PECVD详尽资料整理分析
Pecvd简介
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保密
概述
利用太阳能电池发电是解决能源问题和环境问 题的重要途径之一。目前，80%以上的太阳能电池 是由晶体硅材料制备而成的，制备高效率、低成 本的晶体硅太阳能电池对于大规模利用太阳能发 电有着十分重要的意义。镀膜(PECVD)是制备高效 晶体硅太阳能电池的重要步骤之一.
2
保密
PECVD 简介
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二、有减反射膜时
如果在硅表面制备一层透明的介质膜，由于介 质膜的两个界面上的反射光互相干涉，可以在很 宽波长范围内降低反射率。此时反射率由下式给 出：
R r1 r 2 2 r1 r 2 cos
2 2
1 r1 r 2 2 r1 r 2 cos
2 2
式中，r1、r2分别是外界介质-膜和膜-硅界面 上的菲涅尔反射系数；△为膜层厚度引起的相 位 角。
二氧化钛 ( n = 2. 4)更接近太阳电池所需的最佳折射率 1.96 ,是所有
已应用的介质膜中最符合太阳电池减反射层要求的 5.PECVD法制备的 SixNy薄膜同时为太阳电池提供较为理想的表面和体钝化 .
二氧化硅只有表面钝化作用 ,二氧化钛没有钝化作用
6.能有效地提高电池效率 ,对多晶硅电池等低效率电池作用尤其明显
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PECVD的减反射作用
一、无减反射膜时 右图为光在硅片上 的反射、折射和透 射．各字母表示的意思 如图所示；反射率用R 表示，透射率用T表 示．
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忽略光吸收，光垂直入射时
硅片表面的反射率:R 源自 n si n 0 n si n 0 )
2
式中，n0为外界介质的折射率，在真空或大气中 等于1，若表面有硅橡胶则取1.4；nsi为硅的折射率, 硅的折射率对于不通波长的光数值是不同的,一般取 600nm波长时的折射率3.9进行计算. 如果硅表面没有减反射膜，在真空或大气中有约 三分之一的光被反射，即使硅片表面已进行结构化 处理，由于入射光在金字塔绒面产生多次反射而增 加了吸收，也有约11%的反射损失。
PECVD技术简述
成膜质量分析
技术种类 扩展等离子体技术 （ETB，OTB公司） 磁 控 溅 射 技 术 （Applied Film） 管 式 直 接 法 （Centrotherm） 板式直接法（低频） （岛津） 板式直接法（射频） 表面损伤 表面钝化 晶界钝化 膜质量 光谱响应 短波最好 长 波最差 —— 短波最差， 长波最好 短波较差， 长波较好 短波较好， 长波较差 短波最好， 长波最差
（二）PECVD分类
管式PECVD 直接法 板式PECVD PECVD 微波法 间接法 直流法
PECVD分类
PECVD法按沉积腔室等离子源与样品的关系上可以分成 两种类型： 直接法：样品直接接触等离子体，样品或样品的支撑体就
是电极的一部分。
间接法：或称离域法。待沉积的样品在等离子区域之外，
等离子体不直接打到样品表面，样品或其支撑体 也不是电极的一部分
直接法PECVD
管式PECVD系统：
使用石英管作为沉积腔室，电阻炉作为加热体，将一个可以 放置多片硅片的石墨舟插进石英管中进行沉积。
板式PECVD系统：
系统采用平板型的电极，与样品支架形成一个放电回路，在 腔室中的工艺气体在两个极板之间的交流电场的作用下在空 间形成等离子体
的频段 直流法：使用直流源激发等离子体
（四）PECVD工艺参数分析
衬底温度 气体流量 腔体压力 射频功率和频率 极板间距
PECVD参数分析---衬底温度
PECVD淀积工艺中衬底温度对薄膜质量的影响主要在于局 域态密度，电子迁移率以及薄膜的光学性质 衬底温度的提高有助于薄膜淀积速率的加快，从而使薄膜 表面悬挂键得到补偿，导致缺陷态密度下降，因此衬底温 度的升高，有利于减少a－Si：H薄膜的局域态密度 衬底温度的增大也会引起Si-H键的脱氢作用和H2的溢出， 导致悬挂键密度的增加，影响光电流延迟及减小
PECVD资料
这是一个放热反应，也是形成乙硅烷Si2H6的前驱 反应。当然上述基团不仅仅处于基态，在等离子体 中还会被激励到激发态。对硅烷等离子体的发射光 谱研究的结果表明，存在有 Si, SiH, H 等的光学允 许跃迁激发态[11],也存在SiH2,SiH3的振动激发态。
