华南理工大学_电力电子技术_A卷_附答案
华南理工大学电力电子技术第一次作业
C、单相全控桥接续流二极管电路，D、单相半控桥整流电路。
答题： A. B. C. D.
参考答案：A
13.逆变角太小会造成逆变失败。
答题： 对. 错.
参考答案：√
14.逆变失败，是因主电路元件出现损坏，触发脉冲丢失，电源缺相，或是逆变角太小造成的。
答题： 对. 错.
A．1，B．0.5，C．0.45，D．0.9.
答题： A. B. C. D.
参考答案：C
6.在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。（）
答题： 对. 错.
参考答案：√
7.α为( )度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A. 0度B. 60度C. 30度D. 120度
答题： A. B. C. D.
参考答案：C
8.三相半波可控整流电路的自然换相点是( )
A.交流相电压的过零点；
B.本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处；
C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°；
D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。
答题： A. B. C. D.
参考答案：B
9.α为( )度时，三相桥式全控整流电路，带电阻性负载，输出电压波形处于连续和断续的临界状态。
参考答案：√
15.带平衡电抗器的双反星型可控整流电路适用于（）负载。
A、大电流
B、高电压
C、电动机
D、小电流
答题： A. B. C. D.
参考答案：A
A. 0度B. 60度C. 30度D. 120度
答题： A. B. C. D.
参考答案：B
电力电子技术试题20套及答案
1.考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。
4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
《 模拟电子技术 》试卷A-附答案(华南理工大学)
诚信应考,考试作弊将带来严重后果！华南理工大学期末考试《 模拟电子技术 》试卷A (2011.07.04)1. 考前请将密封线内填写清楚；2. 闭卷考试；所有题均直接答在试卷纸上；选择题(在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。
每小题2分，共20分) ．二极管D 的正偏电压D 0.62V U =，电流D 1mA I =，其交流电阻d r = ( )。
A ．620ΩB ．13ΩC ．26ΩD ．310Ω．集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( )。
A ．抑制温漂B ．增大放大倍数C ．展宽频带D ．降低输出电阻 ．已知图1所示电路中 V CC ＝12V ，R c ＝3kΩ，静态管压降 CEQ ＝6 V ；输出端负载电阻 R L =3 kΩ，若发现电路输出电( )。
A ．R W 减小 B ．R c 减小C ．V CC 减小D ．R b 减小．用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻 R e ，将使电路的( )。
A ．差模放大倍数增大B ．对共模信号抑制能力增强C ．差模输入电阻增大D ．输出电阻降低．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )，而低频信号作用时放( ) 。
A ．耦合电容和旁路电容的存在B ．半导体管极间电容和分布电容的存在。
C ．半导体管的非线性特性D ．放大电路的静态工作点不合适图16．欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入 ( )。
A ．电压串联负反馈B ．电压并联负反馈C ．电流串联负反馈D ．电流并联负反馈7．欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用( )；将方波电压转换成三角波电压，应选用( )。
A ．积分运算电路B ．微分运算电路C ．反相比例运算电路D ．乘方运算电路8．如图2所示框图，要使由基本放大电路及正反馈网络构成的电路能产生正弦波振荡，其起振条件是( )。
(n 为整数)A. πA F n ϕϕ+=，1=F AB. 2πA F n ϕϕ+=，1>F AC. 2πA F n ϕϕ+=，1=F AD. πA F n ϕϕ+=，1>F A9．若图3所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U CES │， 则最大输出功率 P om ＝( )。
华南理工大学《电工学》考试真题4
华南理⼯⼤学《电⼯学》考试真题4华南理⼯⼤学《电⼯学》考试真题4华南理⼯⼤学期末考试A1. Consider the circuit shown in Fig.1 given that U S1=6V , U S2=10V , R 1=4Ω, R 2=2Ω, R 3=4Ω, R 4=1Ω, R 5=10Ω. Find the value of I 1, I 2, I 3, I 4, I 5 and V AB . （6 scores ）S 2Fig.12. Consider the circuit shown in Fig.2, the two ideal diodes are of the same type, v i =6sinwt V , please judge the state of D 1 and D 2 (on or off) and plot the waveform of voltage v O . （6 scores ）v i =6sinFig.23．Consider the circuit shown in Fig.3 given that U S =1V , I S =1A, R 1=R 2=R 3=1Ω. Determine current I 1, I 2 and voltage U in superposition, which elements are supplying power? （8 scores）U SFig.34．Find the Thevenin equivalent circuits for the two-terminal circuit shown in Fig.4 given that R 1=R 2=2k Ω, R 3=0.4k Ω.