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2N3906三极管规格书

2N3906三极管规格书
【 南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
2N3906 TRANSISTOR (PNP)
-100 -80 -60 -40 -20 -0 -0
-1000
-300 -100
-30
Static Characteristic
-500uA -450uA -400uA -350uA
-300uA
-250uA
COMMON
EMITTER T =25℃
a
-200uA
-150uA
-100uA
I =-50uA
C / C —— V / V
ob ib
CB EB
β=10
-100
-200
f=1MHz
I =0/I =0
E
C
T =25℃ a
Cib Cob
1 -0.1
750 625 500 375 250 125
0 0
-0.3
-1
-3
-10
-20
REVERSE BIAS VOLTAGE V (V)
P —— T
C
a
25
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Delay Time Rise Time Storage Time Fall Time
Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO

KT973A中文资料

KT973A中文资料

DISCRETE SEMICONDUCTOR Transistors70 • Bipolar Transistors (continued)PartPin to PinCompatibilityPolarity РC max, W V CB max, V V CE max,V V EBmax,VI Cmax, m Аh FEV CE sat,VI CBO, μАF T, МHzNf, dB Package (Pads)KT6136A 2N3906 PNP 0.625 40 40 5 200 100…3000.40.05 250 TO-92KT6137A 2N3904 NPN 0.625 60 40 6 200 100…3000.30.05 300 TO-92 BC182BC182ABC182BNPN 0.5 60 50 6 100 120…450120…220200…4500.60.015 150 10 TO-92 BC183BC183ABC183BBC183CNPN 0.5 45 30 6 100 110…800110…220200…450420…8000.60.015 150 10 TO-92 КТ607А-4КТ607Б-42N4073 NPN 1.5 40 30 40 35 30 35 4 150 0.1 1000 700 TO-92 BC639 NPN 0.625 100 80 5 1500 ≥25 0.50.1 100 TO-92 BC640 PNP 0.625 100 80 5 1500 ≥250.50.1 100 TO-92 КТ646А КТ646БКТ646В2SC495 2CS496 NPN 1.0 60 40 40 60 40 40 4 1000 40…200 >150 150…3400.850.250.2510 10 0.05 250 TO-126 KT660A KT660Б BC337 BC338 NPN 0.5 50 30 45 30 5 800 110...220200 (450)0.5 1.0 200 TO-92КТ805АМ КТ805БМ КТ805ВМ КТ805ИМ KSD362 KSD773 NPN 30 300 45 30 5 5000 V KER >15>15>15 >252.53.0 1.0 TO-92 KT814AKT814БKT814BKT814ГBD136 BD138 BD140 PNP 10 40 50 70 100 5 1500 40…27540…27540…27530…2750.650 40 TO-126 KT815AKT815БKT815BKT815ГBD135 BD137 BD139 NPN 10 40 50 70 100 5 1500 40…27540…27540…27530…2750.650 40 TO-126 KT816AKT816БKT816BKT816ГBD234 BD236 BD238 PNP 25 40 45 60 100 5 3000 25…2750.6100 3.0 TO-126 KT817AKT817БKT817BKT817ГBD233 BD235 BD237 NPN 25 40 45 60 100 5 3000 25...2750.6100 3.0 TO-126 КТ8126А1 КТ8126Б1 MJE13007 MJE13006 NPN 80 700 600 400 300 9 8000 8...60 1.01000 4.0 TO-220 КТ8164А КТ8164Б MJE13005 MJE13004 NPN 75 700 600 400 300 9 4000 8...40 1.01000 TO-220 КТ8170А1 КТ8170Б1 MJE13003 MJE13002 NPN 40 700 600 400 300 9 9 1500 8 (40)1.01000 4.0 TO-126 КТ8176АКТ8176БКТ8176ВTIP31A TIP31B TIP31C NPN 40 60 80 100 60 80 100 5 3000 >25 1.2 3.0 TO-220DISCRETE SEMICONDUCTORTransistors71• Bipolar Transistors (continued)Part Pin to PinCompatibility Polarity РC max, W V CB max,V V CE max,V V EB max,V I Cmax,m А h FE V CE sat, VI CBO, μАF T, МHz Nf, dB Package (Pads) КТ8177АКТ8177БКТ8177ВTIP32A TIP32B TIP32C PNP 40 60 80 100 60 80 100 5 3000 >25 1.2 3.0 TO-220 КТ8212А КТ8212БКТ8212ВTIP41С TIP41B TIP41A NPN 65 60 80 100 60 80 100 5 6000 15…75 1.5 I CES =400 3.0 TO-220КТ8213А КТ8213БКТ8213ВTIP42C TIP42B TIP42A PNP 65 60 80 100 60 80 100 5 6000 15…75 1.5 I CES =400 3.0 TO-220MJE2955 PNP 75 70 60 5 1000020…100 1.1 1000 TO-220 MJE3055 NPN 75 70 60 5 1000020…100 1.1 1000 TO-220 КТ738А КТ739А TIP3055 TIP2955 NPN PNP 90 70 60 5 1500020…100 1.1 1000 TO-218 КТ732А КТ733А MJE4343 MJE4353 NPN PNP 125 160 160 7 160008…15 2.0 750 1.0 TO-218 КТ8224А КТ8224Б* BU2508A BU2508DNPN 100 1500700 7.5 8000 4…7 1.0 I ebo=1.0 100..187 TO-218КТ8225ABU941ZP NPN 155 350 5 15000>300 1.8 Veb=5.0V Iebo=20 TO-218 КТ8228А КТ8228Б* BU2525A BU2525DNPN 125 1500800 7.5 12000 5.0…9.5 5.0 I ebo=1.0 80…150 TO-218КТ8229А TIP35F NPN 125 180 180 5 2500015…75 1.8 I ceo = 1.0 3.0 TO-218 КТ8230А TIP36F PNP 125 180 180 5 2500015…75 1.8 1.0 3.0 TO-218 КТ8261А BUD44D2 NPN 25 700 400 9 2000 >10 0.65 0.1 TO-126 BUL44D2 NPN 40 700 400 9 5000 >10 0.65 0.1 TO-220 КТ8247А BUL45D2 NPN 75 700 400 12 5000 >22 0.5 100 TO-220КТ8248А BU2506F NPN 90 Vcek 1500700 7.5 5000 3.8…9.0 3.0 Icek, mA1.0TO-218 KT538A MJE13001 NPN 0.7 600 400 9 0.5 5…90 0.5 1000 4 TO-92 КТ8248А1 BU2506F NPN 90 Ucek 1500 700 7.5 5000 3.8…9.0 3.0 Icek,мА1.0 TO-218KT8290A BUH100 NPN 100 700 400 9 10000 >10 1.0 0.1 ТО-220 КТ8255А BU407 NPN 60 330 160 6 7000 >15 1.0 1.0 ТО-220 KT8270A MJE13001 NPN 0.7 600 400 9 0.5 5…90 0.5 1000 4 TO-126KT8296AKT8296БKT8296ВKT8296ГKSD882R KSD882O KSD882Y KSD882G NPN 10 40 30 5 3000 60…120100…200160…320200…4000.5 100 TO-126 KT8297AKT8297БKT8297ВKT8297ГKSB772R KSB772O KSB772Y KSB772G PNP 10 40 30 5 3000 60…120100…200160…320200…4000.5 100 TO-126KT872A KT872Б KT872B KT872Г* with clampingdiodeBU508А BU508 BU508DNPN1001500150012001500700 700 600 70061000>61.0 5.0 1.0 1.04.0TO-218KT928A 2N2218 NPN 0.5 60 60 5 0.8 20…100 1.0 5.0 250 TO-126KT928Б 2N2219 NPN 0.5 60 60 5 0.8 50…200 1.0 5.0 250 TO-126 KT928B 2N2219ANPN 0.5 75 75 5 0.8 100…300 1.0 1.0 250TO-126 KT940AKT940БKT940BBF459 BF458 NPN 10 300 250 160 3002501605 100 >25 1.0 0.05 TO-126 КТ969А BF469 NPN 6 300 250 5 100 50…250 1.0 0.05 60TO-126DISCRETE SEMICONDUCTOR Transistors72 • Power Bipolar Darlington TransistorsPart Pin to PinCompatibilityPolarityРC max, W V CB max, V V CE max, V V EB max, V I Cmax, m А h FE V CE sat, VICBO,μА F T, МHzPacka-ge KT8115AKT8115БKT8115BTIP127 TIP126 TIP125 PNP 65 100 80 60 100 80 60 5 5000 >1000 2.0 200 4 TO-220KT8116AKT8116БKT8116BTIP122 TIP121 TIP120 NPN 65 100 80 60 100 80 60 5 5000 >1000 2.0 200 4 TO-220КТ8214АКТ8214БКТ8214ВTIP110 TIP111 TIP112 NPN 50 60 80 100 60 80 100 5 2000 >500 2.5 1000 TO-220КТ8215АКТ8215БКТ8215ВTIP115 TIP116 TIP117 PNP 50 60 80 100 60 80 100 5 2000 >500 2.5 1000 TO-220KT8156A КТ8156Б BU807 NPN 60 330 150 2006 8000 >100 1.5 1000 TO-220KT8158AKT8158БKT8158BBDV65A BDV65B BDV65C NPN 125 60 80 100 60 80 100 5 12000>1000 2.0 400 TO-218KT8159AKT8159БKT8159ВBDV64A BDV64B BDV64C PNP 125 60 80 100 60 80 100 5 12000>1000 2.0 400 TO-218КТ8225А BU941ZP NPN 155 350 350 5 15000>300 2.7 100 TO-218КТ8251А BDV65F NPN 125 180 180 5 10000>100 2.0 0.4 TO-218KT972AKT972БKT972BKT972ГBD875 NPN 8.0 60 45 60 60 60 45 60 60 5 2000 >750 >750 750…5000 750…5000 1.5 1.5 1.5 0.95 200 TO-126KT973AKT973БKT973BBD876 PNP 8.0 60 45 60 60 45 60 5 2000 >750 >750 750…5000 1.5 1.5 1.5 200 TO-126• Unijunction TransistorsPart Pin to Pin Compatibility P max,W Vb, b2 max, V Ie pulse, A Ie rev, μA Veb sat,V ηPackage KT132A KT132Б 2N2646 2N2647 0.3 35 2.0 12.0 0.2 3.5 0.56…0.75 0.68…0.82 Case 22A-01KT133A KT133Б 2N4870 2N4871 0.3 35 1.5 1.0 2.5 0.56…0.75 0.70…0.85TO-92• Logic Level N-Channel MOSFETsPart Pin to Pin Compatibility Vds max, V Rds (on) Ohm Id max, A Vgs max, VP max, W Vgs (th),VPackageКП723Г IRLZ44 60 0.028 50 ±10 150 1.0…2.0 TO-220 КП727В IRLZ34 60 0.05 30 ±10 88 1.0…2.0 TO-220 КП744Г IRL520 100 0.27 9.2 ±10 60 1.0…2.0 TO-220 КП745Г IRL530 100 0.22 15 ±10 88 1.0…2.0 TO-220 КП746Г IRL540 100 0.077 28 ±10 150 1.0…2.0 TO-220 КП737Г IRL630 200 0.4 18 ±10 50 1.0…2.0 TO-220 КП750Г IRL640 200 0.18 18 ±1050 1.0…2.0 TO-220КП775А КП775БКП775В2SK2498А-В 60 55 60 0.009 0.009 0.011 50 ±20150 1.0…2.01.0…2.0 1.0…2.0TO-220DISCRETE SEMICONDUCTORTransistors73• Low Power MOSFETsPartPin to Pin Compatibility P max, W Vgs max, V Vds max,V Vgs(off), V Rds(on), Ohm Id max, A g fs,A/VPackageКП501А КП501Б КП501ВZVN2120 0.5 ±202402002001.0…3.0 1.0…3.0 10 10 15 10 >0.1 TO-92 КП502А BSS124 1.0 ±10 400 1.5…2.5 28 0.12 0.1 TO-92 КП503А BSS129 1.0 ±10400 1.5…2.5 28 0.12 0.1 TO-92КП504А КП504БКП504ВКП504ГКП504ДКП504ЕBSS88 1.0 1.0 0.7 0.7 0.7 0.7 ±102502502001802002000.6…1.2 8 8 8 10 8 8 0.32 0.14 TO-92 КП505А КП505БКП505ВКП505ГBSS295 1.0 1.0 1.0 0.7 ±1050506080.8…2.0 0.8…2.0 0.8…2.0 0.4…0.8 0.3 0.3 0.3 1.2 1.4 0.5 0.5 0.5 TO-92 КП507A BSS315 1.0 ±20 -50 -0.8…-2.00.8 -1.1 TO-92 КП508A BSS92 1.0 ±20-240 -0.8…-2.020 -0.15 TO-92КП509А9 КП509Б9КП509В9BSS131 0.36 0.50 0.36 ±142402402000.8…-2.0 0.6…-1.2 0.8…-2.0 16 8 16 0.1 0.25 0.1 0.06 0.14 0.06 SOT-23 КП510A9 IRML2402 0.54 ±12 20 0.7…-1.6 0.25 1.2 1.3 SOT-23 КП511A КП511Б TN0535 TN0540 0.75 ±20 350 400 0.8…-2.0 22 0.14 0.125 TO-92 КП523А КП523Б BSS297 1.0 1.0 ±20 ±14 200 200 0.8…2.0 0.8…2.0 2.0 4.0 0.48 0.34 0.5 0.5TO-92 КП214А9 2N7002LT1 0.2 ±40 60 1.0…2.5 7.5 0.115 0.08 SOT-23• Power N-Channel MOSFETsPartPin to Pin Compatibility Vds max, V Rds (on), Ohm Id max, AVgs max,V P max, W Vgs (th),VPackageКП723АКП723БКП723ВIRFZ44 IRFZ45 IRFZ40 60 60 50 0.028 0.035 0.028 50 50 50 ±20 150 2.0…4.0 TO-220 КП726А КП726Б BUZ90A BUZ90 600 2.0 1.6 4.0 4.5 ±20 75 2.0…4.0 TO-220 КП727А КП727Б BUZ71 IRFZ34 50 60 0.1 0.05 14 30±20 75 2.0…4.0 TO-220 КП728Г1,Г2 КП728С1,С2КП728Е1,Е2BUZ80A 700650 600 5.0 4.0 3.0 3.0 ±20 75 2.0…4.0 TO-220 КП739АКП739БКП739ВIRFZ14 IRFZ10 IRFZ15 60 50 60 0.2 0.2 0.3 10 10 8.3 ±20 43 2.0…4.0 TO-220 КП740АКП740БКП740ВIRFZ24 IRFZ20 IRFZ25 60 50 60 0.1 0.1 0.12 17 17 14 ±20 60 2.0…4.0 TO-220 КП741А КП741Б IRFZ48 IRFZ46 60 50 0.018 0.024 50 ±20 190 1502.0…4.0 TO-220 КП742А КП742Б STH75N06 STH80N05 60 50 0.014 0.012 75 80±20200 2.0…4.0 TO-218DISCRETE SEMICONDUCTOR Transistors74 • Power N-Channel MOSFETs (continued)PartPin to Pin Compatibility Vds max, V Rds (on), Ohm Id max, A Vgs max, VP max, W Vgs (th),VPackageКП743А КП743БКП743ВIRF510 IRF511 IRF512 100 80 100 0.54 0.54 0.74 5.6 5.6 4.9 ± 20 43 2.0…4.0 TO-220TO-126 КП743А1 100 0.54 5.5 ±2040 2.0…4.0 TO-126 КП744А КП744БКП744ВIRF520 IRF521 IRF522 100 80 100 0.27 0.27 0.36 9.2 9.2 8.0 ±20 60 2.0…4.0 TO-220 КП745А КП745БКП745ВIRF530 IRF531 IRF532 100 80 100 0.16 0.16 0.23 14.0 14.0 12.0 ±20 88 2.0…4.0 TO-220 КП746А КП746БКП746ВIRF540 IRF541 IRF542 100 80 100 0.077 0.077 0.1 28.0 28.0 25.0 ±20 150 2.0…4.0 TO-220 КП747А IRFP150 100 0.055 41.0 ±20230 2.0…4.0 TO-218 КП748А КП748БКП748ВIRF610 IRF611 IRF612 200 150 200 1.5 1.5 2.4 3.3 3.3 2.6 ±20 36 2.0…4.0 TO-220 КП749А КП749БКП749ВIRF620 IRF621 IRF622 200 150 200 0.8 0.8 1.2 5.2 5.2 4.0 ±20 50 2.0…4.0 TO-220 КП737А КП737БКП737ВIRF630 IRF634 IRF635 200 250 200 0.4 0.45 0.68 9.0 8.1 6.5 ±20 74 2.0…4.0 TO-220 КП750А КП750БКП750ВIRF640 IRF641 IRF642 200 150 200 0.18 0.18 0.22 18.0 18.0 16.0 ±20 125 2.0…4.0 TO-220 КП731А КП731БКП731ВIRF710 IRF711 IRF712 400 350 400 3.6 3.6 5.0 2.0 2.0 1.7 ±20 36 2.0…4.0 TO-220 КП751А КП751БКП751ВIRF720 IRF721 IRF722 400 350 400 1.8 1.8 2.5 3.3 3.3 2.8 ±20 50 2.0…4.0 TO-220 КП752А КП752Б КП752В Pilot ProductionIRF730 IRF731IRF732400 350 400 1.0 1.0 1.5 5.5 5.5 4.5 ±20 74 2.0…4.0 TO-220КП753АКП753Б КП753ВPilot ProductionIRF830 IRF831 IRF832 500 450 500 1.5 1.5 2.0 4.5 4.5 4.0 ±20 74 2.0…4.0 TO-220КП771А STP40N10100 0.04 40 ±20150 2.0…4.0 TO-220 КП776А КП776Б КП776В КП776Г Pilot ProductionIRF740 IRF741 IRF742 IRF744400 350 400 4500.55 0.55 0.8 0.6310.0 10.0 8.3 8.8±20 125 2.0…4.0 TO-220DISCRETE SEMICONDUCTORTransistors75• Power N-Channel MOSFETs (continued)Part Pin to Pin Compatibility Vds max, VRds (on),Ohm Id max, A Vgs max,V P max, W Vgs (th),VPackageКП777А КП777Б КП777ВPilot ProductionIRF840IRF841IRF842 500 450 500 0.85 0.85 1.1 8.0 8.0 7.0±20 125 2.0…4.0 TO-220КП778А IRFP250 200 0.085 30.0 ±20190 2.0…4.0 TO-220КП779А Pilot ProductionIRFP450 500 0.4 14.0 ±20190 2.0…4.0 TO-220 КП780АКП780Б КП780В IRF820 IRF821IRF822500 450 500 3.0 3.0 4.0 2.5 2.5 2.2 ±20 50 2.0…4.0 TO-220 КП781АPilot ProductionIRFP350 400 0.3 16.0 ±20 190 2.0…4.0 TO-220 КП783АPilot Production IRF3205 55 0.008 70.0 ±20200 2.0…4.0 TO-220 КП786А Pilot ProductionBUZ80A 800 3.0 4.0 ±20100 2.0…4.0 TO-220 КП787А Pilot Production BUZ91A 600 0.9 8.0 ±20150 2.0…4.0 TO-220 КП789А Pilot ProductionBUZ111S 320 0.008 80.0 ±20250 2.1…4.0 TO-220• Power P-Channel MOSFETsPart Pin to Pin Compatibility Vds max, V Rds (on), Ohm Id max, A Vgs max, V P max, W Vgs (th),VPackageКП784A IRF9Z34 -60 0.14 -18.0 ±20 88 -2.0…-4.0 TO-220 КП785A IRF9540 -100 0.20 -19.0 ±20 150 -2.0…-4.0 TO-220 КП796АUnderDevelopmentIRF9634 -250 1.0 -4.3 ±20 74 -2.0…-4.0 TO-220。

