半导体二极管及基本电路
二极管基本电路与分析方法
二极管基本电路与分析方法
二极管是一种最简单的半导体器件，具有只能单向导电的特点。在电子电路中，二极管通常用于整流、限流、调制和混频等功能。本文将介绍二极管的基本电路和分析方法。
一、二极管基本电路
1.正向偏置电路
正向偏置电路是将二极管的P端连接到正电压，N端连接到负电压的电路。这种电路可以使二极管处于导通状态，实现电流流动。
2.逆向偏置电路
逆向偏置电路是将二极管的P端连接到负电压，N端连接到正电压的电路。这种电路可以使二极管处于截止状态，即不导电。
二、二极管分析方法
1.静态分析
静态分析是指在稳态条件下分析二极管的工作状态。在正向偏置电路中，如果二极管被接入电路且正向电压大于二极管的正向压降时，二极管处于导通状态；反之，二极管处于截止状态。在逆向偏置电路中，无论接入电路与否，二极管都处于截止状态。
2.动态分析
动态分析是指在变化条件下分析二极管的工作状态。例如，当正向电压瞬时增加时，二极管可能处于导通状态。此时，需要考虑二极管的导通压降和电流变化情况。
三、常见二极管电路
1.整流电路
整流电路是将交流信号转换为直流信号的电路。常见的整流电路有半
波整流电路和全波整流电路。半波整流电路只利用了交流信号的一半，而
全波整流电路则利用了交流信号的全部。整流电路中的二极管起到了只允
许电流在一个方向上流动的作用。
2.限流电路
限流电路是通过限制电流的大小来保护其他元件不受损坏的电路。常
见的限流电路有稳压二极管电路和过载保护电路。稳压二极管电路利用二
极管的电流-电压特性，使得二极管具有稳定的电流输出能力；过载保护
二极管原理及其基本电路
二极管原理及其基本电路
二极管是一种最简单的半导体器件，它具有非常重要的功能和应用。本文将介绍二极管的原理以及其基本电路。
一、二极管的原理
二极管是由一种带有p型半导体和n型半导体的材料组成的。在p-n 结的区域内，因为半导体的材料特性，会形成一个电势垒。当外加电压的极性与电势垒形成的方向相反时，电势垒将变得更大，称为反向偏置；当外加电压的极性与电势垒形成的方向一致时，电势垒将变得更小，称为正向偏置。在二极管的工作中，主要有以下几个重要的特性。
1.正向电压特性：当二极管处于正向偏置状态时，在两端加上正向电压时，电势垒逐渐缩小，直到消失。在这个过程中，二极管的导电性变得很好。正向电压越大，二极管导通越好。
2.反向电压特性：当二极管处于反向偏置状态时，在两端加上反向电压时，电势垒逐渐增加。当反向电压超过反向击穿电压时，二极管就会发生击穿，电流急剧增大，此时二极管就会损坏。
3.导通和截止特性：当二极管处于正向偏置状态时，正向电压不超过一定限制时，二极管会导通。当正向电压超过这个限制时，二极管截止，不导通。而当二极管处于反向偏置状态时，无论外加电压的大小，其表现都是开路状态，不导通。
二、二极管的基本电路
二极管广泛地应用于各种电路中，下面介绍几个常见的二极管基本电路。
1.正向电压特性测试电路：这是一个测试二极管正向电压特性的电路。它由一个电压源、一个限流电阻和一个二极管组成。通过改变电压源的电压，可以测量二极管在不同电压下的电流。当电压逐渐增加时，电流也逐
渐增加，直到达到二极管的最大电流。
2.整流电路：整流电路主要用于将交流电转换为直流电。它由一个二
半导体二极管及其基本电路
半导体二极管及其基本电路
二、半导体二极管及其基本电路
基本要求
•正确理解：PN结的形成及单向导电性
•熟练掌握：普通二极管、稳压二极管的外特性及主要参数
•能够查阅电子器件相关手册
难点重点
1．ＰＮ结的形成
（1）当Ｐ型半导体和Ｎ型半导体结合在一起时，由于交界面处存在载流子浓度的差异，这样电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。但是，电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使Ｐ区和Ｎ区中原来的电中性条件破坏了。Ｐ区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子，Ｎ区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这些不能移动的带电粒子通常称为空间电荷，它们集中在Ｐ区和Ｎ区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，这就是我们所说的ＰＮ结。
图（1）浓度差使载流子发生扩散运动
