简易数字三极管β值显示仪--张

合集下载

半导体三极管β值测量仪

目录目录 (2)第一部分系统设计 (3)1.1设计题目及要求 (3)1.2设计思路分析 (3)1.2.1设计思路 (3)1.2.2设计方案 (4)1.2.3方案论证与比较 (6)第二部分单元电路设计 (7)2.1被测三极管电路工作原理和功能说明 (7)2.2 β-v转换电路工作原理和功能说明 (9)2.3 LM331电路工作原理和功能说明 (9)2.4 555单稳态电路工作原理和功能说明 (12)2.5 计数、译码、显示电路及其原理和功能说明 (13)第三部分整机电路图 (15)3.1 整机电路图 (15)3.2 元件清单 (15)第四部分性能调试 (16)4.1 电路调试 (16)4.1.1 调试使用的仪器 (16)4.1.2 指标测试步骤及测量数据 (16)4.1.3故障分析及处理 (17)4.2 电路实现的功能和系统使用说明 (19)第五部分课程设计总结 (19)附件一整机电路图 (22)附件二 IC资料 (23)第一部分系统设计1.1设计题目及要求设计题目：半导体三极管β值测量仪设计任务：设计一个可测量NPN型硅三极管的β值的显示测量电路（β<200）任务要求：1用三个数码管显示β的大小，分别显示个位、十位和百位。

显示范围为0-199。

2响应时间不超过2秒,显示器显示读数清晰，注意避免出现“叠加现象”。

3电源采用5V或±5V供电。

1.2设计思路分析1.2.1设计思路将变化的β值转化为与之成正比变化的电压或电流量，再将得到的电压或者电流量转换为频率，然后计数、译码显示。

上述转换过程可由以下方案实现：根据三极管电流I C=βI B的关系，当I B为固定值时，I C反映了β的变化，电阻RC上的电压V RC又反映了IC的变化，这样，被测三极管就可以通过β-V转换电路把三极管的β值转换成对应的电压，然后再通过压控振荡器把电压转换成频率，若计数时间及电路参数选择合适，在计数时间内通过的脉冲个数即为被测三极管的β值。

三极管β值测量

电路与电子技术课程设计三极管β值数显式测量电路设计学院：专业：班级：姓名：学号：指导老师：二〇一一年五月十八日目录前言 (2)1设计任务及要求 (2)1.1基本功能实现 (2)1.2扩展功能与创新 (2)1.3添加部分 (3)2方案设计与论证 (3)2.1测量方案的选择 (3)2.2芯片的选择 (3)2.3显示器件的选择 (4)2.4B I 数值的固定 (4)2.5判断管型、及好坏电路的选择 (4)3主要电路原理及相关分析计算 (6)3.1显示及主芯片电路 (6)3.2测量部分电路 (7)3.3判断管型、及好坏部分电路 (7)4总体框图 (8)5测试方法与数据 (9)5.1测试仪器 (9)5.2测试结果 (9)6误差分析 (9)[参考文献] ........................................................................................... 错误!未定义书签。

三极管β值数显式测量电路设计前言：三极管系数是电子电路设计中的一组基本参数，对其测量方法有很多种，测试仪器也有很多种。

然而就目前通用的测量仪器，存在读数不直观和误差大等缺点。

操作者首先需要区分三极管是NPN 型还是PNP 型，然后判断它管脚的基极，集电极和发射极，再开始测量，操作起来比较繁琐。

本课题要求制作的三极管β值数显式测量电路用数码管和发光二极管显示出被测三极管的β值，读数直观，误差较小。

1设计任务及要求1.1基本功能实现1．可测量NPN 硅三极管的直流电流放大系数β值（设β<200）。

测试条件如下： 1)B I =10μA ，允许误差为2%±。

2)CE 14V V 16V ≤≤，且对不同β值的三极管，CE V 的值基本不变。

2.该测量电路制作好后，在测试过程中不需要进行手动调节，便可自动满足上述测试条件。

3.用3只LED 数码管组成数字显示器。

三极管参数 β

三极管参数β三极管参数β是指输人电流与输出电流之比，也称放大系数。

它是三极管的一个重要特性参数，通常由Ic/Ib来表示，即输出电流与输入电流之比。

在实际应用中，β参数的大小直接影响了三极管的放大效果和工作稳定性，因此对于电子工程师来说，了解和掌握β参数是十分重要的。

β参数的大小通常取决于三极管的结构和工艺，不同型号的三极管具有不同的β值。

一般来说，β值的取值范围在几十到几百之间，而在一些高性能的三极管中，β值甚至可以达到上千。

在选择三极管时，需要根据具体的应用需求来确定β值的合适范围，以确保电路设计的稳定性和放大效果。

β参数与三极管的工作状态密切相关。

在放大器电路中，当β值较大时，理想情况下可以提高放大器的放大倍数，但也会使得电路对β的变化更为敏感，从而容易出现失真和不稳定现象。

在开关电路中，β值较大可以提高开关速度，但也容易产生开关失真和饱和现象。

在实际设计中，需要综合考虑三极管的工作状态和电路特性，合理选择β值，以达到最佳的设计效果。

β参数的测量和调节也是电子工程师需要掌握的重要技能之一。

常见的测量方法有直流测量法和交流测量法，其中交流测量法更加准确和实用。

而在实际应用中，由于β值受到温度、电源电压和封装形式等因素的影响，因此需要通过外部电路或负载等手段进行调节和稳定。

通过合适的电路设计和调节手段，可以有效地控制β值，进而提高电路的性能和稳定性。

三极管参数β作为电路设计中的重要特性参数，对于电子工程师来说具有重要意义。

通过了解β参数的意义和影响，掌握β参数的选择和调节方法，可以更好地设计和优化电路，提高电子产品的性能和稳定性。

在学习和实践中，应该重视β参数的研究和应用，不断提升相关技能和知识水平。

半导体三极管β值测量仪

唐山学院《电子技术》课程设计题目三极管值测量电路系 (部) 机电工程系班级姓名学号指导教师年月日至月日共1周年月日第一部分设计任务一、设计题目、内容及要求设计题目：半导体三极管β值测量仪设计内容：任务：设计制作一个可自动测量NPN型硅三极管β值的显示测量仪。

基本部分:对被测三极管的β值分三档；β值的范围分别为80～120及120～160，160～200；其对应的分档编号分别是1、2、3；待测三极管为空时显示0，超过200显示4;用数码管显示β值的档次。

设计要求：1、根据任务要求设计中的各个电路模块；2、给出multisim仿真结果；3、设计说明书要包含设计总结；前言1.1设计意义学习了一个学期的《电子技术》课程，这次的课程设计主要综合了解与运用所学的知识，通过这次课程设计来检查这一学期的学习状况。

