半导体物理绪论

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绪论-半导体器件可靠性物理

绪论-半导体器件可靠性物理

•金铝合金 •管腿腐蚀
•电迁移
•管腿损伤
•铝腐蚀
•漏气
•铝划伤
•外来物引起漏短路
•铝缺口
•绝缘珠裂缝
•台阶断铝 •标志不清
•过电应力烧毁
• 键合缺陷引起的失效:键合颈部损伤、键合强度不够、键合面沾污金-铝合金、
键合位置不当、键合丝损伤、键合丝长尾、键合应力过大损伤硅片。
• 表面劣化机理:钠离子沾污引起沟道漏电、辐照损伤,表面击穿、表面复合引
课程的重点
绪论
是什么? 干什么? 为什么学? 学什么?
绪论
半导体可靠性物理学
产生过程
产生背景
其产生与其他边缘性学科(例如,环境工程学,系统工程学, 生物工程学)一样,是科学技术发展的必然。随着电子系统的
发展,其复杂性和可靠性成了尖锐的矛盾,系统越复杂,所用 元器件越多,失效的概率就越大,即可靠性越不易保证。
绪论
主要的失效机理
指器件失效的实质原因。即引起器件失效的物理或化学过程。
设计问题引 起的缺陷
体内退化 机理
氧化层 缺陷
金属化系 统退化
封装退化 机理
•版图 •工艺方案 •电路和结构
•二次击穿 •CMOS闩锁效应 •中子辐射损伤 •重金属沾污 •材料缺陷
•针孔 •厚度不均匀 •接触孔钻蚀 •介质击穿等
两个概念
研究领域和任务
强调两个概念:器件的失效和退化
在目前许多的文献中,二者是等效的。但严格地讲,二者有区别。
共同之处:器件特性偏离了正常指标
不同之处:失效-更强调出现不正确的器件、电路 功能
本课程中,二者可互相替换。
绪论
半导体可靠性物理学
研究领域、研究任务

修订1半导体物理学绪论

修订1半导体物理学绪论
超大规模IC
半导体器件
计算机的发展史
半导体器件
半导体器件
计算机经历:电子管 → 晶体管 → 集成电路时代
钨、钼电极 半导体器件
锗、硅半导体 单晶硅片,高纯钛、SiO2、铬薄膜
电子管 电极材料:钨、 钼
由大量电子管组成 的第一台计算机重 30吨,用电相当于1 个小城市
三级电子管 图的大小与实物相当
1947年12月23日,巴丁和布拉顿把两根触丝放在 锗半导体晶片的表面上,当两根触丝十分靠近时,放 大作用发生了。世界第一只固体放大器——晶体管也 随之诞生了。
布拉顿实验成功的这种晶体管,是金属触丝和半导 体的某一点接触,故称点接触晶体管。这种晶体管对 电流、电压都有放大作用。
43 半导体器件
在1948年 6月30日,贝尔实验室首次在纽约 向公众展示了晶体管。这个伟大的发明使许多 专家不胜惊讶。然而,对于它的实用价值,人 们大都表示怀疑。当年7月1日的《纽约时报》 只以8个句子、201个文字的短讯形式报道了本 该震惊世界的这条新闻。在公众的心目中,晶 体管不过是实验室的珍品而已。估计只能做助 听器之类的小东西。
半导体器件
半导体器件
1-负电阻温度系数
1834年,法拉第发现硫化银电阻能随着温度 的上升而下降----负的温度系数----区分半导 体和金属及一些不良导体----不充分----金属 薄膜同性质。
半导体器件
2-光电导效应
1873年,W.Smith在实验电路中发现Se的 光电导效应--光照而电阻减小的现象
半导体物理学
Semiconductor Physics
半导体器件
绪言
半导体器件
晶体结构
基础
能带结构
主体 应用

半导体物理-绪论

半导体物理-绪论
高锟在“有关光在纤维中的传输以用于光学通信方面”取 得了突破性成就,获得物理学奖一半的奖金,共500万瑞 典克朗(约合70万美元);博伊尔和史密斯发明了半导体 成像器件——电荷耦合器件(CCD)图像传感器,将分享 另一半奖金。
英国曼彻斯特大学物 理学家 安德烈·980-2000年的全球国民生产总值(WGP)及电子、汽车、半导体和钢铁工业的销售量,并外插此曲线到2010年止
太阳能电池、LED, 半导体制冷、IC设

从上图中可以得知: 电子工业和半导体工业已经超过传统的钢铁工业、汽车工业,成为
21世纪的高附加值、高科技的产业。电子工业的高速发展依赖于半导体 工业的快速提高,而在半导体工业中其核心是集成电路(电集成、光集 成、光电集成),集成电路在性能、集成度、速度等方面的快速发展是 以半导体物理、半导体器件、微电子工艺的发展为基础的。
半导体物理-绪论
课程介绍
联想???
定 位
半导体物理
近年诺贝尔物理学奖
法国科学家阿尔贝·费尔 (2007年) 德国科学家彼得·格林贝格尔
巨磁电阻效应,是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时 较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。根据这一效应 开发的小型大容量计算机硬盘已得到广泛应用。
高锟、威拉德·博伊尔和乔治·史密斯 (2009年)
“研究二维材料石墨烯的开创性实验”而共享。2004年制 成的石墨烯已迅速成为物理学和材料学的热门话题,现在 是世界上最薄的材料,仅有一个原子厚。在改良后,石墨 烯致力于塑造低功率电子元件,如晶体管。相比之下,铜 线和半导体都会产生电脑芯片75%的能量消耗,人们确定 了石墨烯拥有取代硅留名史册的本事。
《科学》:2009年十大科学突破 石墨烯微观结构:六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜

半导体物理1-8章重点总结

半导体物理1-8章重点总结

半导体重点总结(1-7章)绪论1. 制作pn 结的基本步骤。

(重点,要求能够画图和看图标出步骤)第一章. 固体晶体结构1. 半导体基本上可以分为两类:位于元素周期表IV 元素半导体材料和化合物半导体材料。

大部分化合物半导体材料是III 族和V 族化合形成的。

2. 元素半导体,如:Si 、Ge ; 双元素化合物半导体,如:GaAs (III 族和V 族元素化合而成)、InP 、ZnS 。

类似的也有三元素化合物半导体。

3. 固体类型:(a )无定形(b )多晶(c )单晶 图见P6 多晶:由两个以上的同种或异种单晶组成的结晶物质。

多晶没有单晶所特有的各向异性特征 准晶体: 有长程的取向序,沿取向序的对称轴方向有准周期性,但无长程周期性。

似晶非晶。

4. 原胞和晶胞:原胞是可以通过重复形成晶格的最小晶胞。

晶胞就是可以复制出整个晶体 的小部分晶体。

5. (a )简立方 1 个原子(b )体心立方 2 个原子(c )面心立方 4 个原子计算方法:顶点的一个原子同时被8个晶胞共享,因此对于所求晶胞而言只占有了该原子的1/8;边上、面心和体心原子分别同时被4,2,1个晶胞共享,对于所求晶胞而言分别占有了该原子的1/4,1/2,1/2.如此计算。

例如(c )图中8*1/8+6*1/2=1+3=4. 6. 晶格常数:所取的立方体晶胞的边长。

单位为A ,1A=10^-8cm. 7. 原子体密度:原子个数/体积。

比如上图(c )假设晶格常数为5A 。

求原子体密度。

8.密勒指数(取面与x,y,z 平面截距的倒数):密勒指数描述晶面的方向,任何平行平面都有相同的密勒指数。

9. 特定原子面密度:原子数/截面面积。

计算方法:计算原子面密度时求原子个数的方法与求体密度时的方法类似,但是应当根据面的原子共用情况来计算。

其中有一种较为简便的算法:计算该面截下该原子的截面的角度除处以360,即为该面实际占有该原子的比例。

举例1:计算下图(a )中所显示面所拥有的原子个数和原子面密度:该面截取了顶角四个原子和体心一个原子,顶角每个原子与面的截面角度为90度,90/360=1/4,体心原子与面的截面角度为360度,360/360=1,所以原子总数,1+1+1/4*4=2()223384 3.210510cm ρ-==⨯⨯个原子/举例2:第一次作业中有一道小题是计算硅晶体在晶面(1,1,1)的面密度,晶格常数为a ,如下图可以知道如图所示的等边三角形的边长为√2*a,三个角顶点截面角度为60度,所以该面实际占据这个三个点的比率都为1/6,三个面心点截面角度为180度,所以该面实际占据这个三个点的比率都为1/2.所以该面拥有原子数为3*1/6+3*1/2=1/2+3/2=2.等边三角形面积为√3/2*a^2,所以可以算出面密度为4/(√3a^2).10. 晶向:与晶面垂直的矢量(在非简立方体晶格中不一定成立)。

半导体物理--绪论

半导体物理--绪论

固体材料的晶格结构
晶胞
简立方 体心立方 面心立方
晶胞原子数
1个 2个 4个
原胞
简立方 棱长 3 / 2 a的 简立方 棱长 2 / 2a的 菱立方 棱长 2 / 2 a的 简立方
原胞原子数
1个 1个 1个 2个
金刚石结构 8个
一般晶体所常用之术语 一般晶体所常用之术语
• 格点:空间(一维或多维)点阵中的点(结点) ; 格点:空间(一维或多维)点阵中的点(结点) • 晶列:通过任意两格点所作的直线(晶列上有一系 晶列:通过任意两格点所作的直线(晶列上有一系 • •
列格点); 晶向:在坐标系中晶列的方向(确定晶向的方法待 晶向:在坐标系中晶列的方向(确定晶向的方法待 定)用晶向指数表示;如[110]。 定)用晶向指数表示;如[110]。 晶面:通过格点作的平面。一组平行的晶面是等效 晶面:通过格点作的平面。一组平行的晶面是等效 的,其中任意两晶面上的格点排列是相同的,且面 间距相等。晶面用晶面指数(密勒指数)表示,如 (111),(100)…… 111),(100)
半导体物理
——西北工业大学电子信息学院 ——西北工业大学电子信息学院
林 华 杰
参考资料(书目) 参考资料(书目)
半导体概述
何谓半导体
• 以通俗的字眼来说便是一种材料,它的
导电率介于金属和非金属之间。
何谓半导体
• 以专业的角度来看便是该材料的电阻值可
借由掺入的杂质的种类和数量来调整。 • 杂质种类的不同将可以决定载子(carrier) 杂质种类的不同将可以决定载子( 的形态。当有特定区域适合这两种形态的 载子相互结合时,电子元件的种种特性便 接踵而来。 接踵而来。
V
N氮 Nitrogen P磷 Phosphor us As 砷 Arsenic Sb 锑 Antimon