k3199场效应管参数

k3199场效应管参数

k3199场效应管参数
k3199场效应管是一种常见的半导体器件,其参数包括以下几个方面:
1. 直流参数:包括夹断电压(UP)、开启电压(UT)、饱和漏源电流(IDSS)、最大漏源电流(IDSM)、漏源击穿电压(BUDS)等。

这些参数描述了场效应管在直流工作状态下的性能特性。

2. 交流参数:包括跨导(gM)、输入电阻(RENT)等。

这些参数描述了场效应管在交流工作状态下的性能特性。

3. 极限参数:包括最大耗散功率(PDSM)、最大漏源电压(BUDS)、最大栅极电压(UGS)等。

这些参数描述了场效应管的极限工作能力,以避免器件损坏。

具体的参数值需要根据具体的场效应管型号和规格书进行查阅。

同时,在实际应用中,还需要考虑场效应管的工作条件、驱动方式和电路设计等因素,以确保其正常、安全地工作。

2N3906中文资料(nte)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

2N3906中文资料(nte)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

VCE = 1V, I C = 1mA
40 − − 80 − −
2N3905 2N3906
VCE = 1V, I C = 10mA
50 − 150 100 − 300
2N3905 2N3906
VCE = 1V, I C = 50mA
30 − − 60 − −
2N3905 2N3906
VCE = 1V, I C = 100mA
芯片中文手册,看全文,戳
2N3905 & 2N3906 硅PNP晶体管
一般用途
TO92类型封装
绝对最大额定值:
集电极 - 发射极电压,V
CEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
器件总功耗(T
C = +255C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5W
减免上述255℃. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12MW / 5C
减免上述255℃. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.0MW / 5C
器件总功耗(T

