南京理工大学2008年硕士研究生入学考试-电子技术基础

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南京理工大学-研究生入学考试大纲-823电子技术基础

南京理工大学-研究生入学考试大纲-823电子技术基础

南京理工大学研究生入学考试大纲
科目名:《电子技术基础》
一. 考试内容
模拟电路部分
1半导体器件
(1)半导体的基本概念:本征半导体;PN结
(2)半导体二极管:①半导体二极管的伏安特性;半导体二极管的主要参数;半导体二极管电路的分析。

(3)稳压二极管:稳压二极管的伏安特性;稳压二极管的主要参数;稳压二极管电路的分析。

(4)半导体三极管:三极管的电流放大特性;三极管的特性曲线和主要参数
(5)场效应管:
①结型场效应管的工作原理;伏安特性;主要参数;输出特性曲线;转移特性曲线;
②绝缘栅型场效应管的工作原理;伏安特性;主要参数;输出特性曲线;转移特性曲线;输出特性曲线的三个区;
2基本放大电路
(1)三极管放大电路:固定偏置放大电路的组成和分析;分压偏置放大电路的组成和分析;有交流射极电阻的共射放大电路的组成和分析;共集放大电路的组成和分析;
(2)场效应管放大电路:场效应管放大电路;场效应管的微变等效模型;场效应管的两种静态偏置电路:自给偏压电路与分压式偏置电路;基本共源电路的组成、静态分析、动态分析方法;基本共漏电路及其静态、动态分析。

3 多级放大电路。

南京理工大学 2001-2009 年硕士学位研究生入学考试题及答案标准版

南京理工大学 2001-2009 年硕士学位研究生入学考试题及答案标准版

2 e j30° 3
∴h(t) = 2 k1 ieαt cos(ωt +θ1) = 2×
2 e−500t cos(500 3
3t + 30°)ε (t) =
4 e−500t cos(500 3
3t + 30)ε (t)
∴单位冲激响应:
版权所有 ,翻版必究 正版用户可享受免费更新服务,包括最新的试题解答,及错误改正,敬请联系: 10 ,预祝大家顺利考上南京理工大学!
图1 解析:如图所示以节点 5 为参考节点, 列写节点电压方程:
⎧(1+ 2 + 3)Un1 −Un2 − 3Un4 = 0 ⎪⎪⎪⎨U−Un3n1=+8U(1+ 6 + 4)Un2 − 4Un4 − 6Un3 = 4 × 4 ⎪⎩−2Un1 − 4Un2 − 7Un3 + (2 + 4 + 7)Un4 = 7I −16
(2)如果电流 I2 = 0 A,则 R1 为何值?
(3)如果 R1 为非线性电阻,U1 = I12 ,求此时 I1 。
解析:(1)由已知条件可知仅 R1 发生变化,其它部分不变,画出从 R1 两端看进去的戴维南
等效电路图,如上图右所示,则有Uoc = I1(R1 + Req ) ,代入已知条件有
⎧U ⎪
− 90°
= 100∠0°
I1
=
Uc 30 + jωL
=
100∠0° 30 + 40 j
=
2∠ − 53.1°
由 KVL 可得
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《东南大学电子技术基础2007-2012年考研真题及答案解析》

