gfp840-东莞市华索电子有限公司

GFP 840
概述
GFP 840是增强型N沟道功率场效应管，采用平面条形DMOS工艺生产制造。

该产品具有低导通电阻、优越的开关特性以及抗雪崩击穿能
力。

该产品适用于开关电源、电子镇流器等等。

极限参数，除非另有规定，T=25℃
参数符号额定值单位
漏源反向击穿电压BV DSS 500 V 连续漏极电流I D 8 A 栅极电压V GS ±20 V
雪崩能量E AS 520 mJ 耗散功率P D 125 W 储存温度T STG -55 –150 ℃热阻（结到壳）RθJC 1..67 ℃/W
正向压降V SD 1.4 V
参数名称 符号 最小值 典型值最大值单位 测试条件 开启电压 V GS (th) 2.0
-
4.0
V
V DS =V GS I D =250µA
栅源漏电流 I GSS - - ±100 nA V GS =±20V , V DS =0V 漏源漏电流 I DSS - - 10 µA V DS =500V , V GS =0V
导通电阻 R DS (on) - 0.75 0.85 Ω
V GS =10V , I D =4A 输入电容 C iss - 1300 - 输出电容 C oss - 200 - 传输电容 C rss - 18 - pF V GS =0V ,V DS =25V ,
F=1.0MHZ 导通延迟时间 td (on)
-
19
-
上升时间 t r - 11 - 下降延迟时间 td (off) - 11.5 -
下降时间 t f - 11 - ns
V DD =250V ,I D =8A,
R G =25Ω
栅极存储电荷 Q g - 39 50 栅源电荷 Q gs - 10.6 - 栅漏电荷 Q gd
- 13.7 -
nC V DS =400V ,V GS =10V ,
I D =8A,。