封装可靠性和寿命分析
电子器件的可靠性测试与寿命预测
电子器件的可靠性测试与寿命预测引言:
电子器件在现代社会扮演着重要角色,因此其可靠性测试和寿命预测显得尤为
关键。本文将详细讨论电子器件可靠性测试和寿命预测的步骤及相关内容。
一、可靠性测试的步骤:
1. 设定测试目标:根据电子器件的应用和要求,确定可靠性测试的目标和指标,例如故障率、失效模式等。
2. 确定实验样本:选择一定数量的电子器件作为测试样本,要求样本具有代表性,并确保测试中的样本能够反映整个批次的可靠性。
3. 制定测试计划:确定测试的时间、环境以及测试方法,例如静态或动态测试,常温或高温测试等。
4. 实施可靠性测试:按照制定的计划进行测试,记录测试过程中的数据和结果,包括器件运行时间、电流、温度等。
5. 故障分析:当出现故障时,进行故障分析,找出故障的原因和失效模式,并
及时采取措施修复或更换故障器件。
6. 统计分析:对测试结果进行统计分析,计算故障率、可靠度等指标,并生成
相应的报告。
二、寿命预测的步骤:
1. 收集可靠性数据:通过可靠性测试和现场测试等方式,收集大量的电子器件
可靠性数据,包括使用时间、环境条件、故障次数等。
2. 数据预处理:对收集到的数据进行清洗和处理,包括去除异常数据、补全缺失数据等,以保证数据的可靠性和准确性。
3. 选择合适的寿命模型:根据所得数据的特点和分布情况,选择合适的寿命模型,例如指数分布、Weibull分布等。
4. 参数估计:使用统计方法对所选的寿命模型进行参数估计,得到相应的参数估计值,并计算出可靠度函数。
5. 寿命预测:利用所得参数估计值,根据可靠度函数对未来时间段内的寿命进行预测,从而评估电子器件的寿命和可靠性。
封装可靠性及失效分析 ppt课件
封装可靠性及失效分析
• 疲劳寿命与应力和应变的关系
封装可靠性及失效分析
• 应力应变洄滞曲线
封装可靠性及失效分析
ACF键合的剥离强度失效
封装可靠性及失效分析
ACF键合的剥离强度失效
封装可靠性及失效分析
扩散引起的失效-铝钉
封装可靠性及失效分析
• 铝钉的形成过程
封装可靠性及失效分析
• 扩散引起的失效-紫斑
封装可靠性及失效分析
• 桥连发生的过程
封装可靠性及失效分析
• 桥连发生的过程解析
封装可靠性及失效分析
• 桥连过程的结果-能量变化
封装可靠性及失效分析
• 焊盘宽度的设计准则
封装可靠性及失效分析
• 墓碑缺陷
封装可靠性及失效分析
封装可靠性及失效分析
封装可靠性及失效分析
• 热膨胀系数不匹配导致的Whisker
• 收集现场失效数据
封装可靠性及失效分析
• 电测技术
封装可靠性及失效分析
封装可靠性及失效分析
• 打开封装
封装可靠性及失效分析
封装可靠性及失效分析
• 失效定位技术
封装可靠性及失效分析
封装可靠性及失效分析
封装可靠性及失效分析
封装可靠性及失效分析
封装可靠性及失效分析
封装可靠性及失效分析
影响芯片键合热疲劳寿命的因素
电子元器件的可靠性与寿命评估:方法与工具
电子元器件的可靠性与寿命评估:方法与工
具
电子元器件的可靠性和寿命评估是电子工程师和产品设计师在进行产品设计和制造过程中不可忽视的重要环节。本文将详细介绍电子元器件可靠性和寿命评估的方法和工具,包括可靠性测试、加速寿命试验、失效模式与失效机理分析等。
一、可靠性测试
可靠性测试是通过对元器件进行长时间不间断、高负载的工作,以模拟实际工作环境,获取元器件在运行过程中的可靠性指标。可靠性测试可以分为环境应力测试和可靠性固有测试两种。
1. 环境应力测试
环境应力测试是在电子元器件所处的环境条件下,对其进行工作负载测试,以评估其在实际工作环境下的可靠性。常用的环境应力测试包括温度循环测试、湿度试验和振动冲击试验等。
- 温度循环测试:将元器件置于高温和低温交替的环境中,观察元器件在温度变化下的可靠性表现。
- 湿度试验:将元器件置于高湿度或低湿度环境中,观察元器件在湿度变化下的可靠性表现。
- 振动冲击试验:通过对元器件进行振动或冲击,观察元器件在振动或冲击下的可靠性表现。
2. 可靠性固有测试
可靠性固有测试是通过对元器件在正常工作条件下进行长时间运行,观察其在实际工作环境下的可靠性表现。常用的可靠性固有测试包括静电放电测试、高电压测试和电流波形测试等。
- 静电放电测试:通过在元器件上施加静电放电,观察元器件在静电放电下的可靠性表现。
- 高电压测试:通过在元器件上施加高电压,观察元器件在高电压下的可靠性表现。
- 电流波形测试:通过观察元器件在工作电流波形下的表现,评估其在实际工作环境中的可靠性。
二、加速寿命试验
产品可靠性与耐久性测试可行性报告
产品可靠性与耐久性测试可行性报告
