南京理工大学微型计算机考研指导 (1)
南京理工大学微型计算机考研指导 (5)
第一讲：第八章串行接口与通信回顾：并行通信的特点及应用。
本讲重点：串行接口与通信概述，串行通信接口，通信规程和通信标准讲授内容：8.1 串行接口与通信概述一．并行通信与串行通信数据通信的基本方式可分为并行通信与串行通信两种：并行通信：是指利用多条数据传输线将一个数据的各位同时传送。
特点：是传输速度快，适用于短距离通信。
串行通信：是指利用一条传输线将数据一位位地顺序传送。
特点：是通信线路简单，利用电话或电报线路就可实现通信，降低成本，适用于远距离通信，但传输速度慢。
二．串行通信方式串行通信：分为同步通信(SYNC)与异步通信（ASYNC）两种方式。
1．异步通信及其协议异步通信以一个字符为传输单位，通信中两个字符间的时间间隔是不固定的，然而在同一个字符中的两个相邻位代码间的时间间隔是固定的。
通信协议（通信规程）：是通信双方约定的一些规则。
传送一个字符的信息格式：规定有起始位、数据位、奇偶校验位、停止位等，其中各位的意义如下：①起始位：先发出一个逻辑”0”信号，表示传输字符的开始。
②数据位：紧接着起始位之后。
数据位的个数可以是4、5、6、7、8等，构成一个字符。
通常采用ASCII码。
从最低位开始传送，靠时钟定位。
③奇偶校验位：数据位加上这一位后，使得“1”的位数应为偶数(偶校验)或奇数(奇校验)，以此来校验数据传送的正确性。
④停止位：它是一个字符数据的结束标志。
可以是1位、1.5位、2位的高电平。
⑤空闲位：处于逻辑“1”状态，表示当前线路上没有数据传送。
波特率：是衡量数据传送速率的指标。
表示每秒钟传送的二进制位数。
例如数据传送速率为120字符/秒，而每一个字符为10位，则其传送的波特率为10×120＝1200字符/秒＝1200波特。
注：异步通信是按字符传输的，接收设备在收到起始信号之后只要在一个字符的传输时间内能和发送设备保持同步就能正确接收。
下一个字符起始位的到来又使同步重新校准。
2．同步串行通信及其规程同步通信以一个帧为传输单位，每个帧中包含有多个字符。
南京理工计算机考研科目
南京理工计算机考研科目南京理工大学计算机考研科目包括两个科目：《数据结构与算法》和《计算机组成原理与系统结构》。
以下将详细介绍这两门科目的考试内容。
1.数据结构与算法：数据结构与算法是计算机科学的基础课程，也是计算机考研中重要的科目之一、该科目主要涵盖以下内容：（1）线性表：顺序表、链表、栈、队列等；（2）树结构：二叉树、哈夫曼树、二叉查找树等；（3）图结构：图的遍历、最短路径、最小生成树等；（4）排序与查找算法：选择排序、插入排序、快速排序、二分查找等；（5）动态规划与贪心算法：背包问题、最长公共子序列、最小生成树等。
考生需要掌握以上数据结构的概念、算法的实现原理及其应用，同时需要能够分析、设计和实现相应的算法。
在考试中，通常会出现选择题、填空题、简答题和编程题等不同类型的题目，考察考生的基本理论知识和问题解决能力。
2.计算机组成原理与系统结构：计算机组成原理与系统结构是计算机科学与技术中的一门重要课程，也是计算机考研中的重点科目之一、该科目主要涵盖以下内容：（1）计算机硬件的基本组成和层次结构：包括中央处理器（CPU）、存储器、输入输出（IO）等；（2）指令系统：机器指令的格式、寻址方式等；（3）CPU的工作原理和结构：包括指令执行过程、流水线技术等；（4）存储器层次结构：包括缓存、主存、虚拟存储器等；（5）输入输出系统：包括中断、DMA、外部设备等；（6）系统总线：包括数据总线、地址总线和控制总线等。
考生需要熟悉计算机硬件的组成和工作原理，理解计算机指令系统的设计和实现，了解存储器层次结构以及输入输出系统的原理。
在考试中，通常会考察考生对于计算机基本原理的理解和应用，如解析指令、设计数据通路、计算指令执行时间等。
总结：南京理工大学计算机考研科目主要包括《数据结构与算法》和《计算机组成原理与系统结构》。
考生需要熟练掌握数据结构与算法的基本概念与算法实现，具备问题分析与解决的能力；同时需要理解计算机硬件的基本组成和工作原理，能够解析指令、设计数据通路等。