《东南大学电子技术基础2007-2012年考研真题及答案解析》
于中电,晶体管VT1 , VT 2 特性相同, 100 ,试求: (1)静态电流 IC1Q , IC 2Q 以及集电极 C1 ,C2 静态电位; (2)若 ui1 20mV , ui2 15mV 且共模放大倍数的影响可忽略不计,求两管集电极对
地电压 uc1 , uc2 。(16 分)
二、电路图如图所示 已知VT1的 gm 0.7mS ,VT 2 的 40 , rbe 1k ,试:
(1)写出各触发器 CP 信号的方程和驱动方程; (2)写出电路的状态方程; (3)画出状态表及状态图; (4)画出电路的时序图。(20 分)
《东南大学电子技术基础历年考研真题及答案解析》
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九、试用集成数据选择器 74LS151 实现逻辑功能
L A, B,C, D m3, 4,5,8,9,10,14,15
(1)画出其微变等效电路; (2)求电路的电压放大倍数; (3)求电路的输入电阻; (4)分析电容 C 的作用。(18 分)
《东南大学电子技术基础历年考研真题及答案解析》
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三、电路图如图所示, VT1、VT 2 管的饱和压降 UCES 1V ,试:
(1)简述电路的工作原理;
(2)计算最大输出功率 Pomax ; (3)确定VT1、VT 2 管的 PCM ,UBRCEO , ICM 至少应选多少? (4)若测得负载 RL 上的电压有效值为 10V,试求输出功率 Po 、电源提供功率 PV 、效 率 以及单管管耗 PT1 ,此时的输入信号的有效值。(18 分)
《东南大学电子技术基础历年考研真题及答案解析》
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Ⅰ 历年考研真题试卷 东南大学 2007 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试卷
请考生注意:试题解答务请考生做在专用“答题纸”上!

南京理工大学考研初试参考书

南京理工大学考研初试参考书
周登嵩 主编
考试科目代码
考试科目
参考教材
出版社
作者
617
毛泽东思想与中国特色社会主义理论体系概论
《毛泽东思想和中国特色社会主义理论体系概论》(2018 修订版)
高等教育出版社
公共教材
871
马克思主义基本原理
国家马克思主义理论研究和建设工程重点教材,《马克思主义基本原理概论》(2018 年修订版)
高等教育出版社
大学语文
华东师范大学出版社
徐中玉等
现代汉语
高等教育出版社
黄伯荣、廖序东
253
英语(二外)
《现代大学英语》(1-4 册)
外语教学与研究出版社
杨立民等
624
基础日语
新编日语(重排版)(1-4)
上海外语教育出版社
周平、陈小芬
高级日语(1-2)
上海外语教育出版社
吴侃、村木新次郎
858
日语翻译
日汉翻译教程
上海外语教育出版社
人民教育出版社
中日合编
252
德语(二外)
《新编大学德语》(第二版)(1-3)
外语教学与研究出版社
朱建华等
623
基础英语
《现代大学英语》(1-6 册)
外语教学与研究出版社
杨立民等
《高级英语》(第三版)
张汉熙
857
翻译与写作
《实用翻译教程(英汉互译)》(第 3 版)
上海外语教育出版社
冯庆华
《英语写作手册》
中国人民大学出版社
高鸿业
828
管理学原理
《管理学教程》(2011 年)第 3 版
上海财经大学出版社
周健临
829
会计学

南京理工大学机械学院仪器仪表工程专业课经验分享

南京理工大学机械学院仪器仪表工程专业课经验分享

南京理工大学机械学院仪器仪表工程专业课经验分享本人普通一本大学非211,今年考研考取了南京理工大学机械工程学院仪器仪表工程专业硕。

以为数学英语政治之类的分数不高就不摆出自己的复习经验了,主要写下专业课的经验吧。

我的初试专业课为823电子技术基础(也就是数字电子技术与模拟电子技术)初试分数120+,今年题目有点难度,具体的后面细说,我本来以为分数不高,后来复试的时候看大家基本都是110左右,120以上的没几个。

但是题目确实出的中规中矩的,都是按照大纲出的,刚刚说它难,是因为最后一个数电的题目,考了一个移位寄存器的设计序列生成器题目,这个题目20多年来就没出现过,在此之前移位寄存器只出现了一次还是两次而且没考设计,所以以后大家复习的时候这个地方要谨慎,复习要全面不要抱有侥幸心理。

下面说一下我的复习专业课的一些经验。

我是从8月底开始专业课复习的,对于大多数同学来说这个时候开始复习可能有些晚了,但是我的数学不好,所以耽搁了太多时间,不过所幸之前大二的时候上过数电模电,而且对此还是很感兴趣的,所以有一定的基础,复习起来还是比较顺利的。

关于教材和参考书。

南京理工823指定了学校自己编的一本书,但是这本书讲得太简洁,虽然内容都讲到了,不过看完了会给人一种云里雾里的感觉,题目大都不会做,所以建议大家不要看指定的书(我是买回来看了的然后一周不到果断扔掉)。