通过制作三极管β值测量电路，了解译码器、编码器、放大器，镜像电路的作用。

现代电子技术中半导体器件被广泛应用，半导体三极管经常被用在各种放大电路中，因此半导体三极管β值测量仪有很大的实用价值。

本次的课程设计就是基于此目的进行的。

纵观整体，本设计集所学电子技术大部分知识，其中前半部分的镜像电流源、采样电路、电压比较电路均属于模电部分，而后半部分的编码、译码及显示部分则属于数电部分。

通过综合运用各部分知识，使用Multisim 13.0软件，对设计出的电路进行仿真，并调试电路。

在仿真过程中要学会熟练应用Multisim 13.0各种功能，及各种仿真仪器。

1.2设计背景Multisim13是一款知名的EDA仿真软件，由加拿大IIT、公司于2007年推出最新版本。

在Windows环境下，Multisim13软件有一个完整的集成化设计环境，它将原理图的创建、电路的测试分析、结的图表显示等全部集成到同一个电路窗口中。

在搭建实际电路之前，采用Multisim13仿真软件进行虚拟测试，可使实验方法和实验手段现代化，扩展实验容量，使实验内容更完备，提高了实验效率，节省大量的实验资源。

三极管β值数显式测量电路设计.

××××大学课程设计2010年 7 月 11 日××××课程设计任务书课程电子技术课程设计题目三极管β值数显式测量电路设计专业自动化姓名学号主要内容：根据设计要求，运用所学的电子技术及电路基础等知识，自行设计一个三极管β值数显式测量电路，用数码管和发光二极管显示出被测三极管的β值，从而读数直观，误差较小。

基本要求：1可测NPN硅三极管的直流电流放大系数β值（设β小于200），测试条件如下：（1） Ig=10μΑ,误差为±2%（2）V CE为14到16V，且对于不同β值的三极管，V CE的值基本不变。

2用二只LED数码管和一只发光二极管构成数字显示器。

发光二极管显示最高位，它的亮状态和暗状态代表“1”和“0”，两只数码管显示拾位个位，即可显示0到199的正整数。

3在温度不变（20℃）时，本测量电路误差的绝对值不超过“0.05*数字显示器读数+1”。

4数字显示器所显示的数字应当清晰，稳定、可靠主要参考资料：[1]童诗白.模拟电子技术基础 [M].北京：高等教育出版社，2006.[2]张凤言.电子电路基础[M].北京：高等教育出版社，1995.[3]电子电路百科全书编辑组. 电子电路百科全书[M].北京：科学出版社.1988.[4]彭介华.电子技术课程设计指导[M].高等教育出版社，1997.[5]李哲英等．实用电子电路设计[M]．北京：电子工业出版社,1997.[6]陈永甫.新编555集成电路应用800例.电子工业出版社，2000..完成期限2010.7.5-7.11指导教师专业负责人2010年 7 月 4日目录1 任务和要求 (1)2 总体方案设计与选择 (1)2.1任务分析 (1)2.2设计思路 (1)2.3系统概述 (1)3 电路总原理框图设计 (2)4 单元电路设计 (3)4.1转换电路 (3)4.2优频转换电路 (4)4.3控制计时电路 (5)4.4计数电路 (5)4.5译码与显示电路 (6)5 单元电路的级联设计 (7)6 设计总结 (7)参考文献 (8)附录 (1)1 任务和要求(1)任务：设计一个三极管β值数显式测量电路，用数码管和发光二极管显示出被测三极管的β值。

实验十一-三极管β值分选电路设计与仿真

实验十一-三极管β值分选电路设计与仿真————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：南昌大学实验报告学生姓名：刘阳学号： 6110116158 专业班级：电子165班实验类型：□验证 ■综合 □设计 □创新实验日期：2017.12.30 实验成绩：实验十一三极管β值分选电路设计与仿真一、实验目的1、熟悉三极管的电流放大原理，掌握其各管脚电流之间的关系；2、掌握三极管放大电路和集成运算放大器（或集成电压比较器）的特性和应用；3、掌握电路仿真调试的原则和排除故障的方法。

二、实验要求利用比较器构成一个NPN 型三极管β值分选电路，要求电路用发光二极管的亮或灭来表示被测三极管β值的范围，并用一个LED 数码管显示β值的区间段落号。

如（0-50）显示“1”，（50-100）显示“2”，（100-150）显示“3”，（150-200）显示“4”，(>200)显示“5”。

三极管采用Multisim 虚拟器件，其β值可以更改，比较器可选择集成运放（比如LM324）三、实验原理β是三极管共射电流放大系数，不是一个能够直接测量的物理量，一般不区分直流和交流下放大系数。

对于直流，有BC BCEO C I I I I I ≈-=β，忽略CEO I ，固定CEB U I 、的值，C I 的值跟β值成正比，测量β的问题转化为对C I 的测量。

为了使数码管能够测量模拟量，本实验还需要使用ADC 。

直接型ADC 是把输入的模拟电压信号直接转换为相应的数字信号，所以还要对C I 进行电流-电压转换。

A/D 转换后就可以通过编码器和译码器连接数码管进行数字显示了。

四、实验仪器NPN 型三极管，5个发光二极管，5个电压比较器，1个数码管(自带显示译码器)，1个74LS148编码器，一个LM324集成运放五、实验方案1、实验设计思路：三极管工作在放大区时，集电极电流为基极电流的β倍，通过集成运放将电流转换成电压，根据事先设定的β值分段范围确定比较器的门限电压值。

电子技术课程设计β值测量仪

电子技术课程设计——半导体三极管β值测量仪齐齐哈尔大学通信与电子工程学院通信xxx xxx指导教师：XXX2010年6月23日半导体三极管β值测量仪的设计一、选题依据在现代电子技术中，半导体电子元器件被广泛应用。

而半导体三极管通常被用在各种放大电路当中。

因而半导体三极管的放大倍数，即β值则成为一个经常使用的参数。

在学生实验以及各种电路设计过程当中如果我们能像测量电压、电流、电阻一样用仪器测三极管的β值，那么这将会为我们的实验和设计带来极大地便利。

因此，设计一个三极管β值测量仪则具有很大的实用价值和必要。

设计电路测量三极管的β值，将三极管β值转换为其他可用仪器测量的物理量来进行测量（如电压，根据三极管电流I C=βI B的关系，当I B为固定值时，I C反映了β的变化，电阻R C上的电压V R C又反映了I C的变化）。

二、设计要求及技术指标1.设计要求：设计制作一个自动测量三极管直流放大系数β值范围的装置。

2.技术指标：(1)、对被测NPN型三极管β值分三档；(2)、β值的范围分别为50～80、80～120及120～180，对应的分档编号分别是1、2、3；(3)、用数码管显示β值的档次；(4)、电路采用5V或正负5V电源供电。