PECVD 方 法 区 别 于 其 它 CVD 方 法 的 特 点在于等离子体中含有大量高能量的电子， 它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活 能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分 子的分解、化合、激发和电离过程，生成活 性很高的各种化学基团，因而显著降低CVD 薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温 下才能进行的CVD过程得以在低温实现。
等离子体：气体在一定条件下受到高能激发， 发生电离，部分外层电子脱离原子核，形成 电子、正离子和中性粒子混合组成的一种形 态，这种形态就称为等离子态。
PECVD 原理
PECVD 技术原理是利用低温等离子体 作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴 极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样 品升温到预定的温度，然后通入适量的反应 气体，气体经一系列化学反应和等离子体反 应，在样品表面形成固态薄膜。
等离子体内的高能量电子还能够发生如下的电离反 应：
• e+SiH4→SiH2++H2+2e (2.6) • e+SiH4→SiH3++ H+2e (2.7) • e+SiH4→Si++2H2+2e (2.8) • e+SiH4→SiH++H2+H+2e (2.9) ▪ 以上各电离反应(2.6)~(2.9)需要的能量分别为11.9， 12.3，13.6和15.3eV，由于反应能量的差异，因此 (2.1)~(2.9)各反应发生的几率是极不均匀的。
PECVD简介
PECVD简介太阳能电池的作用是实现光-电转换过程，限制这一过程转换效率的一个重要方面是光子利用率，提高光子利用率的即是降低光反射率，通过硅片表面制绒的方式可以使单晶和多晶的反射率降低至13%和23%以下，反射率仍然较高。
通过光学镀膜的方法可以有效的降低这一数值，增加光生载流子的数量；在镀膜的同时反应气体产生的H+可以有效的钝化硅片表面的悬挂键，使得表面陷阱减少，提高少数载流子的寿命。
1. PECVD的作用在太阳能电池中，PECVD工序主要有两方面的作用，一是制备减反膜，二是钝化作用。
1.1 减反射原理PECVD全称是等离子体增强化学气相沉积，其原理的在脉冲电压的作用下，气体辉光放电产生的低温等离子体增强反应物质的化学活性，促进了气体间的化学反应，从而使得反应在较低温度下得以进行，其反应式不再赘述，在基底上沉积的原子团主要是NSix：H，其折射率在1.9~2.5之间，在硅片（3.4）与空气（1.0）之间形成折射率梯度，根据光学反射公式，这一折射率梯度可以降低整体的反射率：当薄膜的厚度降低到光子波长数量级的时候，光子主要呈现波动性，在薄膜的上下表面反射的光子会产生光的干涉。
通过通俗的例子来说明这一现象在大学物理实验中，如果一束激光通过透镜扩束变为一束平行光，照射到一个倾斜角度很小的斜面上，在上表面会出现干涉条纹，这是由于厚度不同上下表面的光程差不同，因此其干涉效果也不同。
由于激光的相干长度很长，所以在相当大的厚度差内仍然能够观察到光的干涉。
在平时的观察中，水上的油膜或肥皂泡等在厚度很薄的时候呈现一定的色彩，这也是由于薄膜干涉造成的。
其色彩的成因我们解释如下：在薄膜上下表面进行干涉的时候，假设上表面振幅为A，下表面振幅为B，相位差为4πnd/λ，当厚度不同时，对于自然的复色光而言，不同波长的光在上下表面的相位差不同，因此会呈现相长或相消干涉，公式推导较为繁琐，通过图像说明如下，图1 图2 以上图1为不同厚度氮化硅的反射率曲线。
PECVD的工作原理
PECVD的工作原理PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是一种常用于制备薄膜的技术，其工作原理基于等离子体的形成和化学反应。
本文将从引言概述、正文内容和总结三个方面详细阐述PECVD的工作原理。
引言概述：PECVD是一种在大气压下通过等离子体反应制备薄膜的技术。
通过引入气体和能量激活的等离子体，PECVD可以在基底表面生成均匀、致密且具有良好质量的薄膜。
其广泛应用于半导体、光电子、显示器件等领域。
正文内容：1. 等离子体的形成1.1 介质放电：PECVD的核心是等离子体的形成。