一、引言
产品的可靠性和耐久性是衡量其品质和性能的重要指标。为了验证我公司新产品的可靠性和耐久性,特进行了相关测试,并撰写本可行性报告,以评估测试结果的准确性和可行性。
二、测试目的
本次测试的目的是评估产品在正常使用情况下的可靠性和耐久性。我们希望通过测试,得到与产品相关的以下信息:
1. 产品在正常使用条件下的可靠性和寿命预估;
2. 产品所能承受的极限环境条件;
3. 产品的故障率和维修频率。
三、测试方法
1. 环境测试:测试产品在不同的环境条件下的可靠性,如温度、湿度、震动等;
2. 功能测试:验证产品在各种功能和使用情况下的可靠性;
3. 耐久性测试:测试产品在正常使用寿命范围内的长时间使用情况下的性能变化情况。
四、测试结果与分析
经过严格的测试,我们得到了以下测试结果与分析:
1. 环境测试:产品在温度范围为-20℃至50℃的环境下表现出良好的稳定性,并未出现明显的性能下降或故障;
2. 功能测试:产品在各种功能和使用情况下都能正常工作,没有出现关键功能的失效情况;
3. 耐久性测试:产品经过长时间持续使用后,性能表现稳定,无重大故障出现。
五、结论
1. 产品的可靠性:经过测试,产品在正常使用条件下表现出较高的可靠性,故障率较低;
2. 产品的耐久性:经过耐久性测试,产品在正常使用寿命范围内表现出稳定的性能,能够长时间运行而不产生明显的损耗;
3. 测试的可行性:本次测试采用的方法和过程具有良好的可行性,测试结果准确可靠。
六、建议与改进
基于测试结果,我们对产品的可靠性与耐久性提出以下建议与改进意见:
封装可靠性失效原因及其改善方案阐述
封装可靠性失效原因及其改善方案阐述
长电科技(滁州)有限公司安徽省滁州市 239000 摘要:可靠性是产品质
量的一个重要指标,就是产品在规定的条件下和规定的时间内,完成规定的功能
的能力。确切的讲,一个产品的使用寿命越接近设计寿命,代表可靠性越好。
1、产品的可靠性与规定的条件密切相关。如产品使用的环境条件、负荷大小、使用方法等。一般,温度越高、额定负载越大,产品的可靠性就越低。
2、产品的可靠性与规定的时间也有关系。例如,一般大型桥梁、道路的设
计寿命为50~100年。
3、产品的可靠性还与规定的功能有密切的关系。例如,一个普通的晶体管
有反向漏电流、放大倍数、反向击穿电压、特征频率等多项功能。
芯片封装质量直接影响整个器件和组件的性能,随着混合集成电路向着高性能、高密度以及小型化、低成本的方向发展,对芯片的封装技术和可靠性提出了
更高的要求。本文主要阐述了几种可靠性项目及其失效的机理以及封装导致的原因,以便封装生产中规避此类异常发生。
关键字可靠性;质量;可靠性项目;失效机理;封装导致的原因。
背景描述:电子器件是一个非常复杂的系统,其封装过程的缺陷和失效也是
非常复杂的。因此,研究封装缺陷和失效需要对封装过程有一个系统性的了解,
这样才能从多个角度去分析缺陷产生的原因。封装的失效机理可以分为两类:过
应力和磨损。过应力失效往往是瞬时的、灾难性的;磨损失效是长期的累积损坏,往往首先表示为性能退化,接着才是器件失效。失效的负载类型又可以分为机械、热、电气、辐射和化学负载等。影响封装缺陷和失效的因素是多种多样的,材
可靠性寿命分析流程
可靠性寿命分析流程
英文回答:
Reliability life analysis is a process used to determine the expected lifespan or durability of a product or system. It involves evaluating the reliability of the components or parts that make up the product or system and assessing their performance over time.
The first step in reliability life analysis is to gather relevant data about the product or system. This includes information about the components, their failure rates, and any historical data on their performance. This data can be collected through testing, monitoring, or by analyzing past performance records.