半导体物理-侯艳芳 课件 绪论 物理基础

半导体物理-侯艳芳 课件 绪论 物理基础

半导体物理-侯艳芳课件绪论物理基础半导体物理是现代电子学和光电子学的基础学科之一,其中包括了半导体材料、器件和电子器件中的物理性质和现象。

本文旨在介绍半导体物理领域的基础知识和重要概念,为读者提供一个全面的绪论。

一、半导体材料半导体材料是半导体科学和技术的基础。

半导体材料的禁带宽度和能带结构决定了它的导电性质。

本节将重点介绍以下几类半导体材料:1. 硅(Silicon):硅是最常用的半导体材料之一,它具有许多优异的性质,如稳定性好、热性能优异、生产工艺成熟等。

硅在电子学中的应用非常广泛,例如集成电路、太阳能电池等。

2. 砷化镓(Gallium Arsenide):砷化镓是另一种常见的半导体材料,它具有高电子迁移率和高饱和漂移速度,适用于高频率和高速度的电子器件。

砷化镓在通信领域、雷达技术和高速电子学等方面有广泛应用。

3. 碳化硅(Silicon Carbide):碳化硅是一种能承受高温、高压和高电场的半导体材料,具有优异的热稳定性和宽的能带宽度。

碳化硅在电力电子、汽车电子和高温电子学等领域有重要应用。

二、半导体器件半导体器件是通过控制半导体材料的导电性质来实现电子设备功能的关键组件。

常见的半导体器件包括二极管、晶体管、场效应管和集成电路等。

1. 二极管(Diode):二极管是最简单的半导体器件,由一个PN结构构成。

它具有只允许一个方向通电的性质,用于整流和电压调整等电路。

2. 晶体管(Transistor):晶体管是一种具有放大和开关功能的半导体器件。

根据结构和工作原理的不同,晶体管可分为双极型晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)两种类型。

3. 集成电路(Integrated Circuit):集成电路将大量的晶体管、电阻和电容等器件集成在一个小型芯片上。

它广泛应用于计算机、通信、消费电子和医疗设备等领域。

三、物理基础半导体物理的理论基础主要包括能带理论、量子力学和半导体统计等。

1. 能带理论:能带理论是解释半导体材料中电子能级分布的重要理论。

高二物理竞赛课件半导体物理绪论

高二物理竞赛课件半导体物理绪论

j E ,
2.1b 2.1c 2.1d
D 0E P 0E, 1 , 2.1e
B
0
H
M
0 H
,
1
m
.
2.1 f
符号说明:
E
电场强度
D
电位移
H
磁场强度
B
磁感应强度
P
极化强度
M
磁化强度
j
传导电流密度 D
位移电流密度
自由电荷密度
0 真空介电常数 相对介电常数
极化率 m 磁化率 电导率
半导体物理绪论
半导体物理绪论 1. 内容 第2-17章:半导体线性光学. 包括第3版第17章: 腔极化激元 光子晶体. 第18-23章:半导体非线性光学. 包括第3版第27章: 半导体布鲁赫方程.
2. 基本任务 研究在半导体中(或界面处)光传
播的基本规律以及光产生和湮灭机 制,提供半导体中各类(准)粒子的物 理性质.
r
t , 2.10
其中
E0
为振幅,
f为任意函数(其二
阶函数存在),
k为波矢, k
k
2
v
,
为波数, v为真空中波长, 2 T 为
角频率,并且
1
1
2
c.
k 00
2.11
2.10 最简单形式为
E r,t
E0
expik
r
t
.
2.12
▲相速度 群速度
v ph k .
vg
k
gradk .
D
B
,
//
k.
能流密度
S
E
H
,光线方向.
2.20 2.21

固体电子器件SolidStateElectronicDevices

固体电子器件SolidStateElectronicDevices

加 工 液 晶 显 示器
多晶
在小区域内 完全有序
多 晶 硅 -太阳能电池
单晶
整个晶体中 排列有序
单 晶 硅 -电 子 器件
集成电路制造
2 晶体结构
( 1) 晶 体 的 共性
①均匀性; ④ 多 面 体 外 形;
②各向异性; ⑤对称性;
③熔点固定; ⑥衍射性。
2 晶体结构
(2)硅的结构和特性
+4 +4
锗 、 硅 和 砷 化镓能 带结构 的简约 布里渊 图示。
导体 < 10-3
半导体 10-3~109
绝缘体 >109
1绪论
(1)导电性

温 度 可 以 显 著改变 半导体 导电能 力;

微 量 杂 质 可 以显著 改变半 导体导 电能力 ;
➢ 光 照 、 磁 场 、电场 等外界 因素也 可显著 改变半 导体的 导电能 力; ➢ 电 子 和 空 穴 晶体结构
4 半 导 体 中 杂 质和 缺陷能 级 5 载流子
3 半 导 体 中 的 电子 状态
6 载流子的浓度
7 载流子的输运
1绪论
什么是半导体?
( 1) 导 电 性
➢ 电 阻 率 介 于 导体与 绝缘体 之间;
表 1 导体、半导体和绝缘体的电阻率范围
材料 电阻率ρ(Ωcm)
+4 +4
2 晶体结构
(3)晶向和晶面
2 晶体结构
(4) 硅片鉴别方法
[110]
第一篇 半导体物理基础
1绪 论 2 晶体结构
4 半 导 体 中 杂 质和 缺陷能 级 5 载流子
3 半 导 体 中 的 电子 状态
6 载流子的浓度