我后来用的是清华大学的童诗白教授编的《模拟电子技术基础-第四版》,然后配合它的习题解答,它的习题解答有两种,建议用《模拟电子技术基础辅导及习题精解》,这本习题指导是我们大纲编写人之前编的一本书,所以你懂得,很多出题的风格都是固定的,而且在之前的年份里就直接用里面的原题的都有,这本书一定要好好用,还有一种是它自己配套的原版解答,也很好,我两本都买了;数电方面用的是南京理工电院的一个教授编的《数字逻辑电路与系统设计》,这本已经有第二版了,我用的是第一版,然后书本上的例题一定要都要会,自己都要做一遍,真题有很多就是来源于例题的,课后习题也可以做下(我只做了课后习题的奇数编号的,因为只找到了奇数号的答案,不过感觉课后习题和真题并没有很多的相似度)。

南京理工大学考研题

南京理工大学考研题

[][]的平均值为多少?态上力学量)在少?(体系能量的平均值为多出现的概率是多少可测得哪些值?各个值态的体系进行能量测量)对处于求(是正的实数。

,其中,的矩阵表示分别为:学量及力系哈密顿量算符为态空间中得基矢,体和、中,态十一、已经体系处于状的可能值是多少?下,力学量)()(十、求在状态的几率为多少?的值为的本征态,求在此态中)如果粒子处于的本征值和本征态;()表象中,求(九、在)能量至一级修正。

(示;)微扰哈密顿的矩阵表。

写出(《,其中矩阵表示为八、体系哈密顿算符的分)能量至二级修正值。

(为实数。

用微扰公式求,且七、在能量表象中分)。

(。

证明,六、设分)。

(中算符的表示为五、试证明在动量表象分)(的本征值和本征函数。

分量四、求角动量的分的可微函数,试证明:是三、设分)彼此正交。

(同能级的束缚态波函数)中运动,证明属于不(二、粒子在一维势场分)流密度。

(计算其几率密度和几率的粒子处于定态波函数一、质量为试题(量子力学)年硕士研究生入学考试南京理工大学A A H AHS L J Y S Y S S S S S S H b a E E a E b b a E H i S S pi xI z pf i q f pq q q f i p q x V erm Z Z Z Z y x y x Z y x Z ikrZψψαωαωϕϕϕϕϕϕψϕθχϕθχψααααββαβαϕ3)2(?1010100001ˆ200020001ˆˆˆ212121-ˆˆˆ),(),(231222ˆ,ˆ1ˆ2112002002ˆ15,,ˆ152ˆ,2ˆ100115ˆ15-i ˆ)15.(2)(,)(,,1515,12004003213211121-1021020102012⎪⎪⎪⎭⎫⎝⎛=⎪⎪⎪⎭⎫⎝⎛=++=+=⎥⎦⎤⎢⎣⎡+==⎪⎪⎪⎭⎫⎝⎛=≠⎪⎪⎭⎫+ ⎝⎛+=-==⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=∂∂=∂∂====ψ南京理工大学2005年硕士研究生入学考试试题[][]()()面。

