模拟电子技术基础简明教程习题答案
模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版 (第一、二章的课后习题答案)
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案
精品行业资料，仅供参考，需要可下载并修改后使用！《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案题2－1 判断图中放大电路有无放大作用，说明理由。
a) 因为E 结反偏，C 结正偏，所以无放大作用。
应将+VCC 改成-VCC b) 电源未给发射结正偏——无放大作用。
应将Rb 连在电源和基极之间c) 输入交流信号会因交流通路中VCC 的接地而被短路，无法作用在三极管的发射结——无放大作用。
应在电源和基极之间接一个电阻d) 由于电容的隔直作用，发射结没有得到正偏——无放大作用。
应将电容C 移走 e) 有放大作用f) 无放大作用，原因：电容C2在交流时短路输出电压无法引出，而始终为零。
改正方法：将电容C2放在集电极和电压引出端之间。
g) 无放大作用，原因：电容Cb 在交流时短路而使输入交流信号被短路，无法作用在三极管的发射结。
改正方法：将电容Cb 去掉。
h) 无放大作用 i) 无放大作用题2－5VR I I V U mAI mA R R U V I CEQ 82.3)(7.2,027.0)1(c BQ CQ CC CQ bc BEQ CC BQ =+-===++-=β题2－6题2－13 1）I BQ=20uA, I CQ=2mA, U CEQ=-4V2) r be=1.5K, 3) A U=-100, 4)截止失真，应减小Rb 题2－15(2) 画出微变等效电路题2－16 1）I BQ =10uA, I CQ =1mA, U CEQ =6.4V2) r be =2.9K Ω,RL=∞时，R e /‘=5.6K ，A U =0.99, RL=1.2K 时，R e /‘=0.99K ，A U =0.979, 3) RL=∞时，R i ‘=282K Ω， RL=1.2K 时，R i ‘=87K Ω 4) R o ‘=29Ω 题2－17e be e be L1)(1)(1R βr R βR βr R βU U C io ++-=++-=' e be 2)(1)(1R βr R βU U e i o +++= R C ‘= R e 时，U O1 ‘≈ -U O2, 两者波形反相题2－25题2－26。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版 答案全面解析
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术基础简明教程课后习题答案详解
模拟电子技术基础简明教程(第二版)课后 习题答案习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正 向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理 想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2 假设一个二极管在 50C 时的反向电流为10卩A ， 试问它在20C 和80C 时的反向电流大约分别为多大？已知 温度每升高10C ，反向电流大致增加一倍。
解：在20C 时的反向电流约为：2°x 10# A= 1.25卩A在80C 时的反向电流约为：2310」A = 80」A习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示:① 如在二极管两端通过 1k ?的电阻加上1.5V 的电压，如图(b)，此时二极管的电流 I 和电压U 各为多少？② 如将图(b)中的1.5V 电压改为3V ，贝V 二极管的电流和电 压各为多少？ 解：根据图解法求解 ①电源电压为1.5V 时1.5 二 U II 0.8A, U : 0.7V②电源电压为3V 时3二U II 2.2A, U ： 0.8V可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，贝匸 极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。
1.5V 1k? (b)习题1-4 已知在下图中，U| = 10sin® t (V), R L=1k?，试对应地画出二极管的电流i D、电压u D以及输出电压u O的波形，并在波形图上标出幅值。
设二极管的正向压降和反向习题1-5 欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z、动态电阻X Z以及温度系数a u，是大一些好还是小一一些好？答：动态电阻r Z愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z愈大, 则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a u的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版_(第一章的课后习题答案)
