切换式LED驱动电路电磁干扰对策
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g i e s ofr e s t r a i ni ng EM I .
Ke y wo r d s : s wi t c h t y p e d i r v e c i r c u i t ; E MI
1概 述 电磁 干扰 ( E l e c t r o m a g n e t i c I n t e r f e r e n c e 简称 E M I ) 是干扰 电缆 信号并 降低 信号完 好性 的 电子 噪音 , 有传 导干 扰和辐 射干扰 两
L E D是一种低 电压直流驱动器件 , 实际应用 中需要把输入 电源转 换成恒流源 。就 目前 电子技术 的发展水平 , 市面上 以 } 刀 换式 转换 器为 L E D驱动 电路 的主流 。
切换式 转换器主要通过功率 晶体管及相关组件 的导通 与截止 , 调节其 输出的电压或 电流( 功率) , 达到 电能转换 的功 效。然而 , 功率晶体管在导通与截止切换时 , 往往会产 出可观 的高频 噪声。此高频噪声除 了会造成能 量的耗损 以及干扰 电路 动作 外 , 也会形
成 电磁 干扰 。因此 , 如何降低 E MI , 就成 了设 计切换式 L E D驱动 电路 必须 面对 的重 大课 题。
2E MI 成 因
E MI 主要是 南电路上瞬 间变化 的电压或 电流信 号产生 , 其大小视单位 时间电压变化率 ( d v / d t ) 或 电流变化 率( d i / d t ) 而定 , 通常 越 大的 d v / d t 或d i / d t 会产生越大 的E MI 噪声 。在切 换式 L E D驱动 电路 中, 主要 的E MI 噪声来 自于功率晶体管 、 磁性组件 、 二极管等 功率型开关 组件。因此 , 如何降低各组件 、 各 电路节点或 回路上 的 d v / d t 或d i / d t , 是E MI 对策的首要之务 。除此 之外 , 还要注意 电路 上 的电场及磁场 的耦合路 径 , 通常 d v / d t 较大 的电路节 点或组件 , 电场耦合效应 比较明显 ; d i / d t 较大 的电路节点或组件 , 则会有较大 的磁场 耦合效应 。因此 , 必须仔 细规 划 P C B L a y o u t 及组件摆放位置 , 以期 能将 电场, 磁场 耦合效应辐射 降到最小 , 减少 E M I 噪声 的 传 导或辐射。另一方面 , 实 际电路上 由于非理想组件 、 P C B L a y o u 及系统架构所产生之非理想性 寄生组件 ( 杂散电感及寄生 电容 ) , 对E MI 影 响也不容小觑 。所 以 , 在E MI 对 策时 , 也必须掌握 非理想性寄生组 件 的特性 , 才能对 症下药降低非 理想性寄 生组件 的影 响, 进而降低 E MI 噪声 。可 以认 为E MC问题的研究就是对干扰源 、 耦合途径 、 敏感设 备三者之间关系的研究。 上述 有不少 E MI 的设计考虑 及观念为通用 法则 , 并不受 限于切 换式 L E D驱动 电路 的架构 。亦 可应用于其他 不同架构 的 L E D 驱 动电路 , 理 论上也会有相 同的效果或趋 势。
此外 , E MI 的形成又可分 为共模 幅射 ( C o mm o n Mo d e ) 和差模 幅射 ( D i f f e r e n t i a l Mo d e ) 两类 。共模 幅射 包括共地 阻抗之共模 f扰
( C o m mo n — Mo d e C o u p l i n g ) 和 电磁场对 导线的共模干扰 ( F i e l d t o c a b l e / t r a c e c 0 mm o n — Mo d e C o u p l i n g ) , 前者是 因杂讯 产生源与受害 电路 间共用同一接地电阻所产生 的共模 干扰 ; 后者则为 高电磁 能量所形成的 电磁场对设备 间之 配线所造成对 导线 的差模 干扰 ( C a b l e t o C a b l e D i f f e r e n t i a l — M o d e C o u p l i n g ) , 干扰途径 为某一导线 内的干扰 杂讯感染 到其 他导线 而馈 入受害电路 , 属于近场干扰的一种。
XU Hu a
( Xi a me n Ke r u n El e c t r o n i c Te c h n o l o g y Co . L t d, Xi a me n 3 6 1 0 0 6 , Ch i n a )