南京理工大学-研究生入学考试大纲-822电子技术

南京理工大学-研究生入学考试大纲-822电子技术

南京理工大学研究生入学考试大纲科目名:《电子技术(模电部分)》1、半导体二极管和三极管(1)半导体的导电特性(2)PN结(3)半导体二极管二极管的基本结构二极管的伏安特性主要参数(4)稳压管(5)半导体三极管三极管的基本结构三极管的电流分配与放大作用三极管的特性曲线主要参数2、基本放大电路(1)基本放大电路的组成和工作原理(2)放大电路的静态分析放大电路的直流通路及静态工作点参数的计算(3)放大电路的动态分析放大电路的微变等效电路分析法放大电路的交流通路及动态性能指标电压放大倍数、输入电阻、输出电阻的计算(4)分压式偏置稳定共射放大电路电路组成及稳定静态工作点的原理偏置稳定电路的静态分析偏置稳定电路的动态分析(5)射极输出器电路组成及静态工作点的计算射极输出器的动态分析射极输出器的特点及应用(6)场效应晶体管放大电路场效应晶体管放大电路静态工作点的设置场效应晶体管的微变等效模型与场效应晶体管放大电路的动态分析(7)多级放大电路多级放大电路的耦合方式多级放大电路的静、动态分析(8)差动放大电路典型差动放大电路抑制零漂原理差放电路工作点估算,差模电压放大倍数,输入,输出电阻的计算共模抑制比四种输入、输出方式(9)放大电路中的反馈反馈类型判断负反馈对电路性能的影响(10)互补对称功率放大电路3、集成运算放大器(1)理想运放的特点(2) 运算放大器在信号运算方面的应用比例、加法、减法、积分电路、微分电路(3)运算放大器在信号处理方面的应用有源滤波器电压比较器(4)运算放大器在波形产生方面的应用矩形波、三角波、锯齿波产生电路4 正弦波振荡电路(1)产生正弦波自激振荡的条件(2)RC正弦波振荡电路(3)LC正弦波振荡电路5 直流稳压电源(1)整流电路单相半波整流电路、单相桥式整流电路(2)滤波电路电容滤波器电感电容滤波器。

南理工历年真题(825)

南理工历年真题(825)

南京理工大学2004 年硕士学位研究生入学考试试题第一部分数据结构(共35分)一、选择题,在所给的四个选项中,选择一个最确切的(每小题1分,共10分)1. 设单循环链表中结点的结构为(data,next),且rear是指向非空的带头结点的单循环链表的尾结点的指针。

若要删除链表的第一个结点,正确的操作是。

A) s=rear;rear=rear->next; free(s);B) rear=rear->next; free(s);C) rear=rear->next->next; free(s);D) s=rear->next->next; rear->next->next=s->next; free(s)2. 设输入序列为{20,11,12,……},构造一棵平衡二叉树,当在树中插入值12时发生不平衡,则应进行的平衡旋转是。

A)LL B)LR C)RL D)RR3. 设有1000个无序的元素,希望用最快的方法选出前10个最小的数据,下面四种方法中最好的是。

A)冒泡 B)快速 C)堆 D)选择4. 下面程序的时间复杂性为。

for (int i=0; i<m; i++) for (int j=0;j<n; j++) a[i][j]=i*j;A)0(n2) B)0(n*m) C) 0(m2) D)0(m+n)5. 关于下面的程序段,不正确的说法是。

pb=pc=-1;for(int k=0; k<n; k++)if (A[k]>0) B[++pb]=A[k]; elseC[++pc]=A[k];A)其时间复杂性为0(n/2)B)它将数组A中的正数放到数组B中,将负数放在数组C中C)如果数组A中没有负数,程序执行后pc=-1D)如果数组A中没有正数,程序执行后pc=-16. 有三个数字1,2,3,将它们构成二叉树,中序遍历序列为1,2,3的不同二叉树有种。

新版南京理工大学电子信息考研经验考研参考书考研真题

新版南京理工大学电子信息考研经验考研参考书考研真题

回首过去一年的各种疲惫,困顿,不安,怀疑,期待等等全部都可以告一段落了,我真的是如释重负,终于可以安稳的让自己休息一段时间了。

虽然时间如此之漫长,但是回想起来还是历历在目,这可真是血与泪坚坚实实一步步走来的。

相信所有跟我一样考研的朋友大概都有如此体会。

不过,这切实的果实也是最好的回报。

在我备考之初也是看尽了网上所有相关的资料讯息,如大海捞针一般去找寻对自己有用的资料,所幸的是遇到了几个比较靠谱的战友和前辈,大家共享了资料和经验。

他们这些家底对我来讲还是非常有帮助的。

而现如今,我也终于可以以一个前人的姿态,把自己的经验下下来,供大家翻阅,内心还是比较欣喜的。

首先当你下定决心准备备考的时候,要根据自己的实际情况、知识准备、心理准备、学习习惯做好学习计划,学习计划要细致到每日、每周、每日都要规划好,这样就可以很好的掌握自己的学习进度,稳扎稳打步步为营。