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示：①如在二极管两端通过1k Ω的电阻加上1.5V 的电压，如图(b)，此时二极管的电流I 和电压U 各为多少？②如将图(b)中的1.5V 电压改为3V ，则二极管的电流和电压各为多少？U/VI/mA 0 0.5 1 1.52123(a )+ U -I 1.5V 1k Ω(b )解：根据图解法求解①电源电压为1.5V 时1.5U I=+0.8,0.7I A U V≈≈②电源电压为3V 时3U I =+2.2,0.8I A U V≈≈可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，则二极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。
习题1-4已知在下图中，u I = 10sin ωt (V)，R L =1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u D 以及输出电压u O 的波形，并在波形图上标出幅值。
设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
+ u D -R L(a )+u D-i D +u I -u I /V ωt 010i D /m A ωt 100ωt 0u I /V -10u o /V ωt10习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-[1]
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习题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用，简单说明理由。
答：(a无放大作用（发射结反偏）；
(b不能正常放大（发射结无直流偏置）；(c无放大作用（集电结无直流偏置）；(d无放大作用（发射结无直流偏置）；(e有放大作用（是射极跟随器）；(f 无放大作用（输出交流接地）；(g无放大作用（输入交流接地）；(h不能正常放大（栅极无直流偏置）；(i无放大作用（电源极性接反）；
习题2-3在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数时，试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。
①增大R b ；②增大V CC ；③增大β。
答：①增大R b ，则I BQ 减少，I CQ 减少，U CE Q 增大。
②增大V CC ，则I BQ 增大，I CQ 增大，U CE Q 不确定。
③增大β，则I BQ 基本不变，I CQ 增大，U CE Q 减少。
习题2-19 P107
解：(a共基电路
(b共射电路(c共集电路(d共射电路(e共射－共基电路
①
②时
时
③当时，如果
去掉射极输出器，则
习题2-
微变等效电路：
Rb①
②RL=∞时，
Rb12=时，
③如果去掉射极输出器，则时，
时，
习题2-27 P110 答：①测静态工作点Q ：直流稳压电源、万用表(直流电压档②测电压放大倍数Au ：直流稳压电源、正弦波信号发生器、示波器、交流毫伏表。
③测最大输出电压幅度Uom ：同②④测输入电阻Ri ：同②⑤测输出电阻Ro ：同②。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)_杨素行_课后答案
+
习题1-3 某二极管的伏安特性如图(a)所示�
①如在二极管两端通过1kΩ的电阻加上1.5V的电压�如图 (b)�此时二极管的电流 I 和电压U各为多少�
②如将图(b)中的1.5V电压改为3V�则二极管的电流和电
压各为多少�
I/mA
解�根据图解法求解 3
②
I � U �U Z � 30mA R
� IZ � I � I RL � 30 � 6 � 24mA
③
I RL
� UZ RL
� 3mA
� IZ � I � I RL � 20 � 3 � 17mA
习题1-8 设有两个相同型号的稳压管�稳压值均为6V� 当工作在正向时管压降均为0.7V�如果将他们用不同的方 法串联后接入电路�可能得到几种不同的稳压值�试画出
2kΩ 20kΩ
10V
(c)
IB � 0.465mA IC � 23.25mA U CE � �36.5V
以上算出的IC 与UCE值是荒谬 的�实质上此时三极管巳工作 在饱和区�故IB=0.465 mA� IC≈ VCC/ RC=5mA� UC E=UC ES ≈0.3V�见图P1-14(g)中C点。
习题1-16 已知一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性 曲线如图P1-16所示。试作出uDS=15V时的转移特性曲线�并 由特性曲线求出该场效应管的开启电压 UGS(th )和 IDO值�以及 当 uDS =15V� uGS =4V时的跨导 gm。
