ARM 2440 Nand Flash 控制器 中文资料

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ARM--2440

ARM--2440

最後,打開S3C2440開發平台的電源,此時,剛剛燒 進NAND FLASH的BIOS程式就會啟動執行。
嵌入式系統概論-以S3C2440核心為架構 copyright @ 許永和
6.5 用sjf2440工具將BIOS燒錄至Nor Flash
6.1 2440開發平台的配置與連接 6.2 開發平台連接至PC主機 6.3 S3C2440開發平台初步測試 6.4 BIOS 燒錄測試 6.5 用sjf2440工具將BIOS燒錄至Nor Flash
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燒錄完畢後注意事項
燒錄後該做的動作


關閉電源,拔掉JTAG插頭,將J21(OM0)的JUMP接上, 將PC的UART串列介面和實驗板UART串列介面2透過 UART串列介面線連接好。 在PC主機上啟動DNW程式,設定DNW初始化動作,並執 行Connect 。
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確認燒錄驅動程式安裝
圖6.30 GIVEIO驅動安裝成功畫面
先選“InStall Parallel Port Driver”欄下的“Remove” 按紐,然後再點選該項目下的“Install”按紐。 如圖6.30則顯示出“Service is installed and run”,表 示GIVEIO驅動程式已安裝成功。
實驗板相關跳線設定
啟動模式的選擇,是透過J21(OM0)跳線來決定的。

J21接上JUMP,從NAND FLASH啟動。 J21接上JUMP,從NOR FLASH啟動。
J21處於短路狀態。
出廠時實驗板的起動代碼置於NAND FLASH中。

ARM samsung 2440中文手册 s3c2440a_16ADC&TSC

ARM samsung 2440中文手册 s3c2440a_16ADC&TSC

第十六章ADC和触摸屏接口16.1概述10位CMOS的ADC(模数转换器)是有8通道模拟输入的循环类型设备。

其转换模拟输入信号到10位的数字编码,最大的转换率是在2.5MHz转换时钟下达到500KSPS。

AD转换器支持片上采样和保持功能及掉电模式。

触摸屏接口可以控制或选择触摸屏触点用于XY坐标的转换。

触摸屏接口包括触摸触点控制逻辑和有中断产生逻辑的ADC接口逻辑。

16.2特点-分辨率:10位-微分线性误差:±1.0LSB-积分线性误差:±2.0LSB-最大转换速率:500KSPS-低功耗-供电电压:3.3V-输入模拟电压范围:0~3.3V-片上采样保持功能-普通转换模式-分离的XY坐标转换摸-自动连续XY坐标转换模式-等待中断模式16.3ADC及触摸屏接口操作模块图如图16-1所示AD转换器和触摸屏接口的功能模块图。

注意AD转换器设备是一个循环类型。

注意(图标)当触摸屏接口使用时,XM或PM应该接触摸屏接口的地。

当触摸屏设备不使用时,XM或PM应该连接模拟输入信号作为普通ADC转换用。

16.4功能描述16.4.1AD转换时间当GCLK频率为50MHz和预分频器(预定标器)值为49,总共10位转换时间如下:AD转换器频率=50MHz/(49+1)=1MHz转换时间=1/(1MHz/5cycles)=1/200KHz=5us注:AD转换器设计在最大2.5MHz时钟下工作,所以转换率最高达到500KSPS。