另外,复试备考计划融合在初试复习中。

在进入复习之后,自己也可以根据自己学习情况灵活调整我们的计划。

总之,定好计划之后,一定要坚持下去。

由于篇幅较长,还望各位同学能够耐心看完,在结尾处附上我的学习资料供大家下载。

南京理工大学电子信息的初试科目为:(101)思想政治理论(204)英语二(302)数学二(812)机械原理或(823)电子技术基础参考书目为:(812)机械原理《机械原理》高等教育出版社郑文纬、吴克坚《机械原理与机械设计》上册清华大学出版社范元勋、张庆(823)电子技术基础《电工学下册》(第五版)高等教育出版社秦增煌《模拟电路与数字电路》电子工业出版社寇戈、蒋立平先说一下我的英语单词复习策略真题阅读的做法第一遍,做十年真题【剩下的近三年的卷子考试前2个月再做】,因为真题要反复做,所以前几遍都是把自己的答案写在一张A4纸上,第一遍也就是让自己熟悉下真题的感觉,虐虐自己知道英语真题的大概难度,只做阅读理解,新题型完形填空啥的也不要忙着做,做完看看答案,错了几个在草稿纸上记下来就好了,也不需要研究哪里错了为什么会错…第一遍很快吧因为不需要仔细研究,14份的试卷,一天一份的话,半个月能做完吧,偷个懒一个月肯定能做完吧【第一遍作用就是练练手找到以前做题的感觉,千万不要记答案,分析答案…】ps:用书选择:木糖英语闪电单词+木糖英语真题。

南京理工大学 电子技术基础 考研模拟试题 二

南京理工大学 电子技术基础 考研模拟试题 二

南京理工大学电子技术基础2012年攻读硕士学位研究生模拟试卷(二)(试卷上做答无效,请在答题纸上做答,试后本卷必须与答题纸一同交回)科目名称:电子技术基础 ( 含数字与模拟电路 )第一部分:模拟电路一、填空题 ( 共 10 分,每小题 2 分 )1 、由二极管 D 和正偏直流电源V ,交流信号源υs 及负载 RL 构成的串连电路,当V = 3V 时,测得 RL 上的交流压降 U L= 100mV 。

若调节V =4V ,其他参数不变,则υL =_______100mV 。

2 、基本放大电路的静态工作电流调得太大,容易产生_______ 失真,这种失真属于_______ 失真。

3 、放大器中的噪声是_______, 是放大器中_______ 所造成的。

放大器的噪声系数 N F的定义是:________ 。

4 、某负反馈放大电路,其开环增益 Ag = 100mS ,反馈系数 Fr = 10KΩ,开环输入电阻R i = 3KΩ,则其闭环输入电阻R if =_________ 。

(R i 和R if 均为未考虑偏置电阻的输入电阻)5 、由集成运放构成的非正弦波信号(三角波、矩形波、锯齿波)发生电路,通常由________和________ 电路两部分组成。

二、分析与计算题1 .( 8 分)对于增强型 n 沟 MOSFET ,1 )写出其在线性区的伏安特性表达式;2 )在 V DS>> 2 ( V GS- V TH)条件下,写出上述伏安特性表达式的近似表达式;3 )已知 MOSFET 的μn · Cox = 50 μA/V 2 , V TH= 0.7V, 当V GS =2.5V ,求此时该 MOSFET 的等效导通电阻 R ON=?2 .( 10 分)两相同单级放大器组成二级放大器,回答如下问题1 )在其单级放大器的截止频率处,二级放大器的放大倍数比其单级中频放大倍数下降多少 dB ?2 )为保证二级放大器的上限频率为 106 Hz ,下限频率为 156Hz ,计算每个单级放大器的上限频率和下限频率分别应为多少?3 .( 6 分)一理想运算放大器组成的电路如图所示,试求该电路的输入电阻R i 表达式。

南京理工大学电子技术基础大纲及复习范围

南京理工大学电子技术基础大纲及复习范围

南京理工大学研究生入学考试大纲科目名:《电子技术基础》一. 考试内容模拟电路部分1半导体器件(1)半导体的基本概念:本征半导体;PN结(2)半导体二极管:①半导体二极管的伏安特性;半导体二极管的主要参数;半导体二极管电路的分析。

