Aging 操作流程V01

Aging 操作流程Rev. 0.1
为了检验主板的稳定性，必须上aging架测试。

从sample run回来一个星期之内要booking Aging 架（因某些原因无法进入aging的可以推迟），进行aging的主板要满足以下基本条件：1，主板能正常进入DOS；
2，Clock tuning 已经完成；
3，在aging前必须先Load Setup defaults然后再更改相应得BIOS设置；
4，Jumper free 功能可以使用，对于那些量产时不需要超频的主板，也要请BIOS 开出over clock 5%的选项，只是在最后关闭这个选项；
5，每一项aging都要进行default，同步，异步aging。

有一些主板不支持异步模式则不需要进行异步aging，下面是这几种模式的说明：
Default：BIOS里的Load Setup Defaults，这时所有的CLK都在标准频率；
同步：CPU频率超频5%，AGP，PCI，等相关频率也相应超频；
异步：只有CPU频率超频5%，其他频率都在标准频率（内存频率除外）；
6，New project要至少aging一个月，refresh project至少半个月；
7，每一项测试以12小时为基准，超过12小时则pass，否则fail，无论pass还是fail都要记录时间。

记录时，最小单位为0.5小时，超过15分钟且不足45分钟
的都记为0.5小时，其他的不足15分钟则舍去，超过45分钟则记为1小时。

第一项：DOS 下的ON/OFF 测试
特别要求：
1，DOS下的ON/OFF测试需根据chipset选择相应的测试程序，这些程序可以在\\maintek75\hdmb1$\project\tools\RTC下找到，如果有新的chipset测试程序，请第一个使用该程序的RD将程序放入上面的目录。

ON/OFF测试程序来源？？？；
2，测试时，要尽量选择各种型号的CPU，内存和显卡。

CPU，内存和显卡均以组为单位。

每一组CPU，内存，显卡的详细型号，由PES决定。

QT会根据PES让每一组CPU，内存，显卡包含尽可能多的型号；
3，内存频率组合：在ON/OFF测试过程中要包含主板所支持的所有的CPU和内存之间的频率组合，具体的组合由RD根据PES列出。

在aging时可以用DDR400内存降频跑，比如要aging DDR266内存可以用DDR400的内存在BIOS里手动设置成DDR266。

4，记录测试结果，包括CPU，内存，显卡信息以及pass or fail，还有一些主板的相关信息，比如BIOS版本，测试日期，记录人员等等，附录为一份aging report，可以按这个表格填写测试结果。

5，如果最初的BIOS已经测试pass，但是在研发阶段BIOS的版本在不断更新，建议对最后即将release的BIOS再进行一次ON/OFF测试。

因为在BIOS的升级过程中很可能还会出现ON/OFF fail的情况。

如果这时主板已经退出aging架，也可以由RD自行aging。

同时也要记录测试结果。

Debug部分：
第二项：内存测试
特别要求：
1，测试OS：pure DOS，该DOS不能加载Himem.sys
2，测试程序：memtest86+ 和bmem。

这两个程序都可以在主板一部的server上找到（在主板研发过程中所用到的程序都可以在\\maintek75\hdmb1$\project\tools下找到）。

3,对于DDR，内存电压调节功能已经做好。

在测试前确定DDR333以下电压为2.5V，DDR400为2.6V;
4,记录测试结果时，要记下内存厂商，颗粒厂商，还有QT的编号（统一为QT的内存编号，就是有条码的黄色标签），这样做便于debug。

5，优先测试六大厂的内存条，QT是按组提供内存的，每一组内存包括六大厂的内存，每一个厂家又分单面和双面。

整个内存测试至少要aging一组，为了以后QVL 测试能顺利通过，建议大家尽量在内存测试上多花时间；
6，对于每一种memory，要按如下的组合作测试：
表1：Single Channel：
表2：Dual Channel：
以上只是列出了最有效率的测试组合如果时间允许，可以测试其他内存组合。

Debug部分
在aging过程中肯定有fail的情况，下面列出了一些常用的solution：
1，对于DDR 内存，可以适当调高电压，2.5V可以调到2.55V左右，2.6V可以调到2.65V左右；
2，memory driver strength 调节：
a，对于K8系列CPU，memory直接接在CPU上，memory的driver调节与北桥无关，K8 CPU 有2个pin memzn 和memzp 可以调节memory driver strength，入图，电阻R193
和R194就是。

b，对于Intel CPU，因memory与北桥相连，所以memory driver的调节主要通过北桥。

不同的北桥其方法不一样，这里就不列出，请参照北桥的datasheet。

c, 对于DDR memory，有时候改变termination电阻会有效果。

3，其他方面：
a，电源noise问题，主要有+2.5VDUAL,VTTDDR,还有北桥core电压。

测量这些电源的noise，看看是否符合spec。

另外，还有北桥和DIMM的memory reference电压是否noise 很大；
b，是不是FSB不稳引起的，可以降低CPU外频试试；
c，是不是memory损坏，更换一根memory试一试，并且把fail的memory拿到别的主板上试一试；
d，Layout方面的检查，按照layout rule检查有没有问题；信号层与reference层之间的关系；
第三项suspend & windows reboot
特别要求：
1，S1，S3，S4 功能OK；
2，能正常安装windows，并且所有Driver都能安装；
3，测试OS为windows XP SP2；
4，测试软件为suspender和windows reboot；
5，测试suspend时，可以S1，S3，S4同时测，如果某一个有问题可以再单独测；
6，记录测试结果;
7，建议对最后即将release的BIOS再测一次S1，S3，S4。

如果这时主板已经退出aging 架，也可以由RD自行aging。

同时也要记录测试结果；
Debug部分：
1，对于S3：
a，测量+3VSBSW#信号，请仔细测量该信号，其他相关信号还有S3#，+2.5VDUAL 主要测量进入S3，退出S3的信号，正常开关机时的信号也可以测量一下；
b，测量CLK Gen.在S3时是否停止工作；
第四项3Dmark（显卡测试）
特别要求：
1，能正常安装windows，并且所有Driver都能安装；
2，测试OS为windows XP SP2；
3，第二项memtest已经测试pass；
4，测试软件为3Dmark 2001SE build 330；
5，测试所用的memory组合请参考表1和表2；
6，显卡的选择。

显卡也是QT按组提供的原则如下：
a，ATI和NVIDIA各一半；
b，对于AGP卡，以8X为主，加上1到2块4X卡，fast write mode 和side band mode 要打开。

7，记录测试结果；
Debug：
1，Layout check；
2，PWR noise check
3，Vref check
附录：Aging report。