光电技术实验讲义-光电探测部分
第2章 光电探测-2 2013.4.12

1 1 D* ( Af ) 2 / NEP NEP *
D * D Af
归一化探测度
D*大的探测器其探测能力一定好。 考虑到光谱的响应特性,一般给出D*值时注明 响应波长λ、光辐射调制频率f及测量带宽Δf, 即D*(λ, f ,Δf )。
二、噪声特性
在一定波长的光照下光电探测器输出的电信号 并不是平直的,而是在平均值上下随机地起伏, 它实质上就是物理量围绕其平均值的涨落现象。
响应时间。对调制频率低的入射光,具有较好
的响应度,对调制频率高的入射光,响应度变差。 具有低通特性,光电导驰豫限制了器件对调制 频率高的光信号的响应。
11
响应度下降为最大值的0.707倍时,所对应的调制 频率称为截止频率。即Rv 0.707 Rv0 所对应的。 1 此时, Rv Rv0 2 2 2 1 2 1 2 增大 截下降, 下降 截增大 说明光生载流子寿命越长,对高频调制响应越差。
若用分贝(dB)表示,为
I S2 I S 10 lg 2 20 lg S IN IN N
6、噪声等效功率(NEP)
定义:信号功率与噪声功率比为1(SNR=1)时,入 射到探测器件上的辐射通量(单位为瓦)。
这时,投射到探测器上的辐射功率所产生的输出电 压(或电流)等于探测器本身的噪声电压(或电流)
(二)光谱灵敏度Rλ
由于光电探测器的光谱选择性,不同波长的光功率谱 密度在其它条件不变下所产生的光电流i是波长的函 数,记为iλ (或uλ ),于是定义光谱灵敏度Rλ 为
Rλ=diλ/dPλ
如果Rλ是常数,则相应的探测器称为无选择性探测器 (如光热探测器)。光子探测器是选择性探测器。通常 给出的是相对光谱灵敏度Sλ,它定义为
第十二章光电探测器 PPT

计量起伏噪声(以起伏噪声电压 n为(t)例,噪声电流 i类n (似t) )
n (t) 0噪声电压平均值得瞬间振幅与相位随时间呈无规则变化
___
n2 均方值完全确定,表示单位电阻上所消耗得噪声平均功率
___
n2 —计量噪声电压大小
___
n2 —起伏噪声电压有效值
____记__为_____V_ n2
光电导探测器
利用光电导效应可以制成各种用途得光电元件,如光敏电阻(光 电导探测器)、光电管等。其中光敏电阻具有体积小、坚固耐用、 价格低廉、光谱响应范围宽等优点,广泛用于微弱辐射信号得探 测领域。
#
光电导探测器
光电导效应
本征半导体:
光电导增量
e(nn pp )
n和p
分别就是电子与空穴得迁移率
i
生得具有电量为e得光电子数量
量子效率
Ip / e
单位时间内光子所激励得光电子数
Pi /h
单位时间内入射到探测器表面得光子数
代表入射到探测器得单个光子所能产生得光电子数目
#
光电探测器得性能参数
时间常数
探测器得惰性:
当入射光功率发生突然变化时(如开始或停止照射),光电探测器
得输出总不能完全跟随输入而变化。通常用时间常数 来衡 量
在阶跃输入光功率条件下,光电探测器输出电流 为
is
当is
(t
)
i
[1
exp(t 时,(稳态值
/
)]
)
称is (为t)参数
频率响应
——探测器得响应度随入射光调制频率得变化特征 多数探测器得响应度与调制频率得关系为
(f )
0
1
(1+4 2f 2 2 ) 2
《光电技术(第2版)》第2章光电探测器2

(一)基本结构与原理
硅光电二极管
分为 以P型硅为衬底的(国产型号2DU系列) 以N型硅为衬底的(国产型号2CU系列)
光电二极管的电流方程
PN结的电流方程为
qU
I ID (e kT 1)
硅光电二极管伏安特性曲线
式中:U是加在二极管两端的电压,T为温度,k为 玻耳兹曼常数,q为电子电量。
ID和U均为负值,且 U kT / q 时(室温下很容易 满足)的电流称为反向电流或暗电流。
出功率和转化效率。即把受光面做得较大, 或把多个光电池作串、并联组成电池组,与 镍镉蓄电池配合,可作为卫星、微波站等无 输电线路地区的电源供给。
2、光电池用作检测元件
利用其光敏面大,频率响应高,光电流 与照度线性变化,适用于开关和线性测量等。
3 、光电池零伏偏置电路
A是高输入阻抗放大器,Ri 是光生伏特器件内阻,
光敏面小,势垒电容小,响应快,但工艺困难。
(2)扩散层PN结光电二极管: 耗尽层厚度小于结的任一边的扩散长度,工作 区是结两边的扩散区,光电流主要由扩散流 引起。
(3) 耗尽层型PN结光电二极管
耗尽层厚度大于结的任一边的扩散长度,光 电转换主要在耗尽层内,光电流主要由漂移 电流引起的。有很高的频率响应。
结构:为了实现雪崩过程,基片杂质浓度 很高,使之容易碰撞电离;
片子厚度较薄,保证较高的电场强度
三种雪崩光电二极管结构示意图
影响雪崩光敏二极管工作的因素:
(1)雪崩过程伴有一定的噪声,并受温度 的影响较大;
(2)表面材料的缺陷使PN结各电场分布不 均,局部先击穿使漏电流变大,增强了噪声;
(3)工作偏压必须适当。
最佳工作点在B 处,接近雪崩点 附近。 为了压低暗电流, 可把工作点左移 一些。
光电探测综合实验报告