半导体器件物理__1孟庆巨

半导体器件物理__1孟庆巨

CCD器件
1970
1980
分水岭:
1974年 Chang, Esaki, Tsu 共振隧道二极管
1970年前发明
的器件全部实 现商业化
1984年 电荷注入晶体管 CHINT
1985年
共振隧穿热 电子晶体管 纳米电子 学器件
1980
1990
1980 年 后 出 现了大量的 异质结构器 件和量子效 应器件
MOS场效应晶体管 TFT及其制造技术
第一章绪论
什么是微电子技术 晶体管的发明和半导体器件的发展 集成电路的发展历史和现状
什么是微电子学?
电 子 学
微电子学
30m
100 m 头发丝粗细
50m
1m 1m (晶体管的大小)
90年代生产的集成电路中晶体管大小与人 类头发丝粗细、皮肤细胞大小的比较
涉及了固体物理学、量子力学、热力学与统计物理 学、材料科学、电子线路、信号处理、计算机辅助设 计、测试与加工、图论、化学等多个学科。
微电子学是一门发展极为迅速的学科,高集成 度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发 展的方向。
微电子学以实现电路和系统的集成为目的, 故实用性极强。 微电子学的渗透性极强,它可以是与其他学 科结合而诞生出一系列新的交叉学科,例如 微机电系统(MEMS)、生物芯片等。
1939年Schottky 肖特基势垒
1949年Shockley pn结双极晶体管 (BJT)
1952年Schockley 结型场效应晶体 管JFET 第1个半导体场效 应器件 成 长 期
1950
1958年 1954年 Chapin, Fuller, Pearson,硅太阳 能电池,6% Esaki
1947年12月23日 第一个晶体管 NPN Ge晶体管 J. Bardeen, W. Schokley, W. Brattain 获得1956年

第一章 半导体材料绪论

第一章 半导体材料绪论
《半导体材料》
李斌斌 南京航空航天大学
《半导体材料》教材

教材: 《半导体材料》,邓志杰等编,化学工业出版社 参考书目: 1. 《半导体材料》杨树人 等编,科学出版社
2. 《半导体物理学》刘思科等编,国防工业出版社

讲课内容





第一章 绪论 第二章 半导体材料的基本性质 第三章 元素半导体材料 第四章 化合物半导体材料 第五章 固溶体半导体材料 第六章 非晶、有机和微结构半导体材料 第七章 半导体器件基础 第八章 半导体电子材料 第九章 半导体光电子材料 第十章 其他半导体材料 第十二章 半导体材料的制备
光生伏特效应是半导体材料的特有性质 之四
照片

光生伏特效应
1.1.6 半导体的特有性质-霍尔效应

1879年,霍尔(E.H. Hall) 在研究通有电流的导 体在磁场中受力,发现在垂直于磁场和电流 的方向上产生了电动势,这个电磁效应称为 “霍尔效应”。 “霍尔效应”就是为纪念霍尔而命名的。 利用“霍尔效应”可以测量半导体材料的载 流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重 要参数。 霍尔效应是半导体材料的特有性质之五
第一章 绪论

1.1 半导体材料的发展简史
1.2 半导体材料的发展趋势 1.3 半导体材料的分类


1.1.1 首次报道半导体

伏特 A. Volta (1745~1827),意大利物理学家 国际单位制中,电压的单位伏即为纪念他而命 名。 1800年,他发明了世界上第一个伏特电池, 这是最早的直流电源。从此,人类对电的研 究从静电发展到流动电,开拓了电学的研究 领域。 他利用静电计对不同材料接地放电,区分了 金属,绝缘体和导电性能介于它们之间的 “半导体”。 他在给伦敦皇家学会的一篇论文中首先使用 了“Semiconductor”(半导体)一词。

半导体物理学_第01章绪论2016

半导体物理学_第01章绪论2016

半导体物理发展史
1900后的重大事件
理论的突破:肖克莱(W. shockley)。 1949年他在“the Bell System Technical Journal”上发表了题为“The Theory of PN Junction in semiconductor and PN Junction Transistors”的文章。
D. 参考文献 Tudor Jenkins, Physics Education 40 (5), 430, 2005
课程简介
半导体物理学发展与展望参考资料
Scientific American,Jan., 1998, Special Issue, Solid-State Century: the past, present and future of the transistor
而且它还是一系列新材料、新结构、新效应、新器件和 新工艺产生的源泉。极大地丰富了凝聚态物理的研究内容 和有力地促进了半导体科学技术的迅速发展。
半导体的基本概念
半导体的概论
Different kinds of semiconducting devices
半导体的基本概念
半导体的导电能力(电阻率)
半导体的基本概念
半导体物理学
物理科学与技术学院 夏向军
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
PART ONE
课程简介 Syllabus
内容概要
01 课程简介
02 半导体的基本概念
03 半导体的发展史
04
半导体物理的未来
课程简介 任课教师信息
主讲教师: 夏向军 办公室: 九号教学楼12楼
1206室 QQ:370048061
QQ群: 236473633 (半导体物理学_纳米所)

半导体器件物理与工艺 绪论PPT课件

半导体器件物理与工艺    绪论PPT课件

微芯片制造涉及5个大的制造阶段(见图): •硅片制备 •硅片制造 •硅片测试/拣选 •装配与封装 •终测
硅片制备 在第一阶段,将硅从沙土中提炼并纯化。经过特殊工艺产生适 当直径的硅锭(见图)。然后将硅锭切割成用于制造微芯片的薄硅片。 按照专用的参数规范制备硅片,例如定位边要求和沾污水平。
硅片制造 自硅片开始的微芯片制作是第二阶段,被称为硅片制造。 裸露的硅片到达硅片制造厂,然后经过各种清洗、成膜、光刻、刻蚀和 掺杂步骤。加工完的硅片具有永久刻蚀在硅片上的一整套集成电路。硅 片制造的其他名称是微芯片制造和芯片制造。
装配与封装 硅片测试/拣选后,硅片进入装配和封装步骤,以便把单 个芯片包装在一个保护管壳内。硅片的背面进行研磨以减小衬底的厚度。 一片厚的塑料膜被贴在每个硅片的背面,然后,在正面沿着划片线用带 金刚石的锯刃将每个硅片上的芯片分开。粘的塑料膜保护硅芯片不脱落。 在装配厂,好的芯片被压焊或抽真空形成装配包。稍后,将芯片密封在 塑料或陶瓷壳内。最终的实际封装形式随芯片类型及其应用场合而定 (见下图)。
半导体产业在20世纪50年代开始迅速增长为以硅为基础的商品化晶 体管技术。早期的许多先驱者开始在北加利福尼亚州,现在以硅谷著称 的地区。1957年,在帕罗阿托市的仙童半导体公司制造出第一个商用平 面晶体管。它有一层铝互连材料,这种材料北淀积在硅片的最顶层以连 接晶体管的不同部分(见图)。从硅上热氧化生长的一层自然氧化层被用于 隔离铝导线。这些层的使用在半导体领域是一重要发展,也是称其为平 面技术的原因。
这个无所不在的小东西是一种叫作“硅”的物质所制作成 的。这种物质在地球上相当丰富,海沙即含有相当高成份的 “硅”。半导体的制作过程是一项科技高度整合的作业,结 合了化学、物理、电子、电机、机械、自动化、软体工程、 电脑辅助设计(CAE/CAD)等,几乎所 有顶尖的技术都被用 来制造半导体。从下方这个简单的流程方块图,我们大致可 以瞭解半导 体的制程。