三、电路结构及其工作原理1.电路的结构框图：图1 三极管β值测量仪框图2.电路的原理图： 1).三极管β值测量仪整体机电路图：图2 三极管β值测量仪电路原理图2.) 根据设计方案的方框图进行模块化设计： 1、转换电路其中包括微电流源（提供恒定电流）和差动放大电路（电压取样及隔离放大作用）。

将变化的三极管β值转化为与之成正比变化的电压量，再取样进行比较、分档。

上述转换过程可由以下方案实现：根据三极管电流I C =βI B 的关系，当I B 为固定值时，I C 反映了β的变化，电阻R C 上的电压V RC 又反映了I C 的变化，对V RC 取样加入后级进行分档比较。

为了取得固定I B ，采用微电流源电路提供恒定电流。

半导体三极管β值范围测量仪设计

半导体三极管β值范围测量仪设计一、设计题目与主要技术指标1、设计题目半导体三极管β值范围测量仪2、主要技术指标（1）对被测NPN型三极管β值分五档；（2）β值的范围分别为小于50、50~80、80~120、120~180、180以上，对对应分档编号分别是0、1、2、3、4；（3）用数码管显示β值档位;二、系统组成框图设计制作一个测量三极管直流放大系数β值范围的测量仪装置。

β值的测量分档电路可以由β-V转换电路、编码电路、三极管译码电路、显示电路组成。

经过查阅书籍和相关资料，还有设计要求上的提示方案，对设计有如下简单分析：设计电路测量三极管的β值，将三极管β值转换为其他可用仪器测量的物理量来进行测量（如电压，根据三极管电流I C=βI B的关系，当I B为固定值时，I C反映了β的变化，电阻R C上的电压V RC又反映了I C的变化）。

因为题目要求分五档显示三极管的β值（即值的范围分别为小于50、50～80、80～120及120～180、大于180，对应的分档编号分别是0、1、2、3、4），所以对转换后的物理量进行采样,将取样信号同时加到具有不同基准电压的比较电路输入端进行比较，相应的一个比较电路输出高电平，其余比较器输出为低电平，实现AD转换。

比较后再进行分档显示。

要实现分档显示，则必须对比较器输出的高电平进行二进制编码和显示译码器译码，驱动数码管显示出相应的β值档次代号。

从而实现该档次代号的显示。

系统框图如下图（1）所示：三、单元电路设计与分析1、转换电路：用于把不能直接用仪器测量的NPN型三极管β值转换成可以直接被测量的集电极电压，再把电压采样放大，为下一级电压比较电路提供采样电压，其中包括提供恒定电流的微电流源电路和起放大隔离的差动放大电路。

将变化的三极管β值转化为与之成正比变化的电压量，再取样进行比较、分档。

上述转换过程可由以下方案实现：根据三极管电流IC=βIB的关系，当IB为固定值时，IC反映了β的变化，电阻RC上的电压VRC 又反映了IC的变化，对VRC取样加入后级进行分档比较。

三极管的贝塔计算

三极管的贝塔计算三极管是一种常用的电子元件，广泛应用于电子电路中。

它具有放大、开关等功能，是现代电子技术中不可或缺的组成部分。

在设计电子电路时，我们常常需要计算三极管的贝塔值，以确定其放大能力和工作状态。

本文将详细介绍三极管的贝塔计算方法及其应用。

一、三极管的结构与工作原理三极管通常由两个PN结和一个P型或N型材料构成。

其中，PN 结由P型和N型半导体材料组成，起到控制电流的作用。

三极管有三个引脚，分别是基极（B）、发射极（E）和集电极（C）。

三极管的工作原理是通过控制基极电流，来控制集电极电流的放大倍数。

二、贝塔的定义与意义贝塔（β）是三极管的放大能力的一个重要参数。

它定义了集电极电流（IC）与基极电流（IB）之间的比值，即贝塔等于IC除以IB。

贝塔越大，表示三极管的放大能力越强。

贝塔值的范围通常在几十到几百之间。

三、贝塔的计算方法三极管的贝塔值可以通过实验测量得到，也可以通过数据手册查询。

在实际工作中，我们常常需要根据三极管的工作条件来计算贝塔值。

下面将介绍两种常用的计算方法。

1. 静态负载线法静态负载线法是一种简单但较为粗略的计算方法。

首先，根据电路条件确定基极电流IB和集电极电流IC。

然后，根据三极管的工作状态，找到对应的静态负载线。

最后，通过测量得到的静态工作点，计算贝塔值。

这种方法的计算结果较为简单，但精度相对较低。

2. 直流放大倍数法直流放大倍数法是一种较为准确的计算方法。

首先，根据电路条件确定基极电流IB和集电极电流IC。

然后，测量得到三极管的直流放大倍数（即集电极电流与基极电流的比值）。

最后，将直流放大倍数除以1加上它，得到贝塔值。

这种方法计算结果较为准确，适用于较为精细的电路设计。

四、贝塔的应用贝塔值在三极管的应用中起到重要作用。

通过贝塔值，我们可以确定三极管的放大能力和工作状态，从而选择合适的三极管进行电路设计。

贝塔值大的三极管适合用于放大电路，而贝塔值小的三极管则适合用于开关电路。

放大电路测试三极管β值

一、设计任务1.1 设计目的：（1）、掌握设计放大电路测试三极管β值的方法，以及组装与调试方法。

（2）、进一步熟悉模拟，数字集成电路的使用方法。

1.2 设计内容及要求1、设计制作一个自动测量三极管电流放大系数β值范围的装置，将被测NPN 型三极管β值分三档；β值的范围分别为80～120及120～160，160～200对应的分档编号分别是1、2、3；待测三极管为空时显示0，超过200显示4。

2、用数码管显示β值的档次及三极管的β值；3、组装、调试三极管β值测试仪。

4、画出完整的电路图，写出设计报告。

二、设计方案2.1 设计思路设计电路测量三极管的β值，将三极管β值转换为其他可用仪器测量的物理量来进行测量（如电压，根据三极管电流IC=βIB的关系，当IB为固定值时，IC反映了β的变化，电阻RC上的电压VRC又反映了IC的变化）。

因为题目要求分三档显示三极管的β值（即值的范围分别为80～120、120~160及160～200，对应的分档编号分别是1、2、3），所以对转换后的物理量进行采样,将取样信号同时加到具有不同基准电压的比较电路输入端进行比较，相应的一个比较电路输出高电平，其余比较器输出为低电平，实现AD转换。

比较后再进行分档显示。

要实现分档显示，则必须对比较器输出的高电平进行二进制编码和显示译码器译在发挥部分,器测量的物理量来进行测量，如电压，根据三极管电流IC=βIB的关系，当IB 为固定值时，IC反映了β的变化，电阻RC上的电压VRC又反映了IC的变化，对VRC进行伏频转换，转换后的频率f就反映了β值的大小，然后再用计数器对f的信号进行一定时间的计数，最后通过计数器的保持输出经译码电路就可以显示β值。

