窄边框产品周边配向膜Mura分析及改善研究
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ｉｎｋｉｅｔ ｐｒｉｎｔｉｎｇ ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ．Ｉｎ ｔｈｉｓ ｔｈｅｓｉｓ， ｔｈｅ ｒｅａｓｏｎ ｏｆ ｓｉｄｅ ｐｏｌｙｉｍ ｉｄｅ ｍ ｕｒａ ｉｎ ｎａ￣ｏｗ ｂｏｒｄｅｒ ｐｒｏｄｕｃｔｓ ｗ ａｓ ｓｔｕｄｉｅｄ， ａｎｄ ｆｏｕｎｄ ｔｈｅ ｐｏｌｙｉｍ ｉｄｅ ｏｆ ｖｉａ ｈｏｌｅ ｆｏｒ ｃｏｍｍ ｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｐｉｌｅｄ ｕｐ ａｐｐａｒｅｎｔｌｙ， ｔｈｅ ａｃｃｕｍ ｕｌａｔｉｏｎ ｈｉｎｄｅｒｓ ｔｈｅ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｏｆ ｐｏｌｙｉｍ ｉｄｅ ｉｎ ｄｉｓｐｌａｙ ａｒｅａ， ｔｈｉｃｋ ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｆｉｌｍ ａｆｆｅＣｔＳ ｔｈｅ ｓｔａｔｅ
ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＷＯＲＬＤ ·探 索与观察
窄边框产 品周 边 配 向膜 Ｍｕｒａ分析 及 改善研 究
北 京京 东方显 示技 术有 限公 司ＣＥＬＬ ＰＩ部 王 海成 申载官 刘 萌 史秋 飞 封 宾 丈 斌
【摘要 】在薄膜晶体管液晶显示器（ＴＦＴ—ＬＣＤ）行业中．高世代线往往 采用喷墨打印（１ｎｋｊｅｔ）技术进行配向膜涂覆 为了实现产品的窄边框 化 ，显 示 区周边 空 间被进 一 步压缩 。但 这 对喷 墨型 配向膜 扩散 会 产生 不利 影响 ，配 向膜边缘 的 均一性 无法得到 有 效保障 本文针 对窄边 框 产 品 周边 配 向膜 Ｍｕｒａ产 生原 因进 行 分析 ，发现 显 示 区边 缘 用 于导通 公共 电级 的过 孔 处 有 明显 配向 膜堆 积现 象 ，此 处的堆 积对 周边 显 示 区ＰＩ膜 扩散 形 成阻 碍 ，导致 显示 区配 向膜 偏厚 ．影 响 了周边 液 晶分子排 布状 态 ，从 而产 生不 良 通 过 对该 处过孔 密度及 大小进 行调 整并 结合配 向膜 预 固化 工艺 的优 化 ，周边 配 向膜Ｍｔｌｒｉｔ得 到 了明 显改善 ，极 大的提 高 了产品 品质 ，为今 后新 产品 开发 奠 定 了理论 基 础 【关键词 】ＴＦＴ—ＬＣＤ：喷墨打印；配向膜；过孔
在 各高世 代线 产 能释 放 的 同时 ，人们 对ＬＣＤ产 品提 出 了更高 的 要 求 ，窄边 框潮 流 正在 兴起 。所 谓边 框 ，是指 显示 区（Ａｃｔｉｖｅ Ａｒｅａ， ＡＡ）￣ｔｊ屏 （Ｐａｎｅ１）边 缘 的距 离 。 该 区 域 被 业 内称 为 涂 胶 区（Ｓｅａｌｉｎｇ Ａｒｅａ），边 框 的 仔 在 会降低 相 同 尺寸 下 显 示 区域 的 可显 示 面积 【４］。 为 了实现产 品 窄边框 化 ，就 需要 减ｔＪ￣ＳｅａｌｉｎｇＡｒｅａ。业 内常 见 的主要 方 法 ＿仃：