（10 scores ）ABFig.45. Consider the circuit shown in Fig.5 given I S =9mA, R 1=6k Ω, R 2=3k Ω, C =2µF. The switch S has been open for a long time, and then closed at t = 0, please find theu t C ()after S is closed. (10 scores)2Fig.56. Consider the sinusoidal circuit shown in Fig.6 given that R=8Ω, X L =6Ω, I 1rms =I 2rms =0.2A. Find the value of I rms , V rms , the power factor and reactive power of the total circuit. （10 scores ）CFig.67.A balanced positive-sequence wye three-phase source has line-to-line voltages of 380V rms. this source is connected to a balanced wye-connected load in Fig.7. Each phase of the load is Z=3- j4 . Find the instantaneous current of i a A , i b B , i c C , i Nn ,the apparent power, average power and the reactive power delivered to the load. Assume that the phase of V ab is zero. （10 scores ）Fig.78. Consider the circuit shown in Fig.8 given that R 1=R 2=R 3=10kΩ, R F =20kΩ, u I1= 1V , u I2= 2V , u I3= -1V ,. Find the value of output voltage u O . （10 scores ）u I2u I1uOFR 1R 2R 3u I 39.Transistors are operating in the active region in Fig.9, assume that: β=50, r π=1kΩ, determine ：（1）plot small signal equivalent circuit ；（2）calculate input resistor r i and output resistor r o ；（3）voltage gain A u . (12 scores).Ωu o 12V+－v oFig.910. Consider the source follower illustrated in Figure 10, determine: (1) plot small signal equivalent circuit; (2) Compute the voltage gain, input resistance, and outputresistance. (10 scores)(t v Lfig.1011. Consider the circuit shown in Fig.11, write the logic formula and make simplification in De Morgan’s law, analyze its lo gic function. (8 scores)1.I 1=I 2=S112U R R +=1A 2I 3=I 4=S2U R R 34+=2A 4 I 5=0A5V AB = 0V62.1. When v i >=3V, D 1 on, D 2 off,v o =3V2. When v i <=-3V, D 1 off, D 2 on,v o =-3V 2. When -33．U ''原图U S"I S acts alone ：I 1'=I 2'=0.5I S =0.5A U'=R 3I S +R 2I 2'=1.5V2U S acts alone ：''=''=+=I I U R R 1212 05SA .U"=R 2I 2"=0.5V4so ：I 1=－I 1'+I 1"=0I 2=I 2'+I 2"=1A U =U'+U"=2V电流源I S 是电源84．原电路化为下图：AB 0U U U U R R R U 0S S1SS V ==+-+?='121386R R R R 031214=+=//.k Ω等效电压源电路如下图所⽰： 105.u u I R C C ()()00541+-===S V2 u I R R R R C ()∞=+=SV 1212184τ=+=?-R R R R C 12123410 s6u t u u u C C C C t()()()()=∞+-∞+-0eτ=+-1836250e V t106.CFig.6 Assume ：∠=0V V rms1λ12208=+=R R XL.1369=.o then: -∠=9.362.01rms I A∠=902.02rms I A,?∠=+=6.26179.021rms rms rms I I I A A I rms 18.0= 5 ?∠=+=02)(1L rms rms jX R I V7 Power factor:λ==cos .0898 Reactive power:16.0sin ==?rms rms I V Q Var107.().15531Z R X C =-=∠-?j ΩA B 3800 VU ?=∠ (有效值相量)A 220304423.1 A 553.1I ?∠-==∠∠- 2B C 4496.9 A 44143.1 A I I ??=∠-=∠4各线电流瞬时值A 23.1) A i t ω?=+B 96.9) A i t ω?=-C 143.1) A i t ω?=+A i i i i CB A Nn 0=++= 7().232896S U I l l ==?10V A 3 apparent powerP S ==?λ1739.10W 3 average power Q S ==-?sin .?231610Var 3reactive power108.利⽤叠加原理u O V =-05.要点'=-u O V 2(只有u I1输⼊) ''=u O V 3(只有u I2输⼊) '''=-u O V 15.(只有u I3输⼊) u u u u O O O V ='+''+'''=-05. 9.(1)R B1R B24(2)r R r R R R iB be B B B k ===//.//07912Ωr o =Rc 4A R R r u =-=-=-βC L be //.//.502521625 410SOLUTION(t v R L4Lm L m in o v R g R g v v A '1'+==6G ininin R i v R ==8 x x o i v R =11.F ABCA BC ABC A BC ==+由上式可看出，此逻辑电路功能为A 和BC 异则F ＝1，即“异或”电路.。