半导体物理绪论

半导体物理绪论

半导体的性质
电子状态及运动特点


多体薛定谔方程



单电子近似
单电子近似:
每个电子在周期性排列且固定不动的原子核 势场及其它大量电子的平均势场中运动,
此势场是周期性变化的,周期与晶 格周期相同。
§1.1 半导体的晶体结构和结合性质
常用半导体的主要晶体结构
金刚石型结构 Si,Ge (Ⅳ族元素半导体) 闪锌矿型结构 GaAs,ZnS 纤锌矿型结构 ZnS
绪言
一. 半导体物理知识框架
晶体结构
半 导
基础
能带结构
体 主体 载流子
物 理
pn结(《半导体器件》讲述)
基本应用 金属/半导体接触
MIS结构
第一章 半导体中的电子状态
Contents:
1. 半导体的晶体结构和结合性质 2. 半导体中的电子状态和能带 3. 半导体中电子的运动-有效质量 4. 本征半导体的导电机构-空穴 5. 锗、硅、砷化镓的能带结构 6. Si1-xGex合金以及宽禁带半导体的能带的能带 (了解)
Si,Ge,GaAs的第一布里渊区是十四面体,8个 六边形 + 6个 正方形
[001]
X W
Q
ΛL
Γ U
S X
Δ Σ
K
[111]
X
[010]
[110]
[10面0] 心立方和金刚石结构的第一布里渊区
面心立方晶格 (Si,Ge,GaAs等) 的第一Brilouin区
1.2. 3. 导体、半导体、绝缘体的能带
非晶体:原子(或分子)无规则排列。
半导体器件和芯片大部分制作在单晶体 。
半导体中电子的状态与孤立原子的电子状态既有区别, 子云)相互交叠,最外壳层交叠多,内壳层交叠少

绪论

绪论

分析: 年超高真空表面能谱分析技术; 分析:1970年超高真空表面能谱分析技术; 年超高真空表面能谱分析技术 1982年扫描 隧道 年扫描 隧道STM技术等 技术等 对象:元素半导体为主,兼及化合物半导体 对象:元素半导体为主, 内容和教材:西安交大刘恩科等编,第一至第五章, 内容和教材:西安交大刘恩科等编,第一至第五章,第 八章合讲, 七﹑八章合讲,其余自学不做要求 要求: ) 要求: 1)上课做笔记 2)按时完成作业 )
理论:1954年提出半导体有效质量理论 理论:1954年提出半导体有效质量理论 Luttinger等 Biblioteka kittel ﹑Luttinger等)
→研究带边能带结构﹑浅能级杂质(施主和受主)﹑激子 研究带边能带结构﹑浅能级杂质(施主和受主) 能级﹑ 能级﹑磁能级的理论 1930年代量子力学→金属导电→能带论→导带﹑ 1930年代量子力学→金属导电→能带论→导带﹑价带 年代量子力学 1940年代 导体﹑半导体→杂质能级→施主﹑受主﹑ 年代→ 1940年代→导体﹑半导体→杂质能级→施主﹑受主﹑掺杂 1959年膺势概念 极大简化固体能带计算→ 年膺势概念→ 1959年膺势概念→极大简化固体能带计算→得较精确的半 导体能带论 1970年提出超晶格概念 1970年提出超晶格概念 90年代后量子点 90年代后量子点 方法:回旋共振法﹑磁光吸收﹑激子光谱﹑ 方法:回旋共振法﹑磁光吸收﹑激子光谱﹑自由载流子光谱的实 验研究
半导体物理基础
绪论
意义:半导体物理是现代微电子科学与技术发展的基础, 意义:半导体物理是现代微电子科学与技术发展的基础,也是当代信息技术 (IT) 光电子技术的基础, 光电子技术的基础,同时也是当代的纳米科学与技术的研究前沿 工程: 年巴丁(Basdeen)﹑布拉顿 (Bratain)﹑肖克莱 (Schockley) 发明 工程:1948年巴丁 年巴丁 ﹑ ﹑ 晶体管→ 晶体管 电子学革命 1958年集成电路﹑ 68年硅 年集成电路﹑ 年硅 年硅MOS器件及大规模 产业化 超大规模 (45 nm) 器件及大规模IC产业化 超大规模IC 年集成电路 器件及大规模 产业化→超大规模 1962年半导体激光器,70年代室温连续发光 激光产业 (CD﹑VCD﹑DVD) 年半导体激光器, 年代室温连续发光 年代室温连续发光→激光产业 年半导体激光器 ﹑ ﹑ 1970年江崎和朱兆祥提出超晶格概念,71年MBE制成 年江崎和朱兆祥提出超晶格概念, 年 制成AlGaAs/GaAs超晶格 超晶格→ 年江崎和朱兆祥提出超晶格概念 制成 超晶格 人工设计半导体和光电子产业( 年 人工设计半导体和光电子产业(80年Klitzing和82崔崎分别在超晶格异质结 和 崔崎分别在超晶格异质结 中发现整数和分数量子霍尔效应), ),分获诺贝尔物理学奖 中发现整数和分数量子霍尔效应),分获诺贝尔物理学奖 1990年英国 年英国Canhan发现多孔硅的室温光段可见光发光 全光硅电子集成技术 发现多孔硅的室温光段可见光发光→全光硅电子集成技术 年英国 发现多孔硅的室温光段可见光发光 2000年后纳米微粒﹑纳米固体﹑纳米薄膜﹑量子点﹑量子线 新型光电器件 年后纳米微粒﹑ 年后纳米微粒 纳米固体﹑纳米薄膜﹑量子点﹑量子线→新型光电器件 半导体材料: 硅单晶, 单晶, 半导体材料:2 inch →3” →4” →6” →8” →12”硅单晶,GaAs单晶,GaN单晶 硅单晶 单晶 单晶