（2）在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者说消耗殆尽了，因此，空间电荷区又称为耗尽层。
（3）Ｐ区一侧呈现负电荷，Ｎ区一侧呈现正电荷，因此空间电荷区出现了方向由Ｎ区指向Ｐ区的电场，由于这个电场是载流子扩散运动形成的，而不是外加电压形成的，故称为内电场。
图（2）内电场形成
（4）内电场是由多子的扩散运动引起的，伴随着它的建立将带来两种影响：一是内电场将阻碍多子的扩散，二是P区和N区的少子一旦靠
近PN结，便在内电场的作用下漂移到对方，使空间电荷区变窄。
（5）因此，扩散运动使空间电荷区加宽，内电场增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩散；而漂移运动使空间电荷区变窄，内电场减弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移。
当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时，交界面形成稳定的空间电荷区，即ＰＮ结处于动态平衡。
chap2 半导体二极管及其基本电路
点接触型 二极管的结构示意图
PN结面积大，用 2.3 半导体二极管 于工频大电流整流电路。
往往用于集成电路制造工 艺中。PN 结面积可大可小， 用于高频整流和开关电路中。
2.3.1 半导体二极管的结构类型
(2) 面接触型二极管— (3) 平面型二极管—
面接触型
平面型二极管的结构示意图
2.3 .2 二极管的V-I特性
晶体二极管的V-I特性曲线也可以在图示仪上 进行测试。测试时应将二极管的阳极和阴极分 别插入测试台的 C 和 E 插孔中。 由于二极管伏安特性的 Y 轴是电流 i ，X 轴 是电压 v，所以旋钮“ Y 轴作用”应置于 “ mA /度”档，“ X 轴作用”应置于“ V / 度”档。 二极管的伏安特性分正向特性和反向特性两部 分，而这两部分要求的电压极性相反。所以， 二极管的正向特性和反向特性要分别进行测量， 才能获得完整的伏安特性。
2.1.3 本征半导体及其导电性
电子空穴对 当导体处于热力学温度0K时，导体中没有自 由电子。当温度升高或受到光的照射时，价 电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核 的束缚，而参与导电，成为自由电子。（这 一现象称为本征激发） 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中 就出现了一个空位，原子的电中性被破坏， 呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相 等，人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。
第三章 半导体二极管及基本电路
半导体的特点:
1.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。 2.半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。 3. 在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。
模
拟
电
子
技
术
二. 半导体的共价键结构
硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构
硅(锗)的原子结构
简化模型
价电子 通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。 晶体： 原子排列规则、 有规律的物质
模
拟
电
子
技
术
ＰＮ结的形成动画
内电场越强，就使漂移 运动越强，而漂移使空 间电荷区变薄。
漂移运动 内电场E N型半导体
P型半导体
－ － － － － －
－ － － － － － － － － － － － － － － － － －
+ + + + + +
+ + + + + + + + + + + + + + + + + +
空间电荷区， 也称耗尽层。
扩散运动
扩散的结果是使空间 电荷区逐渐加宽，
模
拟
电
子
技
术
1. 载流子的浓度差引起多子的扩散 2. 复合使交界面形成空间电荷区
【高中物理】优质课件：半导体二极管及其基本电路
半导体二极管及其基本电路
半导体二极管及其基本电路
学习指导
