门电路外特性及参数
常用逻辑门电路符号与功用

常用逻辑门电路符号与功用最常用的集成门电路有TTL系列集成逻辑门和CMOS系列集成逻辑门两大类。
就其功用而言,常用的有与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门以及集电极开路(OC)门、三态(TS)门等。
表1给出了常用逻辑门的逻辑符号与功用。
表1常用逻辑门的逻辑符号与功用称谓符号表达式称谓符号表达式与门F=Amiddot;B与或非门或门F=A+B异或门非门同或门与非门OC与非门输出端能够对接或非门三态与非门EN为使能操控1.外部特性参数集成逻辑门的首要外部特性参数有输出高、低逻辑电平,开门电平,关门电平,扇入系数,扇出系数,输入短路电流,输入漏电流,均匀传输时延和空载功耗等。
2.集成门电路的运用特征(1)在进行逻辑方案时,各类逻辑门可完结与其对应的逻辑运算功用。
(2)OC门的输出端能够直接联接,完结线与,此外可完结电平改换和直接驱动发光二极管等。
(3)TS门首要用于总线传送,多个TS门的输出端能够直接与总线联接,完结数据分时传送。
(4)用逻辑门构成实习电路时,对集成门的剩下输入端有必要恰当处理。
例如,TTL与门和与非门的剩下输入端能够经过电阻接电源,或门和或非门的剩下输入端能够经过电阻接地。
CMOS与门和与非门的剩下输入端能够直接与电源相接;CMOS或非门的剩下输入端可接地等。
总归,既要防止剩下输入端悬空构成信号搅扰,又要保证对剩下输入端的处置不影响正常的逻辑功用。
3.常用TTL集成门电路芯片(1)集成与非门电路芯片常用的TTL与非门集成电路芯片有7400、7410和7420等。
7400是一种内部有四个两输入与非门的芯片,其引脚分配图如图1(a)所示;7410是一种内部有三个三输入与非门的芯片,其引脚分配图如图1(b)所示;7420是一种内部有两个四输入与非门的芯片,其引脚分配图如图1(c)所示。
图中,VCC为电源引脚,GND为接地脚,NC为空脚。
第02章 逻辑门电路

OC门的几种主要应用
实现线与逻辑
电路如右图所示,逻辑关系为
L L1 L2 AB CD
实现电平转换
如下图所示,可使输出高电平变为+12V
+12V
R
A& 3.4V 0.3V
12V F
0.3V
用作驱动电路
右图是用来驱动发光二极管的电路。
2.3.5 三态门
R1 4K
R2 1.6K
A
T1
T2 B
输出低电平时:NOL = IOLmax / IiLmax 输出高电平时:NOH = IOHmax / IiHmax
考虑最坏的情况,扇出系数:N = min(NL , NH)
TTL与非门的灌电流与拉电流负载
2.3.2 TTL与非门的特性及参数
平均传输延迟时间
tpd = 0.5(tpdL + tpdH ) 输出信号略滞后于输入信号. 典型值:纳秒级
Vo(V) VOH A 2.7
电压传输特性及相关参数 (1) 输出高电平 VOH
R1 4K
R2 1.6K
R4
VCC
130
A
B
B
T1
T3
T2
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
D3
F
D1
D2
R3
T4
1K
典型值VOH ≥ 3.4V
VOHmin是满足输出电流指标时, 输出高电平允许的最低值,一 般要求 VOHmin ≥ 2.7V
C
(2) 输出低电平 VOL
(5) 关门电平 VOFF
保证T4截止 输出高电平 时, 输入低电平的最大值.
