半导体导带位置(ECB)计算
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怎样由禁带宽度Eg粗略计算半导体的导带位置（ECB，Vs NHE）
经验公式：
ECB=X - Ec - Eg/2
EVB=ECB+Eg
其中，
Ec是相对于标准H电极的一个常数，Ec=4.5eV；
Eg是半导体的禁带宽度（以实际测量结果为主）；
X是半导体内各原子绝对电负性的几何平均值。
计算实例如下：
对ZnO，Eg=3.2eV，通过后面的附表可查得，X(Zn)=4.45，X(O)=7.54，
1+1=5.79，所以，ECB=5.79-4.5-3.2/2=-0.31eV，EVB=-0.31+3.2=2.89eV;所以X=√4.451∗7.451
2+3=5.88eV，
再如对Fe2O3，Eg=2.2eV，X=√4.062∗7.453
所以，ECB=5.88-4.5-2.2/2=0.28eV，EVB=0.28+2.2=2.48eV.
与文献给出的数据几乎完全一致，读者可自行验算其他物质。
原子绝对电负性附表如下：