16.4.2触摸屏接口模式(1)正常转换模式单个转换模式可能多数是使用在通用目的的ADC转换。

该模式可以通过设置ADCCON(ADC控制寄存器)来初始化并且完成对ADCDAT0的读写操作(ADC数据寄存器0)。

(2)分离XY坐标转换模式触摸屏控制器可以在两种转换模式中的一种模式下操作。

分离的XY坐标转换模式由以下方法操作。

X坐标模式写X坐标转换数据到ADCDAT0,触摸屏接口产生中断源到中断控制器。

第9课 ARM2440概述与存储器控制器~总结笔记

第9课 ARM2440概述与存储器控制器~总结笔记

第9课 S3C2440概述及其存储器控制器作者:☆翔子★各位兄弟姐妹,大家好!第9课的的总结笔记,来了。

这次和大家聊聊2440的一些东西,还有它的存储器控制器。

关于S3C2440这个芯片,其实说实话,它不是一款工业级别的芯片,只能用在电子消费类的应用场合。

真正牛的ARM芯片,AT91做的比2440稳定一些。

但是2440比AT火。

为啥呢?因为大部分的高校,开的ARM课程,都是从三星的44B0开始的,然后开2410的课程。

2440自然就成了2410的替代品。

但是对于我们来说,无所谓。

我们学的是嵌入式系统的开发流程,学的嵌入式linux,wince。

那么,2440足够。

这是一款32位的cpu,照理说,它是可以寻址4G的地址空间的。

但是,芯片引脚上,只给出了27根地址线。

这27根引脚,是A0~A26。

因此单靠芯片上的27根引脚,它只能控制128M的空间。

那总共的4G空间,芯片引脚才用了128M,剩下的在哪里?实际上,在cpu芯片手册上,查它的内部寄存器的地址,我们可以找到一部分答案。

比如这次总结笔记要讲的存储器控制寄存器,13个寄存器,每个寄存器的地址,都大于0X4000 0000的地址。

而0x4000 0000这个地址,是1G空间的分界线。

也就是说,1G~3G之间的空间,实际上都是被芯片自己占用了。

实际上,给用户的使用的空间,只有1G.。

我们刚才说了,我们使用了128M,用了27根地址线。

而1G空间,需要30根地址线。

剩下的3根用在什么地方?查了资料,突然明白了。

这三根,被三星公司偷偷地用在了3-8译码器的输入端去了。

而这个3-8译码器的输出端,就是对应这nGCS 0~7,对应着8个bank。

好了,很明显了,三星的2440留给用户使用的这1G空间,27根线用于芯片引脚来控制具体的bank了,剩下的三根,用于选择当前处于哪个bank。

另外,说到这个地址线,我想起2440与SDRAM芯片连接的时候,地址线的连接还是有点说法的。

ARM9 GT2440

ARM9 GT2440

GT2440 简要评测昨天笔者收到了由GT 工作室寄来的arm9开发板样品,型号为GT2440。

此款配置为S3C2440 400MHz主控器,2MB Norflash,64MB Nand flash和64MB SDRAM。

由于笔者是电子爱好者,喜欢自己动手做些东西,因此用过不少开发板。

现在就让我们看看这款名为GT2440的arm9开发板有什么特别之处。

一外观篇先来看看包装盒,这是专门为这款型号设计的打开包装,里面的开发套件及配件取出开发套件。

此开发套件自带一个3.5寸的触摸液晶屏,并配有白色透明液晶面板,颇有时尚感。

再来看一下附件,USB线,串口线,网线,电源,JTAG板,光盘及触摸笔。

由图片中可以看到,GT2440所带的数据线均为一性压铸而成的,保证了质量。

同时USB也采用了2.0的高速数据线。

在竞争日益激烈的市场环境下,不少开发板厂商都在配件上压缩成本,从此款开发套件所带的附件,可以看出该厂商一贯宣称的品质路线。

二软件篇看完了硬件,再看一下软件。

此开发套件支持linux和wince5.0操作系统,与市面上其他的开发板类似,在此就不多加介绍,以下为运行画面。

在拿到开发板之前,笔者就听厂商介绍此款开发套件有区别与其他开发套件的独门绝技,下面就让我们来看一看到底有何独特之处?从宣传资料上了解到,厂商为这款开发套件开发了一个特有的SPS游戏系统。

根据手册上的操作,笔者为这款开发板装上了该游戏系统。

在烧写过程中,笔者留意到这样一个小细节。

用过arm9开发板的人都知道,开发板一般带有Nor flash和Nand flash,通过跳线在二者之间切换启动,此款开发板也不例外,值得注意的是,此款开发板已经用导线将开发板上的跳线引至液晶驱动板底面的微型拨动开关,这样,不用拆下液晶就能在二者之间切换。

这样的人性化设计还是值得肯定的。

开机画面系统启动后,画面提示插入游戏卡。

根据说明手册,将光盘中的游戏目录拷贝至SD卡,插入开发板上的SD卡插。

s3c2440芯片中文手册2

s3c2440芯片中文手册2

第二章处理器工作模式2.1概述S3C2440采用了非常先进的ARM920T内核,它是由ARM(Advanced RISC Machines) 公司研制的。

2.2 处理工作状态从程序员的角度上看,ARM920T可以工作在下面两种工作状态下的一种:● ARM 状态:执行32位字对齐的ARM指令● THUMB 状态:执行16位半字对齐的THUMB指令。

在这种状态下,PC 寄存器的第一位来选择一个字中的哪个半字注意;这两种状态的转换不影响处理模式和寄存器的内容。

2.3 切换状态进入THUMB 状态进入THUMB 状态,可以通过执行BX指令,同时将操作数寄存器的状态位(0位)置1来实现。

当从异常(IRQ,FIQ,UNDEF,ABORT,SWI等)返回时,只要进入异常处理前处理器处于THUMB状态,也会自动进入THUMB状态。

进入ARM状态进入ARM状态,可以通过执行BX指令,并且操作数寄存器的状态位(0位)清零来实现。

当处理进入异常(IRQ,FIQ,RESET,UNDEF,ABORT,SWI等)。

这时,PC值保持在异常模式下的link寄存器中,并从异常向量地址处开始执行处理程序。

存储空间的格式ARM920T将存储器空间视为从0开始由字节组成的线性集合,字节0到3中保存了第一个字节,字节4到7中保存第二个字,以此类推,ARM920T对存储的字,可以按照小端或大端的方式对待。

大端格式:在这种格式中,字数据的高字节存储在低地址中,而字数据的低字节则存放2.4 指令长度指令可以是32位长度(在ARM状态下) 或16位长度(在THUMB状态) 。

数据类型ARM920T支持字节(8位),半字(16位) 和字(32位) 数据类型。

字必须按照4字节对齐,半字必须是2字节对齐。

2.5 操作模式ARM920T支持7种操作模式:● 用户模式(user模式),运行应用的普通模式● 快速中断模式(fiq模式),用于支持数据传输或通道处理● 中断模式(irq模式),用于普通中断处理● 超级用户模式(svc模式),操作系统的保护模式● 异常中断模式(abt模式),输入数据后登入或预取异常中断指令● 系统模式(sys模式),使操作系统使用的一个有特权的用户模式● 未定义模式(und模式),执行了未定义指令时进入该模式]外部中断,异常操作或软件控制都可以改变中断模式。

S3C2440芯片内部结构

S3C2440芯片内部结构

S3C2440芯片内部结构首先是ARM920T内核,它是S3C2440芯片的核心部分,负责执行指令和进行数据计算。

ARM920T是ARM9系列的一款高性能内核,具有5级流水线结构,支持高级数据处理指令和多种存储器接口。

它的内置缓存和分支预测机制可以提高执行效率,充分发挥芯片的计算能力。

其次是外设控制器,S3C2440芯片内置了多个外设控制器,包括UART串口、SPI、I2C总线、USB等接口,以及LCD控制器、触摸屏控制器、MMC/SD卡控制器等功能模块。