ｍ ｕｍ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ｏｆｐｒｅｂａｋｅቤተ መጻሕፍቲ ባይዱＴｈｅｒｅｆｏｒｅ， ｔｈｅ ａｂｏｖｅ。ｍ ｅｎｔｉｏｎｅｄ ｒｅｓｕｌｔｓ ｐｒｏｖｉｄｅ ｂａｓｉｓ ｆｏｒ ｒｅｌａｔｅｄ ｉｓｓｕｅｓ ｉｎ ｔｈｅ ｆｕｔｕｒｅ．
Ｋｅｙ Ｗ ｏｒｄｓ：ＴＦＴ－ＬＣＤ：Ｉｎｋｉｅｔ ｐｒｉｎｔｉｎｇ； Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ：Ｖｉａ ｈｏｌｅ
Ａ ｎａｌｙｓｉｓ ａｎｄ Ｉｍ ｐｒｏｖｅｍ ｅｎｔ ｏｆ Ｓｉｄｅ Ｐｏｌｙｉｍ ｉｄｅ Ｍ ｕｒａ ｉｎ ｎａｒｒｏｗ ｂｏｒｄｅｒ ｐｒｏｄｕｃｔｓ
Ｗ ＡＮＧ Ｈａｉ．ｃｈｅｎｇ， ＳＨＩＮ Ｊａｅ—ｇｗａｎ， ＬＩＵ Ｍ ｅｎｇ， ＳＨＩ Ｑｉｕ．ｆｅｉ，ＦＥＮＧ Ｂｉｎ， Ｗ ＥＮ Ｂｉｎ （ＣＥＬＬ Ｄｅｐａｒｔｍ ｅｎｔ ｏｆＢｅｉｊｉｎｇ ＢＯＥ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＣＯ．Ｂｅｉｉｉｎｇ， ｌ００ｌ７６， Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｉｎ ｔｈｅ ｔｈｉｎ ｆ ｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ（ＴＦＴ－ＬＣＤ）ｉｎｄｕｓｔｒ ｙ，ｈｉｇｈ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｌｉｎｅ ｔｅｎｄｓ ｔｏ ｕｓｅ ｉｎｋｊｅｔ ｐｒｉｎｔｉｎｇ ａｓ ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｆｉｌｍ ｃｏａｔ—
ｉｎｇ ｍ ｅｔｈｏｄ．Ｉｎ ｏｒｄｅｒ ｔｏ ｒｅａｌｉｚｅ ｔｈｅ ｎａｒｒｏｗ ｂｏｒｄｅｒ ｏｆｐｒｏｄｕｃｔｓ， ｔｈｅ ｓｐａｃｅ ａｒｏｕｎｄ ｐａｎｅｌ ｎｅｅｄ ｆｕｒｔｈｅｒ ｄｏｗｎｗ ａｒｄ， ｂｕｔ ｉｔ ｈａｓ ａｄｖｅｒｓｅ ｅｆｆｅｃｔ ｔｏ ｔｈｅ ｓｐｒｅａｄ ｏｆ
１ 引 言
随着 液 晶显 示 器（ＬＣＤ）的 广泛 应 用 ，液 晶面 板 的需 求 量越 来越 大 ，高 世代 线 的生 产 规 模也 迅速 扩 大 。 在液 晶 屏 中 ，配 向膜 （Ｐｏｌｙ． ｉｍｉｄｅ，ＰＩ）为液 晶提 供 了 预倾 角 ，起 着 控 制液 晶 分子 排 列 方 向的作 用 …，而 配 向膜喷 墨打 印方 式（Ｉｎｋｊｅｔ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ）凭借 低 膜材损 耗 、 易于 在 不 同产 品 间切换 、高效 率等 优势 ，高世 代线 更倾 向使 用 该方 式对 应 生 产 】。