介质放电是最常用的等离子体产生方式之一，通过在两电极间施加高频电压，使气体放电形成等离子体。
1.2 等离子体参数：等离子体参数对PECVD过程的影响很大。
等离子体密度、电子温度和电子能量是影响薄膜质量和沉积速率的重要参数。
2. 化学反应过程2.1 前驱体气体：PECVD过程中使用的前驱体气体决定了沉积薄膜的成分。
常用的前驱体气体包括硅烷、氨气、二氧化硅等。
2.2 界面反应：前驱体气体在等离子体中被激活，发生化学反应，生成沉积薄膜的前体。
界面反应对薄膜的致密性和结晶度有重要影响。
2.3 沉积速率：沉积速率是指单位时间内沉积在基底上的薄膜厚度。
沉积速率受到等离子体参数、前驱体气体浓度和反应温度等因素的影响。
3. 薄膜性能控制3.1 结构控制：PECVD技术可以通过调节沉积温度、气体浓度和沉积速率等参数来控制薄膜的结晶度、晶格取向和晶界密度等结构性质。
3.2 物理性能：PECVD薄膜具有优异的物理性能，如硬度、抗腐蚀性、光学透明性等。
这些性能可以通过调节沉积条件和前驱体气体的选择来实现。
3.3 化学性能：PECVD薄膜的化学性能可以通过引入掺杂气体或后处理来调控。
例如，通过掺杂氮气可以改变薄膜的电学性能。
4. 应用领域4.1 半导体器件：PECVD技术广泛应用于半导体器件的制备，如薄膜晶体管、太阳能电池等。
PECVD的工作原理
PECVD的工作原理PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积）是一种常用的薄膜沉积技术，广泛应用于半导体、光电子、光学和纳米材料等领域。
它通过在低压等离子体环境中将气相前体份子激活，使其在基底表面沉积形成薄膜。
以下是PECVD的工作原理的详细解释。
1. 等离子体产生PECVD的关键是产生等离子体。
通常使用高频电源将气体置于两个电极之间，施加高电压产生电场，从而使气体份子电离形成等离子体。
等离子体中包含了正、负离子、电子和自由基等活性物种。
2. 气相前体份子激活在等离子体环境中，气相前体份子通过与等离子体中的活性物种发生碰撞，激发和解离。
激发后的气相前体份子会进入高能态，而解离后的原子和自由基则具有较高的反应活性。
这些活性物种在基底表面上进行反应，形成所需的薄膜。
3. 反应过程激活的气相前体份子在基底表面发生化学反应，形成薄膜。
反应的具体机理取决于所使用的气相前体和基底材料。
例如，在沉积二氧化硅（SiO2）薄膜时，可以使用二甲基硅烷（SiH2(CH3)2）作为气相前体。
在等离子体环境中，二甲基硅烷份子会解离生成硅原子和甲基自由基。
硅原子和氧气反应形成SiO2薄膜。
4. 控制沉积过程为了控制沉积过程，需要调节多个参数，包括气体流量、沉积压力、沉积温度、功率密度等。
这些参数的选择会影响薄膜的性质，如厚度、成份、结晶度和表面形貌等。
通过优化这些参数，可以得到所需的薄膜性能。
5. 应用领域PECVD广泛应用于半导体工业，用于制备薄膜材料，如硅氮化物、二氧化硅、氮化硅等，用于制备晶体管、太阳能电池、显示器件等。
此外，PECVD还可用于制备光学薄膜、防反射膜、抗反射膜等，用于提高光学器件的性能。
总结：PECVD是一种利用等离子体激活气相前体份子，在基底表面沉积形成薄膜的技术。
通过产生等离子体，激活气相前体份子，使其在基底表面发生化学反应，形成所需的薄膜。
PECVD资料归纳
影响PECVD膜的因素沉积温度，沉积压强，气体流量、比例，微波功率：最大功率、t on、t off，传输速度微波功率：较高的P-mean－稍微提高沉积速率。
P-peak－调整等离子体分布长度。
压强：较高压强－较低的沉积速率温度：较高温度－稍微降低沉积速率。
气流量：较高气流量－较高的沉积速率气体比例：更多SiH4－提高折射率PECVD对膜的要求：同一硅片+/- 5%同一片盒内的硅片+/- 5%不同片盒内的硅片+/- 5%折射率(nominal 约2.05)同一硅片+/- 0.5%同一片盒内的硅片+/- 0.5%不同片盒内的硅片+/- 0.5%影响电池片在片内不均匀的有辉光放电时电压控制不准确、气体流量不准确炉内气体压强不准确真空有泄露舟已经超过最大位置桨上的舟已经丢失影响PECVD膜厚的有程序运行时间太长炉内的压力太大辉光放电时的电压太大真空度有泄露去PSG清洗不干净影响镀膜的薄的原因有程序运行时间短炉内的压力小辉光放电时的电压小气体流量少PECVD主机结构：○1装载卸载腔室：主要用来装载和卸载玻璃的，是大气状态和真空状态的缓冲区。
注意在玻璃被卸载时要先使其冷却下来。
○2工艺腔室：淀积成膜腔室。