这些控制器可以与各种外部设备进行通信和数据交互,为系统提供了丰富的接口和功能。

存储器接口是S3C2440芯片与外部存储器之间的桥梁,它可以连接闪存、SDRAM、NAND Flash等不同类型的存储器。

通过存储器接口,芯片可以读写存储器中的数据,并进行程序的存储和执行。

S3C2440提供了高速的存储器控制器和多种存储器接口,可以满足不同应用场景的需求。

时钟和电源管理模块是S3C2440芯片的核心组成部分,它负责提供系统时钟和电源管理功能。

时钟管理模块可以根据需要设置系统的工作频率,提供外设时钟和CPU时钟等。

电源管理模块可以对芯片的功耗进行控制,实现节能和延长电池寿命。

除了上述主要模块外,S3C2440芯片还具有其他辅助功能,如中断管理、DMA控制、中央处理器监视器等。

中断管理模块可以对外部中断信号进行处理,实现系统的实时响应。

DMA控制模块可以实现高速数据传输,减轻CPU负担。

中央处理器监视器模块可以对系统进行监控和调试,提高系统的可靠性和稳定性。

总结起来,S3C2440芯片的内部结构包括ARM920T内核、外设控制器、存储器接口、时钟和电源管理等模块。

这些模块相互协作,共同完成系统的计算、通信、存储和控制等任务。

有了这些丰富的硬件资源和功能,S3C2440芯片可以满足不同应用领域的需求,为嵌入式系统的开发和应用提供了良好的支持。

s3c2440工作原理

s3c2440工作原理

s3c2440工作原理
S3C2440是一款ARM11核心的微处理器,其工作原理可以概括为以下几
个方面:
1. 地址空间管理:S3C2440的存储器控制器具有大小端模式选择、可编程
的访问位宽、8个存储器banks等特点。

每个bank有128M 的字节(总
共1G字节/8个banks)。

其中,前6个存储器bank(bank0-bank5)可以是ROM、SRAM等类型的存储器,而后两个存储器bank(bank6-
bank7)则可以作为ROM、SRAM、SDRAM等类型的存储器。

2. 数据传输方式:S3C2440提供了三个UART端口,每个UART端口都可以通过查询、中断和DMA方式传输数据。

当发送数据时,CPU先将数据写入发送FIFO中,然后UART会自动将FIFO中的数据复制到“发送移位器”中,发送移位器将数据一位一位地发送到TXDn数据线上。

接收数据时,“接收移位器”将RXDn数据线上的数据一位一位地接收进来,然后复制到接收FIFO中,CPU即可从中读取数据。

3. 寄存器配置:S3C2440的UART有3个独立通道,每个通道支持的停止位有1位、2位,数据位有5、6、7、8位,支持校验功能,另外还有红外发送/接收功能。

这些功能通过相应的寄存器进行配置。

以上信息仅供参考,如需了解更多信息,建议查阅S3C2440的硬件手册或相关技术文档。

S3C2410中文手册第7章_时钟及电源管理模块

S3C2410中文手册第7章_时钟及电源管理模块

第七章时钟及电源管理模块时钟电源管理模块包含了3部分:Clock控制、USB控制、POWER控制.时钟控制逻辑单元能够产生s3c2440需要的时钟信号,包括CPU使用的主频FCLK,AHB总线设备使用的HCLK,以及APB总线设备使用的PCLK.2440内部有2个PLL(锁相环):一个对应FCLK、HCLK、PCLK,另外一个对应的是USB使用(48MHz)。

时钟控制逻辑单元可以在不使用PLL情况下降低时钟CLOCK的频率,并且可以通过软件来驱使时钟和各个模块的连接/断开,以减少电源消耗。

对于电源控制逻辑单元,2440有许多钟电源管理方案来针对所给的任务保持最优的电源消耗。

S3c2440中的电源管理模块对应4种模式:NORMAL模式、SLOW模式,IDLE模式,SLEEP 模式。

NORMAL模式:这个模块给CPU时钟以及2440相应的外围设备提供时钟。

这个模式下,当所有的外围设备都被打开,电源消耗被最大化。

它允许用户通过软件来控制外部设备的操作。

例如,如果一个定时器不需要时,那么用户可以通过CLKCON寄存器来关闭时钟和定时器的连接,来降低电源消耗。

SLOW模式:NON-PLL模式,不同于Normal模式,这个模式使用的一个外部时钟(XTlpll 或EXTCLK)来直接作为2440的主频FCLK,而没有使用PLL。