一、实验目的1. 理解光电探测的基本原理和实验方法。
2. 掌握光电探测器的使用和调试技巧。
3. 学习光电探测实验的测量和分析方法。
4. 通过实验,加深对光电探测技术在实际应用中的理解和应用。
二、实验原理光电探测是利用光电效应将光信号转换为电信号的过程。
光电探测器是光电探测系统的核心部件,它将光信号转换为电信号,然后通过放大、滤波等电路处理后,输出可供进一步处理和利用的电信号。
本实验主要涉及以下光电探测器:光电二极管、光电三极管、光电耦合器等。
光电二极管是一种半导体器件,具有光电转换效率高、响应速度快、体积小等优点。
光电三极管是一种具有放大作用的光电探测器,它可以将微弱的光信号放大成较大的电信号。
光电耦合器是一种将输入信号的光电转换和输出信号的传输分开的器件,具有良好的隔离性能。
三、实验仪器与设备1. 光源:LED灯、激光笔等。
2. 光电探测器:光电二极管、光电三极管、光电耦合器等。
3. 放大器:运算放大器、低噪声放大器等。
4. 测量仪器:示波器、万用表等。
5. 连接线、测试板等。
四、实验内容及步骤1. 光电二极管特性测试(1)测试前准备:将光电二极管、放大器、示波器、万用表等仪器连接好。
(2)测试步骤:① 将光电二极管正向偏置,调整偏置电压,观察并记录光电二极管的伏安特性曲线。
② 将光电二极管反向偏置,调整偏置电压,观察并记录光电二极管的反向饱和电流。
③ 测量光电二极管的暗电流和亮电流。
2. 光电三极管特性测试(1)测试前准备:将光电三极管、放大器、示波器、万用表等仪器连接好。
(2)测试步骤:① 将光电三极管集电极、基极和发射极分别连接到电路中,调整基极偏置电压,观察并记录光电三极管的伏安特性曲线。
② 测量光电三极管的集电极电流、基极电流和发射极电流。
③ 测试光电三极管的电流放大倍数。
3. 光电耦合器特性测试(1)测试前准备:将光电耦合器、放大器、示波器、万用表等仪器连接好。
(2)测试步骤:① 将光电耦合器的输入端和输出端分别连接到电路中,调整输入端电压,观察并记录光电耦合器的传输特性曲线。
光电探测器特性测量实验实验讲义

光电探测器特性测量实验实验讲义大恒新纪元科技股份有限公司所有不得翻印光电探测器特性测量实验一、 引言光电探测器可将一定的光辐射转换为电信号,然后经过信号处理,去实现某种目的,它是光电系统的核心组成部分,其性能直接影响着光电系统的性能。
因此,无论是设计还是使用光电系统,深入了解光电探测器的性能参数都是很重要的。
通常,光电探测器的光电转换特性用响应度表示。
响应特性用来表征光电探测器在确定入射光照下输出信号和入射光辐射之间的关系。
主要的响应特征包括:响应度、光谱响应、时间响应特性等性能参数。
本实验内容主要是光电探测器性能参数测量和光电探测器的一般使用方法,并专门列举了几种常用的光电探测器的使用方法。
第一部分 光电探测器光谱响应度的测量光谱响应度是光电探测器的基本性能参数之一,它表征了光电探测器对不同波长入射辐射的响应。
通常热探测器的光谱响应较平坦,而光子探测器的光谱响应却具有明显的选择性。
一般情况下,以波长为横坐标,以探测器接收到的等能量单色辐射所产生的电信号的相对大小为纵坐标,绘出光电探测器的相对光谱响应曲线。
典型的光子探测器和热探测器的光谱响应曲线如图1-1所示。
一.基本原理光谱响应度是光电探测器对单色入射辐射的响应能力。
电压光谱响应度()λRv 定义为在波长为λ的单位入射辐射功率的照射下,光电探测器输出的信号电压,用公式表示,则为()()()λλλP V Rv = (1-1) 而光电探测器在波长为λ的单位入射辐射功率的作用下,其所输出的光电流叫做探测器的电流光谱响应度,用下式表示()()()λλλP I R i = (1-2) 式中,()λP 为波长λ时的入射光功率;()λV 为光电探测器在入射光功率()λP 作用下的输出信号电压;()λI 则为输出用电流表示的输出信号电流。
这里用响应度和波长无关的热释电探测器作参考探测器,测得入射光功率为()λP 时的输出电压为()λf V 。
若用f R 表示热释电探测器的响应度,则显然有()()f f f K R V P λλ=(1-3)这里f K 为热释电探测器前放和主放放大倍数的乘积,即总的放大倍数。
光电检测技术实验讲义

光电检测技术实验指导书电气工程学院目录实验一半导体激光器工作域值及输出功率特性的测量 (2)实验二半导体激光器输出光谱特性曲线的测量 (9)实验三光电探测原理及特性测试(综合性) (13)实验四* CCD输出特性及二值化处理实验 (22)实验五 PSD位移传感器特性实验 (28)实验六反射式光纤位移传感器原理及定标实验 (32)实验七光电报警系统设计(设计性) (38)实验一 半导体激光器工作域值及输出功率特性的测量一、实验目的测试半导体激光器工作域值,测量输出功率-电流(P-I )特性曲线和输出功率的稳定性,从而对半导体激光器工作特性有个基本了解。
二、实验内容1、测试YSLD3125型半导体激光器工作域值。
2、测试YSLD3125型半导体激光器输出功率与电流(P-I )特性曲线。
3、测试YSLD3125型半导体激光器注入电流为30mA 时输出功率的稳定性。
三、实验仪器1、YSLD3125型半导体激光器(带尾纤输出,FC 型接口) 1只2、ZY606型LD/ LED 电流源 1台3、光功率计 1台4、万用表 1只四、实验原理1、激光器一般知识激光器是使工作物质实现粒子数反转分布产生受激辐射,再利用谐振腔的正反馈,实现光放大而产生激光振荡的。
激光,其英文LASER 就是Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation (受激辐射的光放大)的缩写。
激光的本质是相干辐射与工作物质的原子相互作用的结果。
尽管实际原子的能级是非常复杂的,但与产生激光直接相关的主要是两个能级,设E u 表示较高能级,E l 表示较低能级。
原子能在高低能级间越迁,在没有外界影响时,原子可自发的从高能级越迁到低能级,并伴随辐射一个频率为h E E l u /)(-=ν的光子,这过程称自发辐射。
若有能量为l u E E h -≥ν的光子作用于原子,会产生两个过程,一是原子吸收光子能量从低能级越迁到高能级,同时在低能级产生一个空穴,称为受激越迁或受激吸收,此激发光子消失;二是原子在激发光子的刺激下,从高能级越迁到低能级,并伴随辐射一个频率h E E l u /)(-=ν的光子,这过程称受激辐射。
光电探测基础全面讲解