南理工计算机考研科目
南理工计算机考研科目
南理工计算机考研科目是指该校计算机专业考研时需要参加的考试科目和
考试内容。
以下是南理工计算机考研科目的具体介绍和拓展:
1. 考试科目
南理工计算机考研的考试科目包括以下内容:
(1)计算机基础
(2)数据结构与算法
(3)操作系统
(4)计算机网络
(5)计算机组成原理
(6)数据库原理
(7)人工智能
(8)软件工程
2. 考试内容拓展
除了上述列举的考试科目,南理工计算机考研还涉及到其他一些重要的内容。
例如,数据结构与算法是计算机考研中非常重要的一个部分,需要考生掌握常见
的算法和数据结构,如数组、链表、栈、队列、树、图等。
操作系统和计算机网络也是南理工计算机考研中的重要科目,需要考生掌握操作系统的基本原理、网络协议的基本知识以及网络应用的开发技巧。
3. 考试形式拓展
南理工计算机考研的考试形式主要包括选择题、填空题、计算题和综合题等。
其中,选择题和填空题占据考试的大部分比例,需要考生掌握一定的答题技巧和
策略。
计算题和综合题则是考查考生实际编程能力和对知识点的掌握程度,需要考生具备较强的逻辑思维和编程能力。
4. 考研准备拓展
为了准备南理工计算机考研,考生需要具备一定的计算机基础知识,并熟练
掌握相关的编程语言和工具。
此外,考生还需要进行充分的复习和练习,熟悉各种考试形式和解题技巧,提高自己的编程能力和解决问题的能力。
同时,考生还可以参加一些南理工计算机考研的培训课程和模拟考试,以便更好地备考和应对考试。
【2020考研】南京理工大学计算机考研初试科目、参考书目、复试详情汇总
【2020考研】南京理工大学计算机考研初试科目、参考书目、复试详情汇总一、学院介绍南京理工大学计算机科学与工程学院始建于1953年创办的哈尔滨军事工程学院模拟计算机研究组，先后经历了炮兵工程学院计算机教研室（1960年）、华东工程学院计算机科学与工程系（1979年）等发展阶段，是我国高等学校中较早建立的计算机系之一。
2005年12月更名为计算机科学与技术学院，2012年5月改为现名。
学院下设计算机科学与技术系、软件工程系、智能科学与技术系、数字媒体理论与工程系、计算机网络与通信技术系、计算机科学与工程实验中心、计算机应用技术研究所、信息处理及安全技术研究所、智能机器人研究所和网络空间安全工程研究院等。
2020南京理工大学考研：782134889学院现有“模式识别与智能系统”国家二级重点学科、“计算机科学与技术”、“软件工程”和“网络空间安全”江苏省一级重点学科，“社会公共安全信息工程”工信部重点学科以及“社会公共安全技术”江苏省优势学科。
二、专业课考试科目计算机学硕：①101思想政治理论②201英语一③301数学一④877计算机专业基础C（计算机组成原理、数据结构、操作系统）软件工程:①101思想政治理论②201英语一③301数学一④824计算机专业基础A（离散数学、数据结构、操作系统）计算机、软工专硕：①101思想政治理论②204英语二③302数学二④825计算机专业基础B(数据结构、操作系统)复试科目（各专业）：①程序设计（C++上机操作）②数据库与计算机网络三、2019考研招生计划本学院复试包括：笔试、机试、综合面试（含外语口语）1、笔试：满分为100分，考试时间2小时。
闭卷考试，随身不得携带手机、任何纸质或电子资料，违反规定按作弊处理。
2、机试：满分为120分，考试时间2.5小时。
考核要点：专业实践能力（C++或Java编程，可携带最多两本纸质资料（不可互相借阅）、笔。
随身不得携带手机或其他任何电子介质，违反规定按作弊处理。
南京理工大学《微机原理与接口技术》第二章 指令系统(1)PPT课件
28.07.2020
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第二章 8086/8088 指令系统
2.1 概述
2.2 寻址方式
2.3 数据传送指令
2.4 算术运算指令
2.5 逻辑运算指令