Once the data is collected, it is analyzed using statistical methods to determine the reliability characteristics of the components. This includes calculating the failure rate, mean time between failures
电子元器件的可靠性测试与分析
电子元器件的可靠性测试与分析
一、引言
随着现代电子技术的发展,电子元器件的应用越来越广泛,但由于其本身特性以及外部环境等原因,电子元器件在使用过程中存在一定的可靠性问题。对于电子元器件的可靠性测试与分析,是保障产品品质和用户利益的重要手段。该文章将从可靠性测试的基础概念出发,对电子元器件的可靠性测试与分析进行探讨。
二、可靠性测试
1. 可靠性测试的基本概念
可靠性测试是指在产品研制完成后,通过一定的测试手段,对产品进行可靠性的检验和判定。目的是为了评估产品在使用过程中的可靠性和稳定性。通过这个过程,可以保证产品质量,提升产品的可靠性,延长产品的使用寿命,减少生产成本,提高用户满意度。
2. 可靠性测试的方法
可靠性测试方法通常分为三种:加速寿命测试、正常寿命测试和数据分析。
加速寿命测试是指将产品放置在高温、高湿、高低温交变等条件下进行测试,加速产品老化。根据老化程度进行分析评价。
正常寿命测试是指通过模拟产品预期的使用环境和条件,对产
品进行测试,以模拟产品在实际使用情况下出现的问题。这种测
试方法是判定产品质量的关键,一般情况下开发商会将产品在生
产前进行正常寿命测试。
数据分析是指通过收集、分析产品的运行数据,判断产品在使
用过程中可能出现的问题和缺陷,以此预测产品的寿命。
三、电子元器件的可靠性测试与分析
1. 电子元器件的分类
电子元器件通常分为被动器件和有源器件两类。
被动器件包括电阻、电容、电感、变压器等,这些器件在电路
中主要负责传输信号和储存能量。
有源器件包括二极管、晶体管、集成电路等,这些器件在电路
封装的可靠性测试
封装的可靠度认证试验
元器件的可靠性可由固有的可靠性与使用的可靠性组成。其中固有可靠性由元器件的生产单位在元器件的设计,工艺和原材料的选用等过程中的质量的控制所决定,而使用的可靠性主要由使用方对元器件的选择,采购,使用设计,静电防护和筛选等过程的质量控制决定。大量的失效分析说明,由于固有缺陷导致的元器件失效与使用不当造成的失效各占50%,而对于原器件的制造可分为微电子的芯片制造和微电子的封装制造。均有可靠度的要求。其中下面将介绍的是封装的可靠度在业界一般的认证。而对于封装的流程这里不再说明。
1.焊接能力的测试。
做这个试验时,取样数量通常用高的LTPD的低数目(LTPD=50%=5PCS)。测试时须在93度的水流中浸过8小时,然后,如为含铅封装样品,其导线脚就在245度(+/-5度误差)的焊材中浸放5秒;如是无铅封装样品,其导线脚就在260度(+/-5度误差)焊材中浸放5秒。过后,样品在放大倍率为10-20X的光学显微镜仪器检验。验证的条件为:至少导线脚有95%以上的面积均匀的沾上焊材。当然在MIS-750D的要求中也有说明可焊性的前处理方法叫水汽老化,是将被测样品暴露于特制的可以加湿的水蒸汽中8+-0.5小时,,其实际的作用与前面的方法一样.之后要进行干燥处理才能做浸锡处理。
2.导线疲乏测试。
这测试是用来检验导线脚接受外来机械力的忍受程度。接受试验的样品也为LTPD的低数目(LTPD=50%=5PCS),使试样放在特殊的仪器上,如为SOJ或TSOP型封装的小产品,应加2OZ的力于待测脚。其它封装的产品,加8OZ于待测脚上。机器接着使产品脚受力方向作90度旋转,TSOP的封装须旋转两次,其它封装的要3次旋转。也可以根据实际情况而定。然后用放在倍数为10-20X 倍的放大镜检验。验证的条件为:导线脚无任何受机械力伤害的痕迹。
电子元器件的可靠性设计和寿命评估
电子元器件的可靠性设计和寿命评估
电子元器件的可靠性设计和寿命评估是电子工程领域中非常重要的一个方面。本文将从以下几个方面详细讨论电子元器件的可靠性设计和寿命评估的步骤和相关内容。
一、可靠性设计的步骤:
1. 确定可靠性指标:在电子元器件的设计阶段,首先需要确定设计所需的可靠性指标。例如,可以选择故障率、寿命、可用性等指标作为可靠性设计的参考。
2. 材料选择和评估:选择合适的材料对于电子元器件的可靠性设计至关重要。在选择材料时,需要考虑其耐久性、热特性、化学特性等因素,并进行相应的评估和测试。
3. 系统可靠性分析:进行系统级可靠性分析是确保电子元器件可靠性的重要步骤。这涉及到分析整个电子系统中各个组件之间的相互作用,以及对系统整体性能的影响。
4. 设计优化:通过对可靠性进行建模和仿真,可以进行设计优化,找到电子元器件设计中存在的潜在问题,并及时进行修复和改进。