1 m
1 nm
。
1A
1 X射 线 单 位
。
1 A
图 1.1-1 电磁波谱图
第1章 光电探测基础
表1.1-1 光波段单光子能量表
第1章 光电探测基础
1.1.1 光电系统的基本模型
与电子系统载波相比, 光电系统载波的频率提高了几个量级。
这种频率量值上的变化使光电系统在实现方法上发生了质变, 在功能上
第1章 光电探测基础
第1章 光电探测基础
1.1 光电系统描述 1.2 光接收机视场 1.3 光电探测器的物理效应 1.4 光电转换定律和光电子计数统
计 1.5 光电探测器的性能参数 1.6 光电探测器的噪声
第1章 光电探测基础
1.7 辐度学与光度学 1.8 背景辐射 1.9 探测器主要性能参数测试 习题与思考题
第1章 光电探测基础
均匀光源当发光面积为As, 辐射角为Ωs时, 所辐射的总功率为
Ps=LAsΩs
(1.1-1)
对于辐射对称型光源, 立体角Ωs与平面辐射角θs的关系为(参见
图1.1-5)
Ωs=2π[1-cos(θs/2)]
(1.1-2)
第1章 光电探测基础
光束形 成系统
光源
dt
透 镜 直径
光束角
Gr
4 b
4d
t
2
(1.1-6)
第1章 光电探测基础
14 0
13 0
0.5 m
12 0
10 m
122 dB
11 0
光 束 /角rad 4
增 益 / dB 1 GHz
10 0
40
95 dB
90
80
光电探测原理实验

光电探测原理实验以下是一个关于光电探测原理实验的简单介绍,包括实验步骤和实验结果的分析。
实验名称:光电效应实验实验目的:通过测量光电流对光强或光波长的变化,研究光电效应的机理。
实验原理:光电效应是指当金属或半导体材料受到光照时,会产生光电流或光电子。
根据爱因斯坦的光电效应理论,光电流的大小与光的强度成正比,与光的频率成非线性关系。
实验仪器:光电效应实验装置、电流计、光源、滤光片等。
实验步骤:1.搭建光电效应实验装置:将光源放在一端,将滤光片放在需要测量的光波长范围内,光线经过透镜后照射到光电阴极上。
2.调节滤光片,使得光电流在较大光强范围内变化。
记录下每个光强对应的电流值。
3.固定滤光片,调节光源的亮度,使得光强在较小范围内变化。
记录下每个光强对应的电流值。
4.整理数据,作图分析:根据实验记录的光强和电流数据,可以绘制出光强-电流的曲线。
根据实验结果,分析光电流与光强或光波长的关系。
实验结果分析:通过实验记录的数据,我们可以绘制出光强-电流的曲线。
根据实验结果分析,可以得出以下结论:1.光电流与光强呈正比关系:在较大光强范围内,光电流随光强的增加而增加。
这符合爱因斯坦的光电效应理论。
2.光电流与光波长呈非线性关系:在较小范围内,光电流随光波长的增加而减小。
这与光电效应理论中所述的波长较长的光子能量较小,不足以克服光电子的束缚能力相吻合。
3.光电流的最大值与光源的亮度有关:在一定范围内,光电流的最大值随着光源亮度的增加而增加。
这是因为光强增加时,有更多的光子通过透射,相应地导致更多的光电子产生。
这个实验可以进一步扩展的方向包括:通过调节金属或半导体材料的种类和制备方法,研究光电效应的特性;通过改变光强、光波长和光照时间等因素,探讨光电效应的动力学过程等。
总之,光电探测原理实验是一种简单而重要的实验方法,可以帮助我们深入了解光电效应的机理。
通过实验研究光电效应,不仅可以为光电器件的开发提供基础理论支持,也有助于拓展光电材料的应用领域。
光伏探测器光电特性实验讲义

光伏探测器光电特性实验讲义光伏探测器光电特性实验光电二极管与光电池是根据光伏效应制成的pn 结光电器件,短路电流与入射光强成正比是其一个突出优点,在精确测量光强时常用作光探测器。
光敏电阻是基于光电导效应原理工作的半导体光电器件,灵敏度高,体积小,重量轻,常用于自动化技术中的光控电路。
【实验目的】1. 观测光电二极管的光电特性;2. 观测光电池的光电特性。
【仪器仪器】光电二极管,光电池,直流电源,小灯泡(6V ,0.15A ),数字万用电表两块(其中一块表有直流电流200A μ量程),电阻箱,实验暗箱等。
如图1所示。
图1 光伏探测器光电特性实验仪实验装置技术指标1.直流电源 0-4V 连续可调,显示分辨率0.01V ; 2.电阻箱0-99999.9Ω可调,分辨率0.1Ω;3.数字万用表电流测量分辨率0.01A μ(20A μ档); 4.光敏电阻暗电阻大于4M Ω;5.小灯泡额定电压6.3V ,额定电流0.1A 。
6. 传感器移动范围约17cm【实验原理】1. 光伏效应当光照射在pn 结上时,由光子所产生的电子与空穴将分别向n 区和p 区集结,使pn 结两端产生电动势。
这一现象称为光伏效应,如图2所示。
利用半导体pn 结光伏效应可制成光伏探测器,常用的光伏探测器有光电池、光电二极管、光电三极管等。
光电池是根据光伏效应制成的pn 结光电器件。
不需要加偏压就可以把光能转化为电能。
光电池的用途,一是用作探测器;二是作为太阳能电池,将太阳能转化为电能。
光电池的结构示意图及应用电路如图3所示。
光电池的光照特性主要有伏安特性、入射光强-电流(电压)特性和入射光功率-负载特性。
2.光照下的pn 结特性光照下pn 结的伏安特性曲线如图4所示。
无光照时,pn 结的伏安特性曲线和普通二极管的一样。
有光照时,pn 结吸收光能,产生反向光电流,光照越强,光电流越大。
光伏器件用作探测器时,需要加反偏压或是不加偏压。
不加偏压时,光伏器件工作在图4的第四象限,称为光伏图2 pn 结光伏效应原理图(b )(a )图3 光电池的结构示意图(a )及基本应用电路(b )图4 光伏探测器的伏安特性曲线工作模式。
光电探测_电路实验报告