华南理工大学电工学期末考试试题试卷二及答案
1分
2分 半加器。 四、 （6 分） D 1 导通， D 2 截止 I 2 ＝0 1分
3分 1分 2分
I1 ＝
(12 + 3) mA＝5mA 3
五、 （10 分） 同步六进制计数器 （状态方程 4 分，状态表 4 分，指出功能 2 分）
华南理工大学《电子技术》 （机械类）期末考试试卷答案及评分标准
R2
C RB2 CE
uce
RE
LI •
6．在运算放大器电路中，引入深度负反馈的目的之一是使运放( (a)工作在线性区，降低稳定性 (b)工作在非线性区，提高稳定性 (c)工作在线性区，提高稳定性 7．比较器电路如图 1 所示，其传输特性为图 2 中( )。
uO
)。
ui
R1
- ∞
＋ ＋
R2
3V 图1
60 × 3.9 ≈ −28.9 2 + 61× 0.1
60 × ( 3. 9 / /3. 9 ) = −14 . 4 2 + 61 × 0.1
2分
2分
=−
1分
七、 （4 分） (1)R2，R3 构成串联电压负反馈 (2)R6，R4 支路为 T1 管提供偏流。 瞬时极性标注如图
1分 1分
华南理工大学《电子技术》 （机械类）期末考试试卷答案及评分标准
六、 （12 分）
电路如图所示，已知β=60，rbe=2kΩ，UBE=0.6V，要求： (1)估算此电路的静态工作点；(2)画出该电路的微变等效电路；(3)输出端不接负载 RL 时，求出 放大电路的输入电阻、输出电阻、电压放大倍数；(4) 求输出端接负载 RL = 3. 9 k Ω 时的电压放 大倍数。
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华南理工大学大二电类专业模拟电子技术考试试卷及答案4
华南理工大学期末考试模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（25分）1．二极管最主要的特性是 。
2．三极管是 控制型器件，而场效应管是 控制型器件。
3．射极输出器具有______________恒小于1、接近于1，______________ 和__________同相，并具有_____________高和_______________低的特点。
5．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为_______V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为_________V ，经过电容滤波后为________V 二极管所承受的最大反向电压为 V 。
6、在门电路中，最基本的三种门电路是 门 门和 门。
7．时序逻辑电路按照其触发器是否有统一的时钟控制分为 时序电路和 时序电路。
二、单项选择题 （每小题 2分，总共20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为，则这只三极管是（ ）。
A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ ）。
A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ ）。
A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( )。
A ．不用输出变压器B ．不用输出端大电容C ．效率高D ．无交越失真 5．稳压二极管稳压时，其工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。
A ．正向导通区 B ．反向截止区 C ．反向击穿区 6. 图示逻辑电路的逻辑式为( )。
(a) F =A B +A B(b) F =AB AB +(c) F =AB +A B8. 逻辑代数又称为 代数。
最基本的逻辑关系有 、 、 三种。
华南理工大学 电工与电子技术 2018随堂练习及参考答案
第1章电路的基本概念与基本定律1.(单选题) 如图所示电路中，电流实际方向为__A___。
A． e流向d B. d流向e C. 无法确定2.(单选题) 如图所示电路中，电流实际方向是由d流向e，大小为4A，电流I数值为__ C____。
A． 4A B. 0A C. ―4A3.(单选题) 电流与电压为关联参考方向是指A。
A. 电流参考方向与电压降参考方向一致B. 电流参考方向与电压升参考方向一致C. 电流实际方向与电压升实际方向一致D. 电流实际方向与电压降实际方向一致4.(单选题) 下面说法正确的是C。
A．电压源与电流源在电路中都是供能的。
B. 电压源提供能量，电流源吸取能量。
C. 电压源与电流源有时是耗能元件，有时是供能元件。
D. 以上说法都不正确。
5.(单选题) 计算元件功率时应注意和的正方向，当和的正方向一致时，计算公式＝，当和的正方向相反时，计算公式＝－，计算结果若＞0表示元件（吸收）功率，表明此元件起（负载）作用。
CA. 吸收，电源B. 发出，电源C. 吸收，负载D. 发出，负载6.(单选题) 额定值为110V，60W的一个白炽灯和额定值为110V，40W的一个白炽灯串联后接到220V的电源上，后果是（B）的白炽灯烧坏。
A. 40WB. 60WC. 40W和60W7.(单选题) 如图所示电路中，供出功率的电源是（A ）。
A. 理想电压源B. 理想电流源C. 理想电压源与理想电流源8.(单选题) 如图所示电路，电压源和电流源释放的功率分别为（ B ）A. 12W，-4WB.–12W，4WC. 12W，4WD.–12W，-4W9.(单选题) 电源电动势为3V，内电阻为0.3Ω，当外电路断开时，电路中的电流和电源端电压分为 A 。
A. 0A，3VB. 3A，1VC. 0A，0V10.(单选题) 电源电动势为3V，内电阻为0.3Ω，当外电路短路时，电路中的电流和电源端电压分为D。
A. 10A，3VB. 3A，1VC. 0A ，0VD. 10A，0V11.(单选题) 电容电压与电流的正确关系式应为（B）。
华南理工大学 模电试题 A 附答案讲解学习
华南理工大学期末考试《 模拟电子技术 》试卷A （电类07级，2009.07.06）一、选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。
每小题2分，共14分） 1． 电路如图1所示，二极管的导通电压0.7V D U =，则图1中二极管的工作状态及输出电压值为（ ）。