uDS=15V
由图可得�开启电压 UGS(th )=2V� IDO =2.5mA�
(b)交流通路
习题1-4 已知在下图中�uI = 10sinωt (V)�RL=1kΩ�试 对应地画出二极管的电流 iD、电压uD以及输出电压uO的波 形�并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向
模拟电子技术基础简明教程习题答案
模拟电子技术基础简明教程习题答案《模拟电子技术基础简明教程》习题答案第一章1-1 二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
1-7 ① I Z =14mA ② I Z =24mA ③ I Z =17mA1-13 （a ）放大区（b ）截止区（c ）放大区（d ）饱和区（e ）截止区（f ）临界饱和（g ）放大区（h ）放大区1-15 （a ）NPN 锗管（b ）PNP 硅管第二章2-1 （a ）无（b ）不能正常放大（c ）有（d ）无（e ）有（f ）无（g ）无（h ）不能正常放大（i ）无 2-7 ②U BQ =3.3V ，I CQ = 2.6mA ，U CEQ =7.2V2-8 ① 饱和失真2-10 ① I BQ = 10μA ，I CQ = 0.6mA ，U CEQ ≈3V② r be = 2.6k Ω③ uA =－51.7,R i ≈2.9 k Ω, R o =5 k Ω 2-11 先估算Q 点，然后在负载线上求Q 点附近的β，最后估算r be 、 u A 、R i 、R o ，可得r be ≈1.6k Ω，uA =－80.6,R i =0.89 k Ω, R o =2 k Ω 2-14 ① I BQ = 20μA ，I CQ = 1mA ，U CEQ ≈6.1V②r be = 1.6k Ω，uA =－0.94,R i =84.9 k Ω, R o =3.9 k Ω 2-16 ① I BQ ≈10μA ，I CQ = 1mA ，U CEQ ≈6.4V② r be = 2.9k Ω，当R L =∞时，R e /= R e ∥R L = 5.6 k Ω, uA ≈0.99; 当R L =1.2 k Ω时，R e /= R e ∥R L = 0.99 k Ω, uA ≈0.97。
③ 当R L =∞时，R i ≈282 k Ω；当R L =1.2 k Ω时，R i ≈87 k Ω ④ R o ≈2.9k Ω2-19 （a ）共基组态（b ）共射组态（c ）共集组态（d ）共射组态（e ）共射－共基组态第三章3-2 如︱u A ︱=100，则20lg ︱uA ︱=40dB; 如20lg ︱u A ︱=80dB, 则︱uA ︱=10000。
模拟电子技术基础简明教程课后答案(第三版)高等教育出版社
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80A μ60Aμ40A μ20Aμ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8C BO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)课后答案第9章习题答案
9-6试用产生正弦波振荡的相位平衡条件判断图9-42中 的各电路能否产生正弦振荡。
Байду номын сангаас
电路引入正反馈，能产生 电路引入正反馈， 正弦振荡。 正弦振荡。
9-6试用产生正弦波振荡的相位平衡条件判断图9-42中 的各电路能否产生正弦振荡。
RC移相式正弦波发生电路， 移相式正弦波发生电路， 移相式正弦波发生电路 需要三节或三节以上的RC 需要三节或三节以上的 移相环节。 移相环节。 不能产生正弦振荡 产生正弦振荡。 不能产生正弦振荡。 详见书p250。 详见书 。
正反馈，满足相位平衡条件。 正反馈
共基
9-9判断图9-45各电路能否满足产生正弦振荡的相位平 衡条件。
负反馈，不满足相位平衡条件。 负反馈
9－16 集成运放的最大输 出电压是±13V，输入信号 出电压是±13V， 的低频信号。 是uI＝5sinωt的低频信号。 的低频信号 按理想情况画出U ＋ 按理想情况画出 R=＋ 2.5V、0V、 －2.5V时输 、 、 时输 出电压的波形。 出电压的波形。
－
＋
－
9-7试分析图9-43中各电路是否满足产生正弦振荡的相 位平衡条件，其中d分图是交流等效电路。
正反馈，满足相位平衡条件。 正反馈
9-7试分析图9-43中各电路是否满足产生正弦振荡的相 位平衡条件，其中d分图是交流等效电路。
负反馈，不满足相位平衡条件。 负反馈
9-7试分析图9-43中各电路是否满足产生正弦振荡的相 位平衡条件，其中d分图是交流等效电路。
0
当UR>0时：方波波形不变，三角波波形向上平移 当UR<0时：方波波形不变，三角波波形向下平移
9-22方波和三角波发生电路如图9-57所示。 2.画出u01和u 的波形，标明峰-峰值。如果A1的反相端 改接UREF，方波和三角波的波形有何变化？ 解：