VOFF ≥ 0.8V
2.3.2 TTL与非门的特性及参数
实验十四TTL、CMOS门电路参数及逻辑特性的测试

实验十四TTL、CMOS门电路参数及逻辑特性的测试大学通信工程系林XX一.实验目的:1、掌握TTL、CMOS与非门参数的测量方法;2、掌握TTL、CMOS与非门逻辑特性的测量方法;3、掌握TTL与CMOS门电路接口设计方法。
二.实验原理:(一)TTL门电路:TTL门电路是标准的集成数字电路,其输入、输出端均采用双极型三极管结构:凡是TTL器件特性均与TTL门电路具有相同特性,故需了解TTL门电路的主要参数。
7400是TTL型中速二输入端四与非门。
图1是它的部电路原理图和管脚排列图。
1、TTL与非门的主要参数:(1)输入短路电流:I IS:与非门某输入端接地时,该输入端接入地的电流。
(2)输入高电平电流I IH:与非门某输入端接V CC(5V),其他输入端悬空或接V CC时,流入该输入端的电流。
TTL与非门特性如图2所示:(3)开门电平V ON:使输出端维持低电平V OL所需的最小输入高电平,通常以V O=0.4V时的Vi定义。
(4)关门电平V OFF:使输出端保持高电平V OH所允许的最大输入低电平,通常以Vo=0.9V OH时的Vi定义。
阀值电平V T:V T=(V OFF+V ON)/2(5)开门电阻R ON:某输入端对地接入电阻(其他悬空),使输出端维持低电平(通常以V O=0.4V)所需的最小电阻值。
(6)关门电阻R OFF:某输入端对地接入电阻(其他悬空),使输出端保持高电平V OH(通常以V O=0.9V OH 所允许的最大电阻值)。
TTL与非门输入端的电阻负载特性曲线如图3所示。
(7)输出低电平负载电流I OL:输出保持低电平V O=0.4V时允许的最大灌流(如图4);(8)输出高电平负载电流I OH:输出保持高电平V O=0.9V OH时允许的最大拉流;(9)平均传输延迟时间tpd:○1开通延迟时间t OFF:输入正跳变上升到1.5V相对输出负跳变下降到1.5V的时间间隔;○2关闭延迟时间t ON:输入负跳变上升到1.5V相对输出正跳变下降到1.5V的时间间隔;○3平均传输延迟时间:开通延迟时间与关闭延迟时间的算术平均值。
数字电路习题-第二章

第二章 逻辑门电路集成逻辑门电路是组成各种数字电路的基本单元。
通过本章的学习,要求读者了解集成逻辑门的基本结构,理解各种集成逻辑门电路的工作原理,掌握集成逻辑门的外部特性及主要参数,掌握不同逻辑门之间的接口电路,以便于正确使用逻辑门电路。
第一节 基本知识、重点与难点一、基本知识(一) TTL 与非门 1.结构特点TTL 与非门电路结构,由输入极、中间极和输出级三部分组成。
输入级采用多发射极晶体管,实现对输入信号的与的逻辑功能。
输出级采用推拉式输出结构(也称图腾柱结构),具有较强的负载能力。
2.TTL 与非门的电路特性及主要参数 (1)电压传输特性与非门电压传输特性是指TTL 与非门输出电压U O 与输入电压U I 之间的关系曲线,即U O=f (U I )。
(2)输入特性当输入端为低电平U IL 时,与非门对信号源呈现灌电流负载,1ILbe1CC IL R U U U I −−−=称为输入低电平电流,通常I IL =-1~1.4mA 。
当输入端为高电平U IH 时,与非门对信号源呈现拉电流负载,通常I IH ≤50μA 称为输入高电平电流。
(3)输入负载特性实际应用中,往往遇到在与非门输入端与地或信号源之间接入电阻的情况。
若U i ≤U OFF ,则电阻的接入相当于该输入端输入低电平,此时的电阻称为关门电阻,记为R OFF 。
若U i ≥U ON ,则电阻的接入相当于该输入端输入高电平,此时的电阻称为开门电阻,记为R ON 。
通常R OFF ≤0.7K Ω,R ON ≥2K Ω。
(4)输出特性反映与非门带载能力的一个重要参数--扇出系数N O 是指在灌电流(输出低电平)状态下驱动同类门的个数IL OLmax O /I I N =其中OLmax I 为最大允许灌电流,I IL 是一个负载门灌入本级的电流(≈1.4mA )。
N O 越大,说明门的负载能力越强。
(5)传输延迟时间传输延迟时间表明与非门开关速度的重要参数。
TTL与非门主要外部特性参数

TTL与非门主要外部特性参数2.主要外部特性参数TTL与非门的主要外部特性参数有输出逻辑电平、开门电平、关门电平、扇入系数、扇出系数、平均传输时延和空载功耗等。
(1)输出高电平V oH:输出高电平V oH是指至少有一个输入端接低电平时的输出电平。
V oH的典型值是3.6V。
产品规范值为V oH≥ 2.4V,标准高电平V SH=2.4V。
(2)输出低电平V oL:输出低电平V oL是指输入全为高电平时的输出电平。