一、实验目的1. 了解光电探测的基本原理和电路组成。
2. 掌握光电探测器电路的设计方法和实验技能。
3. 熟悉光电探测器的性能测试方法,并分析实验结果。
二、实验原理光电探测器是将光信号转换为电信号的器件,其基本原理是光电效应。
当光照射到光电探测器上时,会产生光生电子,从而在探测器两端产生电信号。
本实验主要研究光电二极管和光敏电阻两种光电探测器。
三、实验仪器与设备1. 光源:LED灯、激光器等。
2. 光电探测器:光电二极管、光敏电阻等。
3. 放大器:低频放大器、高频放大器等。
4. 测量仪器:示波器、万用表、信号发生器等。
5. 实验电路板:包含光电探测器、放大器、电源等组件。
四、实验内容及步骤1. 光电二极管特性测试(1)搭建实验电路,将光电二极管与低频放大器相连,并接入电源。
(2)调整光源,使光照射到光电二极管上。
(3)使用示波器观察光电二极管输出信号的波形和幅度。
(4)改变光源强度,观察光电二极管输出信号的变化,分析光电二极管的响应特性。
2. 光敏电阻特性测试(1)搭建实验电路,将光敏电阻与低频放大器相连,并接入电源。
(2)调整光源,使光照射到光敏电阻上。
(3)使用示波器观察光敏电阻输出信号的波形和幅度。
(4)改变光源强度,观察光敏电阻输出信号的变化,分析光敏电阻的响应特性。
3. 光电探测器电路设计(1)根据实验要求,设计光电探测器电路,包括光电探测器、放大器、滤波器等组件。
(2)搭建实验电路,并接入电源。
(3)调整电路参数,使光电探测器电路满足实验要求。
4. 光电探测器电路性能测试(1)使用示波器观察光电探测器电路输出信号的波形和幅度。
(2)调整光源强度,观察光电探测器电路输出信号的变化,分析电路性能。
五、实验结果与分析1. 光电二极管特性测试结果(1)光电二极管输出信号随光源强度增加而增强,符合光电效应原理。
(2)光电二极管输出信号具有较好的线性关系,适合用于光电检测。
2. 光敏电阻特性测试结果(1)光敏电阻输出信号随光源强度增加而减小,符合光敏电阻特性。
光电检测试验讲义

实验一光敏电阻特性参数测量及暗光街灯实验一、实验目的:1、了解光敏电阻的电阻特性,掌握光敏电阻的伏安特性及其随光照强度的变化规律。
2、利用光敏电阻的电阻变化特性,将之作为街灯自动点亮与熄灭的传感器件,掌握基于光敏电阻的暗光街灯的工作原理及应用。
二、实验原理:光敏电阻是最典型的光电效应器件,即其电导率随光照强度而发生变化。
半导体光电导器件是利用半导体材料的光电导效应制成的光电探测器件。
本实验旨在测定光敏电阻在不同光照环境下的电阻值,并测定其伏安特性随光照强度的变化规律。
根据实验测定,光敏电阻的电阻值随光亮度的增大而迅速减小。
利用这一特性,设计了暗光街灯演示实验。
其原理是当环境变暗时光敏电阻的阻值增大,当亮度降低到一定值时,即光敏电阻值增大到某一阈值时,光电传感电路系统自动点亮小灯泡,从而到达与暗光街灯相似的目的。
三、实验所需单元:直流稳压电源,光敏电阻,数字电压表,电流〔毫安〕表,暗光街灯电路,小灯泡〔负载〕,万用表。
四、实验步骤:〔一〕光敏电阻特性测试图1.1 暗、亮电阻的测定图1.2 伏安特性测量电路(1) 光敏电阻的暗、亮电阻测定。
如图3.1所示,用万用表从光敏电子两端测定它在不同光照条件下的电阻值,将测得的结果填入表格。
(2) 光敏电阻伏安特性测定。
按图1.2所示连接各元件和单元,检查连接无误后,开启电源。
用一挡光物〔如黑纸片或瓶盖〕遮住光敏电阻〔视为全暗〕,分别接插不同的电压U值〔可调电压的获取:通过面板“电机控制1”或“电机控制2”的Vin输入5V,V out可输出如0.5,1.0,1.5,2.0,2.5,3.0,3.5,4.0,4.5,5.0V等不同电压值〕,利用电流表测定流过光敏电阻的电流值I,数字电压表测定U值。
改变光敏电阻的光照强度〔如全暗、日光灯、手电筒、激光照射〕,重复测定I与U的关系,可得到图1.3所示的伏安特性关系曲线族。
(3) 分析上述测量结果,进一步了解光敏电阻的光敏特性,掌握其中的变化规律。
实验2光电探测原理实验

实验2 光电探测原理实验
实验目的
1、了解光照度基本知识;
2、了解光照度测量基本原理;
3、学会光照度的测量方法。
实验内容
对光照度进行测量,观察现象。
实验仪器
光电探测原理实验箱 1台
实验步骤
1、插上三相电源线,打开电源开关。
2、顺时针缓慢调节“光照度调节”旋钮,增大光照度,观察照度值的变化。
当表头显示为“1_”时,说明已经超过量程,此时应更换量程为200Lx档。
3、继续缓慢增大光照度,观察照度值的变化。
当表头显示为“1_”时,说明已经超过量程,此时应更换量程为2000Lx档。
4、继续缓慢增大光照度,观察照度值的变化,注意观察在相邻量程转换时候的数值变化。
5、将“光照度调节”旋钮调至最小值位置,照度计档位调到20Lx档,关闭电源。
实验结果
通过实验现象发现,测试结果基本与实验原理吻合,由于仪器的精度等问题,误差是不可避免的;
心得体会:
通过该实验基本了解了光照度的基本知识;了解了光照度测量基本原理;并且学会了光照度的测量方法;虽然在测量过程中,遇到些许问题,但通过不断的调试与发现,最终排除错误,达到实验要求的结果。
思考题
光照度不变,在量程转换的时候照度值读数有什么不同?试分析一下原因。
答:??????。
光电检测技术讲义稿

