模电试题-第4套

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模电第四版(童诗白)答案

(a)
(b)
(c) 图 P2.2
(d)
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。图 P2.2 所示各电路的交流通路如解图 P2.2 所示；
9
(a)
(b)
(c) 解图 P2.2
(d)
2.3 分别判断图 P2.2(a)、 (b)所示两电路各属哪种放大电路，并写出 Q、Au、Ri 和Ro 的表达式。解：图 (a):
UCEQ VCC ICQ R4 I EQ R1 。
Au
R4
rbe
， Ri
R1 //
rbe 1
， Ro
R4 。
2.4 电路如图 P2.4 (a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时 U BEQ 分别求出 RL
0.7V
。利用图解法
和 RL 3k 时的静态工作点和最大不失真输出电压 U om （有效值）。
I BQ
R2 // R3 rbe (
VCC U BEQ R1 R2 (1 ) R3
， Ri
，I CQ
I BQ ，UCEQ VCC (1 ) I BQ Rc 。
Au
rbe // R1 ， Ro R2 // R3
图(b)： I BQ
R2 VCC U BEQ ) / R2 // R3 (1 ) R1 ， ICQ I BQ ， R2 R3
6V ，最小稳定电流
I Z min 5mA ，最大稳定电流 I Z max 25mA 。
(1)分别计算 U I 为 10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压 U O 的值； (2)若 U I
35V
时负载开路，则会出现什么现象？为什么？

模电试题四

5．已知某放大电路的电压放大倍数的复数表达式为：
（式中f的单位为Hz）
该放大电路的中频增益为________________dB，在中频段输出电压和输入电压相位差为________________度，上限截止频率为________________Hz，下限截止频率为________________Hz。
11．100 ，1
二.、6，6，0；，0.18, 0.036
三、12v -12v
四、1．图（a）：图（b）： 4
2．图（a）：图（b）：
3．图（a）：图（b）：
五、1．
2．
3．Uom+＝ICQ(Rc//RL）≈2.5V
Uom－－ ≈4.5V
所以将出现截止失真，此时Uom≈2.5V
六、①接⑩、⑥接⑩，③接④，②接⑦，⑤接⑧
（装订线内不准答题）
五、（共15分）在图示电路中的晶体管＝80，，，，电容的容量足够大，对交流信号可视为短路。
1．估算电路静态时的、；2．求电压放大倍数；3．逐渐增大信号电压的幅度至输出电压出现临界失真，试问这时是顶部失真还是底部失真？这时的有效值是多少？4．为了获得更大的不失真输出电压，应增大还是减小。
（1）．静态时，三极管的基极电位，发射极电位，输出端电位；
（2）．负载电阻RL上可能获得的最大输出功率表达式，其功放管的最大集电极耗散功率最小值。
三.（共4分）如图所示直流稳压电源
输出电压UO1＝？UO2＝？
四．（共16分）由集成运放A1、A2等元器件组成的两个反馈放大电路如图所示，设A1、A2均为理想运放。试计算：1．闭环电压放大倍数；2．输入电阻Rif；3．输出电阻Rof。
10.已知某负反馈放大电路的反馈深度为20dB，又已知开环时的输出电阻为 ,若引入的是电压负反馈，则闭环时环内的输出电阻将变为________________；若引入的是电流负反馈，则闭环时环内的输出电阻将变为_________馈深度为20dB，又已知开环时的输入电阻为 ,若引入的是串联负反馈，则闭环时环内的输入电阻将变为________________；若引入的是并联负反馈，则闭环时环内的输入电阻将变为_________________。

模拟电子技术基础(第四版)

U I 35V 时， U O
0.1 (2)当负载开路时， I Z
1.7 在图 Pl.7 所示电路中，发光二极管导通电压 UD =1.5V ，正向电流在 5~15mA 时才能正常工作。试问：(1)开关 S 在什么位置时发光二极管才能发光？ (2)R 的取值范围是多少？解：(1)S 闭合。 (2) R 的范围为:
1.15 电路如图 P1.15 所示，T 的输出特性如图 Pl.14 所示,分析当 u I =4V、8V 、12V 三种情况下场效应管分别工作在什么区域。解：根据图 P1.14 所示 T 的输出特性可知，其开启电压为 5V ，根据图 Pl.15 所示电路可知 uGS uI 。当 u I =4V 时， uGS 小于开启电压，故 T 截止。当 u I =8V 时，设 T 工作在恒流区，根据输出特性可知 iD 0.6mA ，管压降 uDS VDD iD Rd 10V ，因此， uGD uGS uDS 2V ，小于开启电压，说明假设成立，即 T 工作在恒流区。当 u I =12V 时，由于 VDD 12V ，必然使 T 工作在可变电阻区。 l.16 分别判断图 Pl.16 所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。图 Pl.15
I BQ
VBB U BEQ Rb
60 A
ICQ I BQ 3mA uO VCC ICQ Rc 9V
所以 T 处于放大状态。 (3)当 VBB 3V 时，因为 I BQ 图 P1.10
VBB U BEQ Rb
460 A ，
I CQ I BQ 23mA
(a) 图 Pl.8
(b)
(a) 解图 Pl.8
(b)
4

模电第四版习题答案

模电第四版习题答案模拟电子技术是电子工程领域中非常重要的基础课程，其习题答案对于学生理解和掌握课程内容至关重要。

以下是模拟电子技术第四版习题的部分答案，供参考：第一章：半导体基础1. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。

在室温下，硅的电阻率大约是1kΩ·cm，而锗的电阻率大约是0.6kΩ·cm。

2. N型半导体中，多数载流子是自由电子，而P型半导体中，多数载流子是空穴。

3. PN结的正向偏置是指给P型半导体加上正电压，N型半导体加上负电压，此时PN结导通。

第二章：二极管1. 整流二极管主要用于将交流电转换为脉动直流电，稳压二极管主要用于电路中稳定电压。

2. 一个理想的二极管在正向偏置时电阻为零，反向偏置时电阻无穷大。

3. 齐纳二极管是一种特殊类型的稳压二极管，它在反向偏置时具有稳定的电压。

第三章：双极型晶体管1. 双极型晶体管（BJT）分为NPN和PNP两种类型，其中NPN型BJT在基极-发射极结正向偏置时导通。

2. 晶体管的放大区是基极电流变化引起集电极电流变化的区域。

3. 晶体管的饱和区是指基极电流足够大，使得集电极电流达到最大值，此时晶体管不能进一步放大信号。

第四章：场效应晶体管1. 场效应晶体管（FET）的工作原理是通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。