半导体的基本知识 PN结的形成及特性 半导体二极管 二极管基本电路及其分析方法 特殊二极管 二极管的应用
小结
学习指导
电子技术是当代高新技术的龙头。 半导体器件是现代电子技术的重要组成部分。 PN结是半导体器件的核心环节。 半导体二极管是由一个PN结构成的半导体器 件,在电子电路有广泛的应用。
+4
+4
+4
导带 禁带EG 价带
外电场E
1. 本征半导体中有两种载流子 — 自由电子和空穴 电子浓度ni = 空穴浓度pi
空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点。
2. 在外电场的作用下，产生电流 — 电子流和空穴流 电子流 自由电子作定向运动形成的
与外电场方向相反
自由电子始终在导带内运动
空穴流 价电子递补空穴形成的 用 空 穴 移 动 产 生
掺杂材料：硼(B)、铟(In)；磷(P)、锑(Sb)。
• 半导体特性
掺杂特性 掺入杂质则导电率增加几百倍 热敏特性 温度增加使导电率大为增加
半光导敏体器器件件 热光敏电器器件件
光敏特性 光照不仅使导电率大为增加还可以产生电动势
半导体的共价键结构
硅晶体的 空间排列
化模硅型和及锗晶的体原结子构结构共共简价有键价表电示子两所个形 成的束缚作用。
第二章半导体二极管及其基本电路
移动产生的电流
价电子递补空穴形成的运动与外电场方向
空穴流 相同，始终在价带内
载流子在电场力作用下的定向运动叫漂移
运动
2.1.4 杂质半导体
杂质半导体
掺入三价元素如B、Al、In等， 形成P型半导体，也称空穴型半导体
掺入杂质的本征半导体。 掺杂后半导体的导电率大为提高
掺入五价元素如P、Sb等， 形成N型半导体，也称电子型半导体
N型半导体
+4
++54
+4
+4
+4
+45
杂质半导体
在本征半导体中掺入五价元素如P。
由于五价元素很容易贡献电
子，因此将其称为施主杂质。
wk.baidu.com
+4
施主杂质因提供自由电子而
带正电荷成为正离子
+4
导带 施主
+ + + + + + + 能级
+4
杂质原子提供 自由电子是多子
价带
由热激发形成 空穴是少子
P型半导体
杂质半导体
2.5.1 稳压二极管 应用方法
稳
R
IO
压
+
IR
+
IZ
电
VI
路
DZ
3、二极管及基本电路
ID 20V
+
VD VI + 10V
ID
+
ID VD VI + 100V
+ VD
正偏 D正向导通？ vD = ？ iD = ？
正偏 D正向导通！ i D > IF ？
反偏 D反向截止 ID = 0 VD = -10V
反偏 D反向击穿
普通：热击穿－损坏 齐纳：电击穿 VD = - VBR= -40V
D/V
0.2 0.4 0.6
VBR
D/V
②
Vth
反向击穿特性
③
40
iD/ A
iD/ A
硅二极管2CP10的V-I 特性
锗二极管2AP15的V-I 特性
注
意
1. 死区电压（门坎电压） Vth = 0.5V（硅） Vth = 0.1V（锗） 2. 反向饱和电流 硅：0.1A；锗：10A 3. PN结方程（近似）
以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。
7
8
3.2 PN结的形成及特性
3.2.1 PN结的形成
3.2.2 PN结的单向导电性 * 3.2.3 PN结的反向击穿
3.2.4 PN结的电容效应
9
3.2.1 PN结的形成
载流子的 运动：
P区
扩散运动——浓度差产生的载流子移动
半导体二极管及其基本电路
第一章半导体二极管及其基本电路
第一节学习要求
第二节半导体的基本知识
第三节 PN结的形成及特性
第四节半导体二极管
第五节二极管基本电路及其分析方法
第六节特殊二极管
第一节学习要求
1了解半导体器件中扩散与漂移的概念、PN结形成的原理;
2掌握半导体二极管的单向导电特性和伏安特性;
3掌握二极管基本电路及其分析方法;
4熟悉硅稳压管的稳压原理和主要参数;
第二节半导体的基本知识
多数现代电子器件是由性能介于导体与绝缘体之间的半导体材料制成的;为了从电路的观点理解这些器件的性能,首先必须从物理的角度了解它们是如何工作的;
一、半导体材料
从导电性能上看,物质材料可分为三大类：
导体：电阻率ρ < 10-4 Ω·cm
绝缘体：电阻率ρ > 109 Ω·cm
半导体：电阻率ρ介于前两者之间;
目前制造半导体器件的材料用得最多的有：硅和锗两种
二、本征半导体及本征激发
1、本征半导体
没有杂质和缺陷的半导体单晶,叫做本征半导体;
2、本征激发