关键一：将变化的β值转化为与之成正比变化的电压或电流量，再取样进行比较、分档。

上述转换过程可由以下方案实现：根据三极管电流IC=βIB 的关系，当IB 为固定值时，IC 反映了β的变化，电阻RC 上的电压VRC 又反映了IC 的变化，对VRC 取样加入后级进行分档比较。

德州仪器DTA144E D数字三极管（BRT）使用说明书

MUN2113, MMUN2113L,MUN5113, DTA144EE,DTA144EM3, NSBA144EF3Digital Transistors (BRT)R1 = 47 k W , R2 = 47 k WPNP Transistors with Monolithic Bias Resistor NetworkThis series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base −emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.Features•Simplifies Circuit Design •Reduces Board Space•Reduces Component Count•S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable•These Devices are Pb −Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS CompliantMAXIMUM RATINGS (T A = 25°C)RatingSymbol Max Unit Collector −Base Voltage V CBO 50Vdc Collector −Emitter Voltage V CEO 50Vdc Collector Current − Continuous I C 100mAdcInput Forward Voltage V IN(fwd)40Vdc Input Reverse VoltageV IN(rev)10VdcStresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not beassumed, damage may occur and reliability may be affected.PIN 3(OUTPUT)PIN 2EMITTER (GROUND)PIN 1BASE See detailed ordering, marking, and shipping information inORDERING INFORMATION SC −75CASE 463STYLE 1MARKING DIAGRAMSXXX =Specific Device Code M=Date Code*G=Pb −Free Package(Note: Microdot may be in either location)*Date Code orientation may vary depending up-on manufacturing location.SC −59CASE 318DSTYLE 1SOT −23CASE 318STYLE 6SC −70/SOT −323CASE 419STYLE 3SOT −723CASE 631AA STYLE 1SOT −1123CASE 524AA STYLE 1XX M G G 11XXX M GG XX M G G 1XX M 1X M 1PIN CONNECTIONSTable 1. ORDERING INFORMATIONDevicePart MarkingPackage Shipping †MUN2113T1G, SMUN2113T1G*6C SC −59(Pb −Free)3000 / Tape & Reel MMUN2113LT1G, SMMUN2113LT1G*A6C SOT −23(Pb −Free)3000 / Tape & Reel MMUN2113LT3G, NSVMMUN2113LT3G*A6C SOT −23(Pb −Free)10000 / Tape & Reel MUN5113T1G, SMUN5113T1G*6C SC −70/SOT −323(Pb −Free)3000 / Tape & Reel MUN5113T3G6C SC−70/SOT −323(Pb −Free)10000 / Tape & Reel DTA144EET1G, NSVDTA144EET1G*6C SC −75(Pb −Free)3000 / Tape & Reel DTA144EM3T5G 6C SOT −723(Pb −Free)8000 / Tape & Reel NSBA144EF3T5GESOT −1123(Pb −Free)8000 / Tape & Reel†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D.Figure 1. Derating CurveAMBIENT TEMPERATURE (°C)P D , P O W E R D I S S I P A T I O N (m W )(1) SC −75 and SC −70/SOT −323; Minimum Pad (2) SC −59; Minimum Pad (3) SOT −23; Minimum Pad(4) SOT −1123; 100 mm 2, 1 oz. copper trace (5) SOT −723; Minimum PadTHERMAL CHARACTERISTICS (SC−59) (MUN2113)Total Device DissipationT A = 25°C(Note 1)(Note 2)Derate above 25°C(Note 1)(Note 2)P D2303381.82.7mWmW/°CThermal Resistance,(Note 1) Junction to Ambient(Note 2)R q JA540370°C/WThermal Resistance,(Note 1) Junction to Lead(Note 2)R q JL264287°C/WJunction and Storage Temperature Range T J, T stg−55 to +150°C THERMAL CHARACTERISTICS (SOT−23) (MMUN2113L)Total Device DissipationT A = 25°C(Note 1)(Note 2)Derate above 25°C(Note 1)(Note 2)P D2464002.03.2mWmW/°CThermal Resistance,(Note 1) Junction to Ambient(Note 2)R q JA508311°C/WThermal Resistance,(Note 1) Junction to Lead(Note 2)R q JL174208°C/WJunction and Storage Temperature Range T J, T stg−55 to +150°C THERMAL CHARACTERISTICS (SC−70/SOT−323) (MUN5113)Total Device DissipationT A = 25°C(Note 1)(Note 2)Derate above 25°C(Note 1)(Note 2)P D2023101.62.5mWmW/°CThermal Resistance,(Note 1) Junction to Ambient(Note 2)R q JA618403°C/WThermal Resistance,(Note 1) Junction to Lead(Note 2)R q JL280332°C/WJunction and Storage Temperature Range T J, T stg−55 to +150°C THERMAL CHARACTERISTICS (SC−75) (DTA144EE)Total Device DissipationT A = 25°C(Note 1)(Note 2)Derate above 25°C(Note 1)(Note 2)P D2003001.62.4mWmW/°CThermal Resistance,(Note 1) Junction to Ambient(Note 2)R q JA600400°C/WJunction and Storage Temperature Range T J, T stg−55 to +150°C THERMAL CHARACTERISTICS (SOT−723) (DTA144EM3)Total Device DissipationT A = 25°C(Note 1)(Note 2)Derate above 25°C(Note 1)(Note 2)P D2606002.04.8mWmW/°CThermal Resistance,(Note 1) Junction to Ambient(Note 2)R q JA480205°C/WJunction and Storage Temperature Range T J, T stg−55 to +150°C1.FR−4 @ Minimum Pad.2.FR−*******.0InchPad.3.FR−4 @ 100 mm2, 1 oz. copper traces, still air.4.FR−4 @ 500 mm2, 1 oz. copper traces, still air.THERMAL CHARACTERISTICS (SOT−1123) (NSBA144EF3)Total Device DissipationT A = 25°C(Note 3)(Note 4)Derate above 25°C(Note 3)(Note 4)P D2542972.02.4mWmW/°CThermal Resistance,(Note 3) Junction to Ambient(Note 4)R q JA493421°C/WThermal Resistance, Junction to Lead(Note 3)R q JL193°C/W Junction and Storage Temperature Range T J, T stg−55 to +150°C1.FR−4 @ Minimum Pad.2.FR−*******.0InchPad.3.FR−4 @ 100 mm2, 1 oz. copper traces, still air.4.FR−4 @ 500 mm2, 1 oz. copper traces, still air.Table 3. ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C, unless otherwise noted)Characteristic Symbol Min Typ Max Unit OFF CHARACTERISTICSCollector−Base Cutoff Current (V CB = 50 V, I E = 0)I CBO−−100nAdcCollector−Emitter Cutoff Current (V CE = 50 V, I B = 0)I CEO−−500nAdcEmitter−Base Cutoff Current (V EB = 6.0 V, I C = 0)I EBO−−0.1mAdcCollector−Base Breakdown Voltage (I C = 10 m A, I E = 0)V(BR)CBO50−−VdcCollector−Emitter Breakdown Voltage (Note 5) (I C = 2.0 mA, I B = 0)V(BR)CEO50−−VdcON CHARACTERISTICSDC Current Gain (Note 5) (I C = 5.0 mA, V CE = 10 V)h FE80140−Collector−Emitter Saturation Voltage (Note 5) (I C = 10 mA, I B = 0.3 mA)V CE(sat)−−0.25VdcInput Voltage (off)(V CE = 5.0 V, I C = 100 m A)V i(off)− 1.20.8VdcInput Voltage (on)(V CE = 0.3 V, I C = 2.0 mA)V i(on)3.0 1.6−VdcOutput Voltage (on)(V CC = 5.0 V, V B = 3.5 V, R L = 1.0 k W)V OL−−0.2VdcOutput Voltage (off)(V CC = 5.0 V, V B = 0.5 V, R L = 1.0 k W)V OH4.9−−VdcInput Resistor R132.94761.1k W Resistor Ratio R1/R20.8 1.0 1.2Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.5.Pulsed Condition: Pulse Width = 300 msec, Duty Cycle ≤ 2%.TYPICAL CHARACTERISTICSMUN2113, MMUN2113L, MUN5113, DTA144EE, DTA144EM3Figure 2. V CE(sat) vs. I C1001010.1I C , COLLECTOR CURRENT (mA)Figure 3. DC Current GainFigure 4. Output Capacitance 1001010.10.010.001V in , INPUT VOLTAGE (V)Figure 5. Output Current vs. Input Voltage100010010I C , COLLECTOR CURRENT (mA)Figure 6. Input Voltage vs. Output CurrentI C , COLLECTOR CURRENT (mA)10.10.01V R , REVERSE VOLTAGE (V)C o b , O U T P U T C A P A C I T A N C E (p F )V i n , I N P U T V O L T A G E (V )V C E (s a t ), C O L L E C T O R −E M I T T E R V O L T A G E (V )I C , C O L L E C T O R C U R R E N T (m A )h F E , C U R R E N T G A I NTYPICAL CHARACTERISTICS − NSBA144EF3Figure 7. V CE(sat) vs. I CFigure 8. DC Current GainI C , COLLECTOR CURRENT (mA)I C , COLLECTOR CURRENT (mA)0.010.11Figure 9. Output CapacitanceFigure 10. Output Current vs. Input VoltageV R , REVERSE VOLTAGE (V)V in , INPUT VOLTAGE (V)Figure 11. Input Voltage vs. Output CurrentI C , COLLECTOR CURRENT (mA)V C E (s a t ), C O L L E C T O R −E M I T T E R V O L T A G E (V )h F E , D C C U R R E N T G A I N C o b , O U T P U T C A P A C I T A N C E (p F )I C , C O L L E C T O R C U R R E N T (m A )V i n , I N P U T V O L T A G E (V )SOT −23 (TO −236)CASE 318−08ISSUE ASDATE 30 JAN 2018SCALE 4:11XXXM G G XXX = Specific Device Code M = Date Code G = Pb −Free Package*This information is generic. Please refer to device data sheet for actual part marking.Pb −Free indicator, “G” or microdot “ G ”,may or may not be present.GENERICMARKING DIAGRAM*NOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M, 1994.2.CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.3.MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD FINISH.MINIMUM LEAD THICKNESS IS THE MINIMUM THICKNESS OF THE BASE MATERIAL.4.DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD FLASH,PROTRUSIONS, OR GATE BURRS.SOLDERING FOOTPRINTDIM A MIN NOM MAX MINMILLIMETERS0.89 1.00 1.110.035INCHES A10.010.060.100.000b 0.370.440.500.015c 0.080.140.200.003D 2.80 2.90 3.040.110E 1.20 1.30 1.400.047e 1.78 1.90 2.040.070L 0.300.430.550.0120.0390.0440.0020.0040.0170.0200.0060.0080.1140.1200.0510.0550.0750.0800.0170.022NOM MAX L1STYLE 22:PIN 1.RETURN2.OUTPUT3.INPUT STYLE 6:PIN 1.BASE2.EMITTER3.COLLECTOR STYLE 7:PIN 1.EMITTER2.BASE3.COLLECTORSTYLE 8:PIN 1.ANODE2.NO CONNECTION3.CATHODESTYLE 9:PIN 1.ANODE2.ANODE3.CATHODE STYLE 10:PIN 1.DRAIN2.SOURCE3.GATE STYLE 11:PIN 1.ANODE 2.CATHODE 3.CATHODE −ANODE STYLE 12:PIN 1.CATHODE2.CATHODE3.ANODE STYLE 13:PIN 1.SOURCE2.DRAIN3.GATESTYLE 14:PIN 1.CATHODE2.GATE3.ANODESTYLE 15:PIN 1.GATE2.CATHODE3.ANODE STYLE 16:PIN 1.ANODE2.CATHODE3.CATHODE STYLE 17:PIN 1.NO CONNECTION2.ANODE3.CATHODE STYLE 18:PIN 1.NO CONNECTION 2.CATHODE 3.ANODE STYLE 19:PIN 1.CATHODE 2.ANODE 3.CATHODE −ANODE STYLE 23:PIN 1.ANODE2.ANODE3.CATHODESTYLE 20:PIN 1.CATHODE2.ANODE3.GATE STYLE 21:PIN 1.GATE2.SOURCE3.DRAIN STYLE 1 THRU 5:CANCELLEDSTYLE 24:PIN 1.GATE2.DRAIN3.SOURCESTYLE 25:PIN 1.ANODE2.CATHODE3.GATESTYLE 26:PIN 1.CATHODE2.ANODE3.NO CONNECTIONSTYLE 27:PIN 1.CATHODE2.CATHODE3.CATHODE2.10 2.40 2.640.0830.0940.104H E 0.350.540.690.0140.0210.027c0−−−100−−−10T°°°°END VIEWDIMENSIONS: MILLIMETERS3X3XRECOMMENDED STYLE 28:PIN 1.ANODE2.ANODE3.ANODESC −59CASE 318D −04ISSUE HDATE 28 JUN 2012SCALE 2:1STYLE 3:PIN 1.ANODE2.ANODE3.CATHODESTYLE 1:PIN 1.BASE2.EMITTER3.COLLECTORSTYLE 2:PIN 1.ANODE2.N.C.3.CATHODESTYLE 4:PIN 1.CATHODE2.N.C.3.ANODE STYLE 5:PIN 1.CATHODE2.CATHODE3.ANODE STYLE 6:PIN 1.ANODE2.CATHODE3.ANODE/CATHODENOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.2.CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.