2. JFET（结型场效应晶体管）和MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是两种常见的FET。

3. MOSFET在截止状态下，其源极和漏极之间的电阻非常大，几乎相当于断路。

第五章：放大器基础1. 放大器的主要功能是接收一个电信号并将其转换为更大的电流或电压信号。

2. 共射放大器是最常见的BJT放大器配置之一，它具有较高的电压增益和中等的电流增益。

3. 差分放大器能够放大两个输入信号之间的差值，对共模信号不敏感。

第六章：反馈放大器1. 反馈放大器通过将输出信号的一部分反馈到输入端来稳定放大器的性能。

2. 负反馈可以提高放大器的稳定性和线性度，但可能会降低增益。

模拟电子技术基础第四版习题解答完整版

模拟电子技术基础第四版习题解答Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。

( √)GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。

(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。

图解：U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。

右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。

五、电路如图所示，V CC =15V ，=100，U BE =。

模拟电子技术基础(第四版)习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第 1 章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第 2 章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第 3 章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第 4 章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第 5 章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50第 6 章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60第 7 章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74第 8 章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90第 9 章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114第 10 章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第 1 章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。

( √ )(2)因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。

( √ )(6)若耗尽型 N 沟道 MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。

( × )二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型 MOS 管C.耗尽型 MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。