2.6 串操作指令
MOV AX, 0102H
；AX←0102H
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立即数寻址方式
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例：
• 将立即数0102H送至AX寄存器
• 汇编指令: MOV AX,0102H ; • 指令功能: AX←0102H ; • 指令代码：B8 02 01
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与机器指令一一对应，需要翻译成机器指令才能运
行
10110000 00000001
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MOV AL, 1 4
一、指令的组成
操作码 操作数
指令由操作码和操作数两部分组成
• 操作码说明计算机要执行哪种操作，如传送、运算、 移位、跳转等操作，它是指令中不可缺少的组成部 分
操作数是指令执行的参与者，即各种操作的对象
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2 寄存器寻址方式
• 操作数存放在CPU的内部寄存器reg中：
– 8位寄存器r8： AH、AL、BH、BL、CH、CL、DH、DL – 16位寄存器r16： AX、BX、CX、DX、SI、DI、BP、SP – 4个段寄存器seg： CS、DS、SS、ES
• 寄存器名表示其内容（操作数）
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第一讲：第四章存储器系统回顾：微型计算机系统的硬件组成，存储器在微机系统中的功能和作用。
本讲重点：微机存储器系统的基本概况，存储器的分类，内部存储器的系统结构，动、静态读写存储器RAM的基本存储单元与芯片。
讲授内容：4.1概述存储器是计算机(包括微机)硬件系统的重要组成部分，有了存储器，计算机才具有“记忆”功能，才能把程序及数据的代码保存起来，才能使计算机系统脱离人的干预，而自动完成信息处理的功能。
存储器系统的三项主要性能是指标容量、速度和成本。
存储容量是存储器系统的首要性能指标，因为存储容量越大，则系统能够保存的信息量就越多，相应计算机系统的功能就越强；存储器的存取速度直接决定了整个微机系统的运行速度，因此，存取速度也是存储器系统的重要的性能指标；存储器的成本也是存储器系统的重要性能指标。
为了在存储器系统中兼顾以上三个方面的指标，目前在计算机系统中通常采用三级存储器结构，即使用高速缓冲存储器、主存储器和辅助存储器，由这三者构成一个统一的存储系统。
从整体看，其速度接近高速缓存的速度，其容量接近辅存的容量，而其成本则接近廉价慢速的辅存平均价格。
一、存储器分类1．按构成存储器的器件和存储介质分类按构成存储器的器件和存储介质主要可分为：磁芯存储器、半导体存储器、光电存储器、磁膜、磁泡和其它磁表面存储器以及光盘存储器等。
2．按存取方式分类可将存储器分为随机存取存储器、只读存储器两种形式。
(1)．随机存储器RAM(Random Access Memory)又称读写存储器，指能够通过指令随机地、个别地对其中各个单元进行读/写操作的一类存储器。
按照存放信息原理的不同，随机存储器又可分为静态和动态两种。
静态RAM是以双稳态元件作为基本的存储单元来保存信息的，因此，其保存的信息在不断电的情况下，是不会被破坏的；而动态RAM是靠电容的充、放电原理来存放信息的，由于保存在电容上的电荷，会随着时间而泄露，因而会使得这种器件中存放的信息丢失，必须定时进行刷新。
（2）．只读存储器ROM (Read-Only Memory)在微机系统的在线运行过程中，只能对其进行读操作，而不能进行写操作的一类存储器。
ROM通常用来存放固定不变的程序、汉字字型库、字符及图形符号等。