在这个模式下,电源的消耗仅依赖于外部时钟频率,电源同PLL有关的消耗可以被排除。

IDLE模式:这个模式下CPU的时钟FCLK被断开,而还继续提供其他外围设备的时钟。

因此空闲模式导致减少了CPU核相应的电源消耗。

任何中断请求都能够将CPU唤醒。

Sleep模式:这个模式断开了内部电源。

因此在这个模式下CPU&内部的逻辑单元都没有电源消耗,除了一个wake-up逻辑单元。

激活sleep模式需要2个独立的电源。

一个给wake-up逻辑模块提供电源,另外一个给内部逻辑包括CPU提供电源,并且其是对于poweron/off可控的。

2440的存储器控制器

2440的存储器控制器

2440的存储器控制器一、作用提供数据总线(data0~data31)、地址总线(addr0~addr26)、控制总线(CS、WE、RE),CPU使用这三类总线信号对连接到存储器控制器的存储器进行访问(读/写)二、GEC2440开发板上存储器控制器硬件设计1、SDRAM2、NOR flash3、DM9000网络芯片三、2440memory controller的特点1、大小端格式选择:CP15协处理器中的寄存器C12、由nGCS0~nGCS7这8片选型号,将2440的地址空间分成8个bank3、每个bank的大小是128MB:采用地址总线(addr0~addr26)4、bank1~bank7: 8/16/32bits,需要软件设置(BWSCON)Bank0:16/32bits,硬件设置5、bank0~bank5:SRAM、NOR flash,类似SRAM接口的芯片bank6~bank7:SRAM、NOR flash,类似SRAM接口的芯片及SDRAM6、6、 可以控制每个bank 的访问周期7、控制SDRAM的自刷新模式和省电模式四、硬件设计1、地址线“错位”问题产生错位的原因:CPU地址线编址的单位和存储器编址的单位不对应。

1)CPU地址线编址的单位8bits(1B)2)存储器的编址单位是该存储器的数据总线宽度(8/16/32bits)2、硬件设计举例:1)8bits norflash2)16bits nor flash3)16bits SRAM4)32bits SDRAM五、SDRAM访问1、SDRAM1)总线频率最大166MHZ,试验135MHz2)行地址和列地址行地址和列地址是复用地址线的,通过nCAS和nRAS来区分3)引脚功能4)计算SDRAM的大小2**(行地址总数+列地址总数+bank地址总数)* 数据总线宽度2**(13+9+2)*16bits = 16M*16bits。

5)硬件设计6)为什么ADDR24接BA0、ADDR25接BA1BA0和BA1是SDRAM的bank地址选择信号,该SDRAM内部分成了4bank,四个bank的寻址是由BA1和BA1完成。

2440芯片

2440芯片

2440芯片2440芯片是一款由韩国三星公司开发的基于 ARM920T 核心的嵌入式处理器。

2440芯片主要用于嵌入式系统的设计和开发,包括智能手机、平板电脑、汽车导航、电子书等应用领域。

2440芯片采用了先进的 0.13 微米 CMOS 工艺,整合了 CPU、内存控制器、外设控制器等核心功能模块。

它采用了 16 位宽的内核总线来提供高性能的数据传输能力,可以实现每秒3000 万次的浮点运算。

2440芯片支持多种外设接口,包括 LCD 显示屏接口、触摸屏接口、摄像头接口、以太网接口等。

它还内置了多个串行通信接口,如 UART、SPI、I2C 等,可以方便地与外部设备进行通信,更好地满足不同应用的需求。

2440芯片还具有低功耗和低温升的特点。

它采用了自适应调压(DVFS)技术,可以根据实际负载情况智能调整工作频率和电压,从而降低功耗并延长电池寿命。

此外,2440芯片还采用了三星专利的温度感知功率控制(TPC)技术,可以根据芯片温度自动调整频率和电压,从而保持芯片在安全工作温度范围内。

2440芯片的软件开发支持比较完善。

它支持 Linux、Windows CE、Android 等主流嵌入式操作系统,并提供了丰富的软件开发工具和开发文档,方便开发人员进行应用程序的开发和调试。

此外,2440芯片还提供了一套基于 C 语言的底层驱动库,可以方便地访问芯片的各种功能和外设接口。

总的来说,2440芯片是一款功能强大、性能优越的嵌入式处理器。

它具有高性能、低功耗、低温升等特点,并且支持多种外设接口和主流操作系统,可以广泛应用于各种嵌入式系统的设计和开发。

s3c2410中文手册

s3c2410中文手册

s3c2410中文手册简介S3C2410 是一种嵌入式处理器,由韩国三星电子公司设计和制造。

它是一款高度集成的 ARM 架构芯片,广泛应用于各种移动设备中,如智能手机、平板电脑、PDA 等。

本手册将详细介绍 S3C2410 芯片的特性、功能和使用方法,帮助开发人员更好地理解和应用该芯片。

芯片特性S3C2410 芯片具有以下主要特性:1.ARM920T 内核: S3C2410 芯片采用了 ARM920T 内核,它是一种高性能、低功耗的 32 位 RISC 处理器。