模电第四版自测题汇总

自测题一、刊断卜列说法是否正确.用“X〞和7〞表示判断结果填入空内.(I)在N型半导体中如枭接入足够量的三价兀素•,可将其改型为P型半导体.(V)(2)由于N型半导体的多子是向由电子,所以它带负电.(X)(3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零.(V)(4)处于放大状态的晶体管.集电极电流星多于漂移运动形成的,(X)(5)结型场效应管外加的棚一族电压应使棚一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其凡$大的特点.(J)(6)假设耗尽型N沟道MOS管的Uq大于零,那么其榆入电阻会明显变小.(X)一、选择正确答案填入空内.(I)PN结加正向电压时,空间电荷区将A.A.变窄B.根本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在C.A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和维电结也压应为B.A.前者反俯、后者也反偏B,前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4)U G、=勿'时,能纾工作在恒流区的场效应管有A、C.A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管三、写出图TI.3所示各电路的输出电压值,设一极管号通电压3,-0.7八图T1.3解,C/OI=13K.%2=0匕U O3=」3匕匕八尸1.3匕U^-1V.四、稳压管的稳压值“=6匕稳定电流的最小值除m=5加.4.求图TI.4所示电路中Us和Us各为多少伏.解：左图中稔压管工作在击穿状态,故U OL6匕右图中稳压管没有击穿,故Us=5匕五■电路如图T1.5所示,%c-15匕ZJ-100,U BE T).7匕试问：(lV?b503时,UM(2)假设r临界饱和,刚火一？解:(1)/尸%乜£=264/,/(=pi a=2.6wU,4=%-/小=2八图T16(2)V f(s==2.86〃i,4,1於=/cs i0=28.6//Jc：.4,=45.5AC六、测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.6所小,它们的开国电压也在我中•试分析各管的工作状态(截止区、恒流区,可变电阻区),并填入收内.表T1.6首号uw U G/V UN〉工作状态Ti4-513恒流区0•43310截止区T;-4605可变电阻区解,由于三只管子均有开启电压,所以它为均为增强型MOS管,根据表中所示各极电位可汽断出它们各门的工作状态,如表TL6最后一栏所示.习题1.1选择适宜答案填入空内.(1)在本征半导体中参加(A)元素可形成N型半导体,参加(C)元索可形成P型半导体.A.五价B.四价C三价(2)当温度开高时,一极管的反向值和电流将(A),A.增大B.不变C.减小⑶工作在放大区的某三极管,如果当后从12必增大到22必时,/从1了变为1mA,那么它的.约为(C).A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流/D从为M变为4〃川时,它的低频跨导gm将(A)CA.增大；B.不变；C减小L2电路如图PL2所求.己知〃,=1()sind⑺,试面出〃,与盘的波形.设极管导通电压可忽略不计.图PL2解图P1.2解：勺与勺的波形加解国PL2所示.1.3电路如图P1.3所示,%=5sin"⑺,二极管导逋电压八=0.7匕试画出其与/的波形图,并标出幅值.第2章根本放大电路自测题一.在括号内用“力和“X〞说明以下说法是否止确.1.只白电路既放大电流又放大电压,才称其石.放大作用e(X)2.可以说任何放大电路都仃功率放大作用.(、')3.放大电路中输出的电流和电压都是有源兀件提供的.(X)4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的.(K)5.放大电路必须加上适宜的直流电源才能正常工作.(V)6.由J•放大的对象是变化量,所以当输入直流信号时,任何放大电路的输出都有无变化,(x)7.只要是共射放大电路,输出电压的底部失直都是他和失真.(x)二.试分析图T2.2各电路是否能放大止弦交流信号,简述理由.设图中所有电容对交流侑号均可视为短跻.解；图(a许能.匕?将输入信号短路.图(b)可以.图(c)不能,输入信号与基板偏置是并联关系而非串联关系.图(d)不能.晶体管基极I可路因无限流电阻而烧毁.图⑻不能「愉入信号被电容C2短路,图⑴不能.输出始终为零.图(g)可能.图(h)不合理.由于G-S间电压将大于零.图(i)不能.由于7截止.三.在图T2J所示电路中,％=12匕品体管乃=100.区=100m0填空,要求先填文字表达式后填得数,⑴当,二0.时,测得^^=./7/.假设要基极电流/心=2044那么母和总之和R h=((公—U8EQ)"A.)kG565)曲；而假设测得U CEQ=6/,那么人气(S加呢)=(3/).(2)假设测汨输入电压有效值U,=5mK时,候出电乐有效值.;二0.6J"那么电压放大倍数4=(-U/J广(J20).假设负我电阻小值与&相等,那么带上图「23仇载后输出电压有效值.,=(——U")=(0.3)V.%+K四、图T2.3所示电路中匕(-12匕凡-3M2,静态管压降.「卬-6匕并在输出端加负载电阻々,其电值为3乂1.选择•个适宜的答案填入空内.(1)该电路的最大不失真输出电压有效值U M,(A)；A2VR.3VC6V(2)为〃=1〃“'时,假设在不失真的条件下.减小心・那么输出电压的情值将(C)：A.减小B.不变C.增大(3)在,=1〃?/时,将火&调到输出电压最人且刚好不失真,假设此时增大输入电压,那么输出电压波形将(B)；A.顶部失真B底部失真C为止弦波(4)假设发现电路出现饱和失真,那么为消除失真,可将(B)・A&减小RH,减小C.嚷谶小五、现行日接耦合根本放大电路如b;A.共射电路B.共集电路C.共基电陷D.共源电路E.共漏电路它们的电路分别如图2.2.1、2.5.1(a)、254(a)x2.6.2和2.6.9(a)所示：设的中(<凡,旦.°、均相等♦选择正确答案填入空内,只霭填A、B、(I)输入电用最小的电路是(C),最大的是(D、E)：(2)输出电阻时小的电路是(B)：(31有电座放大作用的电路是(A、C、D)：(4)有电流放大作用的电路是(A、B、D,E)：(5)高频特性最好的电路是(C)：(6)输入电压与除出电压向相的电¥3是(B,C、E卜反相的电路是(A、D卜六、未画完的场效应管放大电路如图12.6所示,试将适宜的场效应管接入电路,使之能够正常放大.要求给出两种方案.第3章多级放大电路自测题一、现有根本放大电路,A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合运电路组成两级放大电路.(I)要求榆入电阻为10至"£?,电压放大倍数大于3000,第一级应采用(A),第二级应采用(A). Q)要求榆入电HI大于I0MC,电压放大倍数大于300,第一级应采用(D),第二级应采用(A)«(3)要求输入电Hl为1.0履2200k.,电压放大倍数数值大于100.第一级应采用(B),第一级应果用(A)c(4)要求电压放大倍数的数值大于10,输入电WI大于I0MQ,输出电阻小于100Q,第一级应果用(D),第一级应采用(B).⑸设信号源为内阻很大的电压源,鬟求将输入电流轮换戊输出电压,FL.।(J4«|=-J2->1000,输出电阻凡V100,第一♦级应采用采用(C),第二级应(B).//二、选择适宜答案埴入空内C(1)直接献会放大电路存在零点漂移的原因是(C、D).A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分敢性C.晶体管参数受温度影响D.电源电位不利(2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是(C)・A.便丁设ilB.放大交流信号C.不易制作大容量电容(3)选用差动放大电路的原因是(A).A.克,服温漂B.提升输入电阻C.稳定放大倍数(4)差动放大电路的差模信号是两个的入端信号的(A),共模信号是两个输入瑞信号的(C).A.差B.和C.平均值(5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻,将使单端电路的(BA.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号水平增强C.差校临入电阻增大(6)互补输出级采用共集形式是为了使(CKA.放大倍数的数值大B.城大不失真输出电压大C.带负载水平强三、电路如图T3,3所示,所有品体管均为硅管,尸均为200,,从=2000,静态时解：根习题2.1分别改正图P2.1所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波信号.要求保存电路原来的共射接法和耦合方式.解：(a)将-入改为十%.(b)在+々与基板之间加Hg(c)将0口反接,F1在输入端串联一个电RL(d)在"口支路加帆,在一匕c与集电极之间加人.解图U BEO ^0W.试求：(1)静态时Z 管和心管的发射极电流.(2)假设静态时u n >0,那么应如何调节凡?的值才能使%)=07假设静态〃〞=0匕那么凡：=?,电压放人倍数为多少？