（１）提 升切 割 及研 磨精 瞍 ，降低 切割 线到 封框 胶（Ｓｅａ１）￣ 离 ： （２１减 ｄ，Ｓｅａｌ宽 度 ： （３）压 缩 周边假 像 素 区（Ｄｕｍｍｙ Ｐｉｘｅ１），周 边 布线 空间 压缩 ： （４）降低ＰＩ边缘 余量（Ｅｄｇｅ Ｍａｒｇｉｎ，ＥＭ）； （５）Ｐｌ与 Ｓｅａｌ重 叠 。 提 升 切割 精 度及 降 低ｓｅａｌ宽度 可通 过 切割 设 备及 涂 胶 设备 能力 提 升 达 成 ， 目前 各世 代 线 也 在 同步 设 备 导 入 ， 本文 不 做 赘 述 。对 配 向膜 喷墨 打 印 方 式来 说 。周边 Ｄｕｍｍｙ区 及布 线 空 间压 缩 会 使布 线 区靠近 ＡＡ区边 界 ．金 属 线 及过 孔 的 高段 差 均 会 对ＰＩ扩 散 形 成 阻 碍 ：而 ＥＭ 的降 低 同样 会 造 成 配 向膜 厚 度 变 化 的 区域 （Ｈａｌｏ区）靠近 ＡＡ区 Ｉ。二者 的殪 加 对周 边Ｐｌ涂 覆均 一性 产 生影 响 ，从而 决 定 了窄 边 框产 品 更 易产生 周边ＰＩ涂 覆性 不 良。 本文基于８．５代线 １０．１寸（Ｉｎｃｈ，ｌＩｎｃｈ＝２．５４ｃｍ）窄边框 产品生产 中出 现 的周边Ｍｕｒａ，通过 分析发现靠近ＡＡ区边界的 公共（Ｃｏｍｍｏｎ，ＣＯＭ） 电极 上的过 孔处ＰＩ液 有明显堆 积现 象，此 处的堆积 对周边 显示 区ＰＩ膜 扩散 形成阻碍 ，这造 成 ‘Ｊ＇ＡＡ区边 界ＰＩ膜偏 厚，导致 了周边 液晶取 向异 常 ，从而产生 了周边配 向膜 Ｍｕｒａ。通过 对该处过孔 大小及 密度 进行 多 组实验 并结合 预崮￣）６（Ｐｒｅｂａｋｅ）条件优化 ，找 到了匹配 窄边框产 品 的最 优条件 ，为后续其他 产品开 发提 供 了数据 支持 。
ｏｆ ｓｕｒｒｏｕｎｄｉｎｇ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ａｒｒａｎｇｅｄ，ｔｈｕｓ ｇｅｎｅｒａｔｅ ｄｅｆｅｃｔ．Ｔｈｅ ｄｅｆｅｃｔ ｉＳ ｉｍｐｒｏｖｅｄ ｂｙ ａｄｊｕｓｔｉｎｇ ｔｈｅ ｖｉａ ｈｏｌｅ ｓｉｚｅ ａｎｄ ｄｅｎｓｉｔｙ ａｎｄ ｃｏｍｂｉｎｉｎｇ ｔｈｅ ｏｐｔｉ—
ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＷＯＲＬＤ ·探 索与观察
窄边框产 品周 边 配 向膜 Ｍｕｒａ分析 及 改善研 究
北 京京 东方显 示技 术有 限公 司ＣＥＬＬ ＰＩ部 王 海成 申载官 刘 萌 史秋 飞 封 宾 丈 斌
【摘要 】在薄膜晶体管液晶显示器（ＴＦＴ—ＬＣＤ）行业中．高世代线往往 采用喷墨打印（１ｎｋｊｅｔ）技术进行配向膜涂覆 为了实现产品的窄边框 化 ，显 示 区周边 空 间被进 一 步压缩 。但 这 对喷 墨型 配向膜 扩散 会 产生 不利 影响 ，配 向膜边缘 的 均一性 无法得到 有 效保障 本文针 对窄边 框 产 品 周边 配 向膜 Ｍｕｒａ产 生原 因进 行 分析 ，发现 显 示 区边 缘 用 于导通 公共 电级 的过 孔 处 有 明显 配向 膜堆 积现 象 ，此 处的堆 积对 周边 显 示 区ＰＩ膜 扩散 形 成阻 碍 ，导致 显示 区配 向膜 偏厚 ．