A.D1导通，D2截止，0.7V OU =B.D1截止，D2导通， 5.3V O U =-C.D1截止，D2截止，12V O U =D.D1导通，D2导通，0.7V OU =2． 图2所示共射放大电路，设静态时2mA CQ I =，晶体管饱和管压降0.6V CES U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。
A. 饱和；底部B. 饱和；顶部C. 截止；底部D. 截止；顶部3． 在图2所示电路中，已知U T =26mV ，静态时2mA CQ I =，晶体管参数：100β=，bb'200r =Ω，正弦交流输入电压i t u ω=，则交流输出o u 为（ ）。
A．o )u t ωπ=+ B．o )u t ω= C．o )u t ωπ=+D．o )u t ω=4． 根据不同器件的工作原理，可判断下图中（ ）可以构成复合管。
（A）（B）（C）（D ）5． 对于RC 耦合单管共射放大电路，若其上、下限频率分别为H f 、L f ，则当L f f =时，下列描述正确的是（ ）。
A ．o U &滞后iU &45︒B ．o U &滞后iU &︒135 C ．o U &超前iU &︒45D ．o U &超前iU &135︒6． 某负反馈放大电路，其开环增益9.9mS iu A =&，反馈系数10uiF k =Ω&，开环输入电阻图15.0i R K '=Ω，可推算出其闭环输入电阻ifR '=（ ）。
A. 500k Ω；B. 50k Ω；C.50Ω；D. 5Ω7． 如下图4所示单相桥式整流、电容滤波电路，电容量足够大时，已知副边电压有效值为210V U =，测得输出电压的平均值() 4.5V O AV U =，则下列描述正确的是（ ）。
华南理工网络教育电力电子技术模拟题答案完整版
1. 按照电力电子器件能够被控制电路所控制的程度，可以将电力电子器件分为：__半控 ___型器件，__ 全控___
器件，不可控器件等三类。
2. 晶闸管的工作状态有正向阻断状态，正向 导通 状态和反向 阻断 状态。
3. 单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 根号 2 倍的 U2 。三相半波可控整流电路中，
性___控制方式。
7. 逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类，当直流侧是电压源时，称此电路为_
_电压型逆变_，
当直流侧为电流源时，称此电路为_ 电流型逆变
_____。
8. 提高变流置的功率因数的常用方法有 减少触发角
、 增加整流相数
等(只需列两种方
法) 。
9. 逆变器环流指的是只流经 两组反并联的逆变桥 ，而不流经 负载 的电流，环流可在电路中加 电抗器
逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类当直流侧是电压源时称此电路为电压型逆变当直流侧为电流源时称此电路为电流型逆变提高变流置的功率因数的常用方法有减少触发角逆变器环流指的是只流经两组反并联的逆变桥而不流经负载的电流环流可在电路中加电抗器来限制
华南理工大学网络教育学院
《电力电子技术 》模拟题
一. 单项选择题(每题 2 分, 共 10 分)
四. 计算题绘图(30 分) 1. 图中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，波形最大值为 Im=100A，试计算波形的平均电流 Id 和有效值
I。 (8 分)
iT Im
0 /3
t
解:
∫ 平均值: 1
2π
π π 3
Im
sin
tdt
=
1.5 2π
Im
=23.89
∫ 有效值:
华南理工大学_电力电子技术_A卷_附答案
,考试作弊将带来严重后果！华南理工大学期末考试《电力电子技术基础》试卷1. 考前请将密封线内各项信息填写清楚；所有答案请直接答在试卷上(或答题纸上)；．考试形式：闭卷；本试卷共五大题，满分100分，考试时间120分钟单项选择题（将正确答案填在题干后面的括号内，共10分）、普通二极管和快速（快恢复）二极管在开关频率上的不同，主要是体现在哪( )A.开通时间B.反向恢复时间C.关断时间D.反向电流延迟时间、晶闸管被触发从断态转入通态就除去触发信号，能维持通态所需要的最小阳( )A.通态平均电流B.浪涌电流C.维持电流D.擎住电流、电压型逆变器中间直流环节贮能元件是……………………………………( )A.电容B.电感C.电阻D.电动机、不可在第一和第四象限工作的变流电路是…………………………………( )A.三相半波可控整流电路B.单相桥式全控整流电路C.三相桥式半控整流电路D.矩阵式变频电路、为了保护电力电子装置，需要在装置中加上必要的过流保护措施，以下选项中不是常用的过流保护措施有……………………………………………( )A、快速熔断器B、过电流继电器C、集－射极电压识别电路D、RC吸收电路、若SPWM逆变器的输出频率变化范围很宽，PWM波的调制方式应采用( )A、异步调制 B 、同步调制 C、分段同步调制 D、分段异步调制、电流型逆变器输出电流波形是……………………………………………( )A、三角波B、正弦波C、矩形波D、梯形波、单相半控桥式整流大电感负载电路中，为了避免出现一个晶闸管一直导通，采取的措施是在负载两端并联( )A、电容B、电感C、电阻D、二极管、电压型三相桥式逆变电路，当采用纵向换流时，每个开关管一个周期导通多( )A、60ºB、120ºC、180ºD、240º、以下的换流方式，哪个不是晶闸管的换流方式…………………………( )A、电源换流B、负载换流C、强迫换流D、器件换流二 、判断题（正确打√，错误打×，共10分）11、GTR 一次击穿后，若集电极电流不超过与最大允许耗散功率相对应的限制，GTR 不会损坏。
理工大学电力电子技术期末考试试卷15及答案
考试试卷( 15 )卷一、填空题（本题共11小题，每空1分，共20分）1、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是________。
2、选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大倍，使其有一定的电压裕量。
3、当晶闸管加上正向后，门极加上适当的正向，使晶闸管导通的过程，称为触发。
4、阻感负载的特点是________，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是________5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差________，当它带阻感负载时，a的移相范围为________。