ǒmm inchesǓXXX M GG XXX = Specific Device Code M = Date CodeG= Pb −Free Package*GENERICMARKING DIAGRAM*This information is generic. Please refer todevice data sheet for actual part marking.Pb −Free indicator, “G” or microdot “ G ”,may or may not be present.1*For additional information on our Pb −Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.SOLDERING FOOTPRINT*DIM A MIN NOM MAX MINMILLIMETERS1.00 1.15 1.300.039INCHES A10.010.060.100.001b 0.350.430.500.014c 0.090.140.180.003D2.70 2.903.100.106E 1.30 1.50 1.700.051e 1.70 1.90 2.100.067L 0.200.400.600.0082.502.803.000.0990.0450.0510.0020.0040.0170.0200.0050.0070.1140.1220.0590.0670.0750.0830.0160.0240.1100.118NOM MAX H E(*Note: Microdot may be in either location)SC −70 (SOT −323)CASE 419ISSUE PDATE 07 OCT 2021SCALE 4:1STYLE 3:PIN 1.BASE2.EMITTER3.COLLECTOR STYLE 4:PIN 1.CATHODE2.CATHODE3.ANODE STYLE 2:PIN 1.ANODE2.N.C.3.CATHODE STYLE 1:CANCELLEDSTYLE 5:PIN 1.ANODE 2.ANODE 3.CATHODE STYLE 6:PIN 1.EMITTER 2.BASE3.COLLECTORSTYLE 7:PIN 1.BASE 2.EMITTER 3.COLLECTORSTYLE 8:PIN 1.GATE 2.SOURCE 3.DRAINSTYLE 9:PIN 1.ANODE 2.CATHODE3.CATHODE-ANODESTYLE 10:PIN 1.CATHODE 2.ANODE3.ANODE-CATHODEXX M G G XX = Specific Device Code M = Date CodeG= Pb −Free PackageGENERICMARKING DIAGRAM1STYLE 11:PIN 1.CATHODE2.CATHODE3.CATHODE*This information is generic. Please refer to device data sheet for actual part marking.Pb −Free indicator, “G” or microdot “G ”, may or may not be present. Some products maynot follow the Generic Marking.SC −75/SOT −416CASE 463−01ISSUE GDATE 07 AUG 2015SCALE 4:1NOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.2.CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.STYLE 1:PIN 1.BASE2.EMITTER3.COLLECTOR STYLE 2:PIN 1.ANODE2.N/C3.CATHODE STYLE 3:PIN 1.ANODE2.ANODE3.CATHODESTYLE 4:PIN 1.CATHODE2.CATHODE3.ANODEXX = Specific Device Code M = Date Code G = Pb −Free PackageSTYLE 5:PIN 1.GATE2.SOURCE3.DRAINDIM MIN NOM MAX MILLIMETERS A 0.700.800.90A10.000.050.10b C 0.100.150.25D 1.55 1.60 1.65E e 1.00 BSC 0.0270.0310.0350.0000.0020.0040.0040.0060.0100.0610.0630.0650.04 BSCMIN NOM MAX INCHES0.150.200.300.0060.0080.012*This information is generic. Please refer to device data sheet for actual part marking.Pb −Free indicator, “G” or microdot “ G ”,may or may not be present.GENERICMARKING DIAGRAM*H EL 0.100.150.201.50 1.60 1.700.0040.0060.0080.0600.0630.0670.700.800.900.0270.0310.035ǒmm inchesǓSCALE 10:1*For additional information on our Pb −Free strategy and solderingdetails, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.SOLDERING FOOTPRINT*SOT −1123CASE 524AA ISSUE CDATE 29 NOV 2011SCALE 8:1NOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M, 1994.2.CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.3.MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD FINISH. MINIMUM LEAD THICKNESS IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE MATERIAL.4.DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD FLASH, PROTRUSIONS, OR GATE BURRS.GENERICMARKING DIAGRAM*X = Specific Device Code M= Date Code*This information is generic. Please refer to device data sheet for actual part marking.Pb −Free indicator, “G” or microdot “ G ”,may or may not be present.DIM MIN MAXMILLIMETERS A 0.340.40b 0.150.28c 0.070.17D 0.750.85E 0.550.650.95 1.05L 0.185 REF H E cA*For additional information on our Pb −Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.SOLDERING FOOTPRINT*X Me b10.100.20STYLE 1:PIN 1.BASE2.EMITTER3.COLLECTOR STYLE 2:PIN 1.ANODE2.N/C3.CATHODE STYLE 3:PIN 1.ANODE2.ANODE3.CATHODE STYLE 4:PIN 1.CATHODE2.CATHODE3.ANODE STYLE 5:PIN 1.GATE2.SOURCE3.DRAIN0.350.40TOP VIEWSIDE VIEWBOTTOM VIEW DIMENSIONS: MILLIMETERS0.26OUTLINEL20.050.15SOT −723CASE 631AA −01ISSUE DDATE 10 AUG 2009DIMMIN NOM MAX MILLIMETERS A 0.450.500.55b 0.150.210.27b10.250.310.37C 0.070.120.17D 1.15 1.20 1.25E 0.750.800.85e 0.40 BSC H 1.15 1.20 1.25L E NOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M, 1994.2.CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.3.MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEADFINISH. MINIMUM LEAD THICKNESS IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE MATERIAL.4.DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLDFLASH, PROTRUSIONS OR GATE BURRS.eLXX = Specific Device Code M= Date CodeGENERICMARKING DIAGRAM*SCALE 4:1XX M STYLE 1:PIN 1.BASE2.EMITTER3.COLLECTOR STYLE 2:PIN 1.ANODE2.N/C3.CATHODESTYLE 3:PIN 1.ANODE2.ANODE3.CATHODESTYLE 4:PIN 1.CATHODE2.CATHODE3.ANODE1*This information is generic. Please refer to device data sheet for actual part marking. Pb −Free indicator, “G”, may or not be present.*For additional information on our Pb −Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.SOLDERING FOOTPRINT*STYLE 5:PIN 1.GATE2.SOURCE3.DRAINL20.150.200.250.29 REF 3X3X2XBOTTOM VIEWSIDE VIEWRECOMMENDEDDIMENSIONS: MILLIMETERS3XPUBLICATION ORDERING INFORMATIONTECHNICAL SUPPORTLITERATURE FULFILLMENT:。