随着半导体技术的发展，只读存储器也出现了不同的种类，如可编程的只读存储器PROM(Programmable ROM)，可擦除的可编程的只读存储器EPROM(Erasible Programmable ROM)和EEPROM(Electric Erasible Programmable ROM)以及掩膜型只读存储器MROM(Masked ROM)等，近年来发展起来的快擦型存储器(F1ash Memory)具有EEPROM的特点。
3．按在微机系统中位置分类分为主存储器(内存)、辅助存储器(外存)、缓冲存储器等，主存储器又称为系统的主存或者内存，位于系统主机的内部，CPU可以直接对其中的单元进行读/写操作；辅存存储器又称外存，位于系统主机的外部，CPU对其进行的存/取操作，必须通过内存才能进行；缓冲存储器位于主存与CPU之间，其存取速度非常快，但存储容量更小，可用来解决存取速度与存储容量之间的矛盾，提高整个系统的运行速度。
另外，还可根据所存信息是否容易丢失，而把存储器分成易失性存储器和非易失性存储器。
如半导体存储器(DRAM，SRAM)，停电后信息会丢失，属易失性；而磁带和磁盘等磁表面存储器，属非易失性存储器。
存储器分类表如下所示(P87)：双极型半导体存储器随机存储器(RAM)MOS存储器（静态、动态）主存储器可编程只读存储器PROM只读存储器(ROM) 可擦除可编程只读存储器EPROM，EEPROM掩膜型只读存储器MROM快擦型存储器存储器磁盘(软盘、硬盘、盘组)存储器辅助存储器磁带存储器光盘存储器缓冲存储器二、存储器的系统结构一般情况下，一个存储器系统由以下几部分组成。
1．基本存储单元一个基本存储单元可以存放一位二进制信息，其内部具有两个稳定的且相互对立的状态，并能够在外部对其状态进行识别和改变。
不同类型的基本存储单元，决定了由其所组成的存储器件的类型不同。
2．存储体(以图示讲解说明)一个基本存储单元只能保存一位二进制信息，若要存放M×N个二进制信息，就需要用M×N个基本存储单元，它们按一定的规则排列起来，由这些基本存储单元所构成的阵列称为存储体或存储矩阵。
3．地址译码器由于存储器系统是由许多存储单元构成的，每个存储单元一般存放8位二进制信息，为了加以区分，我们必须首先为这些存储单元编号，即分配给这些存储单元不同的地址。
地址译码器的作用就是用来接受CPU送来的地址信号并对它进行译码，选择与此地址码相对应的存储单元，以便对该单元进行读／写操作。
存储器地址译码有两种方式，通常称为单译码与双译码。
(1)．单译码单译码方式又称字结构，适用于小容量存储器。
(2)．双译码在双译码结构中，将地址译码器分成两部分，即行译码器(又叫X译码器)和列译码器(又叫Y译码器)。
X译码器输出行地址选择信号，Y译码器输出列地址选择信号。
行列选择线交叉处即为所选中的内存单元，这种方式的特点是译码输出线较少。
4．片选与读／写控制电路片选信号用以实现芯片的选择。
对于一个芯片来讲，只有当片选信号有效时，才能对其进行读／写操作。
片选信号一般由地址译码器的输出及一些控制信号来形成，而读/写控制电路则用来控制对芯片的读/写操作。
5．I/O电路I/O电路位于系统数据总线与被选中的存储单元之间，用来控制信息的读出与写入，必要时，还可包含对I/O信号的驱动及放大处理功能。
6．集电极开路或三态输出缓冲器为了扩充存储器系统的容量，常常需要将几片RAM芯片的数据线并联使用或与双向的数据线相连，这就要用到集电极开路或三态输出缓冲器。
7．其它外围电路对不同类型的存储器系统，有时，还专门需要一些特殊的外围电路，如动态RAM中的预充电及刷新操作控制电路等，这也是存储器系统的重要组成部分。
4.2 读写存储器RAMRAM(Random Access Memory)意指随机存取存储器，其工作特点是：在微机系统的工作过程中，可以随机地对其中的各个存储单元进行读／写操作。
读写存储器分为静态RAM与动态RAM两种。
一、静态RAM1．基本存储单元静态RAM的基本存储单元是由两个增强型的NM0S反相器交叉耦合而成的触发器，每个基本的存储单元由六个MOS管构成，所以，静态存储电路又称为六管静态存储电路。