当温度升高时,电子吸收能量摆脱共价键而形成一对电子和空穴的过程,称为本征激发;
三、杂质半导体
在本征半导体中掺入微量的杂质, 就会使半导体的导电性能发生显着的变化;因掺入杂质不同,杂质半导体可分为空穴P型半导体和电子N型半导体两大类;
1、P型半导体
在本征半导体中掺入少量的三价元素杂质就形成P型半导体,P 型半导体的多数载流子是空穴,少数载流子是电子;
2、N型半导体
在本征半导体中掺入少量的五价元素杂质就形成N型半导体;N 型半导体的多数载流子是电子,少数载流子是空穴;
返回
第三节PN结的形成及特性
半导体二极管及其应用电路
半导体二极管的应用电 路
整流电路
整流电路的作用：将交流电转 换为直流电
整流电路的组成：二极管、电 阻、电容等
整流电路的工作原理：利用二 极管的单向导电性将交流电的 正半周期转换为直流电
整流电路的应用：电源、充电 器、稳压器等
检波电路
检波电路的作用： 将高频信号中的 低频信号提取出 来
检波电路的组成： 二极管、电容、 电阻等
半导体二极管及其应 用电路
,
汇报人：
目录 /目录
01
点击此处添加 目录标题
04
半导体二极管 的应用电路
02
半导体二极管 的基本概念
05百度文库
半导体二极管 的应用领域
03
半导体二极管 的工作原理
06
半导体二极管 的发展趋势和 挑战
01 添加章节标题
02
半导体二极管的基本概 念
半导体二极管的定义
具有单向导电性电流只能从 正极流向负极
半导体二极管是一种电子元 件由两个PN结组成
具有开关特性可以用于控制 电路的开关状态
具有整流特性可以用于将交 流电转换为直流电
半导体二极管的结构
半导体材料：硅、锗等 结构类型：PN结、PIN结等 工作原理：利用半导体材料的单向导电性 应用领域：电子、通信、电力等
半导体二极管的特性
单向导电性：二极管只允许电流在一个方向通过
半导体二极管及其基本电路ppt课件
24
（3） PN结的伏安特性
PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正
向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有
很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有
单向导电性。
IF
C
O
B VF
A
精选ppt课件
25
3. PN结方程
根据理论分析，PN结两端的电压V与流过PN
结的电流I之间的关系为： V
势垒电容CB ， 扩散电容CD 。
精选ppt课件
29
(1) 势垒电容CB
势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。 当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的 厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷 量也随之变化，犹如电容的充放电。势垒电容的示 意图如下图。
势垒电容示意图
精选ppt课件
30
第二章 半导体二极管及其基本电路
半导体基本知识 PN结及其特性 半导体二极管特性及其应用 稳压二极管
精选ppt课件
1
§2.1 半导体基础知识
2.1.1 概念
根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分 导体、绝缘体和半导体。
1. 导体：容易导电的物体。如：铁、铜等
2. 绝缘体：几乎不导电的物体。 如：橡胶等
32
§2.3 半导体二极管及其应用
半半 导导 体体 二二 极极 管管 的的 结伏 构安 类特 型性
半导体二极管及基本电路
为1022*（1/106）=1016数量级， 则掺杂后载流子浓度为1016+1010，约为1016数量级，
比掺杂前载流子增加106，即一百万倍。
+ vi(t)
－
C
R 1K E 1.5V
解： +
I DQ
1.5 VD 1K
0.9mA
VD
－
R直
0.6 0.9
0.67(k)
r交
VT IQ
26 0.9
28.89()
例3：二极管限幅电路:已知电路的输入波形为 v i ,二
极管的VD 为0.6伏，试画出其输出波形。
解： Vi> 3.6V时，二极管导通，vo=3.6V。 Vi< 3.6V时，二极管截止， vo=Vi。
vi
Vm V1
0
t
V2
Vi>V1时，D1导通、D2截止，Vo=V1。 Vi<V2时，D2导通、D1截止，Vo=V2。 V2<Vi<V1时，D1、D2均截止，Vo=Vi。