各个工艺腔室可以同时进行淀积。
○3加热腔室：在淀积成膜前，提前在此腔室加热处理。
○4传输腔室：真空状态下，真空机械手臂在此腔室之间传递玻璃。
○5气体面板：控制进入工艺腔室的气流量。
○6主体电源控制塔：主体部分电力分配,直流电供用,主体设备信号控制, 对腔室温度的控制。
工艺腔室主要组成部分及功能：○1RF Match ：主要用来消除容抗和感抗得到纯正的阻抗，其值大约为50欧姆。
○2Slit Valve ：真空阀门，是控制工艺腔室与传输腔室之间的玻璃进出的阀门 ○3RPS II Plasma Cleaning ：主要用来清洗工艺腔室的，平均每淀积6或12片玻璃就要清洗一次腔室。
○4Throttle Valve Pressure Controller ：压力控制阀（碟伐），主要作用是控制腔室内压力。
pecvd的原理与分析
1PECVD的种类射频增强等离子体化学气相淀积（RF-PECVD）等离子体化学气相淀积是在低压化学气相淀积的同时，利用辉光放电等离子对过程施加影响，在衬底上制备出多晶薄膜。
这种方法是日本科尼卡公司在1994年提出的，其等离子体的产生方法多采用射频法，故称为RF-PECVD。
其射频电场采用两种不同的耦合方式，即电感耦合和电容耦合[1]。
甚高频等离子体化学气相淀积（VHF-PECVD）采用RF-PECVD技术制备薄膜时，为了实现低温淀积，必须使用稀释的硅烷作为反应气体，因此淀积速度有限。
VHF-PECVD技术由于VHF激发的等离子体比常规的射频产生的等离子体电子温度更低、密度更大[2]，因而能够大幅度提高薄膜的淀积速率，在实际应用中获得了更广泛的应用。
介质层阻挡放电增强化学气相淀积（DBD-PECVD）DBD-PECVD是有绝缘介质插入放电空间的一种非平衡态气体放电（又称介质阻挡电晕放电或无声放电）。
这种放电方式兼有辉光放电的大空间均匀放电和电晕放电的高气压运行特点，正逐渐用于制备硅薄膜中[3]。
微波电子回旋共振等离子体增强化学气相淀积（MWECR-PECVD）MWECR-PECVD是利用电子在微波和磁场中的回旋共振效应，在真空条件下形成高活性和高密度的等离子体进行气相化学反应。
在低温下形成优质薄膜的技术。
这种方法的等离子体是由电磁波激发而产生，其常用频率为2450MHz，通过改变电磁波光子能量可直接改变使气体分解成粒子的能量和生存寿命，从而对薄膜的生成和膜表面的处理机制产生重大影响，并从根本上决定生成膜的结构、特性和稳定性[4]。
2PECVD设备的基本结构工艺的基本原理PECVD技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上（即样品放置的托盘）产生辉光放电，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，最终在样品表面形成固态薄膜。
PECVD详尽资料整理
PROCESS CHAMBER内备件
PROCESS CHAMBER的湿洗
清洗程序移除了在process chamber内substrate processing 过程中产生的颗粒 和副产品 有规律的湿洗所有内表面和暴露在工序里的部件。任何特定腔体需要的清洗频率 都和substrates的数量相称。 在清洗chamber和它的部件的时候要小心，因为典型的process reactants能产 生有毒的副产品。在清洗程序中要保持按照安全说明作业
当玻璃降低至susceptor上时，pin plate完全缩回 ，lift pins凹陷在 susceptor 表面内 由于lift pins的“golf-tee”形状，它不 会通过susceptor掉落
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B2 Project Team
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PECVD基本原理及功能
7. 几种膜的性能要求
(1)
高
a-Si:H
低隙态密度、深能级杂质少、高迁移率、暗态电阻率
(2)
a-SiNx:H
i. 作为介质层和绝缘层，介电常数适中，耐压能力强，电阻率 高，固定电荷少，稳定性好，含富氮材料，针孔少，厚度均匀 ii.作为钝化层，密度较高，针孔少
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PECVD的工作原理