Ab s t r a c t :Th e p a p e r d i s c u s s e d me a s u i r n g me t h o d o f E MI , a n a l y z e d t h e c a u s e o f L E D s wi t c h t y p e d r i v e c i r c u i t a n d o f f e r e d s t r a t e
关键词 : 切 换 式 驱 动 电路 ; E MI
中图分类号: 0 4 4 文献标识码 : A 文章编号 : 1 0 0 9 — 3 0 4 4 ( 2 0 1 4 ) 1 3 — 3 1 3 5 — 0 4
Co u n t e r me a s u r e s f o r E l e c t r o ma g n e t i c I n t e r f e r e n c e o f LED S wi t c h Ty p e Dr i v e Ci r c u i t
种。传导干扰是指通过导 电介质( 实体的 电源线或 信号导线) 把一个 电网络上 的信 号耦 合到另一个 电网络 , 有机 会干扰 同一 电源线 的电气设备; 辐射干扰是指 南于电场/ 磁场耦 合效应使干扰 源通过空 间把其信 号耦合( 干扰1 到另一个 电网络 , 有 可能干扰 附近 的电 气 设备或影响人体健康 。传导性 E MI 通常发生在较低之频段 , 而辐射性 E MI 噪声 的频率通常较高 。
I S SN 1 0 0 9 -3 0 4 4
E — ma i l : k f y j @ d n z s . n e t . c n
h t t p : / / w ww. d n z s . n e t . C H
65 69 09 6 4
C o mp u t e r K n o w l e d g e a n d T e c h n o l o g y电脑 知 识 与技术
Vo 1 . 1 0 . No . I 3 . Ma y 2 0 1 4
切换式 L E D驱动 电路 电磁干扰对策
徐华
( 厦¨科润电子技术有 限公 司, 福建 厦门 3 6 1 0 0 6 )
摘要 : 讨论 了E MI 测量方法, 分析 了切换式 L E D驱动 电路 的E MI 成 因, 给 出了抑制E MI 的对策。
Ke y wo r d s : s wi t c h t y p e d i r v e c i r c u i t ; E MI
1概 述 电磁 干扰 ( E l e c t r o m a g n e t i c I n t e r f e r e n c e 简称 E M I ) 是干扰 电缆 信号并 降低 信号完 好性 的 电子 噪音 , 有传 导干 扰和辐 射干扰 两
L E D是一种低 电压直流驱动器件 , 实际应用 中需要把输入 电源转 换成恒流源 。就 目前 电子技术 的发展水平 , 市面上 以 } 刀 换式 转换 器为 L E D驱动 电路 的主流 。
切换式 转换器主要通过功率 晶体管及相关组件 的导通 与截止 , 调节其 输出的电压或 电流( 功率) , 达到 电能转换 的功 效。然而 , 功率晶体管在导通与截止切换时 , 往往会产 出可观 的高频 噪声。此高频噪声除 了会造成能 量的耗损 以及干扰 电路 动作 外 , 也会形
成 电磁 干扰 。因此 , 如何降低 E MI , 就成 了设 计切换式 L E D驱动 电路 必须 面对 的重 大课 题。
2E MI 成 因
E MI 主要是 南电路上瞬 间变化 的电压或 电流信 号产生 , 其大小视单位 时间电压变化率 ( d v / d t ) 或 电流变化 率( d i / d t ) 而定 , 通常 越 大的 d v / d t 或d i / d t 会产生越大 的E MI 噪声 。在切 换式 L E D驱动 电路 中, 主要 的E MI 噪声来 自于功率晶体管 、 磁性组件 、 二极管等 功率型开关 组件。因此 , 如何降低各组件 、 各 电路节点或 回路上 的 d v / d t 或d i / d t , 是E MI 对策的首要之务 。除此 之外 , 还要注意 电路 上 的电场及磁场 的耦合路 径 , 通常 d v / d t 较大 的电路节 点或组件 , 电场耦合效应 比较明显 ; d i / d t 较大 的电路节点或组件 , 则会有较大 的磁场 耦合效应 。