6、大、中功率的变流器广泛应用的是________触发电路，同步信号为锯齿波的触发电路，可分为三个基本环节，即________、________和________。
7、直流斩波电路中最基本的两种电路是________和________。
8、三相桥式全控整流电路，电阻性负载，当控制角时，电流连续。
9、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使输出电压平均值。
10、逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类，当直流侧是电压源时，称此电路为________，当直流侧为电流源时，称此电路为________。
11、使开关开通前其两端电压为零的开通方式称为____，它需要靠电路中的_____来完成。
二、选择题（本题共10小题，每题1分，共10分）1、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是( )A、有源逆变器B、A/D变换器C、D/A变换器D、无源逆变器2、在晶闸管应用电路中，为了防止误触发，应使干扰信号的幅值限制在（）A、可靠触发区B、不可靠触发区C、安全工作区D、不触发区3、关于单相桥式PWM逆变电路，下面说法正确的是（）A、在一个周期内单极性调制时有一个电平，双极性有两个电平B、在一个周期内单极性调制时有两个电平，双极性有三个电平C、在一个周期内单极性调制时有三个电平，双极性有两个电平D、在一个周期内单极性调制时有两个电平，双极性有一个电平4、晶闸管稳定导通的条件（）A.晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B.晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C.晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D.晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流5、三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。
华工电力电子06年A卷及答案
,考试作弊将带来严重后果！华南理工大学期末考试《电力电子技术基础》试卷1. 考前请将密封线内各项信息填写清楚；所有答案请直接答在试卷上(或答题纸上)；．考试形式：闭卷；本试卷共五大题，满分100分，考试时间120分钟单项选择题（将正确答案填在题干后面的括号内，共10分）、普通二极管和快速（快恢复）二极管在开关频率上的不同，主要是体现在哪( )A.开通时间B.反向恢复时间C.关断时间D.反向电流延迟时间、晶闸管被触发从断态转入通态就除去触发信号，能维持通态所需要的最小阳( )A.通态平均电流B.浪涌电流C.维持电流D.擎住电流、电压型逆变器中间直流环节贮能元件是……………………………………( )A.电容B.电感C.电阻D.电动机、不可在第一和第四象限工作的变流电路是…………………………………( )A.三相半波可控整流电路B.单相桥式全控整流电路C.三相桥式半控整流电路D.矩阵式变频电路、为了保护电力电子装置，需要在装置中加上必要的过流保护措施，以下选项中不是常用的过流保护措施有……………………………………………( )A、快速熔断器B、过电流继电器C、集－射极电压识别电路D、RC吸收电路、若SPWM逆变器的输出频率变化范围很宽，PWM波的调制方式应采用( )A、异步调制 B 、同步调制 C、分段同步调制 D、分段异步调制、电流型逆变器输出电流波形是……………………………………………( )A、三角波B、正弦波C、矩形波D、梯形波、单相半控桥式整流大电感负载电路中，为了避免出现一个晶闸管一直导通，采取的措施是在负载两端并联( )A、电容B、电感C、电阻D、二极管、电压型三相桥式逆变电路，当采用纵向换流时，每个开关管一个周期导通多( )A、60ºB、120ºC、180ºD、240º、以下的换流方式，哪个不是晶闸管的换流方式…………………………( )A、电源换流B、负载换流C、强迫换流D、器件换流二 、判断题（正确打√，错误打×，共10分）11、GTR 一次击穿后，若集电极电流不超过与最大允许耗散功率相对应的限制，GTR 不会损坏。
华南理工电力电子技术试题及答案
电力电子技术试题1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波波，输出电流波形为方波波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、、正反向漏电流会下降、；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采用控制角α= β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为电压型型逆变器和电流型型逆变器，电压型逆变器直流侧是电压源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波，电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是180º度；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波，电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是120º度。
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。
华南理工大学-A卷：05级本科电机学试卷.doc
,考试作弊将带来严重后果！华南理工大学期末考试《电机学》试卷（A卷）1. 考前请将密封线内填写清楚；所有答案请直接答在试卷上；．考试形式：闭卷；对者填√，错者填Ⅹ。
√或Ⅹ填入左侧的括号中。
每小题1分，共20分。
】1 电机运行时，电刷是静止的。
】2 按照励磁方式，可以把直流电机分为他励和自励两大类。
】3 换向片数等于元件数，但不等于虚槽数。
】4 直流电机单叠绕组的并联支路数恒等于电机的极数。
】5 三相变压器的额定电压是指相电压。
】6 空载运行时变压器原、副绕组的电压比就等于其相应的匝数比。
】7 考虑饱和时变压器的励磁电流与磁通可以同为正弦波。
】8 若要使变压器并联运行，则变压器的连接组号必须相同。
】9 可以用短距的方法来削弱齿谐波。
】10 感应电机的正序阻抗和负序阻抗是相同的。
】11若感应电机的转差率小于1，则其一定工作在电动机状态。
】12感应电机空载运行时，电机的气隙磁场是由电枢绕组产生的。
】13感应电动机负载运行时，转子绕组产生的旋转磁场相对转子的转速和定子绕组产生的旋转磁场相对定子的转速是相等的，都为同步转速。
】14同步电机稳态运行时，转子励磁绕组中通入一个工频的交流电流。
