降压斩波电路1
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一、 降压斩波电路
1、主电路
降压斩波电路(Buck Chopper)的原理图及工作波形如图1-1所示。图中V 为全控型器件,选用MOS 管。D 为续流二极管。由图2-17中V 的栅极电压波形U GE 可知,当V 处于通态时,电源U i 向负载供电,U D =U i 。当V 处于断态时,负载电流经二极管D 续流,电压U D 近似为零,至一个周期T 结束,再驱动V 导通,重复上一周期的过程。负载电压的平均值为:
式中t on 为V 处于通态的时间,t off 为V 处于断态的时间,T 为开关周期,α为导通占空比,简称占空比或导通比(α=t on /T)。
由此可知,输出到负载的电压平均值U O 最大为U i ,若减小占空比α,则U O 随之减小,由于输出电压低于输入电压,故称该电路为降压斩波电路。
图中R 由直流电机电枢代替,励磁线圈固定接DC24V ,可实现电机调速。电机参数如下:
电机型号:36SZ01 额定功率:5W 额定电压:DC24V 电枢电流:0.55A 励磁电流:0.32A
_
+i
U +
O
U
图1-1 降压斩波电路的原理图
图1-1降压斩波电路图中各器件选型为:
MOS 管型号:IRF510A (100V/5.6A ) 续流二极管D :DR200(50V/2A ) L :取39mH C :36uF
2、隔离驱动
图1-2是一种采用光耦合隔离的由V 2、V 3组成的驱动电路。当控制脉冲使光耦关断时,光耦输出低电平,使V 2截至,V 3导通,MOSFET 在DZ1反偏作
i
i on i off on on o aU U T
t
U t t t U ==+=
用下关断。当控制脉冲使光耦导通时,光耦输出高电平,使V 2导通,V 3截至,经V CC 、V 2、R G 产生的正向驱动电压使MOS 管开通。光耦选择高速光耦6N137。电源+V CC 可由DC/DC 芯片提供。
图1-2 驱动电路图
V
2:9013 V 3:9012
3、模拟控制
降压斩波电路的模拟控制采用PWM 控制芯片SG3525组成的PWM 发生电路输出PWM 控制信号,控制MOS 管的导通和关断。图1-3给出了该芯片的引脚功能及应用电路。
(a )SG3525的引脚
(b) SG3525的应用电路 图1-3 PWM 控制芯片SG3525
4.PWM 脉冲调制器电路原理图
_+
A1
U R _+
A2
R1
R3R1
R
C
U O1
U O2
(1)当UR=0V 时的波形图(占空比为50%)
图1-4
(2)当UR变化,则占空比必然变化,UR增大,Uo1变宽。
5.UR电压的产生
(1)由题目要求决定,例如手动产生UR电压,可用电阻分压器给出。
(2)若给定UR是一个波形,则应设计相应的积分电路控制给出上图波形。(3)二者兼容,可用纽子开关手动选择。
控控3525控控控控控
图1-5
6.模拟反馈控制
图1-6为降压斩波电路双闭环反馈控制电路图。其中内环为电流环,外环为电压环。
图1-6 降压斩波电路双闭环反馈控制电路图
电压取样:在强电中一般使用电压变送器或传感器加调理电路,低电压一般用分压电阻取样。
电流取样:在强电中一般用电流变送器或传感器,低电压中一般用串联电阻取样。
7.数字控制
(1)一般在使DSP芯片时由于速度快,可选带有PWM产生的芯片;
(2)MSP430也可以直接产生PWM波形,即由A/D采集主回路电压、电流后,直接运算后产生PWM波形;
(3)如果使用MCS-51芯片,可采用A/D采集主回路的电压和电流信号,然后
经运算后由D/A 输出UR 送到SG3525产生闭环的PWM 波形 。而电流短路保护则应硬件直接封锁PWM 波,限流保护仍由单片机承担。
鉴于学生的知识结构,选择模式(3),选择传感器或变送器采样方式。 图1-7给出了采用数字控制方式的降压斩波电路双闭环反馈控制电路图。MCS-51单片机与上位机通过RS232串口连接,可在线调试。
图1-7 降压斩波电路双闭环反馈控制电路图
二、升压斩波电路
1、主电路
升压斩波电路(Boost Chopper)
升压斩波电路(Boost Chopper)的原理图如图2-1所示。图中V 为全控型器件,选用MOS 管。D 为续流二极管。
输入电压i U 取0~15V 直流电压,输出直流电压15~36V ,电流2A 。
_
i
U
图2-1 Boost 升压斩波电路原理图
图2-1中各器件选型:
MOS 管型号:IRF510A (100V/5.6A ) 续流二极管D :DR200(50V/2A ) L :8.2mH C1、C2:36uF
Boost 升压斩波电路有电感电流连续和电感电流断续两种工作状态,当电路
工作于电感电流连续模式时,电路的工作波形如图2-2所示。
L
i V
i 12
U 0
图2-2 Boost 升压斩波电路电感电流连续工作时的波形
如上图所示,Boost 升压斩波电路工作于电感电流连续模式时,电路在一个开关周期内相继经历了两个开关状态,其各时段的工作状态描述如下:
0t -1t 时段:开关MOS 管导通,电压i U 向电感L 充电,电感电流不断增大,续流二极管D 此时处于关断状态,同时电容C2上的电压向负载供电。
1t -2t 时段:开关MOS 管关断,续流二极管D 导通,整流电压i U 和电感L 通过续流二极管D 共同向电容C2充电,并向负载提供能量,电感电流不断减小。
Boost 升压斩波电路工作于电感电流连续模式时有:
i i off o U D
U t T U -==11 (2-1)式中:
T ——MOS 管的一个开关周期;
on t ——MOS 管在一个开关周期内处于通态的时间;
off t ——MOS 管在一个开关周期内处于断态的时间; D ——占空比,T
t D on
=
。 由式(2-9)可知,当占空比1→D 时,∞→o U ,所以应避免占空比D 过于接近1,以免斩波电路输出电压过高造成电路损坏。