半导体物理导论

半导体物理导论

半导体物理导论导言半导体物理是研究半导体材料中电子行为和电子器件原理的学科。

半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料,具有独特的电子特性。

本文将介绍半导体物理的基本概念和原理,并探讨半导体器件的工作原理和应用。

一、半导体基本概念半导体是一种能够在室温下导电的材料,其电导率介于导体和绝缘体之间。

半导体晶体的原子排列具有定序性,形成晶格结构。

半导体材料中的电子能级被称为能带,其中价带是由价电子占据的能级,导带是由自由电子占据的能级。

在能带之间存在禁带宽度,当禁带宽度较小时,外加电场或热激发就可以将电子从价带激发到导带,使半导体产生导电性。

二、半导体的本征和杂质掺杂半导体的本征掺杂是指在半导体晶体中掺入同种元素的杂质,以改变半导体的导电性质。

本征掺杂分为n型和p型,n型半导体中掺入的杂质是五价元素,如磷、砷等,而p型半导体中掺入的杂质是三价元素,如硼、铝等。

杂质原子的掺入会形成额外的能级,增加半导体中的自由电子或空穴浓度,从而改变材料的导电性。

三、PN结和二极管PN结是由n型半导体和p型半导体组成的结构。

当n型半导体和p型半导体通过扩散结合在一起时,形成了PN结。

PN结具有整流作用,即只允许电流在一个方向上通过。

当外加正向偏置电压时,PN结导通,电流可以流过;当外加反向偏置电压时,PN结截止,电流无法通过。

这种特性使得PN结被广泛应用于二极管等电子器件中。

四、场效应晶体管场效应晶体管(FET)是一种基于半导体材料的三端器件。

FET的关键是根据电场控制半导体中的电子浓度。

FET有两种类型:MOSFET和JFET。

MOSFET是以金属-氧化物-半导体结构为基础,通过改变栅极电压来控制电流;JFET是以PN结为基础,通过改变栅极电压来控制电流。

FET具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点,被广泛应用于放大器、开关和模拟电路中。

五、半导体器件的应用半导体器件在现代电子技术中有广泛的应用。

例如,二极管作为电子元件的基本构建块,广泛应用于整流、调制、信号检测等电子电路中。

半导体材料绪论通用课件

半导体材料绪论通用课件

半导体材料的分类
总结词
半导体材料可根据其元素组成、能带结构、载流子类 型等不同特征进行分类。
详细描述
根据元素组成,半导体材料可分为元素半导体和化合 物半导体两大类。元素半导体是由单一元素组成的, 如硅、锗等;化合物半导体则是由两种或两种以上元 素组成的化合物,如砷化镓、磷化铟等。根据能带结 构,半导体材料可分为直接跃迁型和间接跃迁型半导 体。根据载流子类型,半导体材料可分为n型和p型半 导体,分别指电子导电和空穴导电的半态的化学原料在衬底上沉 积成膜。
具体技术
包括热丝化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、 金属有机物化学气相沉积等。
溶胶-凝胶法
定义
将固体材料溶解在有机溶剂中, 形成溶胶,再通过凝胶化过程形 成凝胶,最后经过热处理得到所 需材料。
优点
可制备高纯度、高均匀性的薄膜 材料,适用于制备多种类型的半 导体材料。
半导体材料的应用领域
总结词
半导体材料广泛应用于电子、通信、能源、医疗等领域。
详细描述
在电子领域,半导体材料被用于制造集成电路、微电子 器件等,实现电子产品的微型化、高效化和智能化。在 通信领域,半导体材料被用于制造光电子器件、激光器、 探测器等,实现高速、大容量信息传输和处理。在能源 领域,半导体材料被用于制造太阳能电池、风力发电设 备等,实现可再生能源的转换和利用。在医疗领域,半 导体材料被用于制造医疗设备、生物传感器等,实现疾 病的早期诊断和治疗。
自组装与生物功能化半导体材料
自组装技术
自组装技术是一种利用分子间的相互作 用力,将分子自发地聚集在一起形成有 序结构的技术。在半导体领域,自组装 技术可用于制备具有特定功能的纳米结构。
VS
生物功能化
将生物分子或生物活性物质与半导体材料 结合,实现半导体的生物功能化是当前研 究的热点。这种生物功能化的半导体材料 在生物传感器、生物成像和药物输送等领 域具有广泛的应用前景。