二、寿命评估的步骤:
1. 加速寿命试验:通过对电子元器件进行加速寿命试验,可以模拟出元器件在实际使用过程中的老化和损耗情况,以判断其寿命和可靠性。
2. 可靠性数据分析:对实验数据进行可靠性数据分析,包括使用可靠性统计方法对试验数据进行处理和分析,以得出元器件的寿命评估结果。
3. 寿命预测:基于可靠性数据分析的结果,可以进行寿命预测。这涉及到使用数学模型和可靠性工程方法,预测元器件在实际使用中的寿命和可靠性。
4. 可靠性改进措施:根据寿命评估的结果,可以采取一系列的可靠性改进措施,包括材料和工艺的改进,设计的优化等,以提高元器件的可靠性。
微电子封装技术中的可靠性设计与分析
微电子封装技术中的可靠性设计与分析
第一章:引言
随着微电子技术的迅猛发展,封装技术作为微电子技术中至关重要的一环,对于保证芯片的可靠性和稳定性起着关键作用。本文将对微电子封装技术中的可靠性设计与分析进行探讨和研究。
第二章:微电子封装技术概述
微电子封装技术是将芯片与外部环境隔离,并提供保护和连接功能的一种技术。该技术可以分为无源封装和有源封装两大类,其中无源封装主要用于电子元器件或被动元件,有源封装主要用于集成电路芯片等。
第三章:微电子封装技术中的可靠性设计
在微电子封装技术中,可靠性是至关重要的设计指标。可靠性设计需要从以下几个方面考虑:
1. 热管理:合理设计散热结构,保证芯片工作温度的稳定和可控;采用热传导材料和散热装置,有效地降低芯片温度,提高其可靠性。
2. 电磁兼容性:合理设计封装结构,以减少电磁干扰对芯片性能的影响;采用电磁屏蔽措施,提高封装结构对电磁波的屏蔽能力。
3. 机械可靠性:针对不同的应用场景和环境,选择合适的封装
材料和结构,以提高封装的机械强度和抗震性能。
4. 寿命预测:通过可靠性测试和模拟,对封装结构进行寿命预
测和分析,以预测其在实际使用中的可靠性水平。
第四章:微电子封装技术中的可靠性分析方法
对于微电子封装技术中的可靠性分析,可以采用以下几种方法:
1. 应力分析:通过应力分析软件模拟封装结构在不同工作状态
下的应力分布情况,以评估其结构的强度和稳定性。
2. 可靠性测试:采用加速寿命测试方法,对封装结构进行长时
间高负荷的可靠性测试,以评估其在实际使用中的寿命和可靠性
水平。
半导体器件可靠性与失效分析微电子
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contents
目录
• 半导体器件可靠性 • 失效分析 • 半导体器件的可靠性挑战 • 半导体器件的失效案例分析 • 提高半导体器件可靠性的策略和建议 • 前沿进展与未来趋势
01
半导体器件可靠性
可靠性定义与度量
可靠性定义
器件在规定条件和时间内完成规定功能的能力。
设计优化
优化版图设计
01
合理的版图设计可以减少器件的寄生效应,提高器件的频率和
稳定性。
优化电路设计
02
采用更稳定的电路设计可以降低器件的功耗和热量,提高器件
的可靠性。
考虑机械应力
03
在设计中考虑机械应力对器件的影响,可以优化器件的结构和
封装方式,提高器件的机械强度和可靠性。
制程控制与改进
1 2
加强制程监控
03
半导体器件的可靠性挑 战
热可靠性
热稳定性
在高温环境下,半导体器件可能 会发生性能漂移或失效。因此, 热稳定性是评估半导体器件可靠
性的重要因素之一。
热阻
热阻是衡量半导体器件散热性能 的重要参数。高热阻意味着器件 难以散发热量,可能会导致过热
和性ຫໍສະໝຸດ Baidu下降。
热疲劳
在反复加热和冷却过程中,半导 体器件可能会发生结构疲劳和性
12_封装可靠性与失效分析-课件
预处理 (Pre-condition)
温度循环 TC (Thermal Cycling) 压力锅试验PCT (Pressure Cooker Test) 温湿度和偏压测试THB (Temperature, Humidity & Bias Test) 高温贮存试验 HTS (High Temperature Storage Test)
1. 研制阶段用以暴露试制产品各方面的缺陷改善设计 2. 生产阶段为监控生产过程提供信息优化工艺 3. 对定型产品进行可靠性鉴定或验收实现量产 4. 暴露和分析产品在不同条件下的失效规律及失效模式和机理 有针对性地加以改进以提高寿命 5. 为改进产品可靠性,制定和改进可靠性试验方案为用户选用 产品提供依据
在高温高压饱和蒸气中贮存。一般 耐湿性能, 为121℃,100%RH,2atm下168h. Al的电解腐蚀。
可靠性测试标准