半导体三极管β值及范围测量仪设计报告

课程设计课题名称：半导体三极管β值及范围测量仪完成人：班级：学号：时间：（一）设计内容及要求1. 设计内容：制作一个自动测量NPN 型硅三极管β值的显示测试仪。

2. 设计要求：1）对被测NPN 型三极管值分三档2）β值的范围分别为80～120及120～160，160～200对应的分档编号分别是1、2、3；待测三极管为空时显示0，超过200显示4。

3）用数码管显示β值的档次4）发挥部分：用三个数码管显示β的大小，分别显示个位、十位和百位。

显示范围为0-199；响应时间不超过2秒，显示器显示读数清晰，注意避免出现“叠加现象”。

（二）电路设计电路设计整体框图（三）实验器件示波器 1台万用表 1台直流稳压电源 1台模拟实验装置 1台数字试验箱 1台四运放LM324 555定时器三极管二极管、稳压管电位器、电阻器、电容器 CD4532、CD4511 数码管（四）参数计算及元器件选择1)微电流源（图1）：R1Q21Q 、、构成微电流源电路,Q3为待测三级管,微电流源提供基极电流b I ,R8提供输出电压。

调节滑动变阻器1R 的阻值可以改变微电流源的输出电流b I ,b I 的选择应在A A μμ40~30之间为宜,且CE V 的选择应不小于V 1,以使三极管工作在合适的状态。

取待测管的b I 值为A μ40，即A =μ40R I ，根据公式：RV V I BE CC R1-=得出：RBE CC I V V R 11-=，Ω=A ===K R I V V V V R BE CC 5.3571,40,7.0,151得：μ，最终输出电压为b b I R I V ββ04.080==图一微电流源2)电压比较器（图2）：将取样信号同时加到具有不同基准电压的比较电路输入端进行比较，对应某一定值，只有相应的一个比较电路输出为高电平，则其余比较器输出为低电平。

由于被测量的物理量要分五档（即值分别为<80、80～120、120～160、160～200 及>200，对应的分档编号分别是0、1、2、3、4）。

数字万用表DT830的使用说明

数字万用表DT830的使用说明一．概述DT830型数字万用表是三位半液晶显示小型数字万用表。

它可以测量交、直流电压和交、直流电流，电阻、电容、三极管β值、二极管导通电压和电路短接等，由一个旋转波段开关改变测量的功能和量程，共有30档。

本万用表最大显示值为±1999，可自动显示“0”和极性，过载时显示“1”或“－1”，电池电压过低时，显示“←”标志，短路检查用蜂鸣器。

二．技术特性1．测量范围⑴交、直流电压（交流频率为45Hz～500Hz）；量程分别为200mV、2V、20V和1000五档，直流精度为±（读数的0.8％＋2个字）以下，交流精度为±（读数的1％＋5个字）；输入阻抗，直流档为10MΩ，交流档为10MΩ、100PF。

⑵交、直流电流量程分别为200μA、2mA、200mA和10A五档，直流精度为±（读数的1.2％＋2个字），交流精度为±（读数的2.0％＋5个字），最大电压负荷为250mV（交流有效值）。

⑶电阻：量程分别为：200Ω、2kΩ、200kΩ、20MΩ和20MΩ六档。

精度为±（读数的2.0％＋3个字）。

⑷二极管导通电压：量程为0～1.5V，测试电流为1mA±0.5 mA。

⑸三极管β值检测：测试条件为：VCE＝2.8V，IB＝10μA。

⑹短路检测：测试电路电阻＜20Ω±10Ω2．采样时间：T S＝0.4S。

三．面板及操作说明1．显示器三位半数字液晶显示屏2．电源开关按下，则接通电源，不用时应随手关断。

3．电容测量插座测量电容时，将电容引脚插入插座中。

4．功能量程开关选择不同的测量功能和量程。

5．10A电流插孔（不能测量大于10A电流）当测量大于200mA、小于10A的交、直流电流时，红表笔应插入此10A电流插孔。

6．电流插孔当测量小于200mA的交、直流电流时，红表笔应插入此电流插孔。

7．V/Ω插孔当测量交、直流电压、电阻、二极管导通电压和短路检测时，红表笔应插入此V/Ω插孔。

三极管β值测量

三极管β值测量仪设计与制作摘要：在电子产品设计、制作与维修中，经常需要测量三极管的放大系数β，而万用表自带的简易β测试装置准确性很差，为此本项目设计一个高精度β值测量仪。

关键词：恒流源，伏频转换，A T89C511．设计要求1.1基本要求（1）被测三极管为NPN 型，β值范围为β<300。

（2）用三个数码管显示β的大小，分别显示个位、十位和百位。

显示范围为0-299。

（3）响应时间不超过2秒，显示器显示读数清晰，注意避免出现“叠加现象”。

（4）β值超过测量范围时声光报警。

（5）电源采用5V 或±5V 供电。

1.2扩充要求（1）可以测量任意极性（NPN 、PNP ）的三极管。

（2）三极管内部断路或短路时能发出警报声。

1.3设计提示将三极管β值转换为其他可用仪器测量的物理量来进行测量，如电压，根据三极管电流I C =βI B 的关系，当I B 为固定值时，I C 反映了β的变化，电阻R C 上的电压V RC 又反映了I C 的变化，对V RC 进行A/D 转换或伏频转换，转换后的值就反映了β值的大小。

系统总体方框如下图1-1所示。

图1-1 系统总体方案框图报告批改老师2．方案设计2.1 β值转换方案方案一：如下图2-1所示。

图2-1 方案一如图3-1，T1、T2、R1、R3构成微电流源电路，R2是被测管T3的基极电流取样电阻，R4是集电极电流取样电阻。

由运放构成的差动放大电路，实现电压取样及隔离放大作用。

根据三极管电流I C=βI B的关系，当I B为固定值时，I C随着β的变化而变化，电阻R C上的电压V RC正好反映了I C的变化，所以，我们对V RC取样加入后级，进行分档比较。

从而实现目的。

该电路用微电流源为基极取样电阻提供稳恒的电流，这样便于测量β值。

方案二：电路如下图3-2所示.图2-2 方案二如图3-2所示，T1是被测三极管，其基极电流可由R1、R W限定，运算放大器的输出：V R2＝βI B R2方案分析比较：两个方案得原理都是要将变化得β值转化为与之成正比变化的电压或电流量，再取样进行比较、分档。

三极管放大系数β实验

关于三极管放大系数β与基极电流IB变化曲线图像1. 设计电路图：(改变电阻R1的阻值)
2.1 饱和区数据及图像：
2.2 放大区数据及图像
:
2.3 截止区数据及图像:
3. 数据分析：
1）饱和区：当基极电流逼近于0时，会出现上下跃迁，，但这种情况是在基极-发射极电路中的电阻相当大时才会发生（本例中当电阻RB=25M时，基极电流才为0），总体趋势但放大系数随基极电流的放大而非线性增加。