解：(1)73管的集电极电流/门=(七一.4£03)/勺3=0・3〃乂静态时力管和A 管的发射机电流4」=/门=O15〃M当〃,=0时〃°=0,7；管的集电极电流/04=匕*/R4=0.6〃〞• 义」的电流及其阻值分别为:•=心-小=*--^=0・147〃】力,17Q»_/以*£4+|u$£°4/%电压放大倍数求解过程如卜;之6.8AG-o10皿T|G名6$猊;口;12V)图T3・3+卜工3.7VT|Ukll--Lc・％(-6V)(c)共射,共射⑴共基.共集解,(a)共射,共基(d)共集,共基(b)共射.共射⑹共源•共集k=%+(i+0誓、89m/£?4Ai=4=44时335习题(2)假设静态时〃0>O,那么应减小&〞3.1判断图P3.1所示各两级放大电路中A 和介管分别组成哪种根本接法的放大电路C 设图中所有电容对于交流信号均可视为短路.比拟上两式,熊+“〕2+0+伙1+0I R551H=100//J四、电路如图T4.4所示.图T4.4(1)说明电路是儿级放大电路,各级分别是哪种形式的放大电路(共射、共集、差放……)；(2)分别说明各级采用了啸些举措来改善其性能指标(如增大放大倍数、输入电阻......)・解：⑴三级放大电路,第一级为共型-共基双端输入单端输出差分放大电路,第二级是共射放大电路,第三级是互补输出级.(2)第一级采用共集-共基形式,增大输入电阻,改善高频特性；利用有源负载(A、几)增大差模放大倍数,使单端输出电路的差模放大倍数近似等于双端输出电路的差模放大倍数.同时减小共模放大倍数.第二级为共射放大电路,以八、八构成的复合管为放大管、以恒流源作集电极负载,增大放大倍数.第三级为互补输出级,加了偏置电路,利用5、功的导通压降使％和5在静态时处于临界导通状态,从而消除交越失真.第4章集成运算放大电路自测题一、选择适宜答案填入空内.(1)集成运放电路梁用直接耦合方式是由于(C),A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电(2)通用型集成运放适用于放大(B)・A.高腕信号B低频信号C任何频率信号(3)集成运放制造工艺使得同类半牙体管的(C),A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一直性好(4)集成运放的输入级采用在分放大电路是由于可以(A)oA.减小温漂B.增大放大倍数C.提升输入电阻(5)为增大电压放大倍数,生成运放的中间级多采用(A).A.共射放大电路B.共集放大电路C.共基放大电路二、利断卜列说法是否止卷用“守'祉x〞表示判断结果.(1)运放的输入失调电压5o是两输入端电位之假设.(x)(2)运放的输入大调电流生是两输入端电沛之弟.(4)(3)运放的共模抑制比Ke的(4)有源负载可以憎大放大电路的输出电流.(4)(5)在输入信号作用时,偏置电路改变了各放大管的动态电流.(x)三、电路如图T4.3所示.“产#2=/?尸100.各管的U BE均为07/,试求h的值.解：分析估克如下：1R=匕c—Upc—U阳=］0GRr_21fm+01__2+:◎~一\Vp一—8.?1R~3BQ中762=〔］,+B〕［BO1+p第5章放大电路的频率响应自测题一、选择正确答案填入空内.(1)测试放大电路输出电压幅值匕相位的变化,可以得到它的领率晌应.条件是(A).A.输入电压幅值不变,改变频率B.输入电压频率不变,改变幅俏C.偷入电压的幅值与频率同时变化(2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数俏下降的原因是(B),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(A).A.耦合电容和旁路电容的存在C.半导体管的非线性特件B.半导体管极间电容和分心电容的存在D.放大电路的抑态工作点K适宜(3)当信号频率等「放大电路的,或小时,放大倍数的依约下降到中频时的(B).A.0.5倍：B.0.7倍；C.0.9倍即增益下降(A).A.3dBB.4dB;C.5dB(4)对于单管共射放大电路,当/吭时,U.与U相位关系是(C).A.+45**B.-90°C.-1350当/哧时,a与〞相位关系是(c)°A.-45*1B.-135°C,-225°二、电路如图TS.2所示.：Lc=12匕晶体管的.=4",片50“,2,为=100Q,&)=80,试求解：(1)41频电压放大倍数4g：Q)C：G)力和/；：(4)画出波特图.习题4.1根据以下要求,将应优先节虑使用的集成运放填入空内.现有集成运放的类型是：①通用型②高阻型③高速型④低功耗型⑤高压型@大功率型⑦高精度型(1H乍低频放大器,应选用(①).(2M乍宽频带放大器,应选用(③).(3)作幅值为1"P以下微弱信号的量测放大器,应选用(⑦)・(4)作内阻为100*.0信号源的放大谓,应选用(②[(5)负载需5.4电流业动的放大器,应选用(@).(6)要求输出电压幅(11为±80/的放人器,应选用(⑤).(7)宇航仪器中所用的放大器,应选用(④)・4.2几个集成运放的参数如表P4.3所示,试分别说明它们各属了哪种类型的运放,表P4.3特性指标Xod Uio Ao/|B ・3dBfH A CMR SR增益带宽单位dB MQ mV nA nA Hz dB V/pV MH二Ai100252006007860.5A2130 20.0124071200.5A?100100050.020.03860.55A41002220ISO966512.5解：山为通用型运放,/仙为高精度型运放,小为高阻型运放,为高速型运放・解：(1)静态及动态的分析估算:V cc 川皿5.=Q 理=22.6〃/；Kb1F@=(1+产1.8/H-4%=%+(1+〃)：〞"N1.27*2;lCQ一C^214pF ：G=G+(1+g/)d3602"(3)求解上限、下限截止频率:R=%〃(%+R 川2RKk+2567.. f 〃=—二*175kHz ；f L"2/rRC.’(4)在中频段的增益：201gH .卜45,也・频率特性曲线切解图T5.2所示.三、某放大电路的波特图如图153所示,填空: ⑴电路的中频电压增益201gA/=(60W8,4〃=(10J).⑵电路的卜限频率£=(10阳N,上限频率力产(10)kHz.(3)电路的电玉放大倍数的表达式■•±103±100#(4=io7~r=77~；T~(i+—XI +/^T )(I +/A)(I+y —xi+7^T )(I +/A-)jf J io 4101010“UdrfR 产W ；%,=(1+6).^^宅1.1%./£0、69.2/n/l/V:5K K+4外(-gM)=T78%R =小人=\?Ika2MR,+R JC名\4Hz o时,名“将〔①〕,.；将〔①〕,/〞将〔③卜图P5.1 图P5.220lg|JJ/dB20dB/r 侪顺・40明/卜侪顿10°io 1IO 2io'图TS.3 习题60 4,〕说明：该放大电路的中频放大倍故可能为“十〞•也可能为5.1在图P5.1所小电路中,晶体管的％,、g 、q,凡填空,除要求填写表达式的之外,其余各空填入①憎大、②根本不变、〔1〕在空载情况卜,卜限收率的表达式/产〔]2不〔凡+l 〃GC③减小, 〕•当z?s 减小时,人将〔①〕；当带上负载电阻后,,将〔②〕o〔2〕任空战情况卜,假设b ・c 同等效电容为C,那么上限域率的表达式〃〔友T R ］〕R,〕JQ留神为零时,.,/将〔①〕：20dB/HR 蜘解：图⑻所示电路中引入r电流串联负反饿.反应系数和深度负反应条件卜的电压放大倍数分别为：吊,=上=—04—：%="=ma R式中R L为电流表的等效电阻,图(b)所东电路中引入了电压并联负反应,反应系数和深度负反应条件下的电压放大倍数分别为：尼二生'一J-；A&=工=9=-&必益"%i禺"号图(c)所示电路中引入了电压串联负反应.反应系数和深度负反应条件下的电压放大倍数分别为：兀="=14=%*&=]U F U[Uj图(d)所示电路中引入了正反应,第6章放大电路中的反应自测题一、己知交流负反应由四种组态：A.电球串联负反应:B.电压并联负反应:C.电流中联负反值：D.电流并联货反应.选择适宜答案填入卜列'个格内.1.欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入(B).2.欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入(C).3.欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载水平,应在放大电路中引入(A).4.欲从信号源获得更大的电流,并趋定输出电流,应在放大电路中引入(D).二、判断图T6.2所不各电路中是否引入/反应：假设引入了反应,那么判断是正反应还是负反馀；假设中入/交流侦反应,那么判断是哪种组态的负反应,并求出反应系数和深度负反应条件下的电压放大倍数或幺呵.设图中所有电容对交流信号均可视为短图T6.3(1)正确接入信号源和反应,使电路的输入电阻增大,输出电阻减小;「I U(2)假设»/===20,那么%应取多少T・欧？三、电路如图T6.3所示.R,⑵因4.1+上=20,故因=l90kn.解：(1)应引入电压串联负反应,如解图T63所示.解图T6J四、己知一个负反应放大电路的基械大电路的对数版特性如图T6.4所示,反应网络由纯电班组成e试问：假设要求电蹬稳定工作,即不产生自激振荡,那么反应系数的上限值为多少分贝？简述理由.解:由于网05Hz时,201gl4卜3dB,Q广-180“；为使此时20lg|j7|<0,那么需,201g|F|<-40(/5,BP|^<10-\习题6.1 选择适宜答案埴入空内.(1)对于放大电路,所谓开环是指(B).A.无伯号源B.无反蚀通路C.无电源D.无负我而所谓闭环是指(B)A.