环境应力试验 JESD22-A103-B High Temperature Storage Life高温储存寿命试验 JESD22-A104-D Temperature Cycling温度循环 JESD22-A106-A Test Method A106-A Thermal Shock热冲击 电应力和电测试试验 EIA/JESD78 IC Latch-Up Test集成电路器件闩锁试验 JESD22-C101-A Field-Induced Charged-Device Model Test Method for Electrostatic-Discharge-Withstand Thresholds of Microelectronic Components微电子器件在电荷感应模型条件下的抗静电放电试验 机械应力试验 EIA/JESD22-B116 Wire Bond Shear Test Method焊线邦定的剪切试验方法 JESD22-B117 BGA Ball Shear BGA焊球的剪切试验 JESD22-B111 Board Level Drop Test Method of Components for Handheld Electronic Products 综合试验与测试 JEDEC Standard No.22-A109 Test Method A109 Hermeticity密封性试验
封装可靠性和寿命分析
结温的 推算
---热阻 定义
结温的推算 --- 热阻模 型
同电阻计算 完全一致!
结温的推算--- 热阻模型
RΘ = 1 ∗ L σA
单一材料热阻计算
热阻计算公式:
一般材料的导热系数(W/mK):
1L RΘ = ∗
σA
其中: σ代表导热系数 L:代表导热距离 A:代表导热截面积
纯铝 铝合金 纯铜 黄铜 纯金 纯银 纯铁 锡 钛 金刚石 钨 不锈钢
⎡ exp⎢−
⎜⎛
∑
λi
⎟⎞(t
)⎥⎤
⎣ ⎝i ⎠ ⎦
从上述公式中可以看出,如果某一因素的寿命特别 短,或者失效率特别高(寿命和失效率成反比),则 系统可靠性只同这个因素有关。
影响LED灯具L-寿命的因素
� LED芯片的寿命 � LED封装材料对光和热的抵抗性 � LED灯具中光学系统和透光材料的透光率稳定性 � LED驱动电源的寿命 � LED灯具结构在恶劣环境中的寿命
L70和Tj的关系
Tj( )
Tj(K)
L70(hr)
83
356
62000
100Baidu Nhomakorabea
373
27000
113
386
9000
Lifetime Estimation and Analysis
LED灯具的寿命--- 系统概念
电子元器件的可靠性和寿命评估技术
电子元器件的可靠性和寿命评估技术近年来,随着电子设备的广泛应用,电子元器件的可靠性和寿命评估成为了一个重要的研究领域。在电子产品的设计和制造过程中,能够准确评估和预测电子元器件的可靠性和寿命,对于保证产品的稳定性和可靠性具有至关重要的意义。本文将介绍电子元器件可靠性和寿命评估的相关技术和方法,并对其应用进行探讨。
一、可靠性评估技术
可靠性是指电子元器件在一定的工作条件下能够在规定的时间内正常工作的能力。为了评估电子元器件的可靠性,可以采用以下几种技术:
1. 应力与失效分析技术
应力与失效分析技术是通过分析电子元器件所受到的外部应力和内部失效模式,来评估元器件的可靠性。在这个过程中,可以使用故障模式与失效分析(FMEA)等方法,对电子元器件的故障模式和失效机理进行深入研究。通过分析元器件的物理劣化机理和故障行为,可以识别元器件的潜在故障模式,并进一步预测元器件的寿命和可靠性。
2. 加速寿命试验技术
加速寿命试验技术是一种通过增加元器件的工作应力或提高温度等方法,将长期工作环境的影响迅速模拟出来,从而缩短寿命试验的时间。通过在较短的时间内进行试验和评估,可以获取电子元器件在长
期使用情况下的可靠性数据。加速寿命试验技术是评估电子元器件可靠性的常用方法之一,可以有效地提高评估的效率和准确性。
3. 统计分析技术
统计分析技术是通过对大量元器件的寿命数据进行分析和统计,来评估元器件的可靠性和寿命。常用的统计方法有可靠性增长分析、失效分布分析等。通过对元器件的寿命数据进行统计分析,可以得到元器件的寿命分布曲线和可靠性参数,进一步预测元器件的可靠性和寿命。
电子元器件封装与可靠性分析
电子元器件封装与可靠性分析随着电子产品的快速发展,电子元器件的封装越来越重要。一个合适的封装可以有效地保护电子元器件的内部结构并延长它们的使用寿命。封装技术的不断发展也为电子产品提供了更高的性能和更好的可靠性。本篇文章将介绍电子元器件的封装和可靠性分析。
一、电子元器件封装
电子元器件封装是指将电子元器件的芯片、引脚等封装到一个模具中,使得元器件在一个可靠的环境下稳定地工作。常见的电子元器件封装类型有扁平封装、贴片封装、球栅阵列(BGA)封装和双列直插封装等。
1、扁平封装(Flat Package)
扁平封装是一种常见的电子元器件封装形式,其特点是芯片基板和引脚在同一平面上,形状呈长方形或正方形。扁平封装分为无引脚封装和带引脚封装,其中带引脚封装的引脚数量较多,常用于大功率电子元器件的封装中。