模拟电子技术基础简明教程(第三版)习题答案1-3
第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管，已知第一个管子的，当该管的时，其I C1199β=110B I A μ=FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，4 1.2 2.84.5 3.5D m GS i g mSu ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P 型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型）。
如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ；如为增强型，标出其开启电压U GS(th)。
(a)绝缘栅型N 沟道增强型；(b)结型P 沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P 沟道增强型。
习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS 场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ，I DO =4mA ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ，夹断电压U GS(off)=4V ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图R bR e i U +o U R i U +oU R 1i U '+2i i N U U N '=L R '=定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数将增u A ↑。
u A ，↓。
u A ↓。
u A ④增大β，则I BQ 基本不变u Ai U +oU +(b)解：①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处，0.5,U V I ≈≈Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ，u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3R b 211k Ωi U oU (b)P2-7()153CE CC C c e C V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线， 2.67.2点，且斜率为，其中1LR -'R b 211k Ωi U oU图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60，V ，R b =530k Ω，R L =5M Ω，试：①估算静态工作点；值；，输入电阻u A R b C 1R iU o U ++_(u R A β=-( u RAβ=-?ouiUAU==o ii i oU RU R R=+iU o U+_(uRAβ=-iU o U +R e 2k Ω(u A r β=-+R b 1-i U sU oU +-i UR b-sU +-R oU iU (1(1u A r +=+(1(1u A r +=+R -1o U iU 2o U r beR cR biU 1o U 2o U -+-1o i be U U r =-+2(1(1o i be U U r +=+12o o U U ≈-oU R b 2=10R =3k(//c u R A r β=R 1i U oU -m (1)i gs d s m s gs U U I R g R U =+=+(//)o m gs d L U g U R R =-(1o m i U g R U =-+R SgsU o m gs sU g U R =(1)i gs o m s gsU U U g R U =+=+1o m i m U g R U g =+12u be A r =-22k =ΩCR E1Us习题2-27P110答：①测静态工作点Q ：直流稳压电源、万用表(直流电压档)：直流稳压电源、正弦波信号发生②测电压放大倍数Au器、示波器、交流毫伏表。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)课后答案之欧阳歌谷创作
+习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
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《模拟电子技术基础简明教程》习题答案第一章1-1 二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