图4-1(a)为六管静态存储单元的原理示意图。
其中T1、T2为控制管，T3、T4为负载管。
这个电路具有两个相对的稳态状态，若Tl管截止则A＝“l”(高电平)，它使T2管开启，于是B＝“0”(低电平)，而B＝“0”又进一步保证了T1管的截止。
所以，这种状态在没有外触发的条件下是稳定不变的。
同样，T1管导通即A＝“0”(低电平)，T2管截止即B＝“1”(高电平)的状态也是稳定的。
因此，可以用这个电路的两个相对稳定的状态来分别表示逻辑“1”和逻辑“0”。
当把触发器作为存储电路时，就要使其能够接收外界来的触发控制信号，用以读出或改变该存储单元的状态，这样就形成了如图4-l(b)所示的六管基本存储电路。
其中T5、T6为门控管。
地址8(I/O)I/O接Y地址译码器(a) 六管静态存储单元的原理示意图(b) 六管基本存储电路图4-1 六管静态存储单元当X译码输出线为高电平时，T5、T6管导通，A、B端就分别与位线D0及D0相连；若相应的Y译码输出也是高电平，则T7、T8管(它们是一列公用的，不属于某一个存储单元)也是导通的，于是D0及D0(这是存储单元内部的位线)就与输入/输出电路的I/O线及I/O线相通。
写入操作：写入信号自I/O线及I/O线输入，如要写入“1”，则I/O线为高电平而I/O线为低电平，它们通过T7、T8管和T5、T6管分别与A端和B端相连，使A=“1”，B=“0”，即强迫T2管导通，T l管截止，相当于把输入电荷存储于T l和T2管的栅级。
当输入信号及地址选择信号消失之后，T5、T6、T7、T8都截止。
由于存储单元有电源及负载管，可以不断地向栅极补充电荷，依靠两个反相器的交叉控制，只要不掉电，就能保持写入的信息“1”，而不用再生(刷新)。
若要写入“0”，则I/O线为低电乎而I/O线为高电平，使Tl管导通，T 2管截止即A=“0”，B=“1”。
读操作：只要某一单元被选中，相应的T5、T6、T7、T8均导通，A点与B 点分别通过T5、T6管与D0及D0相通，D0及D0又进一步通过T7、T8管与I/O及I/O线相通，即将单元的状态传送到I/O及I/O线上。
由此可见，这种存储电路的读出过程是非破坏性的，即信息在读出之后，原存储电路的状态不变。
2．静态RAM存储器芯片Intel 2114Intel 2114是一种1K×4的静态RAM存储器芯片，其最基本的存储单元就是如上所述的六管存储电路,其它的典型芯片有Ietel 6116/6264/62256等。
(1)．芯片的内部结构如图4-2所示，它包括下列几个主要组成部分：图4-2 Intel2114静态存储器芯片的内部结构框图•存储矩阵：Intel2114内部共有4096个存储电路，排成64×64的短阵形式；• 地址译码器：输入为10根线，采用两级译码方式，其中6根用于行译码，4根用于列译码；• I/O 控制电路：分为输入数据控制电路和列I ／O 电路，用于对信息的输入／输出进行缓冲和控制；• 片选及读／写控制电路：用于实现对芯片的选择及读／写控制。
(2)．Intel 2114的外部结构Intel2114RAM 存储器芯片为双列直插式集成电路芯片，共有18个引脚，引脚图如图4-3所示，各引脚的功能如下：• A 0-A 9：10根地址信号输入引脚。
• WE ： 读／写控制信号输入引脚，当WE 为低电 平时，使输入三态门导通，信息由数据总线通过输入数据控制电路写入被选中的存储单元；反之从所选中的存储单元读出信息送到数据总线。
• I/O 1~I/O 4 ：4根数据输入／输出信号引脚， 图4-3 Intel 2114引脚图 • CS ： 低电平有效，通常接地址译码器的输出端。
• +5V ： 电源。
• GND ：地。
二、 动态RAM1．动态RAM 基本存储单元静态RAM 的基本存储单元是一个RS 触发器，因此，其状态是稳定的，但由于每个基本存储单元需由6个MOS 管构成，就大大地限制了RAM 芯片的集成度。
如图4-4所示，就是一个动态RAM 的基本存储单元，它由一个MOS 管T 1和位于其栅极上的分布电容c 构成。