】15同步发电机电枢电流与励磁电动势同相位时，电枢反应的性质为去磁的直轴电枢反应。
】16用空载特性和短路特性可以确定凸极同步发电机的直轴同步电抗和交轴同步电抗。
】17 dq0变换是一种从固定轴线到与转子一起旋转的旋转轴线之间的变换，变换后，定子的等效dq轴绕组与转子绕组绕组的轴线相对静止并重合，于是就消除了电感系数随角度 而变化的问题。
在转子转速发生改变时，电压方程变成了了常系数线性微分方程。
】18在有阻尼绕组的同步电机中，突然短路电流大于没有阻尼绕组时的突忽然短路电流,其原因在于：在短路瞬间，除了励磁绕组的阻碍作用以外,阻尼绕组也对电枢反应磁通起阻碍作用,从而使电枢反应的磁阻更大、电抗更小，电流更大。
】19同步发电机三相突然短路时，定子短路电流一般应为周期分量、非周期分量和2次谐波分量三个分量之和。
电力电子技术
《电力电子技术》绪论授课教师：丘东元办公地点：九号楼219房热工楼西侧科研楼204房引言➢什么是电力电子技术？➢顾名思义，电力电子技术是应用于电力领域的电子技术，是电子技术的两大分支之一。
➢电力电子学是研究采用电力半导体器件实现对电能的变换和控制的科学。
➢而通常所说的模拟电子技术和数字电子技术则属于电子技术的另一分支―― 信息电子技术。
➢信息电子技术主要用于信息处理，而电力电子技术主要用于电力变换。
引言－－研究电力电子技术的意义➢缓解三大危机的重要技术手段➢三大危机：能源危机、资源危机和环境危机。
能源危机环境破坏沙漠化引言－－研究电力电子技术的意义➢解决途径➢可再生能源（太阳能、风能、潮汐能、地热能）、新能源（燃料电池等）；➢高效率和高品质的用电。
➢技术手段➢电力电子技术100kW Photovoltaic Array and 10kW WindTurbine in Beverly, MA引言－－研究电力电子技术的意义世界各国对电力电子技术都十分重视。
例如美国1998年9月批准，由美国国家科学基金会（National ScienceFoundation）投资建立了美国电力电子系统中心CPES（Center for PowerElectronics System），它包括5所大学、10多个研究所和50多个公司，第一期投资就达6300万美元。
美国政府已经把发展电力电子技术提升到跨实际国策的战略高度。
李泽元教授（Fred C Lee）美国电力电子系统中心(CPES)主任引言－－我们身边的电力电子技术目录1.电力电子学的形成2.电力电子技术的内容3.电力电子学与相关学科间的关系4.电力电子技术的应用领域5.《电力电子技术》课程的学习内容教学内容➢掌握电力电子技术的基本概念、学科地位、基本内容和发展历史➢了解电力电子技术的应用范围➢了解电力电子技术的发展前景➢了解本课程的内容、任务与要求电力电子技术的发展史是以电力电子器件的发展史为纲的。
电力电子技术习题及参考答案
电力电子技术习题及参考答案一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V，负载电压Uo=12V，斩波周期T=4ms，则开通时Ton=（）A、3msB、2msC、4msD、1ms正确答案：A2.晶闸管的伏安特性是指()A、门极电压与门极电流的关系B、阳极电压与阳极电流的关系C、门极电压与阳极电流的关系D、阳极电压与门极电流的关系正确答案：B3.可实现有源逆变的电路为（）。
A、单相半控桥整流电路B、单相全控桥接续流二极管电路C、三相半波可控整流电路D、三相半控桥整流桥电路正确答案：C4.在单相桥式全控整流电路中，大电感负载时，控制角α的有效移相范围是（）。
A、90°～180°B、0°～180°C、0°～90°正确答案：C5.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为()。
A、减小输出功率B、减小输出谐波C、减小输出幅值D、增大输出幅值正确答案：B6.单相全控桥式整流电路大电感性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、90°B、150°C、180°D、120°正确答案：A7.具有自关断能力的电力半导体器件称为（）A、不控型器件B、全控型器件C、半控型器件D、触发型器件正确答案：B8.电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（）。
A、0°～120°B、0°～150°C、30°～150°D、15°～125°正确答案：B9.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）A、150°B、90°C、120°D、180°正确答案：D10.单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）A、90度-180度B、0度-90度C、0度D、180度-360度正确答案：B11.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发，应使干扰信号的幅值限制在（）A、可靠触发区B、不触发区C、安全工作区D、不可靠触发区正确答案：B12.IGBT属于（）控制型元件。
2017年华南理工大学《电力电子技术》作业随堂联系模拟试题
第2至第8章作业 第2章 电力电子器件1. 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或：uAK>0且uGK>0。
2. 维持晶闸管导通的条件是什么？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
3. 怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
4. 图1中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 1、I 2、I 3。
π4π4π25π4a)b)c)图1-43图1 晶闸管导电波形解：a) I d1=π21⎰ππωω4)(sin t td I m=π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1=⎰ππωωπ42)()sin (21t d t I m =2m I π2143+≈0.4767 I m b) I d2 =π1⎰ππωω4)(sin t td I m =πm I (122+)≈0.5434 I mI 2 =⎰ππωωπ42)()sin (1t d t I m =2m I π2123+≈0.898 I m c) I d3=π21⎰2)(πωt d I m =0.25I mI 3 =⎰202)(21πωπt d I m =0.5I m7. 晶闸管的触发脉冲需要满足哪些条件？答：A:触发信号应有足够的功率。