2、贴片封装(Surface Mount Technology,SMT)
贴片封装是将电子元器件直接贴在印制电路板(PCB)的表面,而不需要进行钻孔和焊接。相对于传统的插孔封装,贴片封装可
以节省PCB的空间、减少尺寸、重量和成本。贴片封装常见的类
型有QFP、SOP、SOIC、PLCC等。
3、球栅阵列(BGA)封装
球栅阵列封装是一种比较新的电子元器件封装形式,其特点是
将电子元器件引脚焊接到一个由数百个微小球组成的球栅上。
BGA封装的结构更加可靠,主要应用于高频、高速和高温的电子
元器件领域。
4、双列直插封装(Dual In-line Package,DIP)
双列直插封装是最早和最常见的一种封装方式,由电子元器件
封装可靠性及失效分析(共66张PPT)
• 由热失配导致的倒装失效
• 钎料合金的力学性能对寿命的影响
• 疲劳寿命与应力和应变的关系
• 应力应变洄滞曲线
ACF键合的剥离强度失效
ACF键合的剥离强度失效
扩散引起的失效-铝钉
• 铝钉的形成过程
• 扩散引起的失效-紫斑
• Au/Al和Cu/Al键合失效时间预测
• 扩散引起的失效-电位移
失效机理:
• 失效分析的一般程序
• 收集现场失效数据
• 电测技术
• 打开封装
• 失效定位技术
• 微焦点X射线Байду номын сангаас测
• 激光温度响应方法
• 激光温度响应方法原理
• 电位移引起的失效评估-防治措施
• 电位移导致的晶须短路
铜引线上镀锡层的Whisker生长机理
引线桥连缺陷
• 桥连发生的过程
• 桥连发生的过程解析
• 桥连过程的结果-能量变化
• 焊盘宽度的设计准则
• 墓碑缺陷
• 热膨胀系数不匹配导致的Whisker
钎料合金的力学性能对寿命的影响 老化时间对接头强度的影响 封装可靠性及失效分析 钎料合金的力学性能对寿命的影响 铜引线上镀锡层的Whisker生长机理 由热失配导致的倒装失效 影响芯片键合热疲劳寿命的因素 老化时间对接头强度的影响 1芯片键合 1芯片键合 ACF键合的剥离强度失效 焊点界面的金属间化合物 1芯片键合 桥连过程的结果-能量变化 桥连过程的结果-能量变化 ACF键合的剥离强度失效 疲劳寿命与应力和应变的关系 焊点形状对疲劳寿命的影响 疲劳寿命与应力和应变的关系 扩散引起的失效-电位移
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Lifetime (k hrs)
2 1 3 2 10 12 8 5 15 10 20 50 100
CRI (%)
98-100 98-100 98-100 98-100 50-90 50-90 65-88 65-88 70-85 70-85
25 80-90 90-95
LED照明光源的环保特性
5 Ambient conditions
6 Test time 7 Case Temperature
8 Temperature Measurement 9 Measurement Tolerance &
Instruments Temperature Current Lumen Output Forward Voltage Chromaticity
实例分析
中景LED器件的MTTF可达108device hrs; 单个器件使用10000小时的可靠性几率:
R(t) = exp{-10000/108} = exp {-10-4}
= 99.99%
失效几率 P(t)= 1- R(t) = 0.01% or 100 ppm
传统照明工业的寿命标准
*B-寿命是指多少比例的产品毁坏性失效,比如开路,短路,不亮等
10 Lumen maintenance data 11 Junction Temperature
12 Observation of LED failure
5050 3-chip PLCC6 SMD TOP LED,2700K,Ra≥80 (See test reports) Constant current at 20mA (Standard) & 40mA (maximum rated) Series connection of LED, individual connection of LED chips with current-limiting resistor to guarantee constant current passing every chip LEDs are operated in environmental control chambers. The temperature of the ambient air is actively controlled by air flowing through the chamber.
