CMOS二级密勒补偿运算放大器的设计

课程设计报告设计课题: CMOS二级密勒补偿运算放大器的设计姓名: XXX专业:集成电路设计与集成系统学号: 1115103004 日期 2015年1月17日指导教师: XXX 国立华侨大学信息科学与工程学院一：CMOS二级密勒补偿运算放大器的设计1:电路结构最基本的CMOS二级密勒补偿运算跨导放大器的结构如下图，主要包括四部分：第一级PMOS输入对管差分放大电路，第二级共源放大电路，偏置电路和相位补偿电路。

2：电路描述：输入级放大电路由M1~M5组成。

M1和M2组成PMOS差分输入对管，差分输入与单端输入相比可以有效抑制共模信号干扰；M3和M4为电流镜有源负载；M5为第一级放大电路提供恒定偏置电流。

输出级放大电路由M6和M7组成，M6为共源放大器，M7为其提供恒定偏置电流同时作为第二级输出负载。

偏置电路由M8~M13和Rb组成，这是一个共源共栅电流源，M8和M9宽长比相同。

M12和M13相比，源级加入了电阻Rb，组成微电流源，产生电流Ib。

对称的M11和M12构成共源共栅结构，减少了沟道长度调制效应造成的电流误差。

在提供偏置电流的同时，还为M14栅极提供偏置电压。

相位补偿电路由M14和Cc组成，M14工作在线性区，可等效为一个电阻，与电容Cc一起跨接在第二级输入输出之间，构成RC密勒补偿。

3:两级运放主体电路设计由于第一级差分输入对管M1与M2相同，有R1表示第一级输出电阻，其值为则第一级的电压增益对第二级，有第二级的电压增益故总的直流开环电压增益为所以4：偏置电路设计偏置电路由 M8~M13 构成，其中包括两个故意失配的晶体管M12 和M13，电阻RB 串联在M12 的源极，它决定着偏置电流和gm12，所以一般为片外电阻以保证其精确稳定。

为了最大程度的降低M12 的沟道长度调制效应，采用了Cascode 连接的M10以及用与其匹配的二极管连接的M11 来提供M10 的偏置电压。

最后，由匹配的PMOS器件M8 和M9 构成的镜像电流源将电流IB 复制到M11 和M13，同时也为M5 和M7提供偏置。

下面进行具体计算。

镜像电流源M8 和M9 使得M13 的电流与M12 的电流相等，都为IB，从而有而由电路可知联立上式可以得到：整理得：可以看到，IB仅以电阻RB和M12,M13的尺寸有关，不受电源电压的影响。