B ：触发脉冲应有一定的宽度，脉冲前沿尽可能陡，使元件在触发导通后，阳极电流能迅速上升超过掣住电流而维持导通。
C ：触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步，脉冲移相范围必须满足电路要求。
第3章 整流电路1. 单相半波可控整流电路对电感负载供电，L ＝20mH ，U 2＝100V ，求当α＝0°和60°时的负载电流I d ，并画出u d 与i d 波形。
朱明zhubob华工-电力电子技术复习题答案
华南理工大学继续教育学院《电力电子技术》复习题答案一、判断题( )1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。
( )2、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。
( )3、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。
( )4、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。
( )5、在三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。
( )6、两个以上晶闸管串联使用，是为了解决自身额定电压偏低，不能胜用电路电压要求，而采取的一种解决方法，但必须采取均压措施。
( )7、变流装置其功率因数的高低与电路负载阻抗的性质，无直接关系。
( )8、触发普通晶闸管的触发脉冲，也能触发可关断晶闸管。
( )9、变频调速装置是属于无源逆变的范畴。
( )10、双向晶闸管额定电流的定义，与普通晶闸管的定义相同( )11、三相桥式半控整流电路，带大电感性负载，有续流二极管时，当电路出故障时会发生失控现象。
( )12、供电电源缺相、逆变桥元件损坏、逆变换流失败等故障。
也会引起逆变失败。
( )13、用多重逆变电路或多电平逆变电路，可以改善逆变电路的输出波形，使它更接近正弦波。
( )14、在普通晶闸管组成的全控整流电路中，带电感性负载，没有续流二极管时，导通的晶闸管在电源电压过零时不关断。
( )15、提高电力电子装置的工作频率，可以使电力电子装置的体积和重量减小。
( )16、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。
( )17、直流斩波电路只能实现降低输出直流电压的作用( )18、逆变角太小会造成逆变失败。
( )19、三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。
判断题( )21、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。
( )22、逆变角太大会造成逆变失败。
( )23、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
( )24、在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取U2。
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5．防止开关器件在关断时产生过电压和减少开关损耗
《
》试卷第 8 页 共 8 页
三、 填空题（共 24 分，每空 1.5 分）
21、图 1 所示为晶闸管的串联电路，晶闸管串联时 要采用 措施，图 1 中的两个 RP 的作用是 ；两个 R、C 串联的作用 是 。
VT2 RP VT1 RP R C R C
22、 图 2 所示为 电路， 若输入电压为 10V，开关 S 的开关周期为 10mS，一个周期导通时 间为 5 mS，在电流连续、理想的工作情况下，输出 V。 电压为
2
。
（2 分）
V1 V4 不能导通。此时 U o U d ，电流反向，变换规律与第二阶段相同，时间延后半个周期。
（2 分） 总之，负载电压为方波，与 V1 、V4 和 V2 V3 的栅极信号变换一致。电流为两端指数衰减 曲线构成的正负半波对称的交流。
U GE1, 4
（1 分）
0
U GE 2,3
t2
t4
t
0
uo Ud Ud io
t2
t4
t
0
t2
t4
t
V1 V4
t3
D2 D3
0
D4
D1
t1
t2
V2 V3 t 4
t
（此图 4 分，每个波形 2 分）
ui 0 ug 0 uo 0 i Vd1 0
t1
2
t
t
t
t
（此图 4 分，每个波形 2 分）
《 》试卷第 7 页 共 8 页
30、此电路为交流调压电路 （1）当输入电压为正半波期间，VD1、VT、VD2 串联回路承受正向电压，晶闸管具备导通 的第一个条件；在 t1 时刻，给晶闸管触发脉冲，晶闸管又具备了导通的第二个条件，因此， 从 t1 时刻开始，晶闸管导通，电流经过 VD1、VT、VD2、R 形成回路，负载上边的电压即 为输入电压。此时，通过晶闸管的电流、通过 VD1、VD2 的电流和负载电流相等。 （2 分） （2）180 度时，输入电压过零，VT 截止； （3）当输入电压为负波期间，VD3、VT、VD4 串联回路承受正向电压，晶闸管具备导 通的第一个条件；在（π＋t1）时刻，给晶闸管触发脉冲，晶闸管又具备了导通的第二个条 件，因此，从（π＋t1）时刻开始，晶闸管导通，电流经过 R、VD3、VT 、VD4 形成回路， 负载上边的电压即为输入电压的负半波部分。在此期间，VD1 不导通。 （2 分） 输出电压正负对称，为交流信号，频率和输入电压相同；通过改变控制角的大小，既可 以控制输出电压的大小。因此，此电路为交流调压电路。 （2 分）
《 》试卷第 3 页 共 8 页
的电流波形，并分析电路的工作原理。 （10 分）
u G1 uG 4 uG 2 uG 3
2 t
uO
iO
2
t
t
t
（图 6）
《
》试卷第 4 页 共 8 页
ui 0 ug 0 uo
VD1
VD3 VT
t1
2
t
t
ui
VD4
VD2
uo
R
0 i Vd1 0
t
t
（图 7）
《
》试卷第 5 页 共 8 页
06～07 学年《 电力电子技术基础 A 卷》参考答案
一．选择题（每题一分） 1. B 2. D 3. A 6. C 7. C 8. D 二．判断题（每题一分） 11. √ 12. × 16. √ 17. √ 4. C 9. B 5. D 10. D
13. × 18. √
06～07 学年《 电力电子技术基础 B 卷》参考答案
一．选择题 1. A 2. C 3. A 4. B 5. D 6. A 7. C 8. C 9. B 10. A 二．判断题 1. √ 2. √ 3. × 4. √ 6. √ 7. √ 8. × 9. √ 三．填空题 1．调制比，调制波频率，载波频率 2．82.73V 3．33.3V 4．无，
座位号