LED的L-寿命同LED-PN 结温有关
温度让材料中的原子互相扩散,破坏了LED PN结界面 的陡性,因此发光效率降低
LED的L-寿命同工作电流有关
工作电流的影响同芯片的结构有关。
电流扩散性影响芯片温度
LED器件寿命--- 同芯片和封装的关 系
1. LED寿命本质上是指芯片的寿命; 2. 在老化测试中,最先1000小时被认为是无效的。
220 120-180
386 119 318 418 72 64 15.6 2100 180 12-40
纯氧化铝
37
ABS
0.25
有机玻璃 0.19
PC
0.19
PS
0.1
PVC
0.16
硅橡胶
0.19
环氧树脂 0.2
玻璃
0.78
砖头
0.69
木头
0.1-0.15
镍铬比例大则导热差
结温的推算--- 结温计算
1. 如果一个LED器件或LED灯具的从芯片PN结到环境的热阻是已知 的,而且功率是已知的,则结温可以通过上述公式知道。
2. TA代表所测点的温度,不一定是环境温度,可以是任何一个容易 测到而且温度能达到平衡的点。
LED器件寿命的测试--- TMP
TMP = 温度测量点 � 散热铜柱(Slug)上的温度 � 贴片LED的引脚上(Soldering Point)的温度 � 封装底座上的温度(Substrate)上的温度 � LED模组上MCPCB(金属基PCB)的温度 � 电源外壳温度 � 电源基座温度
L70和Tj的关系
Tj( )
Tj(K)
L70(hr)
83
356
62000
100
373
27000
113
386
9000
Lifetime Estimation and Analysis
LED灯具的寿命--- 系统概念
LED灯具成为一个系统,其可靠性几率同所有配件和 性能的失效率的加和有关:
R(t)
=
L-寿命同LED结温的关系采用Arrhenius模型:
Lifetime ∝ exp(Ea/kTj)
其中:Ea:活化能,单位是电子伏特(eV) k:Boltzman常数(8.617 x 10-5 eV/K) Tj:结温,绝对温度
对于半导体材料来说,历史上Ea活化能定为0.43eV.但是对于AlGaInP和 InGaN这些LED材料来说,0.43eV已不合适,而且不同厂家生产的LED 材料的Ea都不相同。一般来说,Ea越大,则LED在低结温下寿命更长。
LED的B-寿命的理解
同B-寿命相关的失效机理是Catastrophic Failure(崩溃失效) LED的崩溃失效有: • 开路或短路 • 灭光(或非正常的急剧光衰)
一般来说,如果以上述彻底毁坏的因素来定义LED器件的B-寿命, 则LED器件的寿命非常长,即使B-10都能超过10万小时。事实 上,LED器件的B-10寿命必须同L-寿命结合起来考虑。
±2℃ ±0.1mA ±3.0% ±0.05V ±0.003 (See test reports) Tj is calculated by
Tj = Ts + P*Θ (P: dissipation power; Θ: thermal resistance, ~50K/W)
No failures occurred during testing
TMP的测试示意图
LED器件的寿命评估--- IESNA LM80标准
美国新出台的IESNA LM80-08标准约定6000小时的 老化测试时间。
1 Description of LED light source 2 Number of LEDs tested 3 Operating cycle 4 Electric Wiring
影响LED器件可靠性的主要因素
封装材料的光热稳定性和应力:
� 应力小:热膨胀或收缩系数比较小 � 玻璃化温度(Tg)影响上述系数 � 高透光率而且无黄变 � 耐热耐紫外 � 无吸湿性
硅胶和环氧树脂的性能比较
硅胶针对不同波长的透光率
耐温实验
紫外稳定性
L-寿命--- 同LED PN结温的关系
结温的 推算
---热阻 定义
结温的推算 --- 热阻模 型
同电阻计算 完全一致!