C1210C3969PAC资料

C1210C3969PAC资料

Surface Mount Ceramic Chip CapacitorsX5R DielectricKEMET is pleased to continue the expansion of high capacitance ratings in our X5R ceramicchip capacitors to include the following values in our base metal electrode devices.X5R/1210 - 27 µF (276) – 47 µF (476) @ 6.3 VoltsTable 1Dimensions - Millimeters (Inches)New Product BulletinOutline DrawingF-9016 11/04Table 2 - X5R - Capacitance Value ExtensionsMetric EIA Size Max.Size Code Code L - Length W - WidthT - Thickness B - Bandwidth Separation32251210 3.2 (.126) ± 0.2 (.008)2.5 (.098) ± 0.2 (.008)See Table 20.5 (.02) ± .25 (.010)N/A(1) To complete KEMET part number, insert the alpha code for the tolerance desired. K = ±10%; M = ±20%Capacitance Values (µF)KEMET Part Number Capacitance ToleranceThicknessmm Qty 7” Reel Qty 13” Reel 27C1210C276(1)9PAC K,M 1.7 ± 0.22,0008,00033C1210C336(1)9PAC K,M 1.7 ± 0.22,0008,00039C1210C396(1)9PAC K,M 1.7 ± 0.22,0008,00047C1210C476(1)9PACK,M1.7 ± 0.22,0008,000Electrical ParametersAs detailed in the KEMET Surface Mount Catalog F3102 for X5R, with following specific requirements based on room temperature (25°C) parameters:•Operating Range: -55°C to +85°C, with no-bias capacitance shift limited to ± 15% over that range •Insulation Resistance (IR) measured after 2 minutes at rated voltage @ 25°C: Limit is 500 megohm-microfarads.•Capacitance and Dissipation Factor (DF) measured at the following conditions. DF Limit is 10%.1 kHz and 1 Vrms if capacitance ≤10 µF120 Hz and 0.5 Vrms if capacitance > 10 µFSoldering ProcessThe 1210 components are suitable for reflow soldering only. All parts incorporate the standard KEMET barrier layer of pure nickel, with an overplate of pure tin to provide excellent solderability as well as resistance to leaching.MarkingThese chips are normally supplied unmarked. If required, they can be laser marked as an extra cost option. More detail on the marking format is included in our Surface Mount Catalog F3102. In general, the information in the KEMET Surface Mount catalog F3102 applies to these capacitors. The information in this bulletin supplements that in the catalog.© KEMET Electronics Corporation • P.O. Box 5928 • Greenville, SC 29606 • (864) 963-6300 • 。

3.9k电阻

3.9k电阻

3.9k电阻是一种阻值为3.9千欧姆的电阻器。

在电路中,电阻器通常用于限制电流或分压。

3.9k电阻器的阻值相对较小,因此通常用于低功率电路或高频电路中。

3.9k电阻器的符号通常用“R”表示,它的阻值可以用欧姆(Ω)来表示。

在电路图中,3.9k 电阻器通常用一个带有“R”字母的矩形符号表示。

该符号的左侧是电阻器的引脚编号,右侧是阻值。

例如,一个标有“R1”的3.9k电阻器表示它是电路中的第一条电阻器,其阻值为3.9千欧姆。

需要注意的是,3.9k电阻器的阻值可能会因为环境温度、湿度等因素而发生变化。

因此,在设计和安装电路时,需要考虑这些因素以确保电路的稳定性和可靠性。

A3967SLB中文资料

A3967SLB中文资料

A3967中文资料A3967SLTB带转换器的微步进驱动芯片特点±750毫安,30 V额定输出Satlington™灌电流驱动器自动电流衰减模式检测/选择3.0 V至5.5 V逻辑电源电压范围混合,快与慢电流衰减模式内部欠压锁定(UVLO)和热关断电路交叉电流保护描述A3967SLB是一个完善的微电机驱动器内置逻辑器。

它的设计操作双极步进电机具有全步进,1/2,1/4,和1/8模式,输出驱动能力30 V和±750毫安。

A3967SLB包括一个固定关断时间的电流调节器,具有慢,快,或混合电流衰减模式的功能。

此电流衰减控制方案可以减少可听到的电流噪音,增加步进精确度,并减少功耗。

A3967SLB的驱动转换非常容易实现,通过简单的“步进”输入中输入一个脉冲电动机将产生一个步骤(全,半,四分,或八分,这取决于两个逻辑输入)。

无需相位顺序表、高频率控制线或复杂的程序。

该A3967SLB是一个理想的适合复杂的微型项目开发的接口驱动芯片。

内部电路保护包括热关机与滞后,电压锁定(UVLO)下和交叉电流保护。

不需要特别的加电排序。

A3967SLB是提供一个24-PIN SOIC封装,能够自由焊接的磨砂100%雾锡引线框架。

选项卡处于接地电位,并且不需要绝缘。

的无铅(100%雾锡引线框架)版本也已经推出。

绝对最大额定值热特性热特性表电气特性在T A = +25°C,V BB = 30 V,V CC = 3.0 V至5.5V(除非另有说明)功能说明设备操作A3967 是一个操作方便、控制线少、完整的微型步进电机驱动器,。

它可用于双极步进电机在全,半,四分和八分模式的操作。

每两个中的电流 H桥输出的调节与固定关断时间脉冲宽度调制(PWM)控制电路。

在每个步骤中的电流由一个外部的值被设置电流检测电阻(R S),一个参考电压(V REF),以及 DAC 的输出电压的输出,通过控制转换。

在上电或复位时,将根据DAC设置和相电流极性初始的内部状态设置转换(见图内部状态情况),并设定的电流调节器两相混合衰减模式。

AN7396K资料

AN7396K资料
*1
−13.5 −11.0 10 12.5 −13.5 −11.0 45 2.0 7 2 415 −1 −2 65 0.1 2.2 −100 82 4 9 4 600 110 0.1 −78 0 0
Total harmonic distortion max. Maximum input voltage Muting level
元器件交易网
ICs for Audio Common Use
AN7396K
Sound signal processing with built-in Spatializer IC
I Overview
Spatializer Audio Processor is a signal processing technology, monopolized by Desper Products, Inc., that was developed for commercial electronics and multimedia markets, and is based on Desper's “PRO Spatializer” that is a 3-D audio production system for business use. The AN7396K utilizes the innovative technology adopted in that system. It provides sound enhancement effect and sound expansion with the conventional 2-speaker stereo system. Moreover, the AN7396K is a sound processing IC which incorporates the I2C Bus-controllable mute, sound AGC, bass reinforcement, tone (bass and treble), balance, and volume circuits.

松乐继电器技术参数

松乐继电器技术参数

37.5
320
24
24
18.75
1280
7. CONTACT RATING
Type Item
Contact Capacity ResistiveLoad(cosΦ=1)
InductiveLoad (cosΦ=0.4 L/R=7msec)
Rated Carrying Current Contact Material
5
3 2
10
5 3 2
1
0
2
4
6
8
10 12
Current of Load (A)
Life Expectancy
100
5 3 2
AC : 120V TV-5
10
5 3 2
1 012345678
2
Current of Load (A)
SONGLE RELAY
RELAY ISO9002
SRS/SRSZ
3. ORDERING INFORMATION
1. MAIN FEATURES
ᄋSubminiature Type. ᄋSilver or Silver Alloy Contacts withGold Plated. ᄋLow Dissipation. ᄋSealed Type Available. ᄋDesign conforms to foreign safety standard UL,CUL,TUV
Coil Voltage Voltage Current Resistance Consumption Voltage Voltage
Voltage
Sensitivity Code (VDC) (mA) (Ω) ᄋ

从闪存芯片编号识容量

从闪存芯片编号识容量

从闪存芯片编号识容量根据芯片编号识容量三星的闪存芯片均以K9打头,与容量相关的字段是从第4位到第7位。

第4~5位表示闪存密度,12代表512M、16代表16M、28代表128M、32代表32M、40代表4M、56代表256M、64代表64M、80代表8M、1G代表1G 、2G代表2G、4G代表4G、8G代表8G、00代表没有。