半导体物理绪论

半导体物理绪论

IV-IV 族半导体:SiC 非晶半导体: 非晶硅,多孔硅
有机半导体:高聚物半导体
Semiconductor Physics 2011
12
Semiconductor Physics 2011
13
Poly-Si Si Gate Oxide
Semiconductor Physics 2011
14
四、半导体的发展历史
课程简介3
量子力学 统计物理
课程特点 内容广、概念多、注 重实际问题的解决
固体物理 半导体物理 半导体 材料
课程要求 着重物理概念及物 理模型
半导体 器件
半导体 集成电路
半导体 工艺
基本的计算公式
绪论
一. 二. 三. 四. 五. 什么是半导体? 半导体的主要性质 半导体的种类 半导体科学发展史 半导体物理的研究内容
Semiconductor Physics 2011
6
一、什么是半导体(semiconductor)
问题1:固体按导电性分,有哪几类,并举例。
Copper: Good Conductor
Silicon:modera te Conductor
Glass: no conduction
(cm)
导体 (conductor) 10-6~10-4
1958 以后的几个里程碑
1958年 L. Esaki 研制出隧道二极管 1950’年代 P. W. Anderson, N. F. Mott 创立非晶态半导体理论 1962~63年 N. G. Basov 研制出半导体激光器 1963年 H. Kroemer, Z. Alferov提出异质结激光器 1969~70年 L. Esaki & R. Tsu 提出半导体超晶格 1980年 K. Von Klitzing 发现量子霍耳效应 1982年 D. C. Tsui 发现分数化量子霍耳效应 1993年 S. Nakamura 研制出高亮度GaN蓝光发光二极管 2004 英国曼彻斯特大学Andre Geim和Konstantin Novoselov发现 石墨烯,2010年获得Nobel物理学奖
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1982年:286微处理器(又称80286)推出,成为英特尔的第一个16 位处理器,可运行为英特尔前一代产品所编写的所有软件。286处 理器使用了13400个晶体管,运行频率为6MHz、8MHz、10MHz和 12.5MHz。 1985年:英特尔386™微处理器问世,含有27.5万个晶体管,是 最初4004晶体管数量的100多倍。386是32位芯片,具备多任务处理 能力,即它可在同一时间运行多个程序。
• MOCVD(金属有机化学气相沉积, Metallic organic CVD)
• MBE(分子束外延, Molecular beam epitaxy)
晶体管的发展历史及其重要里程碑
1947年12月16日:威廉· 邵克雷(William Shockley)、约翰· 巴顿(John Bardeen) 和沃特· 布拉顿(Walter Brattain)成功地在贝尔实验室制造出第一个晶体管。 1950年:威廉· 邵克雷开发出双极晶体管(Bipolar Junction Transistor),这 是现在通行的标准的晶体管。
E hv
微观粒子表现出波的特性-德布罗意波(de broglie)
h/ p
• 能量分立(Plank能量子概念)
10. 量子统计概念
• 量子力学中全同粒子体系
• 自然界中的粒子:电子,质子,中子,光子,介 子等 • 量子力学中把相同的粒子称为全同粒子,粒子间不 可区分 • 全同粒子体系的基本特征:可观测量的交换对称 性,即对任何两个粒子交换,表征量子态不变
不同生长条件下NaCl晶体的外形:b, c, d
—— 晶体的晶面组合成晶带
—— 晶面的交线是晶棱
相互平行
—— 方向OO’为晶带的带轴
—— 重要的带轴称为晶轴
多晶体:由许多单晶体组
成,无各向异性特点
纳米材料有序长度 在100nm范围内。
4. 晶体结构
SC 简立方
BCC 结构 体心立方
FCC
(3)倒易矢量也可以理解为波矢k,通常用波矢来 描述电子在晶体中的运动状态或晶体的振动状态。 由倒易点阵基矢所张的空间称为倒易空间,可理 解为状态空间(k空间)。正格子所组成的空间是 位置空间或称为坐标空间
• 晶体结构的研究方法
• 倒易空间: 为建立晶体X射线和电子衍射得到的斑点和晶体结构(晶面) 的对应关系
晶体结构参数
晶系 三斜 单斜 正交
四方
立方
三角 六方
晶体结构的表征
• 原胞体积: • 晶面,晶向和指数:
原胞体积:Ω=a1.[a2 ×a3]
• 面指数:在基矢坐标轴上的截距倒数比 具体的面:(100) 相同的晶面簇表示为单形符号:{100}
• 晶向指数:晶面的法向指数
具体方向: [100] 相同的晶向单形符号: <100>
11.半导体材料的制备
• 体材料
• 直拉单晶(CZ,切可劳斯基生长法,Czochralski method) • 区熔法(Zone refining), 悬浮区熔法(Float-Zone Tech.)
• 膜材料:
外延生长(Epitaxial growth) -在衬底(体材料)材料上生长薄层单晶体 • VPE(气相外延,Vapour phase epitaxy, CVD, PVD) • LPE(液相外延, Liquid phase epitaxy)
面心立方
金刚石 (diamond ) 和闪锌矿(zincblende)结构
Diamond structure
Zincblende structure
六方结构hcp
• 晶体结构的周期性:
5. 晶体结构的表征
• 空间点阵:空间规则周期性分布的点阵 --------- 布喇菲点阵学说 空间周期性单元-固体物理学原胞(最小重复单元) • 结晶学晶胞:晶体学对称单元 晶格(正格子)表示:Rl(r)= l1a1+l2a2+l3a3, a1、a2 和a3为原胞 单元边长矢量。
SEMICONDUCTOR PHYSICS
半导体物理学
侯艳芳
Email: houyanfang@
课程简介 • 特点
系统性 容量大 仍在飞速发展的学科 了解概念 掌握基本原理 具体问题的简单数学处理
• 学习方法
参考书目:
1. 季振国. 半导体物理. 浙江大学出版社 2.王长安. 半导体物理基础. 上海科学技术出版社 3.冯文修. 半导体物理学基础教程. 国防工业出版社 4.施敏. 半导体器件-物理与工艺. 科学出版社 5.Donald A.Neamen 半导体器件导论 清华大学出版社 6.田敬民. 半导体物理问题与习题. 国防工业出版社
• 20世纪初,量子理论的发现使人们能够更加深入和比 较正确地描述晶体内部微观粒子的运动过程,如爱因斯 坦(A.Enstein)引入量子化概念研究晶格振动;在特 鲁得和洛伦兹的金属自由电子论的基础上,索末菲 (A.Aommerfeld)发展了固体理论,为研究晶体中电 子运动过程指出了方向 • 20世纪30年代,建立固体电子态理论(能带论)和晶 格动力学,固体的能带论提出了导电的微观机理,指出 了导体与绝缘体的区别,找到了半导体物质 • 20世纪四十年代末五十年代初,以硅、锗为代表的半 导体单晶出现并制成了晶体三极管
2. 半导体学科发展
• 二十世纪上半页半导体性能和基础器件的 深入认识和发展
• 1907年Round发现电致发光现象:发光二极 管(LED) • 1938年Schottky提出金属-半导体势垒模型 • 1947年贝尔实验室发明晶体管 • 1947年Shockley提出p-n结型晶体管, 1952年提出第一个场效应管, Ebers发明晶 闸管,1958年发明隧道二极管 • 1962年激光二极管(LD)
1953年:第一个采用晶体管的商业化设备投入市场,即助听器。 1954年10月18日:第一台晶体管收音机Regency TR1投入市场,仅包含4 只锗晶体管。 1961年4月25日:第一个集成电路专利被授予罗伯特· 诺伊斯(Robert Noyce)。最初的晶体管对收音机和电话而言已经足够,但是新的电子设备要 求规格更小的晶体管,即集成电路。 1965年:摩尔定律诞生。当时,戈登· 摩尔(Gordon Moore)预测,未来一 个芯片上的晶体管数量大约每年翻一倍(10年后修正为每两年),摩尔定律在 Electronics Magazine杂志一篇文章中公布。
倒易空间的物理意义
X射线衍射方程: Laue 方程:Rl(r) · 0)=nλ, (S-S 波矢 k=2π/λ·S Rl(r) · 0)= 2nπ, n为整数 (k-k
倒格矢和X射线波矢等价
7. 晶体结构缺陷:
空位、间隙、替位、杂质 • 点缺陷:
• 线缺陷:位错
晶体缺陷的TEM 像:位错
• 面缺陷
1.半导体物质的出现过程
• 17世纪,惠更斯(C.Huygens)以椭球堆集模 型解释方解石的双折射性质和解理面 • 18世纪,阿羽衣(R.J.Hauy)认为方解石晶体由坚 实的、相同的、平行六面形的小“基石”有规则的 重复堆集而成 • 19世纪中叶,布喇菲(Bravais)发展了空间点阵 说,概括了晶格周期性的特征 • 19世纪末,费多洛夫、熊夫利、巴罗等独立的发 展了关于晶体微观几何结构的理论体系,为进一步 研究晶体结构的规律提供了理论依据 • 1912年,劳厄(M.von laue)首先指出晶体可以 作为X射线的衍射光栅
固体材料类型:晶体和非晶体