结温的推算--- 热阻模型
RΘ = 1 ∗ L σA
单一材料热阻计算
热阻计算公式:
一般材料的导热系数(W/mK):
1L RΘ = ∗
σA
其中: σ代表导热系数 L:代表导热距离 A:代表导热截面积
纯铝 铝合金 纯铜 黄铜 纯金 纯银 纯铁 锡 钛 金刚石 钨 不锈钢
LED的L-寿命的理解
同L-寿命相关的机理是光衰,或者反过来说,光维持。 LED的正常情形(非失效原因)的光衰同下述原因有关: � 芯片结构 � LED芯片PN结温 � 工作电流
根据美国ASSIST(Alliance for Solid-state Illumination Systems Technologies)的建议,L-寿命以LED光通下降到初 始70%为界限,记为L-70。当然在某些特殊应用上可以改变, 比如许多灯具连成一片的照明工程可以采用 L-80;装饰性灯光 工程可以采用L-50。
Power (W)
15 60 10 50 28 58 5 15 75 400 400 n/a n/a
Luminous Efficacy (lm/W)
10 15 12 18 80 90 50 70 75 100 110-140 120 150
System L/E
(lm/W) 7 10 9 12 48 54 25 35 40 50
LED封装可靠性和 寿命分析
钟群 博士
深圳中景科创光电科技有限公司
白光LED器件发光效率的发展和预测
白光LED同传统照明光源的比较
Lamp Type
Incandescent Incandescent Tungsten-halogen Tungsten-halogen Fluorescent Tube Fluorescent Tube Compact Fluorescent Lamp Compact Fluorescent Lamp Metal Halide Metal Halide High Pressure Sodium Vapor LED(2010) LED(2012)
件的失效有关:
R(t) = 1 – P(t)
R(t):可靠性几率 P(t):失效几率 t:时间
平均失效时间 MTTF
MTTF = Mean Time To Failure •可靠性几率同失效率λ成指数关系
R(t) = exp(-λt) •MTTF和失效率成反比
MTTF = 1/λ •寿命同MTTF成正比关系, 和失效率成反比关系
LED灯具的L-寿命等于上述寿命中最短的一个!
延长LED系统寿命--- 降低LED结温
1. 降低LED芯片PN结和灯具外壳或散 热片之间的热阻。 2. 增加外壳或散热器对空气的散热能 力,降低外壳或散热器的温度。
Thanks
Ta: 25, 55 & 85℃ RH: < 45% 6000 hrs The case temperature measurement point is the solder point of LED leads (cathode) Temperature is measure by K -type thermal couple (fine type).
Weibull Distribution
e f(t)=
β
⎛ ⎜
t
β -1
⎞ ⎟
--⎜⎛
t
⎞β ⎟
⎝λ⎠
λ 百度文库λ⎠
其中:β是无量纲,修正曲线的形状; λ是失效率; t 是时间。
Lifetime ExtrapolationⅠ(20mA on single chip)
Lifetime ExtrapolationⅡ(40mA on single chip)
输入功率转化为: 白炽灯
可见光辐射能量 红外辐射能量 紫外辐射能量 辐射能量总和 热能 总和
5% 90% 0% 95% 5% 100%
荧光灯
23% 33% 3% 59% 41% 100%
金卤灯
27% 17% 19% 63% 37% 100%
白光LED
白光LED
(120 lm/W) (240 lm/W)
1
25 ℃
30 ℃
40 ℃
20 m A
101.9%
2
25 ℃
33 ℃
53 ℃
40 mA
101.7%
3
55 ℃
60 ℃
70 ℃
20 m A
102.3%
4
55 ℃
63 ℃
83 ℃
40 mA
96.0%
5
85 ℃
90 ℃
100 ℃
20 m A
93.5%
6
85 ℃
93 ℃
113 ℃
40 mA
80.2%
LED器件寿命曲线的模拟和推导
33%
66%
0%
0%
0%
0%
33%
66%
67%
34%
100%
100%
DIP LED & Piranha
LED封装结构
SMD LED
LED Display
High Power LED
如何理解LED照明的寿命?
� 同LED器件,电源, 以及所有配件的寿命有关 � 寿命同可靠性有关,或者说同上述所有零部
老化测试数据总结
Data Set
Ambient Temperature
(Ta)
Case Temperature
(Ts)
Junction Temperature
(Tj)
Drive Current on Single Chip (I)
Average Lumen Maintenance at 6000 hrs
⎡ exp⎢−
⎜⎛
∑
λi
⎟⎞(t
)⎥⎤
⎣ ⎝i ⎠ ⎦
从上述公式中可以看出,如果某一因素的寿命特别 短,或者失效率特别高(寿命和失效率成反比),则 系统可靠性只同这个因素有关。
影响LED灯具L-寿命的因素
� LED芯片的寿命 � LED封装材料对光和热的抵抗性 � LED灯具中光学系统和透光材料的透光率稳定性 � LED驱动电源的寿命 � LED灯具结构在恶劣环境中的寿命