考虑信号源内阻B.存在反应通路C.接入电源D .接入负载(2)在输入量不变的情况下,假设引入反应后(D),那么说明引入的反应是负反应-A.输入电阻增大B .输出量增大C 净输入量增大D.铮输入量就小(3)百流负反应是指(C).A.百接耨令放大电路中所引入的负反应B.只有放大直流信号时才有的负反应C.在直流逋路中的负反债(4)交流负反做是指(C).A.阻容耦合放大电路中所引入的负反像B.只仃放大交流信号时才有的负反应C.在交流通路中的负反应(5)为了实现以下目的,应引入A.直流反应B.交流反应 ①稔定静态工作点,应引入(A)： ②稳定放大倍数,应引入(B);③改变输入电阻和输出电阻,应引入(B)： ④抑制温漂,应引入(A)： ⑤展宽频带,应引入(B).6.2选择适宜答案填入空内.A.电压B .电流C 坤联⑴为r稔定放大电路的输出电压,(2)为r 检定放大电路的输出电流,(3)为了增大放大电路的输入电阻,(4)为了减小放大电路的输入电阻,(5)为了增大放大电路的愉出电网,(6)为了减小放入电路的输出电阻.6.3 卜列说法是否正确,用“寸,和“x〞表示判断结果填入括号内.(I)只要在放大电路中引入反债,就一定能使其性能得到改善.(x)D .并联应引入(A)负反应:应引入(B)负反应:应引入(C)负反应;应引入(D)负反应;成引入(B)负反应;应引入(A)负反应:(2)放大电路的级数越与,引入的负反应越强,电路的放大倍数也就越稳定°(x)(3)反应量仅仅次定于输出量.(V)(4)既然电流负反愦稔定输出电流,那么必然稔定输出电压.(x)6.4判断图P6.4所不各电路中是否引入「反应.是已流反应还是交流反应,是止反应还是负反应.设图中所有电容对交流信号均可视为知路.一、现有电路：A.反相比例运算电路C.枳分运算电路E.加法运算电路选择一个适宜的苔案填入空内. B.同相比例运算电路D.微分运算电路E乘方运算电路(1)欲将正弦波电压移相+90.,应选用(C).(2)欲将正弦波电压转换成一倍频电压,应选用(F),.(3)欲将止弦波电压叠加上一个直流量,应选用(E)u(4)欲实现/!产TOO的放大电路,应选用(A).(5)欲将方波电压转换成二角波电压,应选用(C).(6)欲将方波电压传换成尖顶波波电压,应选用(D).二、填空:(1)为了预防50儿电网电压的干扰进入放大器,应选用(带阻)滤波电路.(2)输入信号的频率为10k乩72kHi为了预防T扰信号的混入,应选用(带通)滤波电路(3)为了获得输入电乐中的低频信号.我选用(低通)滤波电路.(4)为了使滤波电路的输出电阻足够小.保证自载电阻变化时流波特性不变,应选用(有源)滤波电路.三、己知图T7.3所示各电路中的集成运放均为理想运放,模拟乘法器的乘积系数4大于零.试分别求解各电路的运算关系.⑸图P6.4解:图⑻所示电路中引入了宜流负反应.国(b)所示电路中引入了之、直流正反饰“图“)所示电路中引入r区流奂及像.图(d)、(c)>3、(g),(h)所示各电路中均力入了交、立流负反应.第7自测题习题木章习题中的兔成运放均为理想运放.7.1填空：(1)(同相比例)色算电路可实现4>1的放大器.(2)(反相比例)石尊电路可实现4<0的放大器.(3)(微分)运算电路可将三角波电压转换成方波电压.(4)(同相求和)运算电路M实现函数丫二口储+^4+•劣,%b和c均大于零.(5)(反相求和运算电路可实现函数丫=.匕+4工+〞'3,b和c均小于零.(6)(乘方)运算电路可实现函数y=aA".7.2电路如图P7.2所示,集成运放输出电压的被大帖值为士14匕填表0图P7.2wj/r().1().51() 1.5“o〞解：图⑶所示电路为求和运算电路,图⑹所示电路为开方运算电路.它们的运算表达式分别为：⑶w()1=-^(7+y)+(1+T^-),777w H/(I I\^//%■>N[I1\^〃.=-2"./(b)%=-[•%=-'•"；)=一5嬴%Nj%%=J款"解：=-(A,/A)为=-10/；i&=(1+R,/R=1L当集成运放工作到斗线性区时,输出电1K不是“4匕就是14几UyfV0.10.5 1.0 1.5如“-1工-10-141.1 5.51114三.己知图T8.3®所木方框图各点的波形如图(b)所不,填写各电路的名称◊电路［为止弦波振荡电路,电路2为同相输入过零比拟器,一―3为反相输入积分运算电塔,一路4为同相输入滞臼比拟器. 电路1广电路2广电路3-＞电路4广第8章波形的发生和信号的转换自测题一、改借：改正图T8.1所示各电路中的错误,使电路可能产生止弦波振荡.要求不能改变放大电路的根本接法(共射、共基、共集). (a)(b)图T8.1解：(a)加佻电极电阻凡及放大电路输入端的耦合电容e (b)变压器副边与放大电路之间加耦合电容,改同名鼎C.、试将图T52所示电路合理连线,组成KC 桥式止弦波振荡电路,图T8.2解,④、⑤与®相连,③与®相连,①与⑥相连,②与⑦相连,如解图T8.2所示.(b) 图183 四、试分别求出图翩：(1八门沛I可比政掷：A型积分运算也略.R/<(2)根据-•y八+Q-"0=不(".+U.)="z.=/V|♦Zv-,Z<|+/<)/njf4；土=土8V〃山与〃c的关系HU线如解图T8.5(a)所小.(3)〃0与r/O i的运讦关系大J「—,I)+〃J S)=—200()1/^,(/2-,［>+〞“«)(4)//<)।与,仆的箜文膨如解图丁乩5(h)所〃,(5)变握？AJ振荡胸率,F以减小女』、.、外工度增大A〞GO<b)解图ra.5K.2判断以下说法是否正确,用7〞利“x〞表示判断结果.(1)为使电压比拟器的愉山电压不是高电平就是低电平,就应在其电路中使集成运放不是_£作在开环状态,就是仪仅引人止反应.(V)(2)如果一个滞回比拟器的两个加值电压和一个窗口比拟器的相同,那么当它们的输入电压相同时,它们的输出电压波形也相同.(x)(3)编入电压在单词变化的过程中,单限比拟器和滞I可比拟器的输出电压均只跃变一次.(1)(4)单限比拟器比滞回比拟器抗干扰水平强,而滞向比拟器比单跟比校器灵敏度高.(X)83选择适宜答案填入空内.A溶性B.阻性C.感性UMC并联网络在谐振时呈(B);在信号频率大下谐振频率时里(A);在信号频率小于谐振频率时呈(C).(2)当信号切率等T•石英晶体的串联谐振频率时,石英晶体呈(B)：当信号频率在布英晶体的申联谐振频率和并联谐振频率之间时,石英晶体早.(C);其余情况下,石英晶体呈(A).(3乂音号频率/=<时,RC串并联网络呈(B).第9章功率放大电路自测题一、选择适宜的答案填入括号内.(D功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出根本不失真情况下,负载上可获得的最大(A).A.交流功率B.直流功率C.平均功率(2)功率放大电路的转换效率是指(B).A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比：B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比：C.晶体冷所消耗的功率与电源提供的平均功率之比c(3)在选择功放电路中的品体管时,应当特别注意的参数有(BDE)0A..B.1CMC.A WD・UcpE.P lM F.fl(4)假设图T9.1所示电路中品体管饱和管压降的数值为那么最大输出功率PoM=(C二、电路如图T9.2所示,「和介的饱和管压降『4&|二2/,直流功耗可忽略不计.FI答以下问题：⑴心、凡和乃的作用是什么?(2)奂战上“J能小汨的最入循.I「和电却的箝摭效?,/牛为方少？(“设般人…、电压的,次值为1匕为了使电路‘内最大不失真怆用电压的峰仁।16〞,电机/至少应HX老少T欧？耕,(I)消除交料表克.(2)最大输出功率仲效率分别为1二(%一“3)2=18%/.n=£.匕C2*69«•2&4(3)由题总知.电压放大倍数为14=】+2之'公加==11.3V2x14V2t/Z二&>(11.3-1)/2,=10.3X2习题9.1利断卜列说法是再正确.用7〞和口・,衣示判断缩果.(1)在功率放大电咯中,检出功率Afi大.功放谆的功〞尚大.(X)(2)功彳放L电路的最大检出功率2为“举本不失质怙况卜.械枚I凡鼠;正用的■大交流功率.(7)(3)当OCL电路的最人输出功率为IW时,功放管的祟电极於人功*.闻人「1W,I x)(4)功率放大电略与电加放大电略.电流放大电路的JH词点是①都使倏山电压人丁镯入电不,(X)②部便输山电流大丁输入电流:(X)③部便输出功中人广信号海松供的瑜入功率.(V)(5)功率放大电路与电压放大电略的区别,①前拧比后者电源电压高：(X)②瓶者比箱看电压放大侪故数仙大：(X)⑨柏忏此后W敢审前,(<)④在电源电压竹|同的情况卜.前时比后打的球人不大口像小心用人•(、)(6)劝杯放人中J咯,川!济:放大也贴的X别是①词看出方力电流放大倍数人,(X)②筋者比人者效率向：(<)③作电沟电作和同的情况F,前拧比后打的腕比功率大.?V)9.2口知电路如图1巩2所示,,和7、W的他和置用隋〃CA、|31,匕「15匕4-KU,必择正而告紧注人;内.(1)电咯中Di和6的作用是消除(C).A.他和失真13•散I上失真C.交世失真M(2)忡态小3品体曾发射极电位C/FQ(B)«A.>0B.=0C.<0(3)最大检用功率/MC).A・=28WB.=18WC..9W(4)当怆入为止修波时.假设外田灯.即开.那么检Hi电技(C]A.为止弦波13.仅彳了止半波C似打负半波(5)假设1%由焊.那么71管(A).A“佛因•T力耗过大而烧坏H.始终饱和C始终戒止。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案4