光源 光电探测器件 光电探测电路 光电探测光路 典型应用
光电检测的优越性
光是一种优秀的信息载体! 直线传播:几何优越性,自然直线基准 非接触:电磁波接触 普通接触~分子间力,电子云重叠 快速:信息以光速传播 高精度、高灵敏: 特征尺寸=光波长<1微米; 横向分辨率~1个波长; 纵向分辨率~1/100波长
光辐射接收管 光辐射发射管
返回
光电信号处理电路
生产线上的光电产品计数
返回
红外防盗报警系统
返回
光电控制水位
发光二极管所发出的光 被导入传感器顶部的透 镜。当液体浸没光电液 位开关的透镜时,则光 折射到液体中,从而使 接收器收不到或只能接 收到少量光线。
返回
光电检测技术的技术基础
1. 2. 3. 4. 5.
入射
在平衡状态下,物体对任一波 长辐射的吸收必然等于该物体 对同一波长的辐射: M=αM黑体 因此有: M黑体= M1/α1=M2/α2 = M3/α3 结论:吸收多——发射多
出射
M黑体
白炽灯incandescent lamp
发明人:爱迪生Thomas EdisonThomas Edison developed this incandescent lamp, or lightbulb, in 1879 由普朗克公式知:温度越高,辐射总量中 可见成分越大。光源的目标——提高辐射 体的温度。
对于上升光照强辐射作用情况下的时间响应强辐射作用情况下的时间响应频率响应特性光敏电阻是依靠非平衡载流子效应工作的非平衡载流子的产生与光敏电阻是依靠非平衡载流子效应工作的非平衡载流子的产生与复合都有一个时间过程这个时间过程在一定程度上影响了光敏电复合都有一个时间过程这个时间过程在一定程度上影响了光敏电阻对变化光照的响应
第六章 1光电探测技术(授课)

Rp
三种形式 ⑴梳状式 玻璃基底上蒸镀梳状金属膜而制成;或在玻璃基底上面 蚀刻成互相交叉的梳状槽,在槽内填入黄金或石墨等导 电物质,在表面再敷上一层光敏材料。如图所示。
光电导体膜
绝缘基底
⑵刻线式 在玻璃基片上镀制一层薄的金属箔,将其刻划成栅状槽,然 后在槽内填入光敏电阻材料层后制成。其结构如下图所示。
2 1 2 1 2 2 2 2
E E 2 E1 E2 cos(t )
1) 直接探测 E1(t)=E2(t)
光 光信号
光
带 通
光
光 电
电 器
探测器
滤波器
直接探测法能检测光强及光强的变化,是非相干 辐射的唯一探测方法 优点: 对相干辐射进行直接探测具有简单、方便、
ic IS
S是该阴极对入射光线的灵敏度
2)光电发射第二定律------爱因斯坦定律
如果发射体内电子吸收的光子能量大于发射体表 面逸出功,则电子将以一定速度从发射体表面发射,光电 子离开发射体表面时的初动能随入射光的频率线性增 长,与入射光的强度无关。
Ek hv E
光电发射大致可分为三个过程: 1. 光射入物体后,物体中的电子吸收光子能量,从基态 跃迁到激发态。 2. 受激电子从受激处出发,向表面运动,其间必然要 同其他电子或晶格发生碰撞而失去部分能量。 3. 到达表面的电子克服表面势垒对其的束缚,即可从 表面逸出形成光电子
光电发射对阴极材料的要求: 1)对光的吸收大,以便体内有较多的电子受激发射。 2)电子受激发生在表面附近,以使碰撞损失尽量小。 3)材料的逸出功要小,使到达真空界面的电子能够比较 容易地逸出 4)作为光电阴极,其材料还要有一定的电导率,电导率 要好,以便能够通过外电源来补充因光电发射所失去 的电子。
光电技术实验讲义 --光电探测部分

光电技术实验讲义--光电探测部分目录实验a 光电倍增管的静态和时间特性的测试 (2)实验b 光电探测器响应时间的测试 (9)验a 光电倍增管的静态和时间特性的测试光电倍增管是一种基于外光电效应(光电发射效应)的器件,由于其内部具有电子倍增系统,所以具有很高的电流增益,从而能够检测到极微弱的光辐射。
光电倍增管的另一大优点是响应速度很快,因此其时间特性的描述和测量都与其它光电器件有所不同。
此外,光电倍增管的光电线性好,动态范围大,因而被广泛应用于各种精密测量仪器和装备中。
由于光电发射需要一定的光子能量,所以大多数光电倍增管工作在紫外和可见光波段,目前在近红外波段也有应用。
由于使用面广,现已有多种结构、多种特性的管子可供选择。
一、实验目的(1)熟悉光电倍增管的静态特性和时间特性,掌握光电倍增管的正确使用方法。
(2)学习光电倍增管的基本特性测量方法。
二、实验内容(1)测量光电倍增管静态特性参数;(2)测量光电倍增管时间特性参数。
三、基本原理1.光电倍增营的主要特性和参数光电倍增管的特性参数,有灵敏度、电流增益、光电特性、阳极特性、暗电流等效噪声功率和时间特性等。
下面介绍本实验涉及到的特性和参数。
(1)灵敏度灵敏度是标志光电倍增管将光辐射信号转换成电信号能力的一个参数,一般指积分灵敏度,即白光灵敏度,单位取μA/lm。
通常,光电倍增管的使用说明书中都分别给出了它的阴极灵敏度和阳极灵敏度,有时还需要标出阴极的蓝光、红光或红外灵敏度。
①阴极灵敏度S k 阴极灵敏度S k 是指光电阴极本身的积分灵敏度。
测量时光电阴极为一极,其它各电极连在一起为另一极,在其间加上100~300V电压,如图1-1所示。
照在阴极上的光通量通常选在10-9~10-2lm的数量级,因为光通量过小会由于漏电流的影响而使光电流的测量准确度下降,而光通量过大也会引起测量误差。
②阳极灵敏度S A阳极灵敏度S A是指光电倍增管在一定工作电压下阳极输出电流与照在阴极面上光通量的比值。
光电仪器原理与设计第6章光电探测器课件