2）放大区：相对于截止区放大区的电流范围较小，如若将所有数据放在同一张图片中时会发现放大区的数据比较紧凑，所以我将数据分开来分析。

放大区的β随基极电流的变化总体呈现与X轴平行的趋势，此时放大系数β约为150。

3）截止区：随着基极电流的增加，放大系数减小非线性地减小到0。

αβ测量仪简单操作流程

αβ测量仪简单操作流程一、仪器准备1.准备好αβ测量仪，确保仪器处于良好的工作状态。

2.检查仪器上的电源是否接通，并确保电池电量充足。

3.根据使用说明书，安装适当的探测器并连接到仪器上。

4.打开仪器开关，等待仪器启动并进行自检。

确保仪器没有故障。

二、操作过程1.将待测样品平放在仪器的探测器上，并确保样品与探测器有良好的接触。

2.按下仪器上的测量按钮，仪器开始测量。

3.在测量过程中，仪器会显示α射线和β射线的活度值。

观察仪器上的显示屏，确保测量结果正确。

4.测量时间一般需要一定的时间，等待测量结束。

5.测量结束后，将待测样品从探测器上取下，并将样品放回原处。

三、结果处理1.将仪器上的测量结果记录下来，包括α射线和β射线的活度值。

2.对于放射性物质的测量，根据国家的放射性标准，判断测量结果是否超过安全范围。

3.如果测量结果超过安全范围，采取相应的应急措施，并通知相关部门。

4.将测量结果整理成报告，包括测量时间、测量地点、样品信息等，并存档备查。

5.对于长期测量的情况，定期校准仪器，确保测量结果的准确性。

四、安全注意事项1.在操作过程中，应佩戴防护手套、口罩和防护眼镜，以防接触到放射性物质。

2.注意仪器的使用和存放环境，避免暴露在高温、潮湿等不利条件下。

3.当测量结束后，将仪器关闭，并将探测器从仪器上取下。

4.测量过程中，不要用力敲击仪器或探测器，以免损坏。

5.在测量放射性物质时，应根据安全要求进行操作，避免辐射泄露。

以上是αβ测量仪的简单操作流程。

在操作过程中，要注意安全，并按照使用说明书进行操作。

正确操作仪器，可以获得可靠的测量结果，并确保人身安全。

晶体管放大倍数β检测电路的设计与实现解读

晶体管放大倍数β检测电路的设计与实现实验报告一，摘要简易晶体管放大倍数β检测电路由三极管类型判别电路，三极管放大倍数档位判别电路，显示电路，报警电路和电源电路五部分构成。

三极管类型判别电路的功能是利用NPN型和PNP型三极管电流流向相反的特性，通过判断发光二极管亮灭判断三极管的类型是NPN型还是PNP型。

三极管放大倍数档位判别电路的功能是利用三极管的电流分配特性将β的测量转换为对三极管电流的测量，并实现对档位的手动调节，并利用比较器的原理,实现对档位的判断。

显示电路的功能是利用发光二极管将测量结果显示出来。

报警电路的功能是当所测三极管的β值超出测量范围时，能够进行报警提示。

电源电路的功能是为各模块电路提供直流电源。

关键字:放大倍数β,档位判断电路，显示电路,报警电路二，设计任务要求及原理电路1.基本要求:⏹设计一个简易晶体管放大倍数β检测电路，该电路能够实现对三极管β值大小的初步判断。

1电路能够检测出NPN。

PNP三极管的类型。

2电路能够将NPN型三极管放大倍数β分为大于250,200—250，150—200，小于150共四个档位进行判断.3用发光二极管来指示被测电路的β值属于哪一个档位。

4在电路中可以手动调节四个档位值的具体大小。

5当β超出250时能够闪烁报警。

⏹设计该电路的电源电路（不要求实际搭建）,用PROTEL软件绘制完整的电路原理图（SCH）及印制电路板图（PCB）.2。

提高要求：1电路能够将PNP型三极管放大倍数β分为大于250,200-250，150—200，小于150共四个档位进行判断，并且能够手动调节四个档位值的具体大小NPN，PNP三极管β档位的判断可以通过手动或自动切换。

2PROTEL软件绘制该电路及其电源电路的印制电路版图（PCB）。

3。

设计思路、总体结构框图：①分块电路和总体电路的设计(含电路图）晶体管判断电路如图,由于NPN 型与PNP 型二极管的电流流向相反，当两种三极管按图中电路结构且连接方式相同时（即集电极接上端,发射极接下端），则NPN 型三极管导通,从而发光二极管亮。

三极管β值的检测电路实验原理

简易双极性三极管放大倍数β检测电路1.设计任务：设计一个简易双极性三极管(以下简称为三极管放大倍数β判断电路。

该电路能够检测出三极管放大倍数β的挡位，同时可以通过手动实现对挡位的改变。

二．设计要求1．三极管类型判断电路：要求该电路能够检测出三极管的类型（NPN 或PNP ）；2．三极管电流放大倍数测量电路：要求该电路能够测出电流放大倍数β；3．三极管电流放大倍数挡位测量电路：要求该电路至少能够将三极管电流放大倍数β从0－+∞分为8个挡位，并可通过手动调节8个挡位值的具体大小；4．显示电路：要求该电路能够将不同的三极管电流放大倍数β加以区别显示；5．电源电路：要求该电路为上述各电路提供12V 直流电源。

3．主要单元电路设计(1)三极管类型判别电路(2)三极管放大倍数β测量电路当电路中接入NPN 型三极管的时候，电路中电流电压的表达式如下：122()/B CC BE LED C CC C CC B I V V V R V V I R V I R β=--=-=-NPN 型 PNP 型通过上式可以看出电压随β的变化而变化。

这样即把β转化为电压量进行测量，而又由于可以设计R2为可变电阻，即可以手动调节的大小，这样，也就实现了手动调节放大电路的β值。

三极管放大倍数β档位测试电路的核心是由运算放大器构成的比较器。

其工作原理是通过运算放大器的同向输入端的电阻分压得到八个标准电压值，再通过由前级电路的输入进行比较，从而判断不同的档位。

规则如下：如果Vc大于标准电压值，则输出低电平；反之，则输出为高电平。

从而对不同的Vc与分压电阻上的不同电压值进行比较，输出不同的电压值，间接实现了测量不同的β值得目的。

(3)显示电路显示电路是通过发光二极管来实现的。

通过运算放大器输出的高低电平，发光二极管产生亮和灭，这样就清楚地知道β值属于哪一个档位，达到了显示的作用。

这里需要注意的是，运算放大器的输出电流要与发光二极管的驱动电流匹配，如果运算放大器的输出电流过的就要串接限流电阻；如果运算放大器的输出电流过小就要介入晶体管进行电流放大。