1-7 ① I Z =14mA ② I Z =24mA ③ I Z =17mA1-13 （a ）放大区 （b ）截止区 （c ）放大区（d ）饱和区 （e ）截止区 （f ）临界饱和 （g ）放大区 （h ）放大区1-15 （a ）NPN 锗管 （b ）PNP 硅管第二章2-1 （a ）无 （b ）不能正常放大 （c ）有 （d ）无 （e ）有 （f ）无 （g ）无 （h ）不能正常放大 （i ）无 2-7 ②U BQ =3.3V ，I CQ = 2.6mA ，U CEQ =7.2V2-8 ① 饱和失真2-10 ① I BQ = 10μA ，I CQ = 0.6mA ，U CEQ ≈3V② r be = 2.6k Ω③ uA =－51.7,R i ≈2.9 k Ω, R o =5 k Ω 2-11 先估算Q 点，然后在负载线上求Q 点附近的β，最后估算r be 、 u A 、R i 、R o ，可得r be ≈1.6k Ω，uA =－80.6,R i =0.89 k Ω, R o =2 k Ω 2-14 ① I BQ = 20μA ，I CQ = 1mA ，U CEQ ≈6.1V②r be = 1.6k Ω，uA =－0.94,R i =84.9 k Ω, R o =3.9 k Ω 2-16 ① I BQ ≈10μA ，I CQ = 1mA ，U CEQ ≈6.4V② r be = 2.9k Ω，当R L =∞时，R e /= R e ∥R L = 5.6 k Ω, uA ≈0.99; 当R L =1.2 k Ω时，R e /= R e ∥R L = 0.99 k Ω, uA ≈0.97。
③ 当R L =∞时，R i ≈282 k Ω；当R L =1.2 k Ω时，R i ≈87 k Ω ④ R o ≈2.9k Ω2-19 （a ）共基组态 （b ）共射组态 （c ）共集组态（d ）共射组态 （e ）共射－共基组态第三章3-2 如︱u A ︱=100，则20lg ︱uA ︱=40dB; 如20lg ︱u A ︱=80dB, 则︱uA ︱=10000。
3-4 ② 当f = f L 时，︱u A ︱=0.707︱umA ︱= 141,φ =－135°; 当f = f H 时，︱u A ︱=0.707︱umA ︱= 141,φ =－225°。
3-5 ① 20lg ︱1um A ︱= 40dB, f L1 =20Hz, f H1 = 5×105Hz = 500k Hz, 可得︱1um A ︱= 100。
② 第一个电路采用阻容耦合，第二个电路采用直接耦合。
3-9 总的对数电压增益为20lg ︱uA ︱=66dB ； 总的下限频率为f L ≈111 Hz, 总的上限频率为f H =18k Hz 。
第四章4-1 在图示的OCL 电路中：① P om ≈1.563W ，如忽略U CES ，则P om ≈2.25W② P V ≈2.865W , η≈54.55%,如忽略U CES ，则η≈78.53%。
4-2 ① P CM >0.2 P om = 0.45W ② I CM >Vcc / R L = 0.75A③U （BR ）CEO >2 Vcc = 12V ④ U i ≈Ucom / √2≈4.24V4-3 在图示的OTL电路中：①P om≈0.25W，如忽略U CES，则P om≈0.5625W②P V≈0.716W, η≈34.92%,如忽略U CES，则η≈78.56%。
4-4 ①P CM >0.2 P om = 0.1125W ②I CM >Vcc / 2R L= 0.375A③U（BR）CEO > Vcc = 6V ④U i≈Ucom /√2≈2.12V 4-5 OCL电路：Vcc = 2 (√2 R L P om＋U CES) = 15.9VOTL电路：Vcc = √2 R L P om＋U CES = 7.93V4-8 （a）接法不正确（b）接法不正确（c）接法正确（d）接法不正确第五章5-6 ①I BQ≈3μA ，I CQ =0.12mA ，U CEQ=5.94V，U BQ =－5.4mV（对地）②A d =－50 ③R id = 20kΩ5-7 ①I BQ≈2.6μA ，I CQ =0.26mA ，U CEQ=5.64V，U BQ =－7mV（对地）②R L/= R e∥（0.5 R L）= 7.2 kΩA d≈－50③R id ≈36kΩ第六章6-2 （a）电压并联正反馈（b）R F1 :电压并联负反馈; R F2 :电压串联正反馈（c）电压并联负反馈（d）电流串联负反馈（e）电压串联负反馈（f）电压并联负反馈6-5 （c ）ufA =o U /i U ≈－R F / R 2 （d ）ufA =o U /i U ≈－R C (R 1+ R F + R C ) / R C R 1 （e ）uuf A ≈1/uuF = 1+ (R F / R 2) （f ）ufA =o U /i U ≈R C ( R F + R C ) / R C R 1 6-9 （a ）电压并联负反馈 ufA = －R 6 / R 2 = －10 （b ）电压串联负反馈 ufA = 1+ (R F / R 2) = 11 6-19 ①（a ）产生振荡 （b ）不振荡第七章7-1 ① R 3 = R 1∥R 2 = 5k Ω，R 4 = R 5∥R 6 ≈ 6.67k Ω ② u O1 = －R 6 u I1 / R 2 = －u I1, u O2 = (1+R 6 / R 2 ) u I2 =1.5u I2 u O = －R 9 / R 2（u O1－u O2）= 2 u I1 +3 u I2③ u O = (2×3+3×1)V=9V7-2 u O = [(1+R 2 / R 1 ) ＋R 5 / R 4] u I7-4 u O = (1+R 7 / R 1 ) u I7-5 u O = －（R 2R 6 / R 1 R 5）u I7-9 （a ）u O1 = －10 u I1，u O = －（u O1+2u I2+5 u I3）= 10 u I1 －3 u I2－5 u I3（b ）u O = －R F u I1 / R 1＋（1+R F / R 1）{[（R 2 ∥R 3 ）u I2/ R 2]＋[（R 2 ∥R 3 ）u I3/ R 3]}=－4 u I1＋u I2＋4 u I37-10 采用两级反向求和电路实现。
第一级：u O1 = －（2 u I1 +0.1 u I3）第二级：u O2 = －（2 u O1 +5 u I2）= 2 u I1 －5 u I2＋0.1 u I37-15 A1、A2、A3均为地按压跟随器，A4为同相输入求和电路，故u O1 =u I1 ，u O2 =u I2 ，u O3 =u I3 ，u O = （u I1＋u I2＋u I3）/37-16 ①A1：同相输入比例电路A2：反相输入求和电路A3：差分输入比例电路A4：积分电路②u O1 = 3u I1，u O =－（u I2 +2 u I3）u O3 =－2（u I1＋u I2＋2u I3），u O4 = [∫（3u I1＋u I2＋2u I3）du ]/ 5第八章8-7 ①U T =－R1U REF/R2=2V8-9 U T+ = R F U REF/（R2 +R F）＋R2U z/（R2 +R F）≈7.3VU T—= R F U REF/（R2 +R F）－R2U z/（R2 +R F）≈3.3V△U T = U T+－U T—=4 V8-10 U T+ = 1/（R2 /R F）U REF ＋R2U z/R F）U T—= 1/（R2 /R F）U REF －R2U z/R F）△U T =2 R2 U z /R F8-11 （a）单限比较器（b）反相滞回比较器（c）单限比较器（d）同相滞回比较器8-13 （a）过零比较器U T =0V（b）求和型单限比较器U T =－R1U REF/R2=－6V（c）滞回比较器U T+ = R F U REF/（R2 +R F）＋R2U z/（R2 +R F）≈6.8VU T—= R F U REF/（R2 +R F）－R2U z/（R2 +R F）≈－4.8V第九章9-1 （a）不能振荡（b）不能振荡（c）不能振荡（d）不能振荡（e）可能振荡9-2 ①A接D，B接C。
②f o = 1/ 2πRC=1.06kHz③R2>2R1=20kΩ9-6 （a）不能振荡（b）可能振荡（c）可能振荡（d）可能振荡（e）可能振荡（f）可能振荡9-7 （a）可能振荡（b）可能振荡9-9 ①满足相位平衡条件，电路可能振荡。
②f o≈1/ 2π√（LC3）=2.25MHz③f o≈1/ 2π√[LC1 C2 / （C1 +C2）]=450kHz9-10 ①（a）j接k，m接n;（b）j接m，k接n②f o≈1/ 2π√[（L1+L2+2M）C] =119kHz③f o≈1/ 2π√[LC1 C2 / （C1 +C2）]=225kHz9-12 ①j接m。
②串联型③石英晶体工作在f S，此时石英晶体相当于一个小电阻。
9-13 并联型石英晶体振荡器，石英晶体等效于一个电感，工作在f S 与f P之间。
9-14 ②T=2（R+0.5R w）C㏑（1+2R1/R2）≈1.15ms③U om = U Z =6V U cm = R1U Z/（R1 +R2）≈2.7V9-15 ①当电位器滑动端调至最上端时，充电时间T1=（R+R w）C㏑（1+2R1/R2）≈1.05ms放电时间T2=R C㏑（1+2R1/R2）≈0.096msT= T1+T2≈1.15ms D= T1/T =（R+R w）/（2R+R w）=0.92当电位器滑动端调至最下端时，T1=0.096ms，T2=1.05msT= 1.15ms D =R/（2R+R w）=0.089-16 ①∵U om = R1U Z / R2，∴R1 =U om R2/ U Z =15kΩ又∵T=4R1R4C/R2，∴C = T R2/4R1 R4≈0.0033μF第十章10-1 ①正常工作时，U O(A V) =0.9U2=9V ②U O(A V) =0.45U2=4.5V③整流管和变压器烧毁。
④U O(A V) = －9V10-4 ①电感滤波②电容滤波或RC－Π型滤波③LC滤波④LC－Π型滤波10-5 ①R L C=（40×10—3）s = 0.04s，T/2 = 0.01s故满足条件R L C≥（3～5）T/2，U O(A V) =1.2U2=24V②U O(A V)低于正常值，但比正常值的一半高得多。