PECVD的工作原理PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种常用的薄膜沉积技术，广泛应用于半导体、光电子、光伏等领域。
本文将详细介绍PECVD的工作原理。
1. 概述PECVD是一种在低温和大气压下进行的化学气相沉积技术，通过在气相中引入等离子体来激活反应气体，使其发生化学反应并沉积在基片上形成薄膜。
PECVD技术具有高沉积速率、较低的工艺温度和良好的薄膜均匀性等优点，因此被广泛应用于各种薄膜沉积工艺中。
2. 等离子体的产生PECVD的关键步骤是产生等离子体。
通常采用射频（RF）发生器产生高频电场，将反应气体注入反应室，并在高频电场的作用下形成等离子体。
等离子体中的电子和离子具有高能量，能够激活反应气体并促进化学反应的进行。
3. 反应气体的选择PECVD的反应气体通常由预驱体气体和载气组成。
预驱体气体是形成薄膜的主要来源，而载气则用于稀释预驱体气体和调节反应气氛。
不同的预驱体气体和载气可以得到不同的薄膜性质和沉积速率。
4. 化学反应在等离子体的作用下，反应气体发生化学反应并沉积在基片上形成薄膜。
化学反应的具体机理取决于所选择的预驱体气体和反应条件。
例如，当选择二甲基硅烷（DMS）作为预驱体气体时，DMS分解为甲基基团和硅基团，并在基片表面发生反应形成硅薄膜。
5. 控制参数PECVD的工艺参数对薄膜的性质和沉积速率有重要影响。
常见的控制参数包括工艺温度、气体流量、反应压力、高频功率等。
通过调节这些参数，可以实现对薄膜性质的精确控制。
6. 应用领域PECVD技术在半导体、光电子、光伏等领域有广泛应用。
在半导体领域，PECVD可以用于制备绝缘层、金属薄膜和多层膜结构等。
在光电子和光伏领域，PECVD可以用于制备透明导电膜、光学膜和太阳能电池等。
7. 总结PECVD是一种常用的薄膜沉积技术，通过在气相中产生等离子体，激活反应气体并沉积在基片上形成薄膜。
光伏异质结pecvd
光伏异质结pecvd是一种重要的光伏材料制备技术，它采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备光伏用薄膜，具有较高的光电转换效率、稳定性好、成本低等优点。
异质结（Heterostructure）是指不同半导体材料制成的半导体器件，它具有较高的光电转换效率，适合用于光伏发电领域。
在异质结光伏材料中，两种半导体材料之间的界面称为肖特基界面（Schottky Interface），它具有较低的界面态密度和较高的载流子注入效率，因此能够提高光伏材料的性能。
PECVD（Plasma-enhanced chemical vapor deposition）是一种重要的薄膜制备技术，它采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备薄膜。
在PECVD过程中，气体在电场作用下形成等离子体，该等离子体能产生强烈的电场和热效应，促进薄膜的生长。
与传统的热生长法相比，PECVD具有较低的温度和时间消耗，能够制备高质量的薄膜材料。
在异质结光伏材料中，PECVD通常用于制备半导体薄膜材料，如硅薄膜、氮化硅薄膜等。
这些薄膜材料的质量直接影响着光伏材料的性能和效率。
通过控制薄膜的厚度、平整度、杂质含量等因素，可以优化薄膜的光学性能和电学性能，从而提高光伏材料的性能。
异质结pecvd技术具有较高的光电转换效率、稳定性好、成本低等优点，因此在光伏领域得到了广泛的应用。
随着技术的不断进步和成本的降低，异质结pecvd技术有望在未来光伏市场中发挥更加重要的作用。
同时，为了进一步提高光伏材料的性能和效率，还需要继续研究新的材料、技术和工艺，如有机无机复合薄膜、柔性薄膜等。
总之，光伏异质结pecvd是一种重要的薄膜制备技术，它可以用于制备高质量的半导体薄膜材料，具有较高的光电转换效率和成本低等优点。
未来随着技术的不断进步和成本的降低，这种技术将在光伏领域发挥更加重要的作用。
PECVD原理简介
PECVD单字面意思为：等离子（P)增强(E)化学气相淀积(CVD)。
反应气体在设备射频（RF)作用下转变成等离子体从而进行化学反应生成需要的膜材料。
相对来说反应温度较低。
成膜致密性比炉管差。
但效率高易维护。
你可以针对现在的工作提点相关的问题可能进步更快。