• 光电倍增管特点
✓ 响应速度快 ✓ 响应度极高 ✓ 稳定度线性度较好
光电倍增管的应用
单光子探测技术 正电子发射断层扫描仪PET 紫外/可见/近红外光光度计 发光分光光度计
23
内光电效应原理
• 当光照射某种物质时,若入射光子能量足够大,和物质中 的电子相互作用,受激发产生的自由电子仍留在物体内部, 导致物体导电性加强、出现电势差或产生其他效应
• 取不同的参数为参变量可得到
✓ 伏安特性,灵敏度/响应度,光谱灵敏度,幅频特性等
17
第二节 光电探测器的工作原理与分 类
• 客观光探测原理的分类
✓ 光照后探测器材料产生物理或化学变化 ✓ 光子效应:探测器吸收光子后,直接引起原子或分子的内部电子
状态的改变。对光波频率有选择性。响应速度一般较快。 • 外光电效应:光电子发射、光电子倍增 • 内光电效应:光电导、光生伏特效应等
✓ 这样如光电管(灵敏度低)、光敏电阻(线性度差)、光电池 (响应速度慢)之类的器件难以满足要求。其它如光电倍增管、 雪崩光电二极管虽然有优越的探测性能,尤其是灵敏度极高,但 本系统是常规激光光强探测,没有微弱信号探测方面的需求,没 有必要选用这两种器件。
(l)
e
Pel d l
e
l Pel d l
R(l)hc el
✓ h:普朗克常量h,c:光速,e:电hc子电量
13
光电特性——噪声等效功率
• NEP(noise equivalent power)
✓ 指明器件可检测的最小辐射功率 ✓ 探测器输出信号电压的有效值Vs等于噪声均方根电压值Vn时,对
应的入射光功率(单位:W)
19
外光电效应器件——光电管
• 光电管(photocell)
光电探测原理实验(通达)

。
实验内容三 光电二极管的伏安特性测试
• 实验装置连接图如图所示。
分别测量光电二极管在2000Lx、4000Lx、 6000Lx和8000Lx照度下,不同偏压下的 光生电流值,并分别作出伏安特性曲线。
偏压(V) 0 -2 -4 -6 -8 -10
2000Lx
光生电流 (μ A ) 4000Lx 6000Lx
光电二极管的光电特性
光电二极管的伏安特性
光电池
• 光电池是一种直接将光能转换为电能的光电器 件。 • 光电池在有光线作用时实质就是电源,电路中 有了这种器件就不需要外加电源。 • 光电池的工作原理是基于“光生伏特效应”。 它实质上是一个大面积的PN结,当光照射到 PN结的一个面,例如P型面时,若光子能量大 于半导体材料的禁带宽度,那么P型区每吸收 一个光子就产生一对自由电子和空穴, 电子空穴对从表面向内迅速扩散, 在结电场的作 用下,最后建立一个与光照强度有关的电动势。
E I/L
光电二极管
• 光电二极管的核心部分也是一个PN结, 和普通二极管相比有很多共同之处,它 们都有一个PN结,因此均属于单向导电 性的非线性元件。 • 光电二极管在电路中一般是处于反向工 作状态。在没有光照射时,反向电阻很 大,反向电流很小,这个反向电流称为 暗电流。 • 光电二极管在不受光照射时处于截止状 态,受光照射时处于导通状态。
•
•
光照度调节至2000Lx,测量不同负载下 的光生电流和电压,完成下表。并根据所 测数据作出光电池的光生电流和光生电压 随负载变化的V-I曲线。 改变光照度为4000Lx、6000Lx、8000Lx, 重复上述步骤,测量不同光照度下的V-I 曲线。
负载(kΩ ) 2000Lx
2.4(RL1) 5.6(RL2) 10(RL3) 51(R1) 100(R2)
光实验报告电探测