例7：画出理想二极管电路的传输特性（Vo~VI）。
VO
2 3
VI
25 3
解：① VI<25V，D1、D2均截止。
第5章半导体二极管及基本电路
微分电路
整流作用
27
• 例 2. 开关电路如图所
示，当输入端 UA = 3V ， UB = 0 V,试求 输 出端 Y 的电位 UY。
解：
∵ UA = 3V， UB = 0V
∴ DA优先导通， DB 截止；
则 UY = UA－UD =3－ 0.7(0.3)= 2.3( 2.7) V
UA 31
400
电路的逻辑关系为或逻辑 531
二极管具有钳位作用
600
例 2图
UB
U
0 0 2.31
31 2.31
31 2.31
00 -0.07
28
• 例 3. 限幅（削波）
作用电路如图所示，
ui 2Usint
求 uo 及画出波形。
解：1）当 ui ＞E 时， D导通；
∴ uo = UD + E≈ E 2) 当 ui ＜E 时, D截止， ∴ uo = ui
内电场 Ed
PN 结变窄 多子扩散运动 少子漂移运动
形成正向电流 I
PN 结导通 （ PN 结呈现 R )
15
2） PN 结加反向电压
16
2） PN 结加反向电压
加反向电压
P区接负极 N区接正极
内电场 Ed
PN 结变宽
多子扩散运动 少子漂移运动
形成反向电流 I
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
动画
－－－ － －－ + + + + + +
－－－ － －－ + + + + + +
P
IS
内电场 外电场
–+
N
外电场加强内电场，使多子不能扩散，少子的漂移 加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。
PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小， 反向电阻较大，PN结处于截止状态。
精品课件
PN结的电流方程
度对半导体器件性能影响很大。
二、N型半导体和 P 型半导体（杂质半导体）
1、N型半导体
在本征半导体中掺入微量的5价元素 ，形成N型半导体。
Si
Si
在常温下即可 变为自由电子
多余 电子
动画
多数载流子：自由电子
pS+i
Si
少数载流子：空穴
磷原子
精品课件
2、 P 型半导体 在本征半导体中掺入微量的3价元素 ，形成P型半导体。
一、PN结的形成 空间电荷区也称 PN 结
少子的漂移运动
又称为
P 型半导体 －－－－－－ －－－－－－
内电场 N 型半导体
耗尽层 1、扩散运动
++++++
由于浓度不同，多子
+ + + + + + 运动，形成内电场，阻
－ － － － － － + + + + + + 碍了多子继续扩散。
－－－－－－ + + + + + +
（1）Si：14个电子
Ge：32个电
子
2）8）4 2）8）18）4
精品课件
4价元素
价电子数可决定物 质化学性质
精品课件
精品课件
（2）晶体结构
共价健
Si Si
Si
Si
晶体中原子的排列方式
硅单晶中的共价健结构
（3）本征半导体的导电机 理
自由电子
本征激发产生成对的自由电子和空穴
自由电子和空穴形成两种载流子
P
I
内电场 N
外电场
+–
外电场克服内电场，使多子不断扩散，形成较大的扩散电流， 此时PN结呈现低阻，处于导通状态
PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，
PN结处于导通状态。
精品课件
2、PN 结加反向电压（反向偏置）
P接负、N接正
PN 结变宽
－－－ － －－ + + + + + +
特点：非线性
温度的 电压当量
击穿 电压
u
iDIS(eUT1) (常温 UT 下 2m 6 V)
材料 硅Si 锗Ge
开启电压 0.5V 0.1V
导通电压 0.5~0.8V 0.1~0.3V
反向饱和电流 1µA以下 几十µA
u
iIS(eUT1)
(UT26m V)
UT： 常温下的电压当量 IS： PN结反向饱和电流
PN结的反向击穿
当PN结的反向电压增加 到一定数值时，反向电流 突然快速增加，此现象称 为PN结的反向击穿。
电击穿 雪崩击穿 ——可逆 齐纳击穿
热击穿——不可逆
精品课件
3、PN结的电容效应
1.势垒电容
PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化， 有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其