ARM920T 内核支持 ARMv4T 指令集,并具有强大的计算和处理能力。

2.高度集成的外设: S3C2410 芯片内集成了许多常用的外围设备,包括 UART、SPI、I2C、PWM 等。

这些外设可满足各种应用需求,简化了系统设计和连接。

3.多种接口: S3C2410 芯片提供了丰富的接口,如LCD 控制器、触摸屏控制器、SDIO 控制器等。

这些接口允许连接各种外部设备,如显示屏、输入设备、存储卡等,实现更丰富的功能。

4.低功耗设计: S3C2410 芯片采用先进的低功耗设计技术,具有很低的静态功耗和动态功耗。

这使得它非常适合于移动设备,延长了电池寿命。

芯片功能GPIOS3C2410 芯片提供了多个 GPIO 管脚,用来实现输入和输出功能。

GPIO 管脚可以通过软件配置为输入模式或输出模式,并可以设置电平状态。

开发人员可以利用GPIO 实现各种功能,如控制 LED 灯、读取按键状态等。

UARTS3C2410 芯片内集成了多个 UART 模块,用于串口通信。

每个 UART 模块都提供了数据传输和接收的功能,并支持多种通信协议,如 RS232、RS485 等。

开发人员可以使用 UART 实现与外部设备的串口通信。

LCD 控制器S3C2410 芯片具有强大的 LCD 控制器,支持多种显示模式和分辨率。

LCD 控制器可以控制显示屏的像素点,实现图形显示和文字显示功能。

ARM samsung 2440中文手册 s3c2440a_11UART

ARM samsung 2440中文手册 s3c2440a_11UART

的URXHn和UERSTATn必须被读出。
举例
假定UART接收FIFO顺序接收到A、B、C、D、E且在接收B时出现帧错误,在接收D时出现奇偶校
验错误。因为错误接收的字符没有被读取,所以UART接收错误没有产生错误中断。一旦字符被读
取,错误中断产生。
如图 11-3 所示UART接收 4 个字符包括 2 个错误。
溢出错误,奇偶校验错误,帧错误,终止条件是作为接收错误状态来参考,每种错误都可 以引起接收错误状态中断请求,如果在控制寄存器UCONn中的接收错误状态中断使能位置 1。 当接收错误状态中断请求被检测到,该信号引起的请求可以通过读UERSTSTn寄存器的值
S3C2440A 中文 Datasheet 第十一章 UART
10.4.2 数据接收
如数据发送,接收的数据帧是可编程的。其包括一个开始位,5~8 个数据位,一个可选的 奇偶校验位和 1~2 个停止位,其可由线性控制寄存器 ULCONn 来设置。接收器可以侦测溢 出错误,奇偶校验错误,帧错误和终止条件,每个错误都可以设置一个错误标志。 - 溢出错误是指在旧数据被读取前新数据覆盖了旧数据。 - 奇偶校验错误是指接收器侦测到一个不希望的奇偶条件。 - 帧错误是指接收到的数据没有一个有效的停止位。 - 终止条件是指 RxDn 输入保持逻辑 0 状态长于一个帧的传输时间。
波特率错误公差 Baud-Rate Error Tolerance UART帧错误应该少于 1.87%(3/160). tUPCLK = (UBRDIVn + 1) x 16 x 1Frame / PCLK tUPCLK : Real UART Clock tUEXACT = 1Frame / baud-rate tUEXACT : Ideal UART Clock UART error = (tUPCLK – tUEXACT) / tUEXACT x 100% 注: 1. 1Frame = start bit + data bit + parity bit + stop bit. 2. 在特定条件下,我们支持波特率最高达到 921.6K bps。例如,当PCLK为 60MHz, 你可以在 1.69UART错误公差下使用 921.6K bps under UART error of 1.69%.

ARM9(S3C2440)之九nand flash的读写操作

ARM9(S3C2440)之九nand flash的读写操作

九 ARM9(2440)对nand flash的读写操作转载自:骨Zi里德骄傲这篇文章转自别处,写的非常详细,让我们熟悉2440对nand flash 的整个操作过程:s3c2440对nandflash的操作(K9F2G08)nandflash在对大容量的数据存储中发挥着重要的作用。

相对于norflash,它具有一些优势,但它的一个劣势是很容易产生坏块,因此在使用nandflash时,往往要利用校验算法发现坏块并标注出来,以便以后不再使用该坏块。

nandflash 没有地址或数据总线,如果是8位nandflash,那么它只有8个IO口,这8个IO口用于传输命令、地址和数据。

nandflash主要以page(页)为单位进行读写,以block(块)为单位进行擦除。

每一页中又分为main区和spare区,main 区用于正常数据的存储,spare区用于存储一些附加信息,如块好坏的标记、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等。

三星公司是最主要的nandflash供应商,因此在它所开发的各类处理器中,实现对nandflash的支持就不足为奇了。

s3c2440不仅具有nandflash的接口,而且还可以利用某些机制实现直接从nandflash启动并运行程序。

本文只介绍如何对nandflash实现读、写、擦除等基本操作,不涉及nandflash启动程序的问题。

在这里,我们使用的nandflash为K9F2G08U0A,它是8位的nandflash。

不同型号的nandflash的操作会有所不同,但硬件引脚基本相同,这给产品的开发扩展带来了便利。

因为不同型号的PCB板是一样的,只要更新一下软件就可以使用不同容量大小的nandflash。

K9F2G08U0A的一页为(2K+64)字节(加号前面的2K表示的是main区容量,加号后面的64表示的是spare区容量),它的一块为64页,而整个设备包括了2048个块。

这样算下来一共有2112M位容量,如果只算main区容量则有256M字节(即256M×8位)。

s3c2440中文手册第6章-nandflash

s3c2440中文手册第6章-nandflash

s3c2440中⽂⼿册第6章-nandflash第六章Nand Flash控制器6.1概述⽬前,Nor Flash价格较⾼,⽽SDRAM和Nand Flash存储器相对经济,这样促使⼀些⽤户在NAND Flash上执⾏启动代码,在SDRAM上执⾏主程序。

s3c2440A的驱动代码可以在外部的NAND Flash存储器上被执⾏。

为了⽀持NAND Flash的boot loader,s3c2440A配备了⼀个内部的SRAM缓冲器名为“Steppingstone”。

启动时,NAND Flash上的前4KByte字节将被装载到Steppingstone上别且装载到Steppingstone上的启动代码会被执⾏。

⼀般情况下,启动代码会拷贝NAND Flash上的内容到SDRAM。

使⽤硬件的ECC,NAND Flash的数据被检查。

在完成拷贝的基础上,主程序将在SDRAM上被执⾏。

6.2特性(1)⾃动启动:启动代码在重启时被传输到4kbytes的Steppingstone上。

传输后代码会在Steppingstone上被执⾏(2)NAND Flash存储器接⼝:⽀持256字、512字节、1000字和2000Byte页(3)软件模式:⽤户可以直接访问NAND Flash,例如这个特性可以被⽤于对NADN Flash 存储器的读/擦除/编程。