一、实验目的1. 了解光电探测器的原理和特性;2. 掌握光电探测器光谱响应曲线的测量方法;3. 分析光电探测器的脉冲法、幅频特性法和截止频率法的应用。
二、实验原理光电探测器是一种将光信号转换为电信号的装置,其基本原理是光电效应。
当光照射到光电探测器表面时,光子将能量传递给电子,使电子从价带跃迁到导带,产生光电子。
这些光电子在外加电场的作用下,会形成电流,从而实现光信号向电信号的转换。
三、实验器材1. 光电二极管;2. 光源;3. 光谱分析仪;4. 脉冲信号发生器;5. 示波器;6. 阻抗箱;7. 数据采集卡。
四、实验步骤1. 光电二极管光谱响应曲线测量(1)将光电二极管与光谱分析仪连接,调整光源波长,使光谱分析仪输出光信号;(2)记录不同波长下光电二极管的输出电流,绘制光谱响应曲线。
2. 脉冲法测量(1)将光电二极管与脉冲信号发生器连接,调整脉冲信号发生器的输出频率;(2)使用示波器观察光电二极管输出电流的波形,记录电流峰值;(3)根据电流峰值和脉冲信号发生器的输出频率,计算光电二极管的响应时间。
3. 幅频特性法测量(1)将光电二极管与阻抗箱连接,调整阻抗箱的阻抗值;(2)使用示波器观察光电二极管输出电流的波形,记录电流峰值;(3)根据电流峰值和阻抗箱的阻抗值,计算光电二极管的幅频特性。
4. 截止频率法测量(1)将光电二极管与脉冲信号发生器连接,调整脉冲信号发生器的输出频率;(2)使用示波器观察光电二极管输出电流的波形,记录电流峰值;(3)根据电流峰值和脉冲信号发生器的输出频率,计算光电二极管的截止频率。
五、实验结果与分析1. 光电二极管光谱响应曲线根据实验数据,绘制光电二极管的光谱响应曲线。
从曲线可以看出,光电二极管在特定波长范围内具有较高的灵敏度。
2. 脉冲法测量根据实验数据,计算光电二极管的响应时间为t = 0.1μs。
3. 幅频特性法测量根据实验数据,计算光电二极管的幅频特性为 f = 1MHz。
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--光电探测部分
目
录
实验 a 光电倍增管的静态和时间特性的测试 ………………………… (2) 实验 b 光电探测器响应时间的测试 …………………………………… ( 9)
1
验 a 光电倍增管的静态和时间特性的测试
光电倍增管是一种基于外光电效应 (光电发射效应)的器件, 由于其内部具有电子倍增系 统,所以具有很高的电流增益,从而能够检测到极微弱的光辐射。 光电倍增管的另一大 优点是响应速度很快,因此其时间特性的描述和测量都与其它光电器件有所不同。 此外, 光电倍增管的光电线性好,动态范围大,因而被广泛应用于各种精密测量仪器和装备中。 由于光电发射需要一定的光子能量,所以大多数光电倍增管工作在紫外和可见光波段,目 前在近红外波段也有应用。由于使用面广,现已有多种结构、多种特性的管子可供选择。 一、实验目的 ( 1)熟悉光电倍增管的静态特性和时间特性,掌握光电倍增管的正确使用方法。 ( 2)学习光电倍增管的基本特性测量方法。 二、实验内容 ( 1)测量光电倍增管静态特性参数; ( 2)测量光电倍增管时间特性参数。 三、基本原理 1.光电倍增营的主要特性和参数 光电倍增管的特性参数,有灵敏度、电流增益、 光电特性、阳极特性、暗电流等效噪声功率和时间特性等。下面介绍本实验涉及到的特性 和参数。 ( 1)灵敏度 灵敏度是标志光电倍增管将光辐射信号转换成电信号能力的一个参数, 一般指积分灵敏度,即白光灵敏度,单位取μA/lm 。通常,光电倍增管的使用说明书中都 分别给出了它的阴极灵敏度和阳极灵敏度,有时还需要标出阴极的蓝光、红光或红外灵敏 度。 ①阴极灵敏度 S k 阴极灵敏度 S k 是指光电阴极本身的积分灵敏度。测量时光电阴极 为 一极,其它各电极连在一起为另一极 ,在其间加上 100~ 300V 电压,如图 1- 1 所示。照在 阴极上的光通量通常选在 10-9 ~10-2 lm 的数量级, 因为光通量过小会由于漏电流的影响而使 光电流的测量准确度下降,而光通量过大也会引起测量误差。 ②阳极灵敏度 SA 阳极灵敏度 S A 是指光电倍增管在一定工作电压下阳极输出电流与照 在阴极面上光通量的比值。它是一个经过倍增以后的整管参数,在测量时为保证光电倍增 管处于正常的线性工作状态,光通量要取得比测阴极灵敏度时小,一般在 10 -10~ 10-5 lm 的 数量 级。
图 1-6 光电倍增管输出等效电路
四、实验装置
光电倍增管静态特性参数测试装置 静态特性参数测试装置如图 1—7 所示。 这是一 个光屏蔽的暗箱,分光源室和测试室两部分。
5
图 1—7 光电倍增管特性参数测试装置 白炽灯放置在光源室中,位于透镜的焦点上。白炽灯灯光经过透镜后成为平行光射入 测试室中,在平行光路里放置了若干抽插式的中性衰减片。最后照射到光电倍增管的阴极 面上。光电倍增管的输出电流可有检流计测出,也可由数字电压表测量负载的电压得到。 本实验选用 GDB-24 型光电倍增管,它的管脚和名称见附录。
五、实验步骤
1. 测阴极伏安特性 (1)将光电倍增管插入阳极特性测试所用的分压器中,其特性是以阴极作阴极,以第 — 倍增极做阳极,其余倍增极和阳极与第一倍增极连接一起。 (2)把光电倍增管放入测试室中,并连接好电源线及输出线。抽出衰减片,检查光屏蔽。 (3)在与阳极测量时同样的光强下,接通直流稳压电源,测量阴极电流与电压的关系。 如果采用标准光源或直接测出光通量则可同时输出灵敏度。 2.测阳极伏安特性 (1)点亮白炽灯,并记下此时的光源电压; (2) 打开光电倍增管电源,测出倍增管阳极电流和倍增管电压的关系; (3)断开光电倍增管电源,并关端白炽灯。
4
非线性偏离
K
D1 D2
D3 D4
光电倍增管的分压电路
