【CN110071620A】一种控制电路、电压源电路、驱动装置和驱动方法【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910304610.3

(22)申请日 2019.04.16

(71)申请人 华为技术有限公司

地址 518129 广东省深圳市龙岗区坂田华

为总部办公楼

(72)发明人 陈东　石磊　王朝辉　

(74)专利代理机构 深圳市深佳知识产权代理事

务所(普通合伙) 44285

代理人 王仲凯

(51)Int.Cl.

H02M 1/08(2006.01)

(54)发明名称

一种控制电路、电压源电路、驱动装置和驱

动方法

(57)摘要

本申请实施例公开了一种控制电路，包括：

检测模块，用于检测半导体开关器件的工作条

件；确定模块，用于根据工作条件确定半导体开

关器件的门极允许电压；输出模块，用于根据门

极允许电压向半导体开关器件的驱动供电电路

输出控制信号，以控制驱动供电电路为半导体开

关器件提供的门极导通电压不高于门极允许电

压，并且与门极允许电压正相关。当半导体开关

器件的工作条件变优时，半导体开关器件的门极

允许电压升高，此时控制电路可以控制驱动供电

电路为半导体开关器件提供不高于门极允许电

压且增大的门极导通电压，有利于在保证半导体

开关器件的可靠性的前提下，缩短其在全开模式

和全闭模式之间进行切换的模式切换时长，进而

降低开关电源的损耗。权利要求书3页 说明书13页 附图7页CN 110071620 A 2019.07.30

C N 110071620

A

权　利　要　求　书1/3页CN 110071620 A

1.一种控制电路，其特征在于，包括：

检测模块，用于检测所述半导体开关器件当前的工作条件；

确定模块，用于根据所述检测模块检测到的工作条件确定所述半导体开关器件的门极允许电压；

输出模块，用于根据所述确定模块确定的所述门极允许电压向所述半导体开关器件的驱动供电电路输出控制信号，以控制所述驱动供电电路为所述半导体开关器件提供的门极导通电压不高于所述门极允许电压，并且与所述门极允许电压正相关。

2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述确定模块包括：

第一门极允许电压确定子模块，用于根据所述检测模块检测到的工作条件确定所述门极允许电压的第一值，所述第一值不高于所述半导体开关器件的门极击穿电压。

3.根据权利要求2所述的控制电路，其特征在于，所述第一门极允许电压确定子模块包括：

门极击穿电压确定单元，用于根据所述检测模块检测到的工作条件确定所述半导体开关器件的门极击穿电压；

第一门极允许电压确定单元，用于根据所述门极击穿电压确定单元确定的门极击穿电压和预设的第一裕量确定所述第一值。

4.根据权利要求2或3所述的控制电路，其特征在于，所述确定模块还包括：

第二门极允许电压确定子模块，用于根据所述半导体开关器件的导电沟道两端之间的允许电压和所述检测模块检测到的工作条件确定所述门极允许电压的第二值；

第三门极允许电压确定子模块，用于根据所述第一门极允许电压确定子模块确定的第一值和所述第二门极允许电压确定子模块确定的第二值中的较小值确定所述门极允许电压。

5.根据权利要求4所述的控制电路，其特征在于，所述确定模块还包括：

沟道允许电压确定子模块，用于根据所述检测模块检测到的工作条件确定所述导电沟道两端之间的允许电压，所述导电沟道两端之间的允许电压不高于所述导电沟道两端之间的击穿电压。

6.根据权利要求5所述的控制电路，其特征在于，所述沟道允许电压确定子模块包括：

沟道击穿电压确定单元，用于根据所述检测模块检测到的工作条件确定所述导电沟道两端之间的击穿电压；

沟道允许电压确定单元，用于根据所述沟道击穿电压确定单元确定的导电沟道两端之间的击穿电压和预设的第二裕量确定所述导电沟道两端之间的允许电压。

7.根据权利要求4至6中任意一项所述的控制电路，其特征在于，所述半导体开关器件为金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，所述导电沟道两端包括所述MOSFET的漏极和源极；

或者，所述半导体开关器件为绝缘栅双极型晶体管IGBT，所述导电沟道两端包括所述IGBT的集电极和发射极。

8.根据权利要求1至7中任意一项所述的控制电路，其特征在于，所述工作条件包括所述半导体开关器件的工作温度，或者，所述半导体开关器件的工作温度和工作电流，或者，所述半导体开关器件的工作温度和工作平台电压，或者，所述半导体开关器件的工作温度、

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