第6~7位表示闪存结构,00代表没有、08代表×8.16代表×16. 32代表×32。

闪存芯片的容量=闪存密度×闪存结构÷8通过上述公式就可以计算出闪存芯片的真实容量了编号为K9K1G08U0M-YC80的SUMSUNG闪存芯片。

这块闪存芯片的规格为:128M×8bit、50ns 速度,单颗容量 128MB。

工作电压2.4~2.9V。

芯片编号K9F5608U0A,32M×8bit规格50ns速度,单颗容量32MB。

工作电压2.7~3.6V,内部分成块写区域大小(16K+512)。

三星型号详解K9×××××:Nand FlashK8×××××:Nor FlashK7×××××:Sync SRAM(同步SRAM,带clock,速度快,网络产品,6个晶体管)K6×××××:Aync SRAM(异步SRAM,不带clock,速度快,手机产品,6个晶体管)K5×××××:MCP(相当于K1+K8+K9)K4×××××:DRAMK3×××××:Mask RomK2×××××:FRAMK1×××××:utRAM(使用SRAM技术,但只有2个晶体管跟1个电容,所以比SRAM功耗大,但成本低)samsung 编号:K9LAG08U0M,容量为2G,以K9L为开头的三星闪存一般都为MLC闪存,使用MLC闪存是大势所趋* K9K8G(1GB)、K9W8G(1GB)、K9WAG(2GB)* K9x1Gxxxxx = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte)* K9x2Gxxxxx = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte)* K9x4Gxxxxx = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte)* K9x8Gxxxxx = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte)* (1 Byte = 8 bits)SAMSUNG K9F2808U0B-YCB0 32MBK9F2808U0C-VCB0 32MBK9F5608U0B-YCB0 16MBK9F5608U0C-YCB0 16MBK9F1208U0M-YCB0 64MBK9F1208U0A-YCB0 64MBK9F1208U0A-YIB0 64MBK9F1208U0A-VCB0 64MBK9K1G08U0A-YCB0 128MBK9K1G08U0M-YCB0 128MBK9K1G08U0M-VIB0 128MBK9F1G08U0M-YCB0 128MBK9F1G08U0A-YCB0 128MBK9F1G08U0M-VCB0 128MBK9F1G08U0M-VIB0 128MBK9F1G08U0M-FIB0 128MBK9K2G08U0M-YCB0 256MBK9K2G08U0A-FIB0 (90nm) 256MBK9K2G08U0M-VCB0 256MBK9K2G08U0M-VIB0 256MBK9K2G08U0A-VIB0 (90nm) 256MBK9F2G08U0M-YCB0 (90nm) 256MBK9K4G08U0M-YCB0 (90nm) 512MBK9K4G08U0M-YCBO(90nm) 512MBK9K4G08U0M-PIB0(90nm) 512MBK9W8G08U1M-YCB0(90nm) 1GBK9W8G08U1M-YIB0(90nm) 1GBK9WAG08U1M 2GMNAND闪存芯片, 一般都是Samsung 或Hynix 芯片. SAMSUNG闪存的型号及对应容量:K9x1Gxxxxx = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte) K9x2Gxxxxx = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte)K9x4Gxxxxx = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte)K9x8Gxxxxx = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte) (1 Byte = 8 bits)Hynix闪存的型号及对应容量:HY27UH081G2M = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte) HY27UH082G2M = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte) HY27UH084G2M = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte) HY27UH088G2M = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte) (1 Byte = 8 bits)Part No Description MfgNANDFLASHHY27US08281A-T(P)CB 16Mx8 HYNIXHY27US08561A-T(P)CB 32Mx8 HYNIXHY27US08121A-T(P)CB 64Mx8 HYNIXHY27UF081G2M-T(P)CB 128Mx8 HYNIXHY27UF082G2M-T(P)CB 256Mx8 HYNIXHY27UF082G2A-TPCB 256Mx8 HYNIXHY27UG084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIXHY27UF084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIXHY27UT084G2M-TPCB 512Mx8 HYNIXHY27UH088G2M-TPCB 1Gx8 HYNIXHY27UU085G2M-TPCB 1Gx8 HYNIXHynix闪存的型号及对应容量:HY27UH081G2M = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte); HY27UH082G2M = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte); HY27UH084G2M = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte); HY27UH088G2M = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte) ATJ2051/ATJ2085主控支持的闪存FLASH型号列表品牌型号内存ATJ2085(2051) samsung K9K4G08U0M 512M ysamsung K9W4G08U1M 512M ysamsung K9W8G08U1M 1GB ysamsung K9F4G08U0M 512M ysamsung K9F4G08U0A 512M ysamsung K9K8G08U0M 1G ysamsung K9K8G08U0A 1G nsamsung K9WAG08U1M 2G ysamsung K9G4G08U0M 512M nsamsung K9L8G08U0M 1G nsamsung K9HAG08U1M 2G nHynix HY27UG084G1M 512M yHynix HY27UG084G2M 512M yHynix HY27UH084G1M 512M nHynix HY27UH084G2M 512M yHynix HY27UG088G2M 1G y Hynix HY27UG088G5M 1G n Hynix HY27UG088GDM 1G n Hynix HY27UH088G2M 1G y Hynix HY27UH088GDM 1G n Hynix HY27UH08AG5M 2G n Hynix HY27UH08AGDM 2G n Hynix HY27UF084G2M 512M y Hynix HY27UG088G5M 1GB n Hynix HY27UU088G5M 1G n Hynix HY27UV08AG5M 2G n Hynix HY27UT084G2A, 512M n Hynix HY27UT084G2M 512M n Hynix HY27UU088G 1GB nHynix HY27UU8G5M(MLC) 1GB n Hynix HY27UT4G2M(MLC) 512M n Hynix HY27UVAG5M(MLC) 2GB n Hynix HY27US08561M VPCB 428A 32MB HY27US08561M TPIB 427A 32MBHY27US08121M TCB 64MBHY27US08121M TPIB 407T 64MBHY27US08121M TCB 416A 64MBHY27US08121M TCB 422A 64MB HY27US08121M TCB 426A 64MB HY27US08121M TPCB 427B 64MB HY27US08121M VPCB 429A 64MB HY27UA081G1M TCB 128MBHY27UA081G1M TPCB 128MBHY27UA081G1M TCB 423A 128MB HY27UG082G2M 256MBHY27UH084G2M 512MBHY27UG088G5M 1GBHY27UH088G2M 1GBHY27UH08AG5M 2GBTOSHIBA TC58128AFT 16MBTC58128AFTI 16MBTC58DVM72A1FT00/05 16MBTC58256AFT 32MBTC58NVM8S0AFTI0 32MBTC58DVM82A1FT00/05 32MBTC58DVM82A1FTI0 32MBTC58512FT 64MBTC58DVM92A1FT00/05 64MBTH58100FT 128MBTC58DVG02A1FT00/05 128MBTC58NVG0S3AFT00/05 128MBTC58NVG0S3AFTI5 128MBTH58NVG1S3AFT00/05 256MBTH58NVG1S3AFTI0 256MBTC58NVG1S3BFT00 256MBTC58005FT 64MBTC58DVM94B1FT00/05 64MBTC58010FT 128MBTC58DVG04B1FT00/05 128MBTC58DVG14B1FT00/05 256MBTC58DVG14B1FTI0 256MBTH58DVG24B1FT00/05 512MBTC58NVG1D4BFT00 256MBTC58NVG1D4BFT00 256MBTC58NVG2D4BFT00 512MBTH58NVG3D4BFT00 1GBTH58NVG3D4BFTI0 1GBTC58NVG3D4CTG10 1GBTH58NVG4D4BTG20 2GBSANDISK SDTNFAH-128, SDTNGAHE0-128 16M SDTNFAH-256, SDTNGAHE0-256 32MSDTNFAH-512, SDTNGAHE0-512 64M SDTNFCH-512, SDTNGCHE0-512 64M SDTNFBH-1024, SDTNGBHE0-1024 128M SDTNFCH-1024, SDTNGCHE0-1024 128M SDTNFDH-2048, SDTNGDHE0-2048 256M Micron MT29F2G08A 256MBMT29F4G08B 256MBMT29F4G08BAB 512MMT29F8G08FAB 1G。

卡入式铝电解电容

卡入式铝电解电容

卡入式铝电解电容
卡入式铝电解电容是一种电子元件,具有高单位体积的CV值、低ESR、高纹波电流、小尺寸的外壳尺寸、宽温度范围和卓越的可靠性等特点。

这种电容器的应用温度范围为-40°C到105°C,储存温度最好低于+25°C,不超过+40°C。

其额定电压范围从16V到550V DC,额定电容范围从68F到47000F 100 Hz、20°C下的电容公差为±20%。

此外,这种电容具有低漏电流和高纹波电流等特点,非常适合于高效率、高密度和小型化的电子设备中。

总的来说,卡入式铝电解电容是一种可靠、高效、紧凑的电子元件,在许多电子设备中得到广泛应用。

AN5693K

AN5693K

s Electrical Characteristics at Ta = 25 °C
Parameter Power supply Supply current 1 Supply current 2 Steady state supply voltage Steady state supply Current Steady state supply input resistance Interface Video adjust gain Video adjust output resistance VPO RO29 DC measurement 20 log DC measurement output(0A = F8) output(0A = 08) 5 70 3.10 2.10 7.8 0.1 6 120 3.40 2.40 8.1 0.8 7 170 3.70 2.70 8.7 1.0 dB Ω V V V V Symbol I14 I35 V39 I39 R39 Conditions Current when V14 = 9 V Current when V35 = 5 V When Pin39 current I = 15 mA,Pin39 voltage Current when V39 = 5 V DC measurement input resistance when I39 = 10 mA ∼ 25 mA Min 38 48 5.8 2 1 Typ 48 60 6.5 5 5 Max 58 72 7.2 7 10 Unit mA mA V mA Ω DAC data is standard.
AN5693K
Black Level Det/Blank Off SW Y Input Ver. Sync. Clamp Ver. Sync. Input Hor. Sync. Input VCC3(Chroma/Jungle/DAC) Chroma Input/Black Exp. Start GND(Video/Chroma/Jungle) FBP Input VCC2(Hor. Stability Supply) Hor. AFC 2 Filter Hor. AFC 1 Filter Hor. VCO(32 fH) X-Ray Protection Input Hor.Pulse Output Ver. 50/60 Hz Detect Output Ver. Pulse Output SECAM Interface/CW Output −(B−Y)Output −(R−Y)Output Sandcastle Pulse Output −(B−Y)Input −(R−Y)Input

联想 A396联通版终端参数信息

联想 A396联通版终端参数信息

联想 A396联通版终端参数信息
主体:
品牌:联想
型号:A396
颜色:黑、白
是否智能系统:是
操作系统:安卓
SIM卡尺寸:普卡
尺寸:123x64x12.55 mm
重量:124g
CPU:四核 1.2GHz
网络:
网络频率:WCDMA:900/2100MHz GSM/GPRS/EDGE:900/1800/1900MHz 数据传输:BT 2.1 WIFI 802.11b/g/n
浏览器:支持WAP网页浏览和WEB网页浏览双卡机类型:双卡双待
储存:
机身内存ROM:100MB
运行内存RAM:50MB
最大扩展内存:32G
显示:
屏幕尺寸: 4.0英寸
是否宽屏:普屏
屏幕类型:其他
分辨率:WVGA
触摸屏:触摸屏
颜色:1600W
娱乐功能:
音乐格式:MP3/AAC/MIDI/WAV/AMR/AAC+ 视频格式:3GP、MPEG4
JAVA:不支持
收音机:支持
录音:支持
彩信功能:支持
Office功能:不支持
摄像功能:
主摄像头像素:200万像素
副摄像头像素:30万像素
视频拍摄:支持
摄像头传感器:支持
摄像头变焦模式:FF
传输功能:
GPS:不支持
蓝牙:支持
电池信息:
类型:li-ion
标配容量:1500mAh 理论通话时间:10小时理论待机时间:200小时超长待机:否
相关配件:
电池、充电器、数据线
以上信息仅供参考,具体以实物手机为准。