① .级间电压分配 光电倍增管的极间电压可按前级区、中间级、和末级区加以考虑。 前 级区的收集电压必须足够高,以使第一倍增级有高的收集效率和大的次级发射系数。中间 级区的各级间通常具有均匀分布的级间电压,以使管子给出最佳的增益。由于末级区各级 特别是末级支取较大的电流,所以末级区各级间电压不能过低,以免形成空间电荷效应而 使 管子失去应有的直线性。 ②分压电流 当阳极电流增大到与分压器相比拟时,将会导致末级区各级间电压的大幅 度下降,从而使光电倍增管出现严重的非线性。为防止级间电压的再分配以保证增益稳定, 分压器电流至少为最大阳极平均电流的 20 倍。对于直线性要求很高的应用场合,分压器电 流应至少为最大阳极平均电流的 100~500 倍。 ③分压电阻 确定了分压器电流 就可以根据光电倍增管的最大阳极电压算出分压器 的总电阻再按照适当的级间电压分配,由总电阻求出各分压电阻的阻值。 (3) 输出电路 光电倍增管的输出是电荷, 且其阳极几乎可作为一个理想的电流发生器 来考虑。因此输出电流与负载阻抗无关。但实际上,对负载的输入阻抗却存在着一个上限, 因为负载电阻上的电压降明显地降低了末级倍增极与阳极之间的电压,因而会降低放大倍 数,致使光电特性偏离线性。 ①直流输出电路 对于直流信号,光电倍增管的阳极能产生达数十伏的输出电压,因 此可使用大的负载电阻。检流计或电子微电流计可直接接至阳极,此时就不再需要串接负 载电阻。 ②脉冲输出电路 光电倍增管输出电压的相应等效电路是电流源与负载电阻的 RL 和输 出电容 CL 并联的电路,如图 1—6 所示。 阳极电路对地的电容 CL 起着 RL 的旁路作用,从而使输出波形畸变,对于宽度很窄的 脉冲,时间常数τ=RC 应远小于光脉冲的宽度。 i(t) RL CL Vo(t)
3
式 的光脉冲时,阳极输出的电脉冲是展宽的。在闪烁计数应用中,如果入射射线之间的时间 间隔极短,则因这种展宽将使输出脉冲发生重叠而不能被分辨。因此对输出脉冲波形的时 间特性要用以下几个参数表示(见图 1- 4) : ①脉冲上升时间 t r 定义为用δ函数光脉冲照射整个光电阴极时,从阳极输出脉冲幅度 的 0.1 上升至脉冲幅度的 0.9 所需要的时间(ns) 。 ②脉冲响应宽度 t n 即脉冲半宽度,指阳极输出脉冲半幅度点之间的时间间隔。 ③渡越时间分散 Δt 因为它是造成阳极输出脉冲展宽的主要原因, 所以有时就用它来 代表时间分辨率。Δt 定义为当用重复的δ函数光脉冲照射到管子的阴极时,在阳极回路中 所产生的诸输出脉冲上某一指定点(如半幅点)出现时间的变动,测量时通过时间幅度转 换器把时间变动量转换成具有一定幅度的时间谱,取其半宽度来表示时间分辨率,单位 为 ns。 进行光电倍增管的时间参数测试时,需要利用δ函数脉冲光源。 δ函数脉冲光源指的是能够提供具有有限积分光通量和无限小宽度的光脉冲光源光, 在进行光电倍增管的时间参数测试时,只要光源的上升时间和下降时间和半宽度 FWHM 均 不超过管子输出脉冲的相应时间参数的三分之一,则该光源即可称为 δ函数脉冲光源。目 前可作为δ函数脉冲光源的有发光二极管、激光二极管、汞湿式火花光源、切仑可夫光源 和钇铝石榴石锁模激光器等。
表 1-1 序号 1 2 3 4 5 6
极限工作条件(GDB-24) 单位 V μA Im nm ℃ % 400 -30 最小值 最大值 1000 100 1150 60 90
工作条件内容 阳极电压 直流输出电流 阴极受照光通量 光谱响应范围 环境温度 环境相对湿度
表 1-2
主要参数
6
阴极参数 光照灵敏度/(μA· 1m )
4
10-7
IA
暗电流/A
3 2
Ф1> Ф2> Ф3 Ф1 Ф2 Ф 3
10-8
10-9
1
10-10 0
20
40
60
80
100 120
140
VH 图 1-2 典型阳极特性曲线 图 1-3
极间电压/V
931-A 型光电倍增管的暗电流分量 与极间电流的关系
1— 经过放大后的热发射电流; 2— 漏电流;3—暗电流的总和; 4—不稳定状态的区域
在开启高压电源时请注意:
在开启开关前,首先要检查各输出旋钮是否已调到最小。打开电源开关,一定要预热 1 分钟后再输出高压。关机程序和开机相反。
六、实验报告
( 1)作出暗电流与阳极电压之间的关系曲线 ( 2)作出某一光强下阳极电流与阳极电压之间的关系曲线。 ( 3)作出与第(3)项同样光照下,阴极电流和外加电压的关系曲线。
2
式中 IA 为阳极信号电流;IK 为阴极信号电流。放大倍数 G 主要取决于系统的倍增能力,因 比它也是工作电压的函数。上述的阳极灵敏度就包含了放大倍数的贡献,于是放大倍数也 可 由在一定工作电压下阳极灵敏度和阴极灵敏度的比值来确定,即 G=SA /SK
(1-2)
(3)阳极伏安特性 当光通量Φ一定时,光电倍增管阳极电流 IA 和阳极与阴极间的总 电 VH 之间的关系为阳极伏安特性,如图 1-2 所示。因为光电倍增管的增益 G 与二次倍增 极电压 E 之间的关系为 G=(bE )n 其中 n 为倍增极数 b 为与倍增极材料有关的常数。所以阳极电流 IA 随总电压增加而急剧上 升,使用管子时应注意阳极电压的选择。另外由阳极伏安特性可求增益 G 的数值。 (4)暗电流 当充电倍增管完全与光照隔绝,在加上工作电压后阳极仍有电流输出, 其输出电流的直流成份称为该管的暗电流,光电倍增管的最小可测光通量就取决于这个暗 电流的大小。 引起暗电流的主要因素有;欧姆漏电、热电子发射、反馈效应(离子反馈和光反馈) 、 场致发射、放射性同位素的核辐射及宇宙射线的切仑可夫辐射。 图 1-3 示出了 931- A 型光电倍增管的暗电流各分量与极问电压的关系。在 50V /级 以下的低电压下,暗电流实际上全部为电极问的欧姆漏电流。当电压升到 100-110V /级, 即在光电倍增管的正常工作范围内暗电流的主要成份是光电阴极和前级倍增极的热发射电 流。电压继续升高时就出现了离子反馈、光反馈甚至场致发射等造成不稳定状态,这也就 是使用电压的极限值。
由于光电倍增管的暗电流是工作电压的函数,所以在给出某管的暗电流时,必须说明 是在达到某一给定的阳极灵敏度所需的多大工作电压下测得的。 (5)时间特性 光电倍增管的渡越时间定义为光电子从光电阴极发射经过倍增极上阳 极的时间。由于电子在倍增过程的统计性质以及电子的初速效应和轨道效应,从阴极同时 发 出的电子到达阳极的时间是不同的,即存在渡越时间分散。因此,当输入信号为δ函数形