(3)稳压二极管:稳压二极管的伏安特性;稳压二极管的主要参数;稳压二极管电路的分析。

(4)半导体三极管:三极管的电流放大特性;三极管的特性曲线和主要参数(5)场效应管:①结型场效应管的工作原理;伏安特性;主要参数;输出特性曲线;转移特性曲线;②绝缘栅型场效应管的工作原理;伏安特性;主要参数;输出特性曲线;转移特性曲线;输出特性曲线的三个区;2基本放大电路(1)三极管放大电路:固定偏置放大电路的组成和分析;分压偏置放大电路的组成和分析;有交流射极电阻的共射放大电路的组成和分析;共集放大电路的组成和分析;(2)场效应管放大电路:场效应管放大电路;场效应管的微变等效模型;场效应管的两种静态偏置电路:自给偏压电路与分压式偏置电路;基本共源电路的组成、静态分析、动态分析方法;基本共漏电路及其静态、动态分析。

3 多级放大电路(1)多级放大电路的三种耦合方式:(2)阻容耦合放大电路及其分析方法;(3)直接耦合放大电路及其分析方法;(4)变压器耦合放大电路;4差分放大电路(1)差放电路的工作原理:差放电路的组成;抑制零漂的原理;信号的三种输入方式:差模、共模、任意输入方式;共模电压放大倍数;差模电压放大倍数;共模抑制比;(2)差放电路的四种输入输出方式;双端输入双端输出方式;双端输入单端输出方式;(3)长尾差分放大电路:电阻长尾差分放大电路的静态分析和动态分析;带恒流源长尾差放电路的组成和静态分析、动态分析;5功率放大电路(1)功率放大电路的特点;(2)功率放大电路的三种工作状态;甲类、乙类、甲乙类功率放大电路的特点。

(3)甲类功率放大电路的组成及分析方法(甲类功率放大电路的工作原理,静态分析,动态分析。

南京理工大学电子技术基础四套模拟试题

南京理工大学电子技术基础四套模拟试题

南京理工大学电子技术基础2012年攻读硕士学位研究生模拟试卷(一)(试卷上做答无效,请在答题纸上做答,试后本卷必须与答题纸一同交回)科目名称:电子电路 ( 包括模拟电子技术基础和数字电子技术基础 )Ⅰ . 模拟电路部分 ( 共 75 分 )一、填空题(共 20 分,每空 1 分)1. 在共射、共集、共基三种基本组态电路中,希望工作频率较高的电路是_____ ;希望带负载能力最强的电路是。

2. 集成运算放大器的输入级多采用差动放大电路的原因是_____ ;输出级采用互补对称电路的原因是 _____。

3. 一个完整的串联型稳压电路由_____ 、_____ 、_____ 等四部分组成。

4. 从反馈组态看,同相比例运算电路属于_____ 负反馈;反相比例运算电路属于_____ 负反馈。

5. 理想集成运算放大器的电压放大倍数 A vd = _____;输入电阻 R id=_____ ;输出电阻 R0 =_____ ;共模抑制比 K CMR =_____ 。

6. 正反馈电路形成的正弦波振荡器的频率是根据_____ 条件确定;欲使振荡器能自行建立振荡,满足的条件是_____ ;振荡器的稳幅条件是_____ 。

7. 在桥式整流电路中,负载为纯电阻,如变压器次级的交流电压有效值 V2= 20V ,则整流输出直流电压 V0__________ = V ,而整流二极管所承受的最大反向电压 V RM =_____ V 。

8. 某负反馈放大电路,其开环增益 Ag = 100ms ,反馈系数 F r =10kΩ,开环输入电阻R′i = 3kΩ,则其闭环输入电阻R′if =__________ (R′i、R′if 均为未考虑偏置电阻的输入电阻)。

二、选择题(在每小题的备选答案中选出一个正确答案,将其号码填在题干的括号内。

每小题 1 分,共 10 分)1. 晶体三极管基极电流I B =0.02mA ,发射极电流I E =1.02mA ,其电流放大系数β、α分别为()。

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