常用IC型号及功能查询

常用IC型号及功能查询

嵌入式常用IC芯片1.电源变换IC芯片7800 三端,固定正电压输出稳压器(块)芯片7900 三端,固定负电压输出稳压器(块)芯片AD580 三端,精密电压基准芯片ADR290/291/292/293 高精度,新型XFET 3端基准电源芯片D14,D24 DC-DC隔离电源模块HV-2405E 50mA,5~24V,AC/DC电源IC芯片HQA-2405E AC/DC电源变换器模块IMP706 低功耗,uP电源监控IC芯片LM117/217/317 3端,可调正电压输出稳压芯片LM137/237/337 3端,可调负电压输出稳压(块)芯片LM138/238/338 3端,大电流,可调正电压输出稳压(块)芯片LM150/250/350 3端,大电流,可调正电压输出稳压(块)芯片LM2930 汽车用3端稳压器芯片LT108X/SP116XX 3端,低电压,输出可调稳压器芯片M5236L/37L 灵活方便,低电压差,3端稳压驱动芯片MAX610 无变压器式,AC/DC电源变换器IC芯片MAX619 输入2V,输出5V,充电泵DC/DC变换器IC芯片MAX629 DC/DC转换芯片MAX638 过低电压检测报警,降压开关型,DC/DC电源变换器IC芯片MAX639 过低电压检测报警,降压开关型,DC/DC电源变换器IC芯片MAX682-685 低电压差,微功耗稳压器芯片MAX706 电压监控芯片MAX813L 看门狗,电压监控芯片MAX889 2MHZ稳压型电荷泵,负电压输出,DC/DC变换器芯片MAX1606 输入5V,输出28V,LCD偏置电源DC/DC芯片MAX1642/1643 输入电压仅为1V的DC/DC变换器芯片MAX1692 1.8V,降压型,微型开关,DC/DC芯片MAX1725/1726 更低功耗,低压差,线性稳压器芯片MAX1742/1842 内含1A开关,1MHz,降压型DC/DC芯片MAX1744/1745 36V输入,10W输出,降压型转换器芯片MAX1730/1759 稳压型,电荷泵,DC/DC芯片MAX1775 双路,降压型,2A以上,DC/DC芯片MAX1832/1833/1834/1835 电池反接保护,升压型DC/DC转换器芯片MAX1864/1865 降压型,DC/DC,5路输出线缆MODEM电源芯片MAX5130+PIC 精确可编程,8000基准电压值,DC/DC发生器芯片MAX6125 微封装,微功耗,微漂移,DC/DC芯片MAX6129 功耗更低,串联型,3端,电压基准芯片MAX6333 监视电压可低至1.6V的新型单片复位IC芯片MAX6821-6825 手动复位,“看门狗”定时器,低功耗,UP监控电路芯片MAX828/829 充电泵,反压型,DC/DC芯片MAX8880/8881 带有电源好2(POWDWR-OK)输出的DC/DC芯片MAX8883 双路,低压差,线性稳压器芯片MC1403 8脚精密电压基准芯片MIC2141 微功耗,升压型,V0可控,DC/DC变换器芯片PS0500-5 500mA,超小型,AC/DC电源变换芯片TOP1xx-2xx 无变压器,5W以上,AC/DC变换式精密开关电源IC芯片TL499AC 可调线型串联稳压器和升压型开关稳压器(合成稳压器)芯片TPS7350 5V固定输出,掉电延时复位,低压差稳压器芯片W431 3端,可调式电压基准芯片YA-S AC/DC电源变换器模块2.数字温度传感器AD526 增益可编程运算放大器芯片AD620 低功耗,高精密度仪器用运放芯片AD623 单电源Rail-Rail仪表运放芯片AD625 增益可编程运算放大器芯片AD626 单电源差分运算放大器芯片AD7416 带IIC接口,10位低功耗数字温度传感器芯片AD8571/8572/8574 0温漂,单电源,运算放大器芯片AD8591/8592/8594 带节能控制端的CMOS,单电源工作,满电源输入输出,运算放大器芯片DS1620 数字式温度传感器IC芯片DS1621 数字式温度传感器IC芯片及恒温控制器IC芯片DS1625 数字温度计和控温器芯片DS1629 2线接口,带有实时时钟的温度传感器芯片DS1820 数字式温度传感器IC芯片ITT2301AF 射频功率放大器芯片LM76 带数字温度传感器,IIC总线接口,12位信号输出,测温芯片LM92 数字式温度传感器芯片MAX54xx 体积更小,256级,数字电位器芯片MAX4265~4270 超低失真,单+5V,300MHz,运算放大器芯片MAX4430/4431/4432/4433 高速(280MHz),高精度,宽频带,单/双运算放大器芯片MAX6627/6628 兼容SPI接口的远端结温检测器芯片MAX6629/6630/6631/6632 微型SOT封装,+-1摄氏度精度的数字温度传感器芯片MAX6657/6658/6659 +-1摄氏度的本地和远端结温检测器芯片OP193/293/493 精密,微功耗,运算放大器芯片OP177 超精密运算放大器芯片OP777 精密,微功耗,单电源,运算放大器芯片MIC91x 高速(100~350MHz)运算放大器芯片X9241 IIC接口,数字电位器(EEPOT)IC芯片X9312 数字电位器IC芯片X9313 数控电位器芯片X9511 PushPOT按钮控制电位器芯片3.电机控制及驱动芯片87C196MC 电机控制专用微处理器芯片CIPH9803 可编程步进电机控制IC芯片FR-Z240-7.5K 变频调速器芯片HEF4752V PWM大规模集成电路芯片IR2110 高压浮动MOSFET,栅极步进电机驱动器IC芯片LM628 直流电机运动控制芯片LM1542 无刷直流电机控制器芯片LMD18200 H桥组件电机驱动芯片MA818 3相PWM,变频调速专用控制器芯片MAX1749 微型直流电机驱动控制芯片MC33033 带温度补偿的直流电机控制器芯片ML4428 无传感器PWM,无刷直流电机控制器芯片MOC30xx 双向晶闸管电机控制驱动器(双向光电耦合器)IC芯片MTE1122 智能型电机驱动运放芯片PA03 大功率(1000w)运放电机驱动芯片PA21/25/26 双功率电机驱动运放芯片PA61 大功率运放电机驱动芯片PA85 高压,高速,大功率,运放驱动芯片PBL3772/PBM3960 高性能步进电机驱动IC芯片组PH2083 多模式步进电机控制器IC芯片PMM8713 步进电机专用控制芯片SA06 脉宽调制运放,电机驱动芯片SA60 脉宽调制型功放芯片SA866 可编程,全数字化,3相PWM,变频调速控制器IC芯片ST6210 通用电机驱动电路(MCU)IC芯片TDA1085C 通用电机速度控制器芯片UCx637XC9536 PWM型直流电机驱动芯片XC9536 步进电机CPLD控制芯片4.数字通信IC芯片及接口5G16C550ACM1330E/1550DACMTX16/ACMRX18ADM101EAM7910Core 01DS14C232C/232TDS26F31DS26C32DS3695/3696/3697/3698DS8921DS8922DS9637DS9638DS14185DS75176DS96172/96174DS96173/96175HT9200AICL232KX50xxLM1893LMx3162M303S/303RM-8888MAX48x/49xMAX202MAX202E/211E/213E/232E/241EMAX214MAX220/232/232AMAX250/251MAX1480A/1480BMAX3080E-3089EMAX3082MAX3100MAX3140MAX3222/3232MAX3224~3227MAX3238E/3248E常用集成电路功能简介型号功能简述1710 视频信号处理集成电路2274 延迟集成电路2800 红外遥控信号接收集成电路4094 移位寄存串入、并出集成电路4260 动态随机存储集成电路4464 存储集成电路4558 双运算放大集成电路5101 天线开关集成电路15105 充电控制集成电路15551 管理卡升压集成电路31085 射频电源集成电路74122 可重触发单稳态集成电路85712 场扫描信号校正处理集成电路85713 行扫描信号校正集成电路0206A 天线开关集成电路03VFG9 发射压控振荡集成电路1021AC 发射压控振荡集成电路1097C 升压集成电路140N 电源取样比较放大集成电路14DN363 伺服控制集成电路1N706 混响延时集成电路20810-F6096 存储集成电路2252B 微处理集成电路24C01ACEA 存储集成电路24C026 存储集成电路24C04 存储集成电路24C64 码片集成电路24LC16B 存储集成电路24LC65 电可改写编程只读存储集成电路27C1000PC-12 存储集成电路27C2000QC-90 存储集成电路27C20T 存储集成电路27C512 电可改写编程只读存储集成电路28BV64 码片集成电路28F004 版本集成电路32D54 电源、音频信号处理集成电路32D75 电源、音频信号处理集成电路32D92 电源中频放大集成电路4066B 电子开关切换集成电路424260SDJ 存储集成电路4270351/91B9905 中频放大集成电路4370341/90M9919 中频处理集成电路4580D 双运算放大集成电路47C1638AN-U337 微处理集成电路47C1638AU-353 微处理集成电路47C432GP 微处理集成电路47C433AN-3888 微处理集成电路49/4CR1A 中频放大集成电路5G052 发光二极管四位显示驱动集成电路5G24 运算放大集成电路5W01 双运算放大集成电路649/CRIA70612 中频放大集成电路673/3CR2A 多模转换集成电路74HC04 逻辑与非门集成电路74HC04D 六反相集成电路74HC123 单稳态集成电路74HC125 端口功能扩展集成电路74HC14N 六反相集成电路74HC157A 多路转换集成电路74HC165 移相寄存集成电路74HC245 总线收发集成电路74HC32 或门四2输入集成电路74HC374八D 触发集成电路74HC573D 存储集成电路74HCT157 多路转换双输入集成电路74HCT4046A 压控振荡集成电路74HCT4538D 单稳态集成电路74HCT4538N 触发脉冲集成电路74HCT86D 异或门四2输入集成电路74HCU04 与非门集成电路74LS125 端口功能扩展集成电路74LS373 锁存集成电路74LS393 计数双四位二进制集成电路74LS74双D 触发集成电路78014DFP 系统控制处理集成电路811N 伴音阻容偏置集成电路83D33 压控振荡集成电路87C52 微处理集成电路87CK38N-3584 微处理集成电路87CK38N-3627 微处理集成电路89C52 系统控制处理集成电路89C55 系统控制处理集成电路93C66 电可改写编程只读存储集成电路93LC56 电可改写编程存储集成电路9821K03 系统控制集成电路A1642P 背景歌声消除集成电路A701 红外遥控信号接收集成电路A7950 场频识别集成电路A8772AN 色差信号延迟处理集成电路A9109 功率放大集成电路AAB 电源集成电路ACA650 色度信号解调集成电路ACFP2 色度、亮度信号分离集成电路ACP2371 多伴音、多语言改善集成电路ACVP2205 色度、亮度信号分离集成电路AD1853 立体声数/模转换集成电路AD1858 音频解调集成电路AD722 视频编码集成电路ADC2300E 音频数/模转换集成电路ADC2300J 音频数/模转换集成电路ADC2310E 音频数/模转换集成电路ADV7172 视频编码集成电路ADV7175A 视频编码集成电路AE31201 频率显示集成电路AJ7080 射频调制集成电路AK4321-VF-E1 音频数/模转换集成电路AN1319 双高速电压比较集成电路AN1358S 双运算放大集成电路AN1393 双运算放大集成电路AN1431T 稳压电源集成电路AN1452 音频前置放大集成电路AN1458S 双运算放大集成电路AN206 伴音中频及前置放大集成电路AN222 自动频率控制集成电路AN236 副载波信号处理集成电路AN239Q 图像、伴音中频放大集成电路AN247P 图像中频放大、AGC控制集成电路AN253P 调频/调幅中频放大集成电路AN262 音频前置放大集成电路AN2661NK 视频信号处理集成电路AN2663K 视频信号处理集成电路AN272 音频功率放大集成电路AN2751FAP 视频信号处理集成电路AN281 色度解码集成电路AN2870FC 多功能控制集成电路AN295 行、场扫描信号处理集成电路AN301 伺服控制集成电路AN305 视频自动增益控制集成电路AN306 色度自动相位控制集成电路AN318 直流伺服控制集成电路AN320 频率控制、调谐显示驱动集成电路AN3215K 视频信号处理集成电路AN3215S 视频信号处理集成电路AN3224K 磁头信号记录放大集成电路AN3248NK 亮度信号记录、重放处理集成电路AN331 视频信号处理集成电路AN3311K 磁头信号放大集成电路AN3313 磁头信号放大集成电路AN3321S 录像重放信号处理集成电路AN3331K 磁头信号处理集成电路AN3337NSB 磁头信号放大集成电路AN3380K 磁头信号处理集成电路AN3386NK 磁头信号处理集成电路AN3495K 色度、亮度信号降噪集成电路AN355 伴音中频放大、检波集成电路AN3581S 视频驱动集成电路AN366 调频/调幅中频放大集成电路AN3791 移位控制集成电路AN3792 磁鼓伺服控制接口集成电路AN3795 主轴伺服控制接口集成电路AN3814K 电机驱动集成电路AN4265 音频功率放大集成电路AN4558 运算放大集成电路AN5010 电子选台集成电路AN5011 电子选台集成电路AN5015K 电子选台集成电路AN5020 红外遥控信号接收集成电路AN5025S 红外遥控信号接收集成电路AN5026K 红外遥控信号接收集成电路AN5031 电调谐控制集成电路AN5034 调谐控制集成电路AN5036 调谐控制集成电路AN5043 调谐控制集成电路AN5071 频段转换集成电路AN5095K 电视信号处理集成电路AN5110 图像中频放大集成电路AN5130 图像中频、视频检波放大集成电路AN5138NK 图像、伴音中频放大集成电路AN5156K 电视信号处理集成电路AN5177NK 图像、伴音中频放大集成电路AN5179K 图像、伴音中频放大集成电路AN5183K 中频信号处理集成电路AN5195K 中频、色度、扫描信号处理集成电路AN5215 伴音信号处理集成电路AN5222 伴音中频放大集成电路AN5250 伴音中频放大、鉴频及功率放大集成电路AN5262 音频前置放大集成电路AN5265 音频功率放大集成电路AN5270 音频功率放大集成电路AN5273 双声道音频功率放大集成电路AN5274 双声道音频功率放大集成电路AN5275 中置、3D放大集成电路AN5285K 双声道前置放大集成电路AN5295NK 音频信号切换集成电路AN5312 视频、色度信号处理集成电路AN5313NK 视频、色度信号处理集成电路AN5342 图像水平轮廓校正集成电路AN5342FB 水平清晰度控制集成电路AN5344FBP 色度信号处理集成电路AN5348K 人工智能信号处理集成电路AN5385K 色差信号放大集成电路AN5410 行、场扫描信号处理集成电路AN5421 同步检测集成电路AN5422 行、场扫描信号处理集成电路AN5512 场扫描输出集成电路AN5515 场扫描输出集成电路AN5520 伴音中频放大及鉴频集成电路AN5521 场扫描输出集成电路AN5532 场扫描输出集成电路AN5534 场扫描输出集成电路AN5551 枕形校正集成电路AN5560 场频识别集成电路AN5600K 中频、亮度、色度及扫描信号处理集成电路AN5601K 视频、色度、同步信号处理集成电路AN5607K 视频、色度、行场扫描信号处理集成电路AN5615 视频信号处理集成电路AN5620X 色度信号处理集成电路AN5621 场扫描输出集成电路AN5625 色度信号处理集成电路AN5633K 色度信号处理集成电路AN5635 色度解码集成电路AN5635NS 色度解码集成电路AN5637 色度解码、亮度延迟集成电路AN5650 同步信号分离集成电路AN5682K 基色电子开关切换集成电路AN5693K 视频、色度、行场扫描信号处理集成电路AN5712 图像中频放大、AGC控制集成电路AN5722 图像中频放大、检波集成电路AN5732 伴音中频放大、鉴频集成电路AN5743 音频功率放大集成电路AN5750 行自动频率控制及振荡集成电路AN5757S 行扫描电源电压控制集成电路AN5762 场扫描振荡、输出集成电路AN5764 光栅水平位置控制集成电路AN5765 电源稳压控制集成电路AN5767 