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/F ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF ）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。

二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。

模电试卷(第四版)

单元检测（二）1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_大于_漂移电流，耗尽层变窄。

2、（1）在图所示的电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。

若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是 _C____。

A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mA（2）设电路中保持V=5V不变。

当温度为20摄氏度时，测得二极管正向电压ＶP=0.7V。

当温度上升到40摄氏度时，则ＶP的大小是__C____。

A.仍等于0.7V B.大于0.7 C.小于0.7V 3、图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问哪个灯最亮？答：B灯（计算平均电流）4、设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和10V，求图中电路的输出电压Uo。

已知稳压管的正向压降为0.7V。

答：0.7V5、图所示的电路中，Dz1和Dz2为稳压二极管，其稳定工作电压分别为6V和7V，且具有理想的特性。

由此可知输出电压Uo为____1V___。

稳压管Dz1、Dz2被反向击穿6、图所示电路，设Ui=sinωt(V)，V=2V，二极管具有理想特性，则输出电压Uo的波形应为图示___A____图。

（答案与提示）7、判断图所示电路中各二极管是否导通,并求A,B两端的电压值。

设二极管正向压降为0.7V。

7、判断图所示电路中各二极管是否导通,并求A,B两端的电压值。

设二极管正向压降为0.7V。

D2导通，D1截止 U=-5.3V8、二极管最主要的特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的_反向击穿性。

（9、用一只万用表不同的欧姆档测得某个二极管的电阻分别为250Ω和1.8KΩ（1）产生这种现象的原因是二极管伏安特性的非线性。

（2）两个电阻值对应的二极管偏置条件是：250Ω为__正__偏，1.8KΩ为正偏。

1、测得某NPN管得ＶBE＝0.7V，ＶCE＝0.2V，由此可判定它工作饱和区。

2、为保证BJT共发射极放大器不产生削波失真，并要求在2K得负载上有不小于2V得信号电压幅度，在选择静态工作点时，就应保证|ＩCQ|≥__1mA_____，|ＶCEQ|≥___2V____。

模电M4执照题集

印刷电路板的导电条是用来做什么的阻容耦合器是什么样的放大器A,低频B,高频，C,直流运算放大器是什么样的放大器A,低频B,高频，C,直流D,电流放大倍数的计算（三极管的放大倍数是带负号的）三级管的输出特性曲线三级管哪级电位居中（基级）三极管的输出信号接在哪个级（集电极）运算放大器I=0是虚断还是虚短。

光敏二极管光照的越强电流怎么样，电阻怎么样（我答的电流越大，电阻越小，忘了对错）开环控制输入信号与输出信号的关系稳态性能指标什么是微分放大器同步器转子的类型同步控制器转子输出的是A,交流，B直流，交流伺服电动机的作用（我答是驱动较大负载，忘了对不对了）步进电动机的种类接收机的组成调频改变的是幅度和相位。