晶体:
固定熔点
凝结过程结晶(有序化)
长程有序(至少在微米量级范围有序排列)
非晶体: 无序 无固定熔点
晶体分为:单晶体和多晶体 单晶体: 长程有序
晶体特征:
*规则的多面体
*晶体的解理性:沿一定的晶
面劈裂 *晶面间夹角守恒:相同结构晶 体晶面或晶棱夹角恒定 *各向异性
1968年7月:罗伯特· 诺伊斯和戈登· 摩尔从仙童(Fairchild)半导体公司辞职, 创立了一个新的企业,即英特尔公司,英文名Intel为“集成电子设备(integrated electronics)”的缩写。 1969年:英特尔成功开发出第一个PMOS硅栅晶体管技术。这些晶体管继续 使用传统的二氧化硅栅介质,但是引入了新的多晶硅栅电极。 1971年:英特尔发布了其第一个微处理器4004。4004规格为1/8英寸 x 1/16 英寸,包含仅2000多个晶体管,采用英特尔10微米PMOS技术生产。 1978年:英特尔标志性地把英特尔8088微处理器销售给IBM新的个人电脑事 业部,武装了IBM新产品IBM PC的中枢大脑。16位8088处理器含有2.9万个晶体 管,运行频率为5MHz、8MHz和10MHz。8088的成功推动英特尔进入了财富 (Forture) 500强企业排名,《财富(Forture)》杂志将英特尔公司评为“七十大商 业奇迹之一(Business Triumphs of the Seventies)”。
6. 倒易空间及物理意义
(1)利用倒易点阵的概念可以比较方便地导出晶体 几何学中各种重要关系式; (2)利用倒易点阵可以方便而形象地表示晶体的衍 射几何学。例如:单晶的电子衍射图相当于一个 二维倒易点阵平面的投影,每一个衍射斑点与一 个倒易阵点对应。因此,倒易点阵已经成为晶体 衍射工作中不可缺少的分析工具。
• 对称性和反对称性
量子统计概念与规律
Maxwell-Boltzmann 统计规律:认为粒子间可 区分,同一能量上粒子数不限定。 对称性粒子遵守Bose-Einstein统计(玻色系统中粒 子的最概然分布):光子、介子等玻色子(粒子不可分 辨),同一状态上粒子数不限定。
反对称粒子遵守Fermi-Dirac统计:电子、质子、 中子等费米子(粒子不可分 辨),同一状态上只能有 一个粒子存在。
反相结构(反位,反相畴界)
晶界
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