同步信号处理集成电路AN5768 光栅倾斜校正控制集成电路AN5769 行、场会聚控制集成电路AN5790N 行扫描信号处理集成电路AN5791 同步脉冲相位与脉宽调整集成电路AN5803 双声道立体声解调集成电路AN5836 双声道前置放大集成电路AN5858K 视频信号控制集成电路AN5862 视频信号控制集成电路AN5862S-E1 视频信号开关控制集成电路AN5870K 模拟信号切换集成电路AN5891K 音频信号处理集成电路AN614 行枕形校正集成电路AN6210 双声道前置放大集成电路AN6306S 亮度信号处理集成电路AN6308 模拟电子开关集成电路AN6327 视频重放信号处理集成电路AN6341N 伺服控制集成电路AN6342N 基准分频集成电路AN6344 伺服控制集成电路AN6345 分频集成电路AN6346N 磁鼓伺服控制集成电路AN6350 磁鼓伺服控制集成电路AN6357N 主轴接口集成电路AN6361N 色度信号处理集成电路AN6367NK 色度信号处理集成电路AN6371S 自动相位控制集成电路AN6387 电机伺服控制集成电路AN6550 卡拉OK音频放大集成电路AN6554 四运算放大集成电路AN6561 双运算放大集成电路AN6562SG 双运算放大集成电路AN6609N 电机驱动集成电路AN6612 电机稳速控制集成电路AN6650 电机速度控制集成电路AN6651 电机速度控制集成电路AN6652 电机稳速控制集成电路AN6875 发光二极管五位显示驱动集成电路AN6877 发光二极管七位显示驱动集成电路AN6884 发光二极管五位显示驱动集成电路AN6886 发光二极管五位显示驱动集成电路AN6888 发光二极管显示驱动集成电路AN6914 双电压比较集成电路AN7085N5 单片录、放音集成电路AN7105 双声道音频功率放大集成电路AN7106K 双声道音频功率放大集成电路AN7108 单片立体声放音集成电路AN710S 单片放音集成电路AN7110E 音频功率放大集成电路AN7114 音频功率放大集成电路AN7116 音频功率放大集成电路AN7118 双声道音频功率放大集成电路AN7118S 双声道音频功率放大集成电路AN7120 音频功率放大集成电路AN7124 双声道音频功率放大集成电路AN7145 双声道音频功率放大集成电路AN7148 双声道音频功率放大集成电路AN7158N 音频功率放大7.5W×2集成电路AN7161N 音频功率放大集成电路AN7164 双声道音频功率放大集成电路AN7171NK 音频功率放大集成电路AN7205 调频/调谐及高频放大集成电路AN7220 调频/调幅中频放大集成电路AN7222 调频/调幅中频放大集成电路AN7223 调频/调幅中频放大集成电路AN7226 调频/调幅中频放大集成电路AN7256 调频/调谐及中频放大集成电路AN7311 双声道前置放大集成电路AN7312 双声道前置放大集成电路AN7315 双声道前置放大集成电路AN7315S 双声道前置放大集成电路AN7320 音频前置放大集成电路AN7396K 双声道前置放大集成电路AN7397K 双声道前置放大集成电路AN7410 调频立体声多路解码集成电路AN7414 调频立体声解码集成电路AN7420N 调频立体声解码集成电路AN7470 调频立体声解码集成电路AN7805 三端电源稳压+5V/1A集成电路AN7806 三端电源稳压+6V/1A集成电路AN7807 三端电源稳压+7V/1A集成电路AN7808 三端电源稳压+8V/1A集成电路AN7809 电源稳压+9V/1A集成电路AN7810 三端电源稳压+10V/1A集成电路AN7812 三端电源稳压+12V/1A集成电路AN7815 三端电源稳压+15V/1A集成电路AN7818 三端电源稳压+18V/1A集成电路AN7820 三端电源稳压+20V/1A集成电路AN7824 三端电源稳压+24V/1A集成电路AN78L05 三端电源稳压+5V/0.1A集成电路AN78L06 三端电源稳压+6V/0.1A集成电路AN78L08 三端电源稳压+8V/0.1A集成电路AN78L09 三端电源稳压+9V/0.1A集成电路AN78L10 三端电源稳压+10V/0.1A集成电路AN78L12 三端电源稳压+12V/0.1A集成电路AN78L15 三端电源稳压+15V/0.1A集成电路AN78L18 三端电源稳压+18V/0.1A集成电路AN78L20 三端电源稳压+20V/0.1A集成电路AN78L24 三端电源稳压+24V/0.1A集成电路AN78M05 三端电源稳压+5V/0.5A集成电路AN78M06 三端电源稳压+6V/0.5A集成电路AN78M08 三端电源稳压+8V/0.5A集成电路AN78M09 三端电源稳压+9V/0.5A集成电路AN78M10 三端电源稳压+10V/0.5A集成电路AN78M12 三端电源稳压+12V/0.5A集成电路AN78M15 三端固定式稳压+15V/0.5A集成电路AN78M18 三端电源稳压+18V/0.5A集成电路AN78M20 三端电源稳压+20V/0.5A集成电路AN78M24 三端电源稳压+24V/0.5A集成电路AN7905 三端电源稳压-5V/1A集成电路AN7906 三端电源稳压-6V/1A集成电路AN7908T 三端电源稳压-8V/1A集成电路AN7909T 三端电源稳压-9V/1A集成电路AN7910T 三端电源稳压-10V/1A集成电路AN7912 三端电源稳压-12V/1A集成电路AN7915 三端电源稳压-15V/1A集成电路AN7918 三端电源稳压-18V/1A集成电路AN7920 三端电源稳压-20V/1A集成电路AN7924 三端电源稳压-24V/1A集成电路AN79L05 三端电源稳压-5V/0.1A集成电路AN79L06 三端电源稳压-6V/0.1A集成电路AN79L08 三端电源稳压-8V/0.1A集成电路AN79L09 三端电源稳压-9V/0.1A集成电路AN79L10 三端电源稳压-10V/0.1A集成电路AN79L12 三端电源稳压-12V/0.1A集成电路AN79L15 三端电源稳压-15V/0.1A集成电路AN79L18 三端电源稳压-18V/0.1A集成电路AN79L20 三端电源稳压-20V/0.1A集成电路AN79L24 三端电源稳压-24V/0.1A集成电路AN79M05 三端电源稳压-5V/0.5A集成电路AN79M06 三端电源稳压-6V/0.5A集成电路AN79M08 三端电源稳压-8V/0.5A集成电路AN79M09 三端电源稳压-9V/0.5A集成电路AN79M10 三端电源稳压-10V/0.5A集成电路AN79M12 三端电源稳压-12V/0.5A集成电路AN79M15 三端电源稳压-15V/0.5A集成电路AN79M18 三端电源稳压-18V/0.5A集成电路AN79M20 三端电源稳压-20V/0.5A集成电路AN79M24 三端电源稳压-24V/0.5A集成电路AN8028 自激式开关电源控制集成电路AN8270K 主轴电机控制集成电路AN8280 电机驱动集成电路AN8290S 主轴电机驱动集成电路AN8355S 条形码扫描接收集成电路AN8370S 光电伺服控制集成电路AN8373S 射频伺服处理集成电路AN8375S 伺服处理集成电路AN8389S-E1 电机驱动集成电路AN8480NSB 主轴电机驱动集成电路AN8481SB-E1 主轴电机驱动集成电路AN8482SB 主轴电机驱动集成电路AN8623FBQ 主轴伺服处理集成电路AN8788FB 电机驱动集成电路AN8802CE1V 伺服处理集成电路AN8813NSBS 主轴电机驱动集成电路AN8819NFB 伺服驱动、直流交换集成电路AN8824FBQ 前置放大集成电路AN8825NFHQ-V 聚焦、循迹误差处理集成电路AN8831SC 视频预视放集成电路AN8832SB-E1 射频放大、伺服处理集成电路AN8837SB-E1 伺服处理集成电路AN89C2051-24PC 微处理集成电路APU2400U 音频信号处理集成电路APU2470 音频信号处理集成电路AS4C14405-60JC 动态随机存储1M×4集成电路AS4C256K16ED-60JC 存储集成电路ASD0204-015 图文控制集成电路ASD0204GF 显示控制集成电路AT24C08 存储集成电路AT24C08A 存储集成电路AT24C256-10CI 码片集成电路AT27C010 电可改写编程只读存储集成电路AT27C020 存储集成电路ATMEL834 存储集成电路AVM-1 视频信号处理厚膜集成电路AVM-2 音频信号处理厚膜集成电路AVSIBCP08 倍压整流切换集成电路B0011A 存储集成电路B1218 电子快门控制集成电路BA033T 三端电源稳压+3.3V集成电路BA10324 四运算放大集成电路BA10393N 双运算放大集成电路BA1102F 杜比降噪处理集成电路BA1106F 杜比降噪处理集成电路BA12ST 电源稳压集成电路BA1310 调频立体声解码集成电路BA1332L 调频立体声解码集成电路BA1350 调频立体声解码集成电路BA1351 调频立体声解码集成电路BA1360 调频立体声解码集成电路BA15218N 双运算放大集成电路BA225 可触发双单稳态振荡集成电路BA302 音频前置放大集成电路BA311 音频前置放大集成电路BA313 音频前置放大集成电路BA3283 单片放音集成电路BA328F 双声道前置放大集成电路BA329 双声道前置放大集成电路BA3304F 录放音前置均衡放大集成电路BA3306 音频、前置放大集成电路BA3312N 话筒信号前置放大集成电路BA3313L 自动音量控制集成电路BA3314 话筒信号前置放大集成电路BA335 自动选曲集成电路BA336 自动选曲集成电路BA340 音频前置放大集成电路BA3402F 双声道前置放大集成电路BA3404F 自返转放音集成电路BA3416BL 双声道前置放大集成电路BA343 双声道前置放大集成电路BA3503F 双声道前置放大集成电路BA3506 单片放音集成电路BA3513FS 单片放音集成电路BA3516 单片放音集成电路BA3706 自动选曲集成电路BA3707 录音带曲间检测集成电路BA3812L 五频段音调补偿集成电路BA3818F 电压比较运放集成电路BA3822LS 双声道五频段显示均衡集成电路BA3828 电子选台预置集成电路BA3880 音频处理集成电路BA401 调频中频放大集成电路BA402 调频中频放大集成电路BA4110 调频中频放大集成电路BA4234L 调频中频放大集成电路BA4402 调频调谐收音集成电路BA4403 调频高频放大、混频、本振集成电路BA4560 双运算放大集成电路BA5096 数字混响集成电路BA5102A 音频功率放大集成电路BA514 音频功率放大集成电路BA516 音频功率放大集成电路BA5208AF 音频功率放大集成电路BA532 音频功率放大集成电路BA534 音频功率放大集成电路BA5406 双声道音频功率放大集成电路BA547 音频功率放大1.5W集成电路BA5912AFP-YE2 电机驱动、倾斜、加载集成电路BA5981FP-E2 聚焦、循迹驱动集成电路BA5983FB 四通道伺服驱动集成电路BA5983FM-E2 电机驱动集成电路BA6104 发光二极管五位显示驱动集成电路BA6107A 电机伺服控制集成电路BA6109 加载电机驱动集成电路BA6125 发光二极管五位显示驱动集成电路BA6137 发光二极管五位显示驱动集成电路BA6191 音频控制集成电路BA6196FP 伺服驱动集成电路BA6208 电机驱动集成电路BA6208D 电机驱动集成电路BA6209 电机驱动集成电路BA6209N 双向驱动电机集成电路BA6209U 电机双向驱动集成电路BA6218 加载电机驱动集成电路BA6219 电机驱动集成电路BA6219B 电机驱动集成电路BA6227 电机稳速控制集成电路BA6238 电机驱动集成电路BA6239 电机双向驱动集成电路BA6239A 电机双向驱动集成电路BA6246M 加载、转盘电机驱动集成电路BA6248 电机驱动集成电路BA6286 电机驱动集成电路BA6287 电机驱动集成电路BA6290 电机驱动集成电路BA6295AFP-E2 加载、倾斜驱动集成电路BA6296FP 电机速度控制集成电路BA6297AFP 伺服驱动集成电路BA6302A 电机伺服控制集成电路BA6305 控制放大集成电路BA6305F 控制放大集成电路BA6308 电子开关切换集成电路BA6321 电机伺服控制集成电路BA6392 伺服驱动集成电路BA6395 主轴电机驱动集成电路BA6396FP 伺服驱动集成电路BA6411 电机驱动集成电路BA6435S 主轴电机驱动集成电路BA6459P1 电机驱动集成电路BA6570FP-E2 聚焦、循迹驱动集成电路BA6664FM 三相主电机驱动集成电路BA6791FP 四通道伺服驱动集成电路BA6796FP 电机驱动集成电路BA6844AFP-E2 三相主电机驱动集成电路BA6849FP 主轴电机驱动集成电路BA689 发光二极管十二位显示驱动集成电路BA6893KE2 直流变换驱动集成电路BA6956AN 加载电机驱动集成电路BA6993 双运算放大集成电路BA7001 音频切换集成电路BA7004 测试信号发生集成电路BA7005AL 射频调制集成电路BA7007 信号检测集成电路BA7021 视频信号选择集成电路BA7024 视频信号测试集成电路BA7025L 信号检测集成电路BA7042 振荡集成电路BA7047 调频检波集成电路BA7048N 包络信号检测集成电路BA7106LS 检测信号控制集成电路BA7180FS 磁头信号放大集成电路BA7212S 磁头信号放大集成电路BA7253S 磁头信号放大集成电路BA7254S 四磁头信号放大集成电路BA7258AS 亮度信号处理集成电路BA7264S 视频信号处理集成电路BA7274S 磁头信号放大集成电路BA7357S 中频放大集成电路BA7604N 电子开关切换集成电路BA7606F 色差信号切换集成电路BA7655 色度信号处理集成电路BA7665FS-E2 视频输出放大集成电路BA7725FS 混响立体声放大集成电路BA7725S 信号压缩及扩展处理集成电路BA7743FS 磁头信号放大集成电路BA7751ALS 音频信号录放处理集成电路BA7752LS 音频信号处理集成电路BA7755 磁头开关集成电路BA7755AF-E2 磁头开关集成电路BA7765AS 音频信号处理集成电路BA7766SA 音频信号处理集成电路BA7767AS 音频信号处理集成电路BA7797F 音频信号处理集成电路BA8420 特技控制处理集成电路BAL6309 场同步信号发生集成电路BH3866AS 音频、色度信号前置放大集成电路BH4001 微处理集成电路BH7331P 音频功率放大集成电路BH7770KS 音频信号处理集成电路BL3207 亮度延时集成电路BL5132 中频放大集成电路BL54573 电子调频波段转换集成电路BL5612 视频放大、色差矩阵集成电路BM5060 微处理集成电路BM5061 字符发生集成电路BM5069 微处理集成电路BN5115 图像中频放大集成电路BOC31F 单片微处理集成电路BP5020 视频电源转换集成电路BT852 视频编码集成电路BT864 视频编码集成电路BT866PQFP 微处理集成电路BU12102 时序信号发生解码集成电路BU2092F 扩展集成电路BU2185F 同步信号处理集成电路BU2285FV 时钟信号发生集成电路BU2820 伺服控制集成电路BU2841FS 视频、蓝背景信号发生集成电路BU2872AK 操作系统控制、屏显驱动集成电路BU3762AF 红外遥控信号发射集成电路BU4053B 电子开关切换集成电路BU5814F 红外遥控信号发射集成电路BU5994F 红外遥控信号发射集成电路BU6198F 屏幕显示集成电路BU9252F 音频延时集成电路BU9252S 数/模转换集成电路BU9253FS 话筒音频混响集成电路BX1303 音频功率放大集成电路BX1409 红外遥控信号接收集成电路BX7506 主轴电机电源控制集成电路C1363CA 红外遥控电子选台集成电路C1490HA 红外遥控信号接收集成电路C187 分配、十进制计数集成电路C301 译码BCD-10段集成电路C68639Y 微处理集成电路C75P036 微处理集成电路CA0002 调幅模拟声解调集成电路CA2004 音频功率放大集成电路CA2006 音频功率放大集成电路CA270AW 视频检波放大集成电路CA3075 调频中频放大集成电路CA3089 调频中频放大集成电路CA3120E 视频信号处理集成电路CA3140 运算放大集成电路CA810 音频功率放大集成电路CA920 行扫描信号处理集成电路CAS126 天线开关集成电路。