V oL的典型值是0.3V,产品规范值为V oL≤ 0.4V,标准低电平V SL= 0.4V。
(3)开门电平V ON:开门电平V ON是指在额定负载下,使输出电平达到标准低电平V SL的输入电平,它表示使与非门开通的最小输入电平。
V ON的典型值为1.5V,产品规范值为V ON≤1.8V。
开门电平的大小反映了高电平抗干扰能力,V ON愈小,在输入高电平时的抗干扰能力愈强。
(4)关门电平V OFF:关门电平V OFF是指输出空载时,使输出电平达到标准高电平V SH的输入电平,它表示使与非门关断所允许的最大输入电平。
V OFF的典型值为1V,产品规范值V OFF≥ 0.8V。
关门电平的大小反映了低电平抗干扰能力,V OFF越大,在输入低电平时的抗干扰能力越强。
(5)扇入系数N i:扇入系数N i是指与非门允许的输入端数目。
一般N i为2~5,最多不超过8。
(6)扇出系数N o:扇出系数N o是指与非门输出端连接同类门的最多个数。
它反映了与非门的带负载能力。
一般N o≥ 8。
扇入和扇出是反映门电路互连性能的指标。
(7)输入短路电流I iS:输入短路电流I iS是指当与非门的某一个输入端接地而其余输入端悬空时,流过接地输入端的电流。
在实际电路中,I iS是流入前级与非门的灌电流,它的大小将直接影响前级与非门的工作情况。
因此,对输入短路电流要加以限制,产品规范值I iS≤1.6mA。
(8)高电平输入电流I iH:高电平输入电流I iH是指某一输入端接高电平,而其他输入端接地时,流入高电平输入端的电流,又称为输入漏电流。
数电期末总结知识要点

数字电路各章知识点第1章 逻辑代数基础一、 数制和码制1.二进制和十进制、十六进制的相互转换 2.补码的表示和计算 3.8421码表示二、 逻辑代数的运算规则1.逻辑代数的三种基本运算:与、或、非 2.逻辑代数的基本公式和常用公式 逻辑代数的基本公式(P10) 逻辑代数常用公式: 吸收律:A AB A =+消去律:AB B A A =+ A B A AB =+ 多余项定律:C A AB BC C A AB +=++ 反演定律:B A AB += B A B A ∙=+ B A AB B A B A +=+三、 逻辑函数的三种表示方法及其互相转换 ★ 逻辑函数的三种表示方法为:真值表、函数式、逻辑图 会从这三种中任一种推出其它二种,详见例1-6、例1-7 逻辑函数的最小项表示法 四、 逻辑函数的化简: ★1、 利用公式法对逻辑函数进行化简2、 利用卡诺图队逻辑函数化简3、具有约束条件的逻辑函数化简例1.1 利用公式法化简 BD C D A B A C B A ABCD F ++++=)( 解:BD C D A B A C B A ABCD F ++++=)(BD C D A B A B A ++++= )(C B A C C B A +=+ BD C D A B +++= )(B B A B A =+ C D A D B +++= )(D B BD B +=+ C D B ++= )(D D A D =+ 例1.2 利用卡诺图化简逻辑函数 ∑=)107653()(、、、、m ABCD Y 约束条件为∑8)4210(、、、、m 解:函数Y 的卡诺图如下:00 01 11 1000011110AB CD111×11××××D B A Y +=第2章集成门电路一、 三极管如开、关状态 1、饱和、截止条件:截止:beTV V < 饱和:CSBSBI iIβ>=2、反相器饱和、截止判断 二、基本门电路及其逻辑符号 ★与门、或非门、非门、与非门、OC门、三态门、异或、传输门(详见附表:电气图用图形符号 P321 )二、门电路的外特性★1、电阻特性:对TTL门电路而言,输入端接电阻时,由于输入电流流过该电阻,会在电阻上产生压降,当电阻大于开门电阻时,相当于逻辑高电平。
数电 门电路

• 特性曲线分三个部分 ① 放大区:条件VCE > 0.7V, iB >0, iC随iB成正比变化, ΔiC=βΔiB。 ② 饱和区:条件VCE < 0.7V, iB >0, VCE 很低,ΔiC 随ΔiB增加变缓, 趋于“饱和”。 ③ 截止区:条件VBE = 0V, iB = 0, iC = 0, c—e间“断开” 。
TTL门电路的动态特性
一、传输延迟时间tpd
tpd表征门电路的开关速度
《数字电子技术基础》第五版
《数字电子技术基础》第五版
ui
上升沿
50%
下降沿
uO
0
t 50%
tpd=
tpHL+ tpLH 2
0
t
平均传输延迟时间 (Propagation delay)
二、三极管的开关等效电路
截止状态 饱和导通状态
《数字电子技术基础》第五版
三、三极管反相器