载波采用的是高频。

1）在传输线上导致能量消耗的是？答案应当是“分布电阻”，而不是候选中的“分布电抗”什么的。

而这个题目在ME的教材是一句话没提到的，好在我在考试前通读过一边AV的模电教材，才知道正确答案应当是分布电阻。

做对此题目除非你看过AV教材或者你已考过电工基础，对于哪些是有功功率哪些是无功功率理解透彻。

2）构成交流伺服发电机的转子是？答案在课本的第78页。

“鼠笼形转子”和“非磁性杯形转子”。

但是——考题的候选中只有前者，后者出现的不是“非磁性杯形转子”这几个字样，而是“绕线型”等候选项。

我查看了AV教材亦无法确定选哪个。

3）光敏二极管工作时，光照增加，电阻应当“降低”。

这个在AV教材上说的很清楚，而在ME教材上只是提到了“关电流增大”，关于电阻减小需要自己稍微转个弯。

4）集成运放在输入电压增加的情况下，其放大倍数应当？答案应当是“减小”吧，我选了“基本不变”是错误的。

还没来得及翻阅AV中的教材。

1、二极管串联后，其中反向电阻最大的一只因承受电压过高容易被击穿2、二极管并联后，正向电阻小的二极管容易烧毁。

3、光敏二极管是光能转换为电能的一种半导体器件。

4、晶闸管导通后，若连续减小其阳极电流，当阳极电流小于其维持电流时，晶闸管将自动关断。

模电参考答案(全4套)

参考答案（第1套）一、1．电流、正向、反向；电压。

2．线性、非线性。

3．共基、共射、共集。

4．差模、共模、ocodA A 。

5．低通、200、200。

6．乙类、0、LCC R V22、0.2。

二、2．放大状态。

4．电压－串联、增大、宽。

三、1．V U mA I AI CEQ CQ BQ 2.32.222==≈μ2．115//-=-=beLC ur R R A βΩ==Ω=≈=K R R k r r R R R C o be be b b i 33.1////21四、反馈组态为：电压－串联负反馈1211R R FA uf +== 五、该放大电路为共基接法，根据瞬时极性法可知引入了负反馈，不能振荡。

更正：将变压器副边的同名端标在“地”的位置即可。

六、 1．R R TH U U R R U 3221-=-=；＝，＝时，当；＝，＝－时，当V 4U V 6U 0V 4U V 6U 0TH R TH R -<>i i u u七、运放构成差动输入形式，反相端输入为U I ，同相端输入I IU U ~0='。

I I f I f I f o U U R R U R R U R R U ~)1(111-='++-=八、1．误差放大器的同相在下方、反相端在上方。

2．电路由四个部分构成：（1）由R 1、R 2和R W 构成的取样电路；（2）由运放构成负反馈误差放大器；（3）由R 和D W 构成基准电压电路；（4）由T1和T2复合管构成调整管。

3．V U R R R R R U R R R R U R R R R R U Z w wZ w Z w w o 10~15~221221221=+++++=+"++=参考答案（第2套）一、1．反向击穿；2．甲类、甲乙类、乙类、甲乙类； 3．零点漂移；4．（串联负反馈）从C 到F ；（电压负反馈）从A 到E ； 5．差放输入级、压放中间级、互补输出级、偏置电路； 6．（1）0.5；（2）5；（3）20；二、1．W R VP L CC o 922max== LoMoM AV C R U I I πππ==⎰)(Sin ωinωt 21 W R VI V P LCC AV C CC V 46.11222)(===π %5.78max==Vo P P η W P P P P o V T T 23.1)(21max 21=-== 2．W P P o T 8.12.0max max == 三、1．10=umA 2．)101)(101(1010)1)(1()(5fj f j f jf f j f f j f fjA j A HL Lumu ++⋅=++= ω3．输出电压会失真。

《模拟电子技术》模拟试题四

《模拟电子技术》模拟试题四《模拟电子技术》模拟试题四一.填充题1. 按击穿的机理区分，PN结的击穿分为击穿和击穿。

2. 电路如附图所示，当V=5V时测得ID = 2mA若V增大到10V, ID的值；若V不变，而环境温度降低时，ID的值。

3. 由晶体管共射极输出特性可见，在放大区iB不变时，iC 随uCE的增大而略增加，原因是uCE增大时基区有效宽度，这称为效应。

4 .使直接耦合放大电路产生零点漂移的原因主要是和元件的。

5.若增大固定偏置共射极放大电路中晶体管的IBQ,该放大电路大减小。

6 .共集电极放大电路中的输出电压顶部被削平时，电路产生的是失真；乙类功放电路的主要缺点是输出有失真。

7.负反馈放大电路的fHf (1 AF)fH ，适用于反馈环内只有一的电路；负反馈改善放大电路的性能是以为代价。

&电容三点式正弦波振荡电路的主要优点是, 主要缺点是9 .为了抑制零点漂移，集成运放的输入级一般选用放大电路，因此由半导体三极管组成输入级的集成运放，两个输入端的外接电阻应。

10 .用集成运放组成的非正弦信号发生器一般由和两个部分组成。

二.分析计算题1. 有两个相同的基本放大电路，负载开路时的电压放大倍数Au1 Au2 50、输入电阻Ri1 Ri2 2k Q、输出电阻Ro1Ro2 10k Q,现用这两个基本放大电路组成一个多级放大电路，并用内阻Rs 2k Q的正弦波信号源驱动，输出端接10k Q的负载电阻RL。

试求该多级放大电路的输入电阻Ri、输出电阻Ro电压放大倍数Au及源电压放大倍数Aus。

内容需要下载文档才能查看2. 电路如附图所示，设T1、T2特性相同，IDSS= 4mA UGS(off) =- 4V;调零电位器RW 2k Q,其滑动端调在中点。

试计算：静态工作点的值；Aud、Ro；若电路改为从T1的漏极与“地”之间输出，求这种情况下的差模电压放大倍数、共模电压放大倍数、共模抑制比以及输出电阻。

模拟电子技术试卷(第4套)