K9K4G08Q0M资料

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GENERAL DESCRIPTION
Offered in 512Mx8bit or 256Mx16bit, the K9XXGXXXXM is 4G bit with spare 128M bit capacity. Its NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid state mass storage market. A program operation can be performed in typical 300µs on the 2112byte(X8 device) or 1056-word(X16 device) page and an erase operation can be performed in typical 2ms on a 128K-byte(X8 device) or 64K-word(X16 device) block. Data in the data page can be read out at 50ns cycle time per byte(30ns, only X8 3.3v device) or word(X16 device). The I/O pins serve as the ports for address and data input/output as well as command input. The on-chip write controller automates all program and erase functions including pulse repetition, where required, and internal verification and margining of data. Even the write-intensive systems can take advantage of the K9XXGXXXXM′s extended reliability of 100K program/erase cycles by providing ECC(Error Correcting Code) with real time mapping-out algorithm. The K9XXGXXXXM is an optimum solution for large nonvolatile storage applications such as solid state file storage and other portable applications requiring non-volatility. An ultra high density solution having two 4Gb stacked with two chip selects is also available in standard TSOPI package.

一种储能模组绝缘支撑件及其制备方法[发明专利]

一种储能模组绝缘支撑件及其制备方法[发明专利]

专利名称:一种储能模组绝缘支撑件及其制备方法专利类型:发明专利
发明人:杜旻,黄洪驰,刘锋,李建学,王炳生
申请号:CN201810682407.5
申请日:20180627
公开号:CN109054065A
公开日:
20181221
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一种储能模组绝缘支撑件及其制备方法,其特征是:储能模组绝缘支撑件是重叠的高强度无卤阻燃树脂玻璃纤维纱预浸料在140℃~175℃下经模压成型后制得的复合材料;制备方法包括:制备高强度无卤阻燃树脂胶黏剂、制备高强度无卤阻燃树脂玻璃纤维纱预浸料和热压成型制成储能模组绝缘支撑件。

本发明储能模组绝缘支撑件在常温下弯曲强度≥500MPa,在155℃下弯曲强度≥250MPa,在90℃变压器油中垂直层向电气强度≥10KV/mm,在浸水24h后绝缘电阻
≥1.0×10MΩ,耐电弧性182~186s,无卤阻燃性达到UL94V‑0,特别适用于储能式有轨电车超级电容电源系统使用。

申请人:四川东材科技集团股份有限公司
地址:621000 四川省绵阳市经开区洪恩东路68号
国籍:CN
代理机构:成都蓉信三星专利事务所(普通合伙)
代理人:刘克勤
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三极管参数表