影 响 了周边 液 晶分子排 布状 态 ，从 而产 生不 良 通 过 对该 处过孔 密度及 大小进 行调 整并 结合配 向膜 预 固化 工艺 的优 化 ，周边 配 向膜Ｍｔｌｒｉｔ得 到 了明 显改善 ，极 大的提 高 了产品 品质 ，为今 后新 产品 开发 奠 定 了理论 基 础 【关键词 】ＴＦＴ—ＬＣＤ：喷墨打印；配向膜；过孔
在 各高世 代线 产 能释 放 的 同时 ，人们 对ＬＣＤ产 品提 出 了更高 的 要 求 ，窄边 框潮 流 正在 兴起 。所 谓边 框 ，是指 显示 区（Ａｃｔｉｖｅ Ａｒｅａ， ＡＡ）￣ｔｊ屏 （Ｐａｎｅ１）边 缘 的距 离 。 该 区 域 被 业 内称 为 涂 胶 区（Ｓｅａｌｉｎｇ Ａｒｅａ），边 框 的 仔 在 会降低 相 同 尺寸 下 显 示 区域 的 可显 示 面积 【４］。 为 了实现产 品 窄边框 化 ，就 需要 减ｔＪ￣ＳｅａｌｉｎｇＡｒｅａ。业 内常 见 的主要 方 法 ＿仃：
ｍ ｕｍ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ｏｆｐｒｅｂａｋｅቤተ መጻሕፍቲ ባይዱＴｈｅｒｅｆｏｒｅ， ｔｈｅ ａｂｏｖｅ。ｍ ｅｎｔｉｏｎｅｄ ｒｅｓｕｌｔｓ ｐｒｏｖｉｄｅ ｂａｓｉｓ ｆｏｒ ｒｅｌａｔｅｄ ｉｓｓｕｅｓ ｉｎ ｔｈｅ ｆｕｔｕｒｅ．
Ｋｅｙ Ｗ ｏｒｄｓ：ＴＦＴ－ＬＣＤ：Ｉｎｋｉｅｔ ｐｒｉｎｔｉｎｇ； Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ：Ｖｉａ ｈｏｌｅ
Ａ ｎａｌｙｓｉｓ ａｎｄ Ｉｍ ｐｒｏｖｅｍ ｅｎｔ ｏｆ Ｓｉｄｅ Ｐｏｌｙｉｍ ｉｄｅ Ｍ ｕｒａ ｉｎ ｎａｒｒｏｗ ｂｏｒｄｅｒ ｐｒｏｄｕｃｔｓ
Ｗ ＡＮＧ Ｈａｉ．ｃｈｅｎｇ， ＳＨＩＮ Ｊａｅ—ｇｗａｎ， ＬＩＵ Ｍ ｅｎｇ， ＳＨＩ Ｑｉｕ．ｆｅｉ，ＦＥＮＧ Ｂｉｎ， Ｗ ＥＮ Ｂｉｎ （ＣＥＬＬ Ｄｅｐａｒｔｍ ｅｎｔ ｏｆＢｅｉｊｉｎｇ ＢＯＥ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＣＯ．Ｂｅｉｉｉｎｇ， ｌ００ｌ７６， Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｉｎ ｔｈｅ ｔｈｉｎ ｆ ｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ（ＴＦＴ－ＬＣＤ）ｉｎｄｕｓｔｒ ｙ，ｈｉｇｈ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｌｉｎｅ ｔｅｎｄｓ ｔｏ ｕｓｅ ｉｎｋｊｅｔ ｐｒｉｎｔｉｎｇ ａｓ ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｆｉｌｍ ｃｏａｔ—
ｉｎｇ ｍ ｅｔｈｏｄ．Ｉｎ ｏｒｄｅｒ ｔｏ ｒｅａｌｉｚｅ ｔｈｅ ｎａｒｒｏｗ ｂｏｒｄｅｒ ｏｆｐｒｏｄｕｃｔｓ， ｔｈｅ ｓｐａｃｅ ａｒｏｕｎｄ ｐａｎｅｌ ｎｅｅｄ ｆｕｒｔｈｅｒ ｄｏｗｎｗ ａｒｄ， ｂｕｔ ｉｔ ｈａｓ ａｄｖｅｒｓｅ ｅｆｆｅｃｔ ｔｏ ｔｈｅ ｓｐｒｅａｄ ｏｆ
１ 引 言
随着 液 晶显 示 器（ＬＣＤ）的 广泛 应 用 ，液 晶面 板 的需 求 量越 来越 大 ，高 世代 线 的生 产 规 模也 迅速 扩 大 。 在液 晶 屏 中 ，配 向膜 （Ｐｏｌｙ． ｉｍｉｄｅ，ＰＩ）为液 晶提 供 了 预倾 角 ，起 着 控 制液 晶 分子 排 列 方 向的作 用 …，而 配 向膜喷 墨打 印方 式（Ｉｎｋｊｅｔ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ）凭借 低 膜材损 耗 、 易于 在 不 同产 品 间切换 、高效 率等 优势 ，高世 代线 更倾 向使 用 该方 式对 应 生 产 】。
（１）提 升切 割 及研 磨精 瞍 ，降低 切割 线到 封框 胶（Ｓｅａ１）￣ 离 ： （２１减 ｄ，Ｓｅａｌ宽 度 ： （３）压 缩 周边假 像 素 区（Ｄｕｍｍｙ Ｐｉｘｅ１），周 边 布线 空间 压缩 ： （４）降低ＰＩ边缘 余量（Ｅｄｇｅ Ｍａｒｇｉｎ，ＥＭ）； （５）Ｐｌ与 Ｓｅａｌ重 叠 。 提 升 切割 精 度及 降 低ｓｅａｌ宽度 可通 过 切割 设 备及 涂 胶 设备 能力 提 升 达 成 ， 目前 各世 代 线 也 在 同步 设 备 导 入 ， 本文 不 做 赘 述 。对 配 向膜 喷墨 打 印 方 式来 说 。周边 Ｄｕｍｍｙ区 及布 线 空 间压 缩 会 使布 线 区靠近 ＡＡ区边 界 ．金 属 线 及过 孔 的 高段 差 均 会 对ＰＩ扩 散 形 成 阻 碍 ：而 ＥＭ 的降 低 同样 会 造 成 配 向膜 厚 度 变 化 的 区域 （Ｈａｌｏ区）靠近 ＡＡ区 Ｉ。二者 的殪 加 对周 边Ｐｌ涂 覆均 一性 产 生影 响 ，从而 决 定 了窄 边 框产 品 更 易产生 周边ＰＩ涂 覆性 不 良。 本文基于８．５代线 １０．１寸（Ｉｎｃｈ，ｌＩｎｃｈ＝２．５４ｃｍ）窄边框 产品生产 中出 现 的周边Ｍｕｒａ，通过 分析发现靠近ＡＡ区边界的 公共（Ｃｏｍｍｏｎ，ＣＯＭ） 电极 上的过 孔处ＰＩ液 有明显堆 积现 象，此 处的堆积 对周边 显示 区ＰＩ膜 扩散 形成阻碍 ，这造 成 ‘Ｊ＇ＡＡ区边 界ＰＩ膜偏 厚，导致 了周边 液晶取 向异 常 ，从而产生 了周边配 向膜 Ｍｕｒａ。通过 对该处过孔 大小及 密度 进行 多 组实验 并结合 预崮￣）６（Ｐｒｅｂａｋｅ）条件优化 ，找 到了匹配 窄边框产 品 的最 优条件 ，为后续其他 产品开 发提 供 了数据 支持 。
ｏｆ ｓｕｒｒｏｕｎｄｉｎｇ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ａｒｒａｎｇｅｄ，ｔｈｕｓ ｇｅｎｅｒａｔｅ ｄｅｆｅｃｔ．Ｔｈｅ ｄｅｆｅｃｔ ｉＳ ｉｍｐｒｏｖｅｄ ｂｙ ａｄｊｕｓｔｉｎｇ ｔｈｅ ｖｉａ ｈｏｌｅ ｓｉｚｅ ａｎｄ ｄｅｎｓｉｔｙ ａｎｄ ｃｏｍｂｉｎｉｎｇ ｔｈｅ ｏｐｔｉ—