二：计算参数对于MOS 管宽长比的设计，可以先选择合适的过驱动电压，然后分配合理的电流，最后再计算宽长比。

通常先选择过驱动电压为0.1V~0.2V，如果是已知跨导，就可以计算其电流和宽长比，如果是预先分配电流，也可以计算其跨导和宽长比。

设计步骤：1：选择Cc 的大小。

与Cc 相关的是单位增益带宽、输入积分噪声、z1 位置和压摆率。

Cc 增大大有几个好处，增强极点分裂功能，降低输入积分噪声，降低第二级功耗，提高相位裕度，但缺点是降低了GBW 和压摆率。

而且Cc 的选择和负载取值有关，所以我们尽量增大Cc，前提是满足压摆率指标，然后增加gm1 以提高GBW。

在IDS1不变的前提下，gm1 的提高可以通过降低VDSAT1 得到。

本设计中负载是3pF，考虑寄生电容存在，选取Cc 初值为1.8pF，在后面的步骤中可以通过迭代调整Cc 的值。

2：相位补偿，选取gm6＝3.2gm1。

3：选择过驱动电压，VDSAT1 降低有助于提高共模输入范围,增大输出摆幅，降低输入失调电压，提高电压增益，提高共模抑制比，提高负电源抑制比。

另外，在同等电流前提下，过驱动越小，跨导越大。

所以VDSAT1 尽量取小比如0.1V。

4：分配电流。

第一级电流增大有助于提高gm1，提高SRint，这里取IDS6＝4IDS1。

取偏置电流IDS8＝10μA，k1＝12，k2＝24，即IDS5＝120μA，IDS7＝240μA，总电流为380μA。

5：计算M1,2 宽长比。

已知IDS1＝60μA，VDSAT1＝0.1V，得到(W/L)1＝347.8。

当α＝2 时，W1L1≥64.4μm2，由此得到L1>0.43μm。

由于要加上2LD 即0.4μm 的扩散长度，预先取L1＝0.8μm，得到W1 为140μm。

因此得到(W/L)1,2＝140μm/0.8μm。

要注意的是，W1L1 乘积不能太大，否则3 点寄生电容会很大。

6：计算M3,4、M6、M5 和M7 的宽长比。

由于α＝2，取L3,4＝2L1 即为1.2μm。

为保证小的失调，取L6＝L3,4＝1.2μm（在Level 1 模型中反映不出）。

对于L5 和L7，为保证小寄生电容取最小长度0.4μm 即可，因此得到L5,7＝0.8μm。

由于gm6＝3.2gm1，IDS6＝4IDS1，得到VDSAT6＝0.125V，进而得到W6＝240μm。

再由k1 和k2 得W3,4＝60μm。

M5 和M7 是偏置管，为保证小的寄生电容，取过驱动为0.4V。

IDS5＝120μA，得到W5＝18μm，因此有W7＝k2/k1×W7＝36μm。

从而得到(W/L)3,4＝10/1.2，(W/L)6＝240/1.2，(W/L)5＝18/0.8，(W/L)7＝36/0.8。

7：计算M8,9、M10,11、M12、M13 的宽长比和RB 的阻值。

要满足式(2.39)，同时取(W/L)12＝4(W/L)13。

IDS13＝10μA，由式(2.44)和VDSAT13＝VDSAT13＝0.125V 得RB＝6.25k。

取L13 ＝ L6 ＝ 1.2μm，得(W/L)13 ＝ (W/L)6/k2 ＝10μm/1.2μm。

也得到(W/L)12 ＝40μm/1.2μm，取(W/L)10＝(W/L)11＝(W/L)13＝10μm/1.2μm。

取L8,9＝L7＝0.8μm，得(W/L)8,9＝1/k2*(W/L)7＝1.5μm/0.8μm。

8：计算M14 的宽长比。

由式取这个比例为3.7，得到(W/L)14＝65μm/1.2μm。

最终得到的器件参数如下M1 140/0.8 M9 1.5/0.8M2 140/0.8 M10 10/1.2M3 60/1.2 M11 10/1.2M4 60/1.2 M12 40/1.2M5 18/0.8 M13 10/1.2M6 240/1.2 M14 65/1.2M7 36/0.8 Cc 1.8 pFM8 1.5/0.8 RB 6.25 kΩ注意这里有几个关系式要保证严格成立，即式(2.39)和式(3.7)。

至此，完成了电路中各器件参数的手工计算。

三：设计运放的性能指标。

运放性能指标：性能单位数值小信号低频电压增益（DC Gain）dB83.75单位增益带宽（Unit-Gain Bandwidth）MHz94相位裕度（Phase Margin）度61转换速率（Slew Rate）V/μS30.5建立时间 1% （Settling Time）ns52dB85.5共模抑制比（Common Mode RejectionRatio）电源电压（Power Supply）V2输入共模范围（Input Common Mode Range）V0.1~1.9电压输出范围（Output Range）V0.02~1.95负载电容（Load Capacitance）pF3功耗（Power Consumption）mW0.640dB12电源电压抑制比（Power Supply RejectionRange）运放性能指标解释：（1）小信号低频电压增益：运放在小信号低频输入信号状态下的电压放大倍数。

（2）单位增益带宽：运放在开环状态下，当放大倍数为0 dB时的频率范围。

（3）相位裕度：运放在开环状态下，当放大倍数为0 dB时所对应的相位和180度的差值。

（4）转换速率：运放在开环状态，输入信号为大信号激励条件下，运放由非线性进入线性所需要的时间。

（5）建立时间（1%）：运放在开环状态下，输入信号为大信号激励，运放由进入线性的开始点到输出稳定到稳定值的（1%）范围内所需要的时间。

（6）共模抑制比：运放在开环状态下，对共模信号或共模噪声的抑制能力，其表达式为()dB log20cd A A CMRR =（7）电源电压: 提供给运放的工作电压。

（8）输入共模范围: 运放在开环状态下允许的输入共模电压范围。

（9）输出范围: 运放在开环状态下，输出电压能够达到的最大范围。

（10）负载电容: 运放在开环状态下， 所能带动的最大电容负载。

（11）功耗: 运放在开环状态下允许消耗的最大静态功耗。

（12）电源电压抑制比: 运放在开环状态下对电源电压波动或电源电压噪声的抑制能力。

四：运算放大器的仿真结果与分析本次二级运算放大器的设计采用华润上华.18工艺，电压采用2V 。

顶层文件电路图:1:运放的小信号相频和幅频特性（AC ）运放的小信号相频和幅频特性是仿真运放的开环小信号放大倍数及其相位随频率的变化趋势，从而得到运放的相位裕度和单位增益带宽指标，并进一步鉴别运放的放大能力、稳定性和工作带宽。

运放的输出端接3pF的负载电容，电源电压为2V，共模输入电压为1V，差模输入幅度为1V的交流信号，即两输入端的输入交流信号相位相反。

做交流小信号分析，可以得到运放的小信号相频和幅频特性如图所示。

从仿真结果可以看出，运放采用RC补偿，在满足单位增益带宽的同时，能很好的调节相位裕度。

测试电路图：仿真图：从AC仿真图可以看出：该运放增益为83.75dB,单位增益带宽为94.14M。

从图可知，该运放相位裕度为：-119+180=61度。

2：运放的转换速率分析（SR）运放的转换速率是分析运放在大信号作用下的反应速度。

仿真运放的转换速率可将运放的输出端和反相输入端相连构成单位增益结构。

运放的同相输入端输入0V到2V的阶跃信号，利用仿真软件对该电路做瞬态分析得到的输出波形。

测试电路图：仿真图：从仿真波形得到：在输出上升曲线的10%和90%处，其电压分别为0.20254V和1.80029V；时间分别为2.00613us和2.0586us。

运放的转换速率SR=（1.80029V-0.20254V）/（2.0586us—2.00613us）=30.47V/μs。

3：运放的共模抑制比分析（CMRR）运放的共模抑制比是测试运放对共模信号的抑制能力。

仿真方法是在运放的开环状态下，在运放的同相和反相输入端同时加入一个幅度为1V的交流小信号源，对电路进行交流小信号分析。

测试电路图：仿真图：从仿真结果可得，运放的低频共模电压增益为-1.73103dB。

因为运放的共模抑制比（dB单位）等于其差模电压增益（dB）减去共模电压增益（dB），差模电压增益是83.7589dB，所以运放的共模抑制比近似为：83.7589dB-（-1.73103dB）=85.4899dB。