题 号 得 分 评卷人
一
二
三
四
五
总分
一、 单项选择题（将正确答案填在题干后面的括号内，共 10 分）
1、普通二极管和快速（快恢复）二极管在开关频率上的不同，主要是体现在哪 ) 个参数上的差异：………………………………………………………………( A.开通时间 B.反向恢复时间 C.关断时间 D.反向电流延迟时间 2、晶闸管被触发从断态转入通态就除去触发信号，能维持通态所需要的最小阳 极电流称为：…………………………………………………………………… ( ) A.通态平均电流 B.浪涌电流 C.维持电流 D.擎住电流 3、 电压型逆变器中间直流环节贮能元件是……………………………………( ) A.电容 B.电感 C.电阻 D.电动机 4、不可在第一和第四象限工作的变流电路 是…………………………………( ) A.三相半波可控整流电路 B.单相桥式全控整流电路 C.三相桥式半控整流电路 D.矩阵式变频电路 5、为了保护电力电子装置，需要在装置中加上必要的过流保护措施，以下选项 ) 中不是常用的过流保护措施有……………………………………………( A、快速熔断器 B、过电流继电器 C、集－射极电压识别电路 D、RC 吸收电路 6、 若 SPWM 逆变器的输出频率变化范围很宽，PWM 波的调制方式应采用( ) A、异步调制 B 、同步调制 C、分段同步调制 D、分段异步调制 7、电流型逆变器输出电流波形是……………………………………………( ) A、三角波 B、正弦波 C、矩形波 D、梯形波 8、单相半控桥式整流大电感负载电路中，为了避免出现一个晶闸管一直导通， 另两个整流二极管交替换相导通的失控现象发生， 采取的措施是在负载两端并联 一个……………………………………………………………………………… ( ) A、电容 B、电感 C、电阻 D、二极管 9、电压型三相桥式逆变电路，当采用纵向换流时，每个开关管一个周期导通多 少度……………………………………………………………………………… ( )
《 》试卷第 6 页 共 8 页
（2 分）
电压为 U o U d 。 （3）第三阶段
（2 分）
在 t t 3 时， V2 V3 导通， U o U d ，电流方向相反，变换规律与第一阶段相同，时 间延后半个周期， t 3 t1 T （4）第四阶段 在 t t 4 时， V2 V3 栅极信号为零而关断， VD1 、 VD4 在负载电感电势作用下而导通，
《
（图 1）
》试卷第 2 页 共 8 页
23、 逆变失败是指工作于逆变状 L D 态的变流器，由于某种原因，出 R 现了输出平均电压和直流电动 势 的状态，而变 Ui S Uo C 流器内阻很小， 于是产生很大的 短路电流； 造成逆变失败的原因 有： 、 （图 2） 。 （任意写 2 种） 24、晶闸管导通的 2 个条件是： （1） 、 （2） 。 25、 如图 3 所示， 为 IGBT 的缓冲电路， 电路中， LS、 VD 的作用是 缓 冲，RS、VDS、CS 的作用是 缓冲。 26、图 4 为两组变流器反并联的可逆线路，工作于正转逆变状态，1 组（正组） 变流器工作于 状态，2 组（反组）变流器工作于 状态， 并在图上标明电动机及反电动势极性，电流 Id 的方向，电能传输方向（由变流 器指向电动机或反之） 。
( 密 封 线 内 不 答 题 ) ………………………………………密………………………………………………封………………………………………线……………………………………
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华南理工大学期末考试
《电力电子技术基础》试卷
注意事项：1. 考前请将密封线内各项信息填写清楚； 2. 所有答案请直接答在试卷上(或答题纸上)； 3．考试形式：闭卷； 4. 本试卷共五大题，满分 100 分， 考试时间 120 分钟。
14. × 19. √
15. × 20.×
三．填空题（每空 1.5 分） 21．均压，静态均压，动态均压 22．升压斩波，20 23．顺向串联，触发电路工作不可靠、晶闸管发生故障、交流电源缺相或者突然消失、 逆变角过小（任选其二） 24．阳极－阴极之间加有正向电压，门极－阴极之间加正向电压和电流（触发脉冲） 25．开通 (或者 电流 或者 抑止 di/dt)，关断(或者 电压 或者 抑止 du/dt) 26．停止/封锁，逆变
L
电网
Id
电网
M Em
电能
1
(图 3 分 )
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四．分析说明题 29．开关器件 V1, 4 与 V2,3 的栅极信号在一个周期内各有半周正偏，半周反偏，二者互补。 （1 分） （1）第一阶段 在 t t1 时， V1 V4 导通，此时负载电流为零。当 t t1 时，负载电流按指数规律上升。 电流方向如图中 t1 ~ t 2 段，此阶段输出电压为 U o U d 。 （2）第二阶段 在 t t 2 时， V1 V4 关断，同时给 V2 V3 栅极信号，但感性负载中的电流不能立刻改变方 向，于是 VD2 、 VD3 导通，电流继续按原方向流动，将电感电能向电源回馈，而 V2 V3 承受 反压不能导通。此阶段直到 t t 3 时，电流 io (t 3 ) 0 ，此时 VD2 、 VD3 关断。此阶段输出
11、GTR 一次击穿后，若集电极电流不超过与最大允许耗散功率相对应的限制， GTR 不会 损 坏 。 … …… … ………… …………… ……… … … ……… … … ( ) 12、电力 MOSFET 一般工作在开关状态，即在截止区和饱和区之间来回转换。 ……………………………………………………………………………… ( ) 13、对于 IGBT，如果集电极电流过大，栅极将失去对集电极电流的控制作用， 这种现象称为动态擎住效应。…………………………………………… ( ) 14、三相全控整流电路输出电压是电源相电压的一部分。…………………( ) 15、 可控整流电路， 当控制角增大时， 功率因数也随之增大。 ……………( ) 16、凡是负载电流波形超前负载电压即容性负载都可以实现负载换流。… ( ) 17、 交流调功电路和相控交流调压电路的电路形式完全相同， 只是控制方式不同。 …… ……………………… ……………… ……………… ……………… ( ) 18、 逆变电路的多重化除了用于调压外，另一个主要的目的是消除输出的高次谐 波。………………………………………………………………………… ( ) 19、 交交变频电路可运行于整流和逆变状态，用于电动机调速可以很容易实现四 象限运行。………………………………………………………………… ( ) 20、由三角波和正弦波的自然交点产生 SPWM 波形，这种方法称为规则采样法。 …… ……………………… ……………… ……………… ……………… ( )