• 三极管的基本开关电路就是非门 • 实际应用中,为保证VI=VIL时 T可靠截止,常在输入接入负压。
参数合理? VI=VIL时,T截止, VO=VOH VI=VIH时,T截止, VO=VOL
《数字电子技术基础》第五版
为了防止 干扰,一般将悬空的输
入端人为接高电平。
二. 输出特性 vO f ( i L )
《数字电子技术基础》第五版
反映输出电压 vO与输出电流 iL的关系。 规定灌入电流为正方向。拉出电流为 负方向。 ①非门输出为 高电平时: 输出电流的方向为流出(拉电流) 由于非门输出电阻的存在,输出 电压随输出电流的增大而下降 实际工作中,受到功耗的限制, 输出电流不能超过0. 4mA。
4 噪声容限
《数字电子技术基础》第五版
逻辑门电路 数字电路知识点汇总

第3章 逻辑门电路门电路是构成各种复杂集成电路的基础,本章着重理解TTL 和CMOS 两类集成电路的外部特性:输出与输入的逻辑关系,电压传输特性。
1. TTL 与CMOS 的电压传输特性 开门电平ON V —保证输出为额定低电平 时所允许的最小输入高电平值在标准输入逻辑时,ON V =1.8V关门OFF V —保证输出额定高电平90%的情况下,允许的最大输入低电平值,在标准输入逻辑时,OFF V =0.8VIL V —为逻辑0的输入电压 典型值IL V =0.3V IH V —为逻辑1的输入电压 典型值IH V =3.0V OH V —为逻辑1的输出电压 典型值OH V =3.5V OL V —为逻辑0的输出电压 典型值OL V =0.3V对于TTL :这些临界值为V V OH 4.2min =,V V OL 4.0max = V V IH 0.2min =,V V IL 8.0max = 低电平噪声容限:IL OFF NL V V V -= 高电平噪声容限:ON IH NH V V V -=例:74LS00的V V OH 5.2min =)( V V OL 4.0(=出最小) V V IH 0.2min =)( V V IL 7.0max =)(它的高电平噪声容限 ON IH NH V V V -==3-1.8=1.2V 它的低电平噪声容限 IL OFF NL V V V -==0.8-0.3=0.5VV IOFF V ONV NHIL V2.TTL与COMS关于逻辑0和逻辑1的接法74HC00为CMOS与非门采用+5V电源供电,输入端在下面四种接法下都属于逻辑0①输入端接地②输入端低于1.5V的电源③输入端接同类与非门的输出电压低于0.1V④输入端接10ΩK电阻到地74LS00为TTL与非门,采用+5V电源供电,采用下列4种接法都属于逻辑1①输入端悬空②输入端接高于2V电压③输入端接同类与非门的输出高电平3.6V④输入端接10ΩK电阻到地。
1.5集成电路的外特性

指当 输出端空载,门电路输出低电平时电路的功耗
+5V
mA
&
&
空载导通功耗 Poff
空载截止功耗 Poff
平均功耗:
P=
Pon + Poff 2
10. 标准小规模集成门的封装与管脚
本章小结
1. 数制与码制 :二进制编码,二 — 十进制编码(BCD码)
2. 逻辑函数 :逻辑函数表示方法,基本逻辑运算,
当 Ri > Ron 时,其逻辑状态相当于 1,则称Ron为 开门电阻 。 对于TTL电路:
关门电阻(Roff):
Ron = 2.5KΩ 当 Ri < Roff 时,其逻辑状态相当于 0,则称 Roff为 Roff = 0.7KΩ 关门电阻 。
+5V +5V & Ri<Roff
&
Ri>Ron
开门电阻
UOH 表示逻辑值 1 和 0 的理想电平值。
2. 开门电平(UOH):
表示逻辑值 1 的最小高电平值。 UOL
关门电平(UOL):
+5V & V V
0 UiL Uoff Uon
UiH
Ui
表示逻辑值 0 的最大低电平值。 UOL UOH
+5V & V
关门电平UOL
V
开门电平UOH
VCC RC c Ui b T e UO Ui
正、负逻辑的概念
3. 布尔代数 :基本定律、公式,运算的基本 :最小项,变量卡诺图,逻辑函数卡诺图,
利用卡诺图化简逻辑函数
5. 集成电路的外特性 :
VCC
b
c T e
UO
Ube ≤ 0.5V Uce = 5V Ube ≥ 0.7V Uce = 0V
门电路外特性及参数共32页文档

6、纪律是自由的第一条件。——黑格 尔 7、纪律是集体的面貌,集体的声音, 集体的 动作, 集体的 表情, 集体的 信念。 ——马 卡连柯
8、我们在必须完全保持党的纪律, 否则一 切都会 陷入污 泥中。 ——马 克思 9、学校没有纪律便如磨坊没有水。— —夸美 纽斯
10、一个人应该:活泼而守纪律,天 真而不 幼稚, 勇敢而 鲁莽, 倔强而 有原则 ,热情 而不冲 动,乐 观而不 盲目。 ——马 克思
谢谢!