阳极引线 PN结 金锑合金
底座
阴极引线
精品课件
(b) 面接触型
二极管的种类
小功率 二极管
大功率 二极管
精品课件
稳压 二极管
发光 二极管
单向导电性：
晶体二极管的单向导电性 利用二极管的这个特性，可使用二极管进行检波和整流。
精品课件
二、伏安特性 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。 iD f (uD)
温度愈高或光照越强，晶体中产生的 成对的自由电子和空穴便愈多。
Si Si
在外电场的作用下，空穴吸引相邻 原子的价电子来填补，而在该原子中出现
Si
Si
一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相
当于正电荷的移动）。
精品课件
空穴
注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温
2、漂移运动
浓度差 形成空间电荷区
多子的扩散运动
扩散的结果使空间
电荷区变宽。 精品课件
少子在内电场的作用 下形成漂移运动。
动画
二、PN结的单向导电性
1、PN 结加正向电压（正向偏置）
P接正、N接负
PN 结变窄
－－－－ － － + + + + + +
动画
－－－－ － － + + + + + +
－－－－ － － + + + + + +
将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。 一、基本结构、符号
1、结构：二极管就是一个PN结。 P区为正（阳）极，N区为负（阴）极
2、符号： 阳极 D 阴极
金属触丝 N型锗片
阳极引线
阴极引线
阳极引线 二氧化硅保护层
( a) 点接触型 外壳
N型硅 阴极引线
( c ) 平面型
P 型硅
铝合金小球 N型硅
等效电容称为势垒电容CB。
2. 扩散电容 PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流
子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放
的过程，其等效电容称为扩散电容CD。
结电容： CdCBCD
结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定 程度，则失去单向导电性！
精品课件
1.3 半导体二极管及伏安特性
导体：金属
导电物质可分为： 绝缘体：惰性气体、橡皮、瓷等
半导体：介于以上两者之间，如硅、锗等 半导体的导电特性：
1、半导体导电能力受环境影响很大 （1）受温度：当温度改变时，其导电能力改变
热敏元件
（2）受光照：当光照强度改变时，其导电能力改变
光敏元件
2、半导体中掺入杂质，其导电能力大大增强
2、本征半导体（纯半导体）
模拟电子技术基础
第一章 半导体二极管及基本电路
精品课件
第一章 半导体二极管及基本电路
1.1 半导体的基本知识 1.2 PN结的形成及特性 1.3 二极管及伏安特性 1.4 二极管的等效模型 1.5 二极管基本电路及分析方法 1.6 特殊二极管
精品课件
1.1 半导体的基本知识
一、本征半导体
1、半导体
Si
Si
多数载流子：空穴
空穴
少数载流子：自由电子
BS–i
Si
动画
硼原子
杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多， 多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。
注意：无论N型或P型半导体都是中性的（其正负电荷数 相等），对外不显电性、不精品带课电件 。
1. 在Baidu Nhomakorabea质半导体中多子的数量与 a
（a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
2. 在杂质半导体中少子的数量与 b
（a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
3. 当温度升高时，少子的数量 c
（a. 减少、b. 不变、c. 增多）。
4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流
主要是 b ，N 型半导体中的电流主要是a
。
（a. 电子电流、b.空穴电流）
精品课件
1.2 PN结及单向导电性