(4)接⼝:8/16微的NADN Flash存储器接⼝总线(5)硬件ECC⽣成,检测和指⽰(软件纠错)(6)SFR接⼝:⽀持⼩端模式,对于数据和ECC数据寄存器的字节/半字/字访问,对于其他寄存器的字访问。

(7)Steppingstone接⼝:⽀持⼤⼩端,字节/半字/字访问(8)Steppingstone4kB内部SRAM缓冲器可以在NAND Flash启动后被⽤于其他⽬的。

6.2.1模块图6.2.2Boot loader功能在重启期间,NAND Flash控制器通过引脚状态得到连接NAND Flash的信息(NCON(Adv flash),GPG13(页⼤⼩),GPG14(地址周期),GPG15(总线宽度)–参考引脚配置)。

S3C2440开发板硬件资源简介

S3C2440开发板硬件资源简介

集成度高
集成了许多常用的外设 接口,减少了外部硬件
的依赖。
易于开发
提供了丰富的开发资源 和文档,方便开发者快
速上手。
处理器的应用领域
嵌入式系统
移动设备
由于其高性能和低功耗特性,S3C2440广 泛应用于嵌入式系统领域。
由于其低成本和集成度高的特点, S3C2440也广泛应用于智能手机、平板电 脑等移动设备领域。
一款基于ARM920T内核的微 处理器,由Samsung公司生产。
处理器核
பைடு நூலகம்ARM920T,主频可达 400MHz。
接口
丰富的外设接口,如UART、 SPI、I2C、USB等。
处理器的特点
高性能
低功耗
采用ARM920T内核,主 频高达400MHz,具有 强大的数据处理能力。
采用低功耗设计,延长 了设备的使用时间。
VGA接口广泛用于计算机 显示输出,与其他显示设 备具有良好的兼容性。
05
电源与功耗管理
电源管理
电源管理单元(PMU)
负责电源的分配和管理,确保各模块正常工作。
电源模式
支持多种电源模式,如正常模式、休眠模式和关机模式,以满足不 同需求。
电源接口
提供多种电源接口,如USB、锂电池等,方便开发板供电。
设。
GPIO接口具有灵活的配置和 操作方式,可以根据需要进行
输入或输出操作。
串口接口
01
串口接口是一种常见的通信接口,常用于与其他设备进行数据 通信。
02
S3C2440开发板提供了多个串口接口,可以用于与外部设备进
行数据传输。
串口接口支持多种通信协议,如RS-232、RS-485等,可以根据

2440 存储控制寄存器BWSCON

2440 存储控制寄存器BWSCON

S3c2440的存储控制器/%D0%F1%D1%A7/blog/item/f80604db7620e93933fa1c5e.html2009年10月27日星期二 11:181、什么是存储控制器存储控制器是创建和控制其他存储设备的一种设备。

S3C2440中存储控制器的起始地址为0x48000000结束地址为0x48000030。

通过配置存储控制器提供的13个寄存器的具体数值来达到访问外围设备的目的。

2、如何得到外围设备的访问地址在说明得到外围设备地址之前,先说明一下什么是片选信号。

读过微机原理的同志应该很清楚了。

在S3C2440中分为nGCS0~nGCS7,共8个片选信号。

分别对应了BANK0~BANK7,当需要访问外围设备的空间时(即访问BANKx 时),nGCSx 引脚输出低电平信号,这样选择相对应的BANKx外围设备来访问。

(注:nGCS0~nGCS7在S3C2440手册中可以查找到相应的地址分配表)BANK访问地址=BANK起始地址+地址线地址。

3、存储控制器中寄存器的使用3.1、存储控制器提供的13个寄存器BWSCON,BANKCONx(x=0~7),REFRESH,BANKSIZE,MRSRBx(x=6~7),共13个寄存器。

在这些寄存器的配置中,当配置BANK0~BANK5的时候,只需要配置BWSCON和BANKCONx(x=0~5)即可。

由于BANK6和BANK7嘤糜谕饨覵DRAM,所以配置的时候除配置BWSCON 和BANKCONx(x=6~7)外,还需要配置REFRESH,BANKSIZE,MRSRB6和MRSRB7等4个寄存器。

BWSCON(R/W B us W idth & Wait S tatus Con trol,位宽和等待寄存器)BWSCON共32位,BWSCON的高4位对应了外设的BANK7,然而BWSCON是每4位对应一个BANK,所以依次类推可以得到其余BANK6~BANK0的对应位数。

NAND_Flash中文版资料

NAND_Flash中文版资料

NAND Flash 存储器和使用ELNEC编程器烧录NAND Flash技术应用文档Summer 翻译整理深圳市浦洛电子科技有限公司August 2006目录一. 简介 ----------------------------------------------------------------------------------- 1 二. NAND Flash与NOR Flash的区别 -------------------------------------------- 1 三. NAND Flash存储器结构描叙 --------------------------------------------------- 4 四. 备用单元结构描叙 ---------------------------------------------------------------- 6 五. Skip Block method(跳过坏块方式) ------------------------------------------ 8 六. Reserved Block Area method(保留块区域方式)----------------------------- 9 七. Error Checking and Correction(错误检测和纠正)-------------------------- 10 八. 文件系统 ------------------------------------------------------------------------------10 九. 使用ELNEC系列编程器烧录NAND Flash -------------------------------- 10 十. Invalid Block Management drop-down menu -------------------------------- 12 十一. User Area Settings3 -------------------------------------------------------- 13 十二. Solid Area Settings --------------------------------------------------------- 15 十三. Quick Program Check-box ---------------------------------------------- 16 十四. Reserved Block Area Options --------------------------------------------17 十五. Spare Area Usage drop-down menu ------------------------------------18简介NAND Flash 结构最早是在1989年由日本东芝公司引入。