因此 , 必须仔 细规 划 P C B L a y o u t 及组件摆放位置 , 以期 能将 电场, 磁场 耦合效应辐射 降到最小 , 减少 E M I 噪声 的 传 导或辐射。另一方面 , 实 际电路上 由于非理想组件 、 P C B L a y o u 及系统架构所产生之非理想性 寄生组件 ( 杂散电感及寄生 电容 ) , 对E MI 影 响也不容小觑 。所 以 , 在E MI 对 策时 , 也必须掌握 非理想性寄生组 件 的特性 , 才能对 症下药降低非 理想性寄 生组件 的影 响, 进而降低 E MI 噪声 。可 以认 为E MC问题的研究就是对干扰源 、 耦合途径 、 敏感设 备三者之间关系的研究。 上述 有不少 E MI 的设计考虑 及观念为通用 法则 , 并不受 限于切 换式 L E D驱动 电路 的架构 。亦 可应用于其他 不同架构 的 L E D 驱 动电路 , 理 论上也会有相 同的效果或趋 势。
此外 , E MI 的形成又可分 为共模 幅射 ( C o mm o n Mo d e ) 和差模 幅射 ( D i f f e r e n t i a l Mo d e ) 两类 。共模 幅射 包括共地 阻抗之共模 f扰
( C o m mo n — Mo d e C o u p l i n g ) 和 电磁场对 导线的共模干扰 ( F i e l d t o c a b l e / t r a c e c 0 mm o n — Mo d e C o u p l i n g ) , 前者是 因杂讯 产生源与受害 电路 间共用同一接地电阻所产生 的共模 干扰 ; 后者则为 高电磁 能量所形成的 电磁场对设备 间之 配线所造成对 导线 的差模 干扰 ( C a b l e t o C a b l e D i f f e r e n t i a l — M o d e C o u p l i n g ) , 干扰途径 为某一导线 内的干扰 杂讯感染 到其 他导线 而馈 入受害电路 , 属于近场干扰的一种。
XU Hu a
( Xi a me n Ke r u n El e c t r o n i c Te c h n o l o g y Co . L t d, Xi a me n 3 6 1 0 0 6 , Ch i n a )
Ab s t r a c t :Th e p a p e r d i s c u s s e d me a s u i r n g me t h o d o f E MI , a n a l y z e d t h e c a u s e o f L E D s wi t c h t y p e d r i v e c i r c u i t a n d o f f e r e d s t r a t e
关键词 : 切 换 式 驱 动 电路 ; E MI
中图分类号: 0 4 4 文献标识码 : A 文章编号 : 1 0 0 9 — 3 0 4 4 ( 2 0 1 4 ) 1 3 — 3 1 3 5 — 0 4
Co u n t e r me a s u r e s f o r E l e c t r o ma g n e t i c I n t e r f e r e n c e o f LED S wi t c h Ty p e Dr i v e Ci r c u i t
种。传导干扰是指通过导 电介质( 实体的 电源线或 信号导线) 把一个 电网络上 的信 号耦 合到另一个 电网络 , 有机 会干扰 同一 电源线 的电气设备; 辐射干扰是指 南于电场/ 磁场耦 合效应使干扰 源通过空 间把其信 号耦合( 干扰1 到另一个 电网络 , 有 可能干扰 附近 的电 气 设备或影响人体健康 。传导性 E MI 通常发生在较低之频段 , 而辐射性 E MI 噪声 的频率通常较高 。
I S SN 1 0 0 9 -3 0 4 4
E — ma i l : k f y j @ d n z s . n e t . c n
h t t p : / / w ww. d n z s . n e t . C H
65 69 09 6 4
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Vo 1 . 1 0 . No . I 3 . Ma y 2 0 1 4
切换式 L E D驱动 电路 电磁干扰对策
徐华
( 厦¨科润电子技术有 限公 司, 福建 厦门 3 6 1 0 0 6 )
摘要 : 讨论 了E MI 测量方法, 分析 了切换式 L E D驱动 电路 的E MI 成 因, 给 出了抑制E MI 的对策。