61、奢侈是舒适的,否则就不是奢侈 。——CocoCha nel 62、少而好学,如日出之阳;壮而好学 ,如日 中之光 ;志而 好学, 如炳烛 之光。 ——刘 向 63、三军可夺帅也,匹夫不可夺志也。 ——孔 丘 64、人生就是学校。在那里,与其说好 的教师 是幸福 ,不如 说好的 教师是 不幸。 ——海 贝尔 65、接受挑战,就可以享受胜利的喜悦 。——杰纳勒 尔·乔治·S·巴顿
cmos门电路的特点_CMOS门电路的工作原理及特性 - 电子技术
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cmos门电路的特点_CMOS门电路的工作原理及特性 - 电子技术MOS逻辑门电路是继TTL之后发展起来的另一种应用广泛的数字集成电路。
由于它功耗低、抗干扰能力强、工艺简单,几乎所有的大规模、超大规模数字集成器件都采用MOS工艺。
就其发展趋势看,MOS 电路特别是CMOS电路有可能超越TTL成为占统治地位逻辑器件。
CMOS逻辑门电路是由N沟道增强型MOS管和P沟道增强型MOS管互补而成,通常称为互补型MOS逻辑电路,简称CMOS逻辑电路。
下面以CMOS非门为例介绍CMOS门电路的工作原理及特性。
1、CMOS非门图1 CMOS非门基本电路(1)电路结构及工作原理CMOS非门的基本电路结构如图1所示,其中TP是P沟道增强型MOS 管,TN是N沟道增强型MOS管。
假如TP和TN的开启电压分别为UTP和UTN,则要求VDDUTP+UTN。
当输入为低电平,即ui=0时,TN截止,TP导通,故uo≈VDD,输出高电平。
当输入为高电平,即ui=VDD时,TP截止,TN导通,故uo≈0,输出低电平。
所以该电路实现了非逻辑。
通过以上分析可以看出,在CMOS非门电路中,无论电路处于何种状态,TP、TN中总有一个截止,所以它的静态功耗极低,有微功耗电路之称。
(2)电压传输特性在图1所示的CMOS非门电路中,设VDDUTP+UTN。
,且UTP=UTN,TP 和TN具有同样的导通内阻RON和截止内阻ROFF,则输出电压随输入电压变化的曲线,即电压传输特性如图2所示。
图2 CMOS非门的电压传输特性从图2所示的曲线上可以看出,CMOS非门的电压传输特性不仅有阀值电压UT=1/2VDD的特点,而且曲线转折区的曲率很大,因此更接近于理想的开关特性,从而使CMOS非门电路获得了更大的输入端噪声容限。
2、CMOS与非门电路CMOS与非门电路如图3所示。
驱动管TN1和TN2为N沟道增强型MOS管,两者串联,负载管TP1和TP2为P沟道增强型MOS管,两者并联,负载管整体与驱动管相串联。
门电路知识精讲

VO/ V
ab
区
3
= 0.1+VI< 0.7V
2
T2、T4截止,VO = 3.6 V
1
电路处于关态,对应a、b段截止区。 0 电压传输特性 VI/ V
0.6V < VI < 1.3V 0.1+0.6 < VC1 < 0.1+1.3 T1深饱和,T2导通,T4截止
VI → i C2R2 → VO
VO随VI的增加而线性下降,对 应曲线b、c段,叫做线性区。
二极管的开关等效电路:
2、动态特性
uD
VD
0
uD
iD
R
上升时间
当uD 为一矩形电压时
二极管VD的电流的变化过程
iD
0
电流波形的不够陡峭(不理想)
存储时间
上升时间:二极管从截止到导通所需的时间。
t
渡越时间
t
漏电流
反相恢复时间:二极管从导通到截止所需要的时间,等于存储 时间+渡越时间,其值远远大于上升时间,二极管的速度主要 取决于反相恢复时间。
四、三极管的开关特性
在数字电路中工作在饱和区或截止区——开关状态。
UCC
下面以NPN硅管为例进行分析 ui = uiL≈0 iB = 0 ic≈0 uo≈ ucc
iC Rc
ui = uiH iB > iC /β Uo= ucES ≈0
RB
临界饱和基极电流: 可靠饱和条件为:iB≥IBS
IBS U CC
3.2.3 二极管或门
设VCC = 5V 加到A,B的 VIH=3V
VIL=0V 二极管导通时 VDF=0.7V
A BY 0V 0V 0V 0V 3V 2.3V 3V 0V 2.3V 3V 3V 2.3V
数字电子技术——门电路

数字电子技术——门电路3.1 概述1. 门电路是用以实现逻辑关系的电子电路,与基本逻辑关系相对应。
门电路主要有:与门、或门、与非门、或非门、异或门等。
2. 高低电平高电平:数字电路中较高电平代数值的范围。
低电平:数字电路中较低电平代数值的范围。
3. 正负逻辑正逻辑:用高电平代表1、低点平代表0。
在数字电路中,一般采用正逻辑系统。
负逻辑:用高电平代表0、低点平代表1。
图14. 集成电路IC(Integrated Circuits):将元、器件制作在同一硅片上,以实现电路的某些功能。
SSI(Small-Scale Integration):£ 10个门电路。
MSI(Medium-Scale Integration):10~100个门电路。
LSI(Large-Scale Integration):1000~10000个门电路。
VLSI(Very Large-Scale Integration):³ 10000个门电路。
3.2 半导体二极管门电路图2二极管加正向电压时导通,伏安特性很陡、压降很小(硅管为0.7V,锗管为0.3V),可以近似看作是一个闭合的开关。
二极管加反向电压时截止,反向电流很小(nA级),可以近似看作是一个断开的开关。
把uD<UT=0.5V看成是硅二极管的截止条件。
图3在低速脉冲电路中,二极管开关由接通到断开,或由断开到接通所需要的转换时间通常是可以忽略的。
然而在数字电路中,二极管开关经常工作在高速通断状态。
由于PN结中存储电荷的存在,二极管开关状态的转换不能瞬间完成,需经历一个过程。
tre=ts+tf 叫做反向恢复时间。
该现象说明,二极管在输入负跳变电压作用下,开始仍然是导通的,只有经过一段反向恢复时间tre之后,才能进入截止状态。
由于tre的存在,限制了二极管的开关速度。
图4图53.3 CMOS门电路MOS门电路:以MOS管作为开关元件构成的门电路。
MOS门电路,尤其是CMOS门电路具有制造工艺简单、集成度高、抗干扰能力强、功耗低、价格便宜等优点,得到了十分迅速的发展。
各种门电路特点

各种门电路特点《聊聊各种门电路的特点,嘿,还挺有趣!》嘿,大家好呀!今天咱来唠唠各种门电路的特点,这可是电子世界里相当有意思的一块儿呢!先来说说那个与门吧,它就像是个特别严格的“老学究”。
只有当所有输入都符合要求时,它才肯给出个高电平。
就好比你想进这个门,所有的条件都得达标,缺一不可,真是一点商量的余地都没有啊!要是有一个输入不满足,嘿,它就把门给你关得死死的。
接着讲讲或门,这哥们可就比较豪爽啦!只要有一个输入是高电平,它就大大咧咧地给出高电平。
就像那种只要有一个理由成立,就会放行的老好人。
或门的世界里,机会多多,比较宽松,感觉还挺畅快的呢!然后是那个非门,哇,这可是个叛逆的家伙!它专门和输入对着干,你给它个高电平,它就非得给你整个低电平出来。
就好像一个爱捣蛋的小鬼头,总是要唱反调,不过这也是它的魅力所在呀。
还有与非门和或非门,这俩可以说是前面那几位的变形金刚版。
与非门是先执行与门操作,然后再叛逆一下;或非门呢,则是先豪爽一把,完了再唱反调。
这俩就像是在原本的特点上又增加了一些特别的调料,让门电路的世界更加丰富多彩了。
在实际应用中,这些门电路就像我们生活中的各种工具一样,各有各的用处。
比如我们要设计一个复杂的电路系统,那就要好好挑选这些门电路,让它们各司其职,共同完成任务。
有时候需要严格把关的地方就用与门,需要多个机会的地方就用上或门,需要反转的地方非门就闪亮登场啦!哎呀,研究这些门电路的特点就像探索一个神秘而有趣的小宇宙。
每一个门都有自己独特的性格和行为方式,懂了它们,我们就能在电子的世界里畅游,创造出各种各样奇妙的电路。
总之呢,门电路的世界既严谨又有趣。