三极管参数表

三极管参数表|常用三极管参数表下表是常用三极管的一些参数以及替换型号器件型号电压电流代换型号3DG9011 50V 2N4124 CS9011 JE9011 9011 50V LM9011 SS90119012 40V LM90129012(HH) 40V SS90129012LT1 40V A12983DG9013 40V CS9013 JE90139013 40V LM90139013(HH) 40V SS90139013LT1 40V C32653DG9014 50V CS9014 JE90149014 50V LM9014 SS90149014LT1 50V C16239015 50V LM9015 SS9015TEC9015 50V BC557 2N3906TEC9015A 50V BC557 2N3906TEC9015B 50V BC557 2N3906TEC9015C 50V BC557 2N39063DG9016 30V JE90169016 30V SS9016TEC9016 40V BF240 BF254 BF5948050 40V SS80508050LT1 40V KA3265ED8050 50V BC337SDT85501 60V 10A 3DK104CSDT85502 80V 10A 3DK104CSDT85503 100V 10A 3DK104DSDT85504 140V 10A 3DK104ESDT85505 170V 10A 3DK104FSDT85506 60V 10A 3DK104CSDT85507 80V 10A 3DK104CSDT85508 100V 10A 3DK104DSDT85509 140V 10A 3DK104EED8550 50V BC3378550 40V LM8550 SS85508550LT1 40V KA32652SA1015 50V BC177 BC204 BC212 BC213 BC251 BC257 BC307 BC512 BC557 CG1015 CG673 2SC1815 60V BC174 BC182 BC184 BC190 BC384 BC414 BC546 DG458 DG18152SC1815L 60V BC550 2SC2240 2S26742SC2675 2SC33782SC1815LT1 60V 9014LT12SC945 60V BC107 BC171 BC174 BC182 BC183 BC190 BC207 BC237 BC382 BC546 BC547 BC582 DG945 2N2220 2N2221 2N2222 3DG120B 3DG4312 MMBT3904 40V BCW72 3DG120C MMBT3906 40V BCW70 3DG120CMMBT2222 未知BCX19 3DG120CMMBT2222A 75V 3DK10CMMBT5401 160V 3CA3FMMBTA92 300V 3CG180HBC807 50V BC338 BC537 BC635 3DK14BBC807R 50V BCX17 BCX17R BCW68 BCW68R BC807-W 50V BCX17 BCW68 2SB1219ABC817 50V BCX19 BCW65 BCX66BC817R 50V BCX19 BCX19R BCW65 BCW65R BCX66 BCW66RBC817-W 50V BCX19 BCW65 BCW66 2SD1820 2SD1949BC846 80V BCV71 BCV72BC846R 80V BCV71 BCV71R BCV72 BCV72RBC846-W 80V BCV71 BCV72 BCV72RBC847 50V BCW71 BCW72 BCW81BC847R 50V BCW71 BCW71R BCW72 BCW72R BCW81 BCW81RBC847-W 50V BCW71 BCW72 BCW81 2SC4101 2SC4102BC848 30V BCW31 BCW32 BCW33 BCW71 BCW72 BCW81 BC848R 30V BCW31 BCW31R BCW32 BCW32R BCW33 BCW33R BCW71 BCW71R BCW72 BCW72R BCW81 BCW81R BC848-W 30V BCW31 BCW32 BCW33 BCW71 BCW72 BCW81 2SC4101 2SC4102 2SC4117BC856 50V BCW89BC856R 80V BCW89 BCW89RBC856-W 80V BCW89 2SA1507 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电源推动管2SC458 3DG4A、2SC664 行振荡2SC536 3DG4A、2SC2320 电源推动管2SC562 G6738、B689 预视放2SC633 3DG6B、2SC1684 行振荡管2SC634 3DG12B 行振荡管2SC643A D2027、2SD818 行输出管2SC680A 3DD205B、2SC1025 场输出2SC681 3DD102B、2SC901 行输出2SC734 3DX200B、2SC2274 行振荡管2SC828 3DG56B、2SC3330 电源误差放大管2SC935 3DD102D、2SD320 电源调整管2SC8937 D2027、2SD818 行输出管2SC1034 2SD818、2SD299 行输出管2SC1162 FA433A、2SC2068 场输出枕形校正2SC1172 D2027、2SD820 行输出管2SC1209 3DG12A、2SD734 电源误差放大管2SC1213 3DG130A、2SC2120 电源误差放大管2SC1213A 3DG12B、2SC1247A 电源误差放大2SC12143DA151A、2SC2002 枕形校正2SC1308 D209、2SD820 行输出管2SC1318 3DG12A、2SC2274 行激励管2SC1364 3DX2038、2SC2320 行激励管2SC1505 DA1722B、2SC1757 行视放2SC1507 DA1722B、2SC1756、2SC1757 行激励管2SC1364 3DX2038、C23020 行激励管2SC1520 DA1722B、2SC2068 预视放2SC1566 3DA151D、2SC1514 视放2SC1573 3DA87C、2SC1762 视放2SC1672 3DD102B、2SC2433 电源调整管2SC1685 3DD180、2SC1570 脉冲开关2SC1819 3DA151D、2SC2425 视放2SC1890A 3DA878、2SC2363 视放2SC1905 3DA151D、2SD1163 视放2SC1942 D209、2SD1401 行输出管2SC2233 3DD12B、2SC2373 行输出2SD201 3DD102A、2SD125A 电源调整管2SD226 3DD207、2SD315 电源调整管2SD299 D2027、2SC1308 行输出管2SD350 D2027、2SD348 行输出管2SD380 D209、2SD348 行输出管2SD869 2SD993、2SD898B 行输出管C3150 C3151、C3152 开关管BU508A BU508D、C3893、C3895、C3897 开关管彩显中易损场效应管主要参数表型号功率Pcm/W 最大电流IDM/A D-S极间耐压价格2SK534 100W 5A 800V2SK538 100 3 9002SK557 100 12 5002SK560 100 15 5002SK566 78 3 800 2SK644 125 10 500 2SK719 120 5 900 2SK725 125 15 500 2SK727 125 5 900 2SK774 120 18 500 2SK785 150 20 500 2SK787 150 8 900 2SK788 150 13 500 2SK790 150 15 500 2SK872 150 6 900 2SK955 150 9 800 2SK956 150 9 800 2SK962 150 8 900 2SK1019 300 30 500 2SK1020 300 30 500 2SK1081 125 7 800 2SK1082 125 6 800 2SK1117 100 6 600 2SK1118 45 6 600 2SK1119 100 4 1000 2SK1120 150 8 1000 2SK1171 240 5 1400 2SK1198 75 3 800 2SK1249 130 15 500 2SK1250 150 20 500 2SK1271 240 15 1400 2SK1280 150 18 500 2SK1281 120 4 700 2SK1341 100 5 900 2SK1342 100 8 900 2SK1357 125 5 900 2SK1358 150 9 900 2SK1451 120 5 900 2SK1498 120 20 500 2SK1500 160 25 500 2SK1502 120 7 900 2SK1507 50 6 600 2SK1512 150 10 850 2SK1531 150 15 500 2SK1537 100 5 900 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AN3969K
s Absolute Maximum Ratings
Parameter Supply voltage Power dissipation *1, *2 Operating ambient temperature *1 Storage temperature *1 Symbol VCC PD Topr Tstg Rating 6.0 186 −20 to +75 −55 to +150 Unit V mW °C °C
3
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AN3969K ICs for VCR
s Electrical Characteristics at VCC = 5 V, pin 8 = 3 V, pin 9 = 3 V, Ta = 25°C (continued)
Parameter EVR out max. output L EVR out max. output R EVR out S/N L EVR out S/N R EVR max. level L EVR max. level R EVR attenuation level L EVR attenuation level R Symbol Conditions Min 1 1 70 70 8 8 −12 −12 −12 −12 −22 −22 Typ 10 10 −10 −10 −10 −10 −20 −20 Max 12 12 −65 −65 −8 −8 −7 −7 −50 −50 −18 0.2 −18 −70 −75 −75 −60 Unit dBs dBs dB dB dB dB dB dB dBs dBs dB dB dB dB dBs % dBs dB dB dB dB VEOML Output level at pin 8 = 5 V and distortion ratio = 1% VEOMR Output level at pin 9 = 5 V and distortion ratio = 1% NEOL NEOR Ratio to VEOL to In1, RG = 18 kΩ, JIS A and RL = 10 kΩ Ratio to VEOR to In1, RG = 18 kΩ, JIS A and RL = 10 kΩ
Note) 1. Unless otherwise specified, set a mode to In1 input selection, EVR on, EVR individual CTL, mic. off and input a typical input that is In1 input, VIN = −20 dBs, fIN = 1 kHz and L/R simultaneous input. 2. Unless otherwise specified, measure EVR out L for L-ch. parameter and EVR out R for R-ch. parameter.
VCC
19
4
Vol./bal.
3
INSEL B
In3 (L)
21
2
INSEL A
2
Input SW
In2 (L)
22
1
In1 (L)
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ICs for VCR
s Pin Descriptions
Pin No. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Description In1 (L-ch.) input pin Input selection control (CTL) A pin Input selection control (CTL) B pin EVR individual/balance mode CTL pin Mix. output pin EVR (L-ch.) output pin EVR (R-ch.) output pin Main volume adjustment pin for individual mode L-ch./balance mode Balance volume adjustment pin for individual mode R-ch./balance mode EVR On/Off CTL pin Pin No. 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 Description In1 (R-ch.) input pin In2 (R-ch.) input pin In3 (R-ch.) input pin In4 (R-ch.) input pin GND pin VREF (1/2VCC) pin Mic. input pin Mic. On/Off CTL pin VCC (5 V) pin In4 (L-ch.) input pin In3 (L-ch.) input pin In2 (L-ch.) input pin
Note) *1: Except for the power dissipation, operating ambient temperature and storage temperature, all ratings are for Ta = 25°C. *2: The power dissipation shown is the value for Ta = 75°C.
VMUTE Mic. off mode, mic.IN = −32 dBs, 1 kHz, mix. out measurement, ratio to VMIC CCH1RL In1R = −10 dBs, L-ch. measurement, DIN audio, ratio to VEOL is −10 dB. CCH1LR In1L = −10 dBs, R-ch. measurement, DIN audio, ratio to VEOR is −10 dB. CIN1 In2, In3, In4 = −10 dBs, mix. measurement, DIN audio, ratio to VMIX is −10 dB.
s Recommended Operating Range
Parameter Supply voltage Symbol VCC Range 4.5 to 5.5 Unit V
s Electrical Characteristics at VCC = 5 V, pin 8 = 3 V, pin 9 = 3 V, Ta = 25°C
EVR balance characteristics 1-L VBAL1L EVR balance mode, pin 8 = 5 V, pin 9 = 2.5 V EVR balance characteristics 1-R VBAL1R EVR balance mode, pin 8 = 5 V, pin 9 = 2.5 V EVR balance characteristics 2-L VBAL2L EVR balance mode, pin 8 = 5 V, pin 9 = 1.25 V, ratio to VBAL1L EVR balance characteristics 2-R VBAL2R EVR balance mode, pin 8 = 5 V, pin 9 = 3.75 V, ratio to VBAL1R EVR balance characteristics 3-L VBAL3L EVR balance mode, pin 8 = 5 V, pin 9 = 0 V, ratio to VBAL1L EVR balance characteristics 3-R VBAL3R EVR balance mode, pin 8 = 5 V, pin 9 = 5 V, ratio to VBAL1R Mix. out level Mix. out distortion ratio Mic. mix. level Mic. mix. muting ratio Crosstalk 1 between channels (R→L) Crosstalk 2 between channels (L→R) Crosstalk between inputs VMIX TMIX VMIC Mix. out measurement in a typical input Mix. out measurement in a typical input Mix. out measurement with mic. on mode, mic in = −32 dBs, 1 kHz
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ICs for VCR
AN3969K
Electronic volume IC for HiFi VCR
s Overview
The AN3969K is a stereo electronic volume IC which has been developed for a HiFi video, enabling to switch four inputs of a single channel and to input from microphone.
AN3969K
s Block Diagram
ICs for VCR
In2 (R)
12
Input SW
11
In1 (R)
In3 (R)
13
10
EVR On/Off
Bal.
Bal. CTL
In4 (R)
14
9
R/bal. CTL
GND
15
Mic. off Mic. on
Bal. Vol.
8
L/main CTL
1
11
4.50±0.25
s Features
6.35±0.30
1.778 0.90±0.25 Seat2±0.25 15° 3° to +0.10 0.35 – 0.05
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