FDC653N――N沟道增强型场效应晶体管(精)
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FDC653NN——Fairchild沟道增强型场效应晶体管系列产品
说明
这N沟道增强型功率场效应晶体管是利用飞兆半导体专有的，高密度，DMOS工艺。
这个非常高的密度的过程是专为尽量减少—状态电阻。
这些器件特别适用于笔记本电脑、移动电话、PCMICA卡低电压应用，和其它电池供电的电路中快速切换，在一个非常小的轮廓表面贴装封装需要低的行功率损耗。
特征
5 A, 30 V. RDS(ON = 0.035 W @ VGS = 10 V
RDS(ON = 0.055 W @ VGS = 4.5 V.
采用铜引线框架的卓越的热性能和电气性能的专有supersottm-6包装设计。
极低的RDS（ON）高密度电池设计。
电阻和最大直流电流能力的特殊性。