它们虽然看起来小小的,但却蕴含着大大的能量和智慧。
我们就好好地和它们玩耍,感受电子世界的魅力吧!希望我的这番感受能让大家对门电路的特点有更深刻的认识和理解,也希望大家能在这个神奇的领域里玩得开心,发现更多的惊喜!哈哈!。
门电路外特性及参数
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TTL与非门产品介绍
TTL 门电路的型号及功能如表 2.2所示。
表 2.2 常用TTL门电路型号
型
号
逻辑功 能
74LS00 74LS10 74LS20 74LS30
四-2输入与非门 三-3输入与非门 二-4输入与非门 8输入与非门
门电路外特性及参数
•
图2. 7所示是74LS00及74LS20管脚排列示意图。
(2)BC段。输入电压 0.6V<UI<1.3 V时,0.7V≤UB2<1.4V , T2开始导通,T5仍未导通,T3、T4处于射极输出状态。随UI的 增加,UB2增加, UC2下降,并通过T3、 T4使UO也下降。因为 UO基本上随UI的增加而线性减小, 故把BC段称线性区。 (3) CD段。输入电压1.3V<UI<1.4V时,T5开始导通, 并随UI的增加趋于饱和。使输出UO为低电平。所以把CD段 称转折区或过渡区。 (4) DE段。当UI≥1.4V时, T2、T5饱和,T4截止,输出 为低电平。与非门处于饱和状态。 所以把DE段称饱和区。
门电路外特性及参数
TTL门电路的其他类型 TTL门电路除与非门之外, 还有许多种门电路, 1. 集电极开路门(OC
在实际使用中,可直接将几个逻辑门的输出端相连,这种输出直接相连,实现 输出与功能的方式称为线与。
但是普通TTL与非门的输出端是不允许直接相连的,
•
OC(Open Collector)门, 其电路及符号如图2.11
MD××
门电路外特性及参数
• 例如: • ___C_C__ 4_0__ 3_0__ R • • •
表示温度范围: -55 ~ 85℃ 表示器件品种: 四- 2输入异或门
•
表示中国制造的CMOS
31逻辑门电路的外特性.ppt
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(1)3-8译码器
其功能是,
将输入的
3位二进
C
制码译为
B
8路输出。 A
每一路输
出与一组
A
二进制输
0
入对应
0
0
0
1
1
1
1
F7
F6
F5
F4
F3
F2
F1
F0
& & & & & & & &
1
1
1
表3-19 3–8译码器的真值表
B C F7 F6 F5 F4 F3 F2 F1 F0 0011111110 0111111101 1011111011 1111110111 0011101111 0111011111 1010111111 1101111111
负逻辑
≥1
或门
&
与门
&
与门
≥1
或门
&
与非门
≥1
或非门
≥1
或非门
&
与非门
=1
异或门
=
同或门
3.2 组合逻辑电路分析
3.2.1逻辑电路的基本特点
组合逻辑电路主要由门电路构成。在电路中,任何时 刻的输出仅仅取决于该时刻的输入信号,而与这一时刻输 入信号作用前电路原来的状态没有任何关系,其电路模型 可表示为图3-18,该电路模型用函数式表示为式(3-3)。
≥1
AB
AB
或非门的逻辑符号
AB
F
00
1
01
0
10
0
11
0
或非门的真值表
3. 与或非门电路
F
F
F
F AB CD
与或非门的逻辑表达式
数字电子技术概述—门电路
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三、输入噪声容限
在 V 在 I偏 VI偏 V 离 IV H 离 和 IH V 和 IV L 的 IL 的 一 一 定 定 范 VO 范 基 VO 围 基 围 本 内 本 内 不 , 不 , 变 变 ; ; 在 在 输 输 出 出 变 变 化 , 化 , 允 允 允 允 许 许 许 许 范 输 范 输 围 入 围 称 入 内 称 的 内 为 的 为 变 输 变 输 化 入 化 入 范 噪 范