广东技术师范学院模拟电子技术试卷（第4套）一、填空题(本题24分，每空1.5分)1. 稳压管通常工作在状态（A.正向导通；B.反向击穿）。

2. 在OCL乙类功放中，若其最大输出功率为1W，则电路中功放管（单管）的集电极最大功耗约为。

3. 某放大电路负载开路时，U O=6V，接上3KΩ负载后，U O=4V，说明该放大电路的输出电阻R0=。

4. 正弦波振荡器的振荡条件是。

5. 为了避免50Hz电网电压的干扰信号进入放大器，应选用滤波电路。

6. 在放大电路中，为了稳定静态工作点，应引入负反馈，为了稳定放大倍数应引入负反馈。

7. 互补输出级中的BJT通常采用接法，其目的是为了提高（A.负载能力；B.最大不失真输出电压）。

8.通用型集成运放通常采用耦合方式。

9.双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射极需要加偏置电压，集电极需要加偏置电压；场效应管是控制器件。

10. 在运算电路中，运算放大器工作在区；在滞回比较器中，运算放大器工作在区。

二、(共12分)1．二极管电路如图所示，考虑二极管的正向压降为0.7V，求输出电压U o （6分）2．测得处于放大状态的三极管三个管脚的直流电位如图所示，（6分）试说明三极管为（）管，（）类型。

a. 硅管；b. 锗管；c. NPN；d. PNP；三、电路如下图所示，集成运放输出电压的最大幅值为±14V ，写出u o1、u o2的表达式并填表。

（12分）四、判断电路中整体反馈的反馈组态，求U O的表达式。

（12分）五、下图中β=30，r be =1kΩ, R b =300kΩ, Rc=R L =5kΩ, R e =2kΩ,U BE =0.7V, Vcc=24V （本题16分）1．计算电路的静态工作点； 2．画出该电路的微变等效电路；3．计算Au、Ri、Ro六、电路如图P10.8所示。

1．分别标出u01和u02对地的极性；2．当U21=18V，U22=22V时，画出u01、u02的波形3．当U21=18V，U22=22V时，求出U01(A V)和U02(A V)各为多少？七、用理想运放构成的电路如图所示。

模电试卷(第四版)

单元检测（二）1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_大于_漂移电流，耗尽层变窄。

2、（1）在图所示的电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。

若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是 _C____。

A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mA（2）设电路中保持V=5V不变。

当温度为20摄氏度时，测得二极管正向电压ＶP=0.7V。

当温度上升到40摄氏度时，则ＶP的大小是__C____。

已知稳压管的正向压降为0.7V。

答：0.7V5、图所示的电路中，Dz1和Dz2为稳压二极管，其稳定工作电压分别为6V和7V，且具有理想的特性。

由此可知输出电压Uo为____1V___。

稳压管Dz1、Dz2被反向击穿6、图所示电路，设Ui=sinωt(V)，V=2V，二极管具有理想特性，则输出电压Uo的波形应为图示___A____图。

（答案与提示）7、判断图所示电路中各二极管是否导通,并求A,B两端的电压值。

设二极管正向压降为0.7V。

7、判断图所示电路中各二极管是否导通,并求A,B两端的电压值。

设二极管正向压降为0.7V。

D2导通，D1截止 U=-5.3V8、二极管最主要的特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的_反向击穿性。

（9、用一只万用表不同的欧姆档测得某个二极管的电阻分别为250Ω和1.8KΩ（1）产生这种现象的原因是二极管伏安特性的非线性。

（2）两个电阻值对应的二极管偏置条件是：250Ω为__正__偏，1.8KΩ为正偏。

1、测得某NPN管得ＶBE＝0.7V，ＶCE＝0.2V，由此可判定它工作饱和区。

模电第四版习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件 (3)第2章基本放大电路 (14)第3章多级放大电路 (31)第4章集成运算放大电路 (41)第5章放大电路的频率响应 (50)第6章放大电路中的反馈 (60)第7章信号的运算和处理 (74)第8章波形的发生和信号的转换 (90)第9章功率放大电路 (114)第10章直流电源 (126)第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用次”和V”表示判断结果填入空内。

(1) 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

(V )(2) 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

(X )(3) PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

(V )(4) 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

(X )(5) 结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS大的特点。

(V )⑹若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。

(X )二、选择正确答案填入空内。

(1) PN结加正向电压时，空间电荷区将A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2) 稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3) 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A、C 。

A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。

图解：U oi = , U O2= 0 V, U O3= , U O4= 2V, U O5= , U O6= -2V。

四、已知稳压管的稳压值U z=6V，稳定电流的最小值l zmin=5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

模拟电子考试试卷

《模拟电子技术》考试试卷（01）一、填空题（本大题共4小题，每空1分，共10分）1．PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止，所以PN结具有单向导电性。

2．有三个单管BJT放大电路，已知其电压增益分别为A v1＝20，A v2＝－10，A v3＝1，则可知它们分别为共基极放大电路、共发射极放大电路、共集电极放大电路。

3．乙类互补功率放大电路存在交越失真，可以利用甲乙类互补功率放大电路来克服。

4．电压负反馈将使输出电阻减小，电流负反馈将使输出电阻增加。

二、单项选择题(本大题共5小题，每小题2分，共10分)1．对BJT下列说法正确的是 C 。

A．发射极和集电极可以调换使用，因为BJT发射区和集电区的结构对称B．发射极和集电极可以调换使用，因为BJT发射极和集电极的电流基本相同C．发射极和集电极不能调换使用，因为BJT发射区和集电区的结构不对称，发射区掺杂浓度比集电区高D．发射极和集电极不能调换使用，因为BJT发射区和集电区的结构不对称，发射区掺杂浓度比集电区低2．测得某电路中PNP型晶体管的三个管脚的电位分别为V B＝5V、V C＝2V、V E＝5．7V，则该管工作在A 状态。

A．放大B．截止C．饱和D．不能确定3．互补对称功率放大电路中的两个功放管应采用 A 。

A．一个NPN型管和一个PNP型管B．两个NPN型管C．两个PNP型管D．任意组合4．理想运算放大器的两个输入端的输入电流近似等于零的现象称为 D 。

A．断路B．虚短C．虚地D．虚断5．正弦波振荡电路的输出信号最初由 C 产生的。

A．基本放大器B．选频网络C．干扰或噪声信号D．稳幅环节三、判断题(本大题共5小题，每小题2分，共10分)FFTFT1．影响放大电路高频特性的主要因素是耦合电容和旁路电容的存在。

×2．在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。

×3．集成运放是一种高增益的、直接耦合的多级放大电路。

√4．P型半导体带正电，N型半导体带负电。

(完整版)模拟电子技术基础(第四版)习题解答

第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。

求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。

试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

模电第四版习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS R 大的特点。

( √ )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS U 大于零，则其输入电阻会明显变小。

( × ) 二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS =0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =。