对称如图1所示。

蓝宝石 R –平面请注意，每四个一组有一额外的氧原子。

一个硅原子除了形成一个简单的二氧化硅键之外，还可以与一个角落的氧原子结合。

额外的氧原子的间距近似在单晶SiO2的氧原子之间的距离。

蓝宝石（1102）面和硅（100）面之间的兼容性是SOS技术实现的前提。

超薄硅薄膜超薄膜优点是可以用于所谓的“完全耗尽”晶体管。

完全耗尽简单得来说就是晶体管导通时沟道电荷耗尽。

这只能在SOI上发生，大多数硅中源电荷无限，几乎不可能被耗尽。

800nm布拉格反射镜型半导体可饱和吸收镜

800nm布拉格反射镜型半导体可饱和吸收镜
王勇刚;马骁宇;王屹山;赵卫;曹士英;张志刚;王清月
【期刊名称】《量子电子学报》
【年(卷),期】2004(21)5
【摘要】我们在国内首先研制成功波长为800nm附近布拉格反射镜型半导体可饱和吸收镜。

用布拉格反射镜型半导体可饱和吸收镜作为自启动装置,我们实现了氩离子激光器泵浦的钛宝石激光器被动连续锁模,获得了连续锁模脉冲序列,重复频率在100 MHz到200 MHz。

【总页数】4页(P597-600)
【关键词】激光技术;半导体可饱和吸收镜;布拉格反射镜;被动连续锁模;钛宝石激光器
【作者】王勇刚;马骁宇;王屹山;赵卫;曹士英;张志刚;王清月
【作者单位】中国科学院半导体研究所;中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学研究室;天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光实验室
【正文语种】中文
【中图分类】TN248.1
【相关文献】
1.表面态型半导体可饱和吸收镜实现Yb∶YAG激光器被动锁模 [J], 王勇刚;马骁宇;居桂方;张志刚
2.用高反射率型半导体可饱和吸收镜实现半导体端面泵浦Yb:YAB激光器被动锁模
(英文) [J], 王勇刚;马骁宇;薛迎红;孙虹;张志刚;王清月
3.用表面态型半导体可饱和吸收镜实现Yb∶YAG激光器被动调Q锁模 [J], 王勇刚;马骁宇;居桂方;张志刚
4.表面态型半导体可饱和吸收镜实现Nd:YAG激光器被动锁模 [J], 王勇刚;马骁宇;张丙元;陈檬;李港
5.用800nm表面态方法和低温方法结合吸收区的半导体可饱和吸收镜实现掺钛蓝宝石激光克尔镜锁模(英文) [J], 王勇刚;马骁宇;曹士英;张志刚
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半导体思考题

半导体前沿讲座复习思考题
1.什么是拉曼散射？
2.共焦显微拉曼技术有什么优点？
3.我们经常说，在半导体科学技术中，材料、物理和器件这三者相辅相成、互相促进的。

为什么呢？
4.简述分子束外沿系统的构成及工作原理。

5.估算掺钛蓝宝石飞秒激光器在800nm波长输出时，如果其脉宽为100fs，则频谱宽度为
多少？如果脉宽为1ps，则频谱宽度为多少？
6.请解释什么是光刻工艺，光刻工艺的曝光方式有哪几种，光刻的主要步骤是什么？
7.干法刻蚀与湿法腐蚀相比有什么优点？
8.你认为固体体系和其他体系最不同的地方是什么？
9.光伏材料的特性是什么？太阳电池的特性又是什么？
10.按照摩尔定律，硅MOS晶体管制作工艺尺度不断缩小，进入纳米加工尺度以后，器件
都面临了哪些挑战？器件工程师又是如何解决这些问题的？
11.G aN基白光LED的发光机理(包括材料特性)。

