一种大葱离体雌核发育诱导单倍体植株的方法[发明专利]

专利名称：一种大葱离体雌核发育诱导单倍体植株的方法专利类型：发明专利
发明人：陈伟,高莉敏,王清华,窦维维
申请号：CN201810820069.7
申请日：20180724
公开号：CN108834899A
公开日：
20181120
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种大葱离体雌核发育诱导单倍体植株的方法。

该方法选取直径为2～
2.5mm的未开放花蕾作为材料，移至4℃的冰箱中进行3d的低温预处理，处理结束后将子房接种到诱导培养基中(MS培养基中添加1.0mg·L2,4‑D和1.5mg·L6‑BA)中进一步诱导成为胚状体，其雌核发育胚诱导率可达10％。

由单倍体加倍获得的双单倍体是重要性状的遗传分析、分子标记及数量性状研究的理想材料，此研究为大葱遗传育种奠定了基础。

申请人：山东省农业科学院蔬菜花卉研究所
地址：250100 山东省济南市历城区工业北路202号
国籍：CN
代理机构：济南诚智商标专利事务所有限公司
代理人：韩百翠
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