ARM samsung 2440中文手册 s3c2440a_17RTC

ARM samsung 2440中文手册 s3c2440a_17RTC

第十七章实时时钟17.1概述实时时钟(RTC)单元在系统电源关闭的情况下可以在备用电池下工作。

RTC可以使用STRB/LDRB ARM操作传输二进制码十进制数的8位数据给CPU。

数据包括秒、分钟、小时、日期、天、月、年的时间信息。

RTC单元可以在32.768KHz的外部晶振下工作,可以可以执行报警功能。

17.2特点-BCD数:秒、分钟、小时、日期、日、月、年-闰年生成器-报警功能:报警中断或从掉电模式中唤醒-已经解决2000年问题-独立电源引脚(RTCVDD)-支持对于实时内核时间节拍的毫秒节拍时间中断17.3实时时钟操作17.3.1闰年发生器闰年发生器可以基于BCDDATE、BCDMON、BCDYEAR的数据,从28、29、30、31中确定每个月的最后一天。

该模块在确定某月最后一天的时候会考虑闰年的因素。

一个8位的计数器仅能代表两个BCD数字,所以它不能确定是否是00年(该年的最后两个数字是00)。

例如,它不能区别1900年和2000年。

为了解决这个问题,S3C2440A的RTC模块有一个硬件逻辑来支持在2000年的闰年。

记录1900年不是闰年而2000年是闰年。

因此两个数字00在S3C2440A中记录的是2000年而不是1900年。

17.3.2读写寄存器为了写RTC模块中的BCD寄存器,RTCCON寄存器的位0必须置1。

为了显示秒分小时星期日月年,CPU应该分别读取在RTC模块中的BCDSEC,BCDMIN,BCDHOUR,BCDDAY,BCDDATE,BCDMON,和BCDYEAR。

但是,因为多寄存器读取可能存在一秒的误差。

例如,当用户读BCDYEAR和BCDMON,结构假定是2059年12月31日23点59分。

当用户读BCDSEC寄存器,值的范围是从1到59(秒)就没有问题,但是如果值是0,年月日就变成了2060年1月1日0时0分因为有刚才提到的1秒误差。

在这种情况下如果BCDSEC为0,用户应该重读BCDYEAR到BCDSEC。

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0:页=256 字(NCON=0)或页=1K字(NCON=1)
1:页=512 字节(NCON=0)或页=2K字节(NCON=1)
GPG14:
NAND Flash存储器地址周期选择
0:3 个地址周期(NCON=0)或 4 个地址周期(NCON=1)
S3C2440A 中文 Datasheet 第六章 Nand Flash 控制器
位[7:0] 1st I/O[7:0]
6.2.7 Steppingstone (4k 字节 SRAM)
NAND Flash 控制器使用 NAND Flash 作为启动缓冲器且你可以将这个区域用作其他用途。
6.2.8 ECC(错误纠错码)
NAND Flash 控制器包括 4 个 ECC(错误接错码)模块。两个模块(一个用于 data[7:0],一个用 于 data[15:8])可以被用于(上限)2048bytes 的 ECC 奇偶码的生成,另外两个模块(一个 用于 data[7:0],一个用于 data[15:8])可以被用于(上限)16bytes 的 ECC 奇偶校验码的生
(2) 8 位 NAND Flash 存储器接口
寄存器
位[31:24]
位[23:16]
NFMECCD0
-
2nd ECC for I/O[7:0]
NFMECCD1
-
4th ECC for I/O[7:0]
位[15:8] -
位[7:0] 1st ECC for I/O[7:0] 3rd ECC for I/O[7:0]
6.2.3 引脚配置
OM[1:0]=00:使能NAND Flash存储器启动
NCON:
NAND Flash存储器选择
0:普通NAND Flash(256 字/512 字节页大小,3/4 地址周期)
1:先进NAND Flash(1K字/2K字节页大小,4/5 地址周期)
GPG13:
NAND Flash存储器页容量选择
6.2.4 NAND Flash 存储器时序
NCON0 0 1
GPG13 1 0
GPG14 1 1
GPG15 0 1
S3C2440A 中文 Datasheet 第六章 Nand Flash 控制器
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S3C2440A 中文 Datasheet 第六章 Nand Flash 控制器
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第六章 Nand Flash 控制器
6.1 概述
目前,Nor Flash 价格较高,而 SDRAM 和 Nand Flash 存储器相对经济,这样促使一些用户在 NAND Flash 上执行启动代码,在 SDRAM 上执行主程序。
位[7:0] 1st ECC for I/O[7:0] 3rd ECC for I/O[7:0]
寄存器 NFSECCD
位[31:24] 2nd ECC for I/O[15:8]
位[23:16] 2nd ECC for I/O[7:0]
位[15:8] 1st ECC for I/O[15:8]
位[7:0] 1st ECC for I/O[7:0]
S3C2440A 中文 Datasheet 第六章 Nand Flash 控制器
6.2.1 模块图
联系信箱: admin@ Forum: /
6.2.2 Boot loader 功能
在重启期间,NAND Flash控制器通过引脚状态得到连接 NAND Flash的信息(NCON(Adv flash), GPG13(页大小), GPG14(地址周期), GPG15(总线宽度)–参考引脚配置)。在上电 或重启以后,NAND Flash控制器自动的装载 4KB的boot loader代码。在装载boot loader代码 后,其在steppingstone中被执行。 注:在自动重启期间,ECC没有检查,因为NAND Flash的前 4KB数据一般认为没有位错 误。
寄存器 NFSECCD
位[31:24]
位[23:16]
-
2nd ECC for I/O[7:0]
位[15:8]
位[7:0]
-
1st ECC for I/O[7:0]
6.2.8.3 ECC 编程指引
(1)在软件模式下,ECC 模块为所有的读写数据生成 ECC 奇偶码。因此你通过写 InitECC 位(NFCONT[4])置 1 来重置 ECC 的值,且在读写数据之前清 0 theMainECCLock 位 (NFCONT[15])。
6.2.6 数据寄存器配置
(1)16 位NAND Flash存储器接口
A.字访问
寄存器
大小端
位[31:24]
NFDATA 小端
2nd I/O[15:8]
NFDATA 大端
1st I/O[15:8]
位[23:16] 2nd I/O[7:0] 1stI/O[7:0]
位[15:8] 1stI/O[15:8] 2nd I/O[15:8]
在通常状态下,这些引脚必须被设置为输入以至于当通过软件方式进入睡眠模式或异