一般说来,采用PECVD 技术制备薄膜材料时，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程：首先，在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离子和活性基团的混合物；其二，各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运，同时发生各反应物之间的次级反应；最后，到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应，同时伴随有气相分子物的再放出。
我来个专业的原理介绍：制程气体(如SiH4，NH3，N2等)在射频电源的作用下电离成离子；经过多次碰撞产生了大量的SiH3-，H-等活性基；这些活性基被吸附在基板上或者取代基板表面的H原子；被吸附的原子在自身动能和基板温度的作用下在基板表面迁移，选择能量最低的点稳定下来；同时基板上的原子不断脱离周围原子的束缚，进入等离子体中，以达到动态平衡；当原子沉积速度大于逃逸速度后就可以不断在基板表面沉积成我们所需要的薄膜了。
热电偶工作原理热电阻是中低温区最常用的一种温度检测器。
它的主要特点是测量精度高，性能稳定。
其中铂热是阻的测量精确度是最高的，它不仅广泛应用于工业测温，而且被制成标准的基准仪。
与热电偶的测温原理不同的是，热电阻是基于电阻的热效应进行温度测量的，即电阻体的阻值随温度的变化而变化的特性。
因此，只要测量出感温热电阻的阻值变化，就可以测量出温度。
目前主要有金属热电阻和半导体热敏电阻两类。
金属热电阻的电阻值和温度一般可以用以下的近似关系式表示，即Rt=Rt0[1+α（t-t0）]式中，Rt为温度t时的阻值；Rt0为温度t0（通常t0=0℃）时对应电阻值；α为温度系数。
半导体热敏电阻的阻值和温度关系为Rt=AeB/t式中Rt为温度为t时的阻值；A、B取决于半导体材料的结构的常数。
PECVD的工作原理
PECVD的工作原理PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种利用等离子体辅助的化学气相沉积技术，用于在材料表面沉积薄膜。
它广泛应用于半导体、光电子、薄膜太阳能电池、涂层材料等领域。
一、工作原理概述PECVD的工作原理基于等离子体的产生和化学反应。
在PECVD过程中，通过加热和加压，将气体引入反应室中，然后通过电极产生等离子体。
等离子体中的电子和离子与气体分子发生碰撞，激发或电离气体分子，形成活性物种。
这些活性物种与基底表面上的前驱体气体反应，从而在基底表面沉积出所需的薄膜。
二、PECVD的关键步骤1. 反应室准备：反应室是PECVD的核心部件，通常由高真空室、加热系统和气体供给系统组成。
在开始PECVD过程之前，需要将反应室抽成高真空状态，并通过加热系统将反应室加热到所需温度。
2. 气体供给：在PECVD过程中，需要将所需的气体引入反应室。
气体供给系统通常包括气缸、质量流量控制器和阀门等组件，用于控制气体的流量和压力。
3. 等离子体产生：在PECVD过程中，通过加入电场产生等离子体。
一般使用两个电极，一个是带有RF功率的电极，另一个是接地的电极。
通过施加高频电压，电极产生电场，使气体电离，产生等离子体。
4. 化学反应：等离子体中的活性物种与基底表面上的前驱体气体发生化学反应。
前驱体气体可以是有机气体、无机气体或金属有机化合物等。
这些反应会导致前驱体气体分解、重组和聚合，最终在基底表面沉积出所需的薄膜。
5. 薄膜沉积：在化学反应过程中，活性物种会沉积在基底表面上，形成薄膜。
薄膜的性质可以通过调节反应条件、前驱体气体的选择和浓度来控制。
三、PECVD的应用领域1. 半导体行业：PECVD广泛应用于半导体工艺中，用于沉积硅氧化物、氮化硅、氮化铝等薄膜，用于制造晶体管、电容器、介电层等器件。
2. 光电子行业：PECVD可用于制备光学薄膜，如抗反射膜、光学滤波器、光学波导等，用于光学器件和光纤通信系统。
PECVD的工作原理
PECVD的工作原理PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种常用的薄膜沉积技术，通过等离子体激发和化学反应，将气相中的前驱体沉积在基底表面上，形成具有特定功能的薄膜。
本文将详细介绍PECVD的工作原理。
一、PECVD的基本原理PECVD是一种在低压和高频电场作用下进行的气相沉积技术。
其基本原理是通过电场激发气体形成等离子体，并利用等离子体中的自由电子和离子对气相前驱体进行激发和分解，最终在基底表面上形成薄膜。
二、PECVD的工作过程1. 前驱体供应：将所需的气相前驱体引入PECVD反应室中。
常见的前驱体包括有机气体、无机气体和金属有机化合物等。