12.你对本课程有哪些意见和建议？。

蓝宝石衬底材料CMP抛光工艺研究

２存在的问题
目前国内蓝宝石批量生产的技术还很不成熟，在生产蓝宝石衬底片的时候产生裂痕和崩边现象比例较高，占总数的５％－８％，在之后的研磨工序完成以后，检查发现有５０％的宝石片上有短而粗的加工痕迹在抛光时无法抛掉，并且很多经过加工之后的蓝宝石片由于表面划痕较重，有Ｚ０％左右的宝石片表面有粗深划痕［８３０－１２］，需要重新研磨抛光，从而导致返工，而部分经过返工的蓝宝石片由于研磨抛光过度，导致厚度过薄而报废，这样就大大提高了蓝宝石衬底片加工的成本。目前国际七的
水平是，去除速率低于１斗ｎ以；表面粗糙度达到０．４ｍ左右”１；平整度小于５¨ｍＥｇ］。
尽管ＣＭＰ技术发展的速度很快，但它们需要解决的理论及技术问题还很多。如人们对诸如抛光参数（如压力、转速、温度等）对平面度的影响、抛光垫．浆料－片子之问的相互作用、浆料化学性质（如组成、ｐＨ值、颗粒度等）对各种参数的影响等比较基本的基础机理了解甚少，因而定量确定最佳ＣＭＰ工艺，系统地研究ＣＭＰ工艺过程参数，建立完善的ＣＭＰ理论模型，满足各种器件对ＣＭＰ工艺的不同要求，是研究ＣＭＰ技术的重大课题；另外片子表面残留浆料的清除也是ＣＭＰ后清洗的主要课题，研制合适的ＣＭＰ工艺、设备及抛光液以使去除速度高而稳定、片子的膜内均匀性和片内均匀性都理想，而且产生的缺陷少，是ＣＭＰ技术发展
Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｃｈｅｍｉｃａｌｍｅｃｈａｎｉｃａｌｐｏｌｉｓｈｉｎｇ（ＣＭＰ）ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｏｆｓａｐｐｈｉｒｅｓｕｂｓｔｒａｔｅｗａｓｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ，ａｎｄｔｈｅｆｏｒｅｇｒｏｕｎｄａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆｓａｐｐｈｉｒｅｓｕｂｓｔｒａｔｅ，ｔｈｅｐｒｏｂｌｅｍｓｅｘｉｓｔｅｄｉｎｔｈｅＣＭＰｔｅｃｈｎｉｑｕｅｗｅＩｅｓｕｍｍａｒｉｚｅｄ．ａｎｄｔｈｅｆａｃｔｏｒｓｔｈａｔｉｎｆｌｕｅｎｃｅｔｈｅＣＭＰｐｒｏｃｅｓｓｗｅｒｅｓｕｍｍａｒｉｚｅｄ．ＴｈｅｃａｐａｂｉｌｉｔｙｐａｒａｍｅｔｅｒｓａｎｄｔｈｅｉｔｆｆｌｕｅｎｃｅｆａｃｔｏｒｓｏｆｔｈｅｓａｐｐｈｉｒｅＣＭＰｔｅｃｈｎｉｑｕｅｗｅｒｅｓｙｓｔｅｍａｔｉｃａｌｌｙａｎａｌｙｚｅｄ．Ｆｅａｓｉｂｌｅｐｍｊｃｏｔｓｏｆｕｓｉｎｇａｂｒａｓｉｖｅｏｆｌａｒｇｅｐａｒｔｉｃｌｅｓｉｚｅａｎｄｌｏｗｄｉｓｐｅｒｓｉｔｙ，ａｐｐｅｎｄｉｎｇｔｈｅｏｒｇａｎｉｃａｌｋａｌｉａｎｄｓｕｒｆａｃｔａｎｔｗｅｒｅｓｕｇｇｅｓｔｅｄ．Ｉｔｃｏｕｌｄａｄｖａｎｃｅｔｈｅｓｕｒｆａｃｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅａｎｄｍａｃｈｉｎｉｎｇｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙｏｆｓａｐｐｈｉｒｅｓｕｂｓｔａｎｃｅｅｆｆｅｃｔｉｖｅｌｙ．

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压力容器设计审核人员答辩考试——标准要点、总结归纳最新
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1 钢板 ................................................................................................................................................................ 5 GB150.2 4....................................................................................................................................................... 5 1 钢管 ................................................................................................................................................................ 6 1 锻件 ................................................................................................................................................................ 7 1 螺柱 .....................................................................................................