状态时,引脚状态不会被改变。
NAND Flash 存储器配置表
NCON0
GPG13
0: Normal NAND
0: 256Words
1: 512Bytes
1: Advance NAND 0: 1Kwords
1: 2Kbytes
联系信箱: admin@ Forum: /
1:4 个地址周期(NCON=0)或 5 个地址周期(NCON=1)
GPG15
NAND Flash存储器总线宽度选择
0:8 位总线宽度
1:16 位总线宽度
注:NCON,GPG[15:13]引脚配置在重启期间被?
位[23:16]
NFMECCD0 2nd ECC for
2nd ECC for
I/O[15:8]
I/O[7:0]Βιβλιοθήκη NFMECCD1 4th ECC for
4th ECC for
I/O[15:8]
I/O[7:0]
位[15:8] 1st ECC for I/O[15:8] 3rd ECC for I/O[15:8]
DATA2 P4' P32'
DATA1 P2 -
DATA0 P2' -
6.2.8.1 ECC 模块特点
ECC 生成由控制寄存器的 ECC 锁位(主 ECC 锁、空闲 ECC 锁)来控制。
6.2.8.2 ECC 寄存器配置(大小端)
(1)16 位 NAND Flash 存储器接口
寄存器
位[31:24]
6.2.5 软件模式
s3c2440A仅支持软件模式访问。使用此模式,你可以完整的访问NAND Flash。NAND Flash控制器支持NAND Flash存储器的直接访问接口。 (1)写命令寄存器=NAND Flash存储器命令周期 (2)写地址寄存器=NAND Flash存储器地址周期 (3)写数据寄存器=写数据到NAND Flash(写周期) (4)读数据寄存器=从NAND Flash读数据(读周期) (5)读主ECC寄存器和空闲ECC寄存器=从NAND Flash存储器读数据 注:在软件模式中,你必须用查询或中断来检测RnB状态输入引脚。
一般情况下,启动代码会拷贝 NAND Flash 上的内容到 SDRAM。使用硬件的 ECC,NAND Flash 的数据被检查。在完成拷贝的基础上,主程序将在 SDRAM 上被执行。
6.2 特性
(1)自动启动:启动代码在重启时被传输到 4kbytes 的 Steppingstone 上。传输后代码会在 Steppingstone 上被执行
(2)NAND Flash 存储器接口:支持 256 字、512 字节、1000 字和 2000Byte 页 (3)软件模式:用户可以直接访问 NAND Flash,例如这个特性可以被用于对 NADN Flash
存储器的读/擦除/编程。 (4)接口:8/16 微的 NADN Flash 存储器接口总线 (5)硬件 ECC 生成,检测和指示(软件纠错) (6)SFR 接口:支持小端模式,对于数据和 ECC 数据寄存器的字节/半字/字访问,对于其 他 寄存器的字访问。 (7)Steppingstone 接口:支持大小端,字节/半字/字访问 (8)Steppingstone 4kB 内部 SRAM 缓冲器可以在 NAND Flash 启动后被用于其他目的。
(2)不管读还是写数据,ECC 模块在寄存器 NFMECC0/1 上生成 ECC 奇偶码。 (3)在你完整的读写一页后(不包括空闲区域数据),theMainECCLock 位置 1(锁 定)。ECC
奇偶码被锁定且 ECC 状态寄存器的值不会被改变。 (4)生成空闲区域 ECC 奇偶码,清 0(非锁定)SpareECCLock 位(NFCONT[6])
注:
GPG14 0: 3-Addr 1: 4-Addr 0: 4-Addr 1: 5-Addr
GPG15 0:8-bit bus width
1: 16-bit bus width
例:NAND Flash配置设置
部件
页大小/总大小
K9S1208V0M-xxxx 512Byte/512Mbit
K9K2G16U0M-xxxx 1KW / 2Gbit
s3c2440A 的驱动代码可以在外部的 NAND Flash 存储器上被执行。为了支持 NAND Flash 的 boot loader,s3c2440A 配备了一个内部的 SRAM 缓冲器名为“Steppingstone”。启动时, NAND Flash 上的前 4KByte 字节将被装载到 Steppingstone 上别且装载到 Steppingstone 上的 启动代码会被执行。
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