2. 等离子体激发：施加高频电场，使反应室内的气体形成等离子体。
高频电场的作用下，气体中的电子受到加速，与气体分子碰撞，使气体分子激发、电离或解离。
3. 化学反应：激发的气体分子与前驱体发生化学反应。
在等离子体的作用下，气体分子和前驱体之间发生碰撞，产生活性物种，如自由基、离子等。
4. 沉积薄膜：活性物种在基底表面发生化学反应，形成薄膜。
活性物种在基底表面吸附、扩散和反应，最终形成均匀且致密的薄膜。
5. 辅助技术：在PECVD过程中，可以采用辅助技术来调控薄膜的性质，如控制反应室的温度、气体流量、压力等。
三、PECVD的应用领域PECVD广泛应用于半导体、光电子、显示器件等领域，主要用于制备各种功能性薄膜，如硅氧化物（SiO2）、氮化硅（Si3N4）、氟化物、碳化物等。
1. 半导体工业：PECVD用于制备薄膜材料，如硅氧化物薄膜（用于制备MOSFET的绝缘层）、氮化硅薄膜（用于制备光罩的抗反射层）等。
2. 光电子领域：PECVD用于制备光学薄膜，如反射膜、透明导电膜等。
这些薄膜广泛应用于太阳能电池、液晶显示器、触摸屏等光电子器件中。
3. 显示器件制造：PECVD用于制备透明导电膜，如氧化锌（ZnO）薄膜。
PECVD的工作原理
PECVD的工作原理引言概述：PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种常用的薄膜沉积技术，广泛应用于半导体、光电子、涂层等领域。
本文将详细介绍PECVD的工作原理。
一、等离子体激发1.1 等离子体的生成PECVD中，通过加入适当的气体，如氨气、甲烷等，使气体在高频电场的作用下发生电离，产生等离子体。
高频电场的作用下，气体中的电子被加速，与气体份子碰撞后电离，形成正、负离子和自由电子。
1.2 等离子体的特性等离子体具有高能量和活性，能够激发气体份子的化学反应。
等离子体中的电子和离子之间的碰撞，使得电子获得能量，进一步激发气体份子，从而促进沉积薄膜的形成。
1.3 等离子体的控制为了获得稳定的等离子体，需要控制等离子体的密度和能量。
通过调节高频电场的频率和功率，可以控制等离子体的密度。
同时，通过调节气体流量和反应室的压力，可以控制等离子体的能量。
二、沉积过程2.1 沉积气体的选择PECVD的沉积过程中，需要选择适合的沉积气体。
普通情况下，选择含有所需元素的有机气体或者无机气体作为沉积气体。
例如，选择甲烷作为碳源，选择二甲基硅烷作为硅源。
2.2 反应室的设计反应室是PECVD中的核心部份，需要具备良好的气体分散性和温度均匀性。
通过合理设计反应室的结构和加热方式，可以提高沉积薄膜的均匀性和质量。
2.3 沉积薄膜的过程在等离子体的作用下，沉积气体中的原子或者份子被激发，发生化学反应，生成固态薄膜。
沉积过程中，需要控制反应室的温度、气体流量和反应时间等参数，以获得所需的薄膜性质。
三、薄膜性质的调控3.1 薄膜成份的调控通过选择不同的沉积气体和调节沉积条件，可以调控薄膜的成份。
例如，通过控制甲烷和二甲基硅烷的流量比例，可以调控碳和硅的含量。
3.2 薄膜厚度的调控薄膜的厚度可以通过控制沉积时间和沉积速率来调控。
沉积时间的延长会增加薄膜的厚度，而沉积速率的增加也会增加薄膜的厚度。
PECVD的工作原理
PECVD的工作原理一、背景介绍PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种利用等离子体增强的化学气相沉积技术，用于在基底表面沉积薄膜的方法。
该技术广泛应用于半导体、光电子、光学涂层、薄膜太阳能电池等领域。
本文将详细介绍PECVD的工作原理。
二、PECVD的基本原理PECVD利用等离子体在气相中激发的活性粒子，使其与气体中的化学物质发生反应，从而在基底表面沉积薄膜。
其基本原理可以概括为以下几个步骤：1. 气体供给：将所需的沉积气体通过进气系统供给到反应室中。
常用的沉积气体包括硅源气体（如SiH4）、碳源气体（如CH4）、氨气（NH3）等。
2. 等离子体激发：在反应室中建立等离子体。
通常通过施加高频电压或者射频电场，在两个电极之间产生电弧放电或者辉光放电，从而激发气体中的电子，形成等离子体。
3. 活性物种生成：在等离子体中，电子与气体份子碰撞，使份子解离或者电离，生成活性物种。
这些活性物种包括自由基、离子、激发态份子等。
4. 反应沉积：活性物种在基底表面进行反应，并沉积形成薄膜。
活性物种与沉积气体中的化学物质反应，形成沉积物质，并在基底表面附着。
5. 薄膜生长：通过控制沉积时间和沉积条件，可以控制薄膜的生长速率和性质。
沉积时间越长，薄膜厚度越大。
三、PECVD的关键参数在PECVD过程中，有几个关键参数需要控制，以获得所需的薄膜性质。
这些参数包括：1. 气体流量：控制沉积气体的流量，可以调节沉积速率和沉积物质的组成。
2. 反应室压力：通过控制反应室的压力，可以调节活性物种的浓度和能量，从而影响薄膜的质量和性能。
3. 射频功率：射频功率的大小直接影响等离子体的产生和活性物种的浓度。
较高的射频功率可以提高沉积速率，但也可能导致薄膜中的缺陷增加。
4. 反应温度：反应温度对薄膜的结晶度、致密性和应力等性质有重要影响。
较高的反应温度可以提高薄膜的致密性和结晶度，但也可能导致薄膜中的缺陷增加。
PECVD的工作原理
PECVD的工作原理PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种常用的化学气相沉积技术，广泛应用于半导体、光电子、薄膜等领域。
本文将详细介绍PECVD的工作原理，包括基本原理、设备结构、工作过程和应用。
一、基本原理PECVD是利用等离子体（plasma）在化学气相沉积过程中提供能量，促进气体分子的激活和反应。
等离子体是指气体中的电离态和非电离态粒子的混合物，具有高能量和活性。
PECVD利用等离子体的特性，使得气相中的前驱体分子在表面发生化学反应，从而形成所需的薄膜。
二、设备结构PECVD设备主要由气体供给系统、真空系统、等离子体发生器、反应室和控制系统等组成。
气体供给系统用于提供所需的前驱体气体和载气；真空系统用于建立反应室内的高真空环境；等离子体发生器通过高频电场或射频电场产生等离子体；反应室是进行化学反应的主要空间；控制系统用于控制各个部分的运行参数。
三、工作过程PECVD的工作过程主要包括气体供给、真空抽取、等离子体激发和化学反应四个阶段。
1. 气体供给：前驱体气体和载气通过气体供给系统进入反应室。
前驱体气体是形成所需薄膜的主要气体，如硅烷、氨气、二甲基铜等；载气用于稀释前驱体气体，调节反应条件。
2. 真空抽取：在气体供给后，通过真空系统将反应室内的气体抽取至较低的压力，以建立高真空环境。
高真空有利于等离子体的形成和反应的进行。
3. 等离子体激发：在建立高真空后，通过等离子体发生器产生高频电场或射频电场，激发气体中的电子，形成等离子体。
等离子体中的高能电子与气体分子碰撞，使其激活并增加反应速率。
4. 化学反应：在等离子体的作用下，前驱体气体发生化学反应，沉积在基底表面形成薄膜。
反应的具体机理和反应条件会根据所需薄膜的性质而有所不同。
四、应用PECVD广泛应用于半导体、光电子、薄膜等领域，主要用于薄膜的生长和表面改性。
具体应用包括：1. 半导体器件制造：PECVD可用于生长多种薄膜，如硅氮化物、氧化硅、氮化硅等，用于制造晶体管、电容器等器件的绝缘层、隔离层等。
PECVD详细介绍
说明：已经有×××工艺在此管的工艺列表中。 十一、十二俩个报警有时会一起出现，终止任
何一个报警都会解除。
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管式PECVD日常报警说明
Tube ready in undefined please ensure that the CESAR loading machine is at“0” position and softlander is “UP”.
PECVD日常报警说明
管式PECVD日常报警说明
Process recipe has terminated with error state---Alarm ACK----(1)to store(2)to store enable unload(3)Restart recipe .
说明：进行中的工艺以错误的状态结束----警报确认----（1） 储存（2）储存并卸下（3）重新开始工艺。
主要作用:通过大电流发热满足工艺要求的扩散温度. ● 气柜部分:由所需的各种气路,流量计及.
主要作用:为工艺提供所需的气体流量.
PECVD设备结构
上下装载区：桨、LIFT、抽风系统、SLS系统。
桨： 由碳化硅材料制成，具有耐高温、防变形等 性能。作用是将石墨舟放入或取出石英管。
LIFT：机械臂系统，使舟在机械臂作用下在小 车、桨、储存区之间互相移动。
PECVD介绍
PECVD工作原理 PECVD结构介绍 PECVD控制系统简介 PECVD报警系统介绍 PECVD操作系统介绍 PECVD工艺气体特点简介 PECVD工作程序介绍 PECVD工艺分析与操作注意事项