例题: 扇出系数计算举例
例2.4.1 查得基本的TTL与非门的参数如下: IOL=16mA, IIL=-1.0mA,IOH=0.4mA,IIH=0.04mA.试计算其带同类非 门时的扇出数。
解: (1)低电平输出时的扇出数
NOLIIO ILL11.06m mA A16
(2)高电平输出时的扇出数
NOHIIO IH H00.0 .4m 4 mA A 10
T2
T'2
R3
T4
0.9 v
D
T'1
B
0.2 V
T3
3.6V
A
图 2.4.22 TTL或非门的逻辑电路 B
≥1 Y A B
二、集电极开路门 (Open Collector Gate)
VCC(5 V)
R2 1.6k
R2 1.6k
R4 130
T4
Y1
A
T1
T2
vD3 OH
B
T5
R3 1k
1. 普通门电路输 出端不能并连。
R3 1k
VCC(5 V) R4 130
T4
D3
3.2V × T3
vI
输入全为高 电平 (3.6V) 输入有低电 平 (0.2V)
实验2 门电路特性参数测试

实验二门电路特性、参数测试说明:实验内容中,红色标注的部分为基本内容,必须完成。
其他内容按照实验老师的要求做。
一、实验目的1. 了解数字集成电路外形结构及外部引脚的排列规律。
2. 掌握逻辑门电路主要特性、参数的测试方法。
3.学习查阅器件手册。
4.进一步训练实验箱及常用仪器的使用方法。
二、实验资料1.TTL与非门74LS0074LS00为四个2输入TTL与非门,为双列直插14脚塑料封装,外部引脚排列如图2.1所示。
它共有4个独立的两输入端“与非”门,各个门的构造和逻辑功能相同,其内部电路结构如图2.2 所示。
ABCCY图2.1 74LS00引脚排列图2.2 74LS00与非门内部电路结构74LS00特性参数见表2-1、表2-2、表2-3。
表2-1 推荐工作条件*负号表示电流由器件流出表2-2 直流特性(0~70℃)2.COMS与非门74HC00 Array 74HC00为四2输入COMS与非门,外部引脚排列与74LS00相同(图2.1)。
它共有4个独立的两输入端“与非”门,各个门的构造和逻辑功能相同,其内部电路结构如图 2.3所示。
74HC00特性参数见表2-4、表2-5、表2-6。
表2-4 推荐工作条件表2-5 直流特性(-40~85℃,除非另有说明)*负号表示电流由器件流出,**典型值在T=25℃条件下测得□方框内的数字是线性外推值表2-6 开关特性*典型值在T=25℃条件下测得** C PD为空载功率消耗电容,决定空载动态功耗和空载电流功耗三、实验设备与器件设备:数字电子技术实验箱、万用表、电流表、示波器器件:74LS00(74HC00) 一片(四个2输入与非门)四、实验内容及步骤(一)TTL与非门测试1.验证TTL与非门逻辑功能(1)任意选择其中一个与非门进行实验。
将与非门的两个输入端分别接到两个电平开关上,输出端接到一个电平指示灯发光二极管上(电平指示灯接高电平时点亮),接通电源,操作电平开关,完成真值表——表2.7。
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• •
• •
二、CMOS门电路系列及型号的命名法
CMOS逻辑门器件有三大系列: 4000系列、 逻辑门器件有三大系列 系列、 系列 1. 4000系列 系列 系列 2.5列出了 列出了4000系列 CMOS 系列 表2.5列出了4000系列CMOS器件型号组成符号及 74C××系列和硅氧化铝系列。 ××系列和硅氧化铝系列。 ××系列和硅氧化铝系列
2.2 TTL与非门的外特性与参数 与非门的外特性与参数 •
• 电压传输特性 一. 电压传输特性 TTL与非门电压传输特性是表示输出电压UO随输入 电压UI变化的一条曲线, 电压传输特性曲线大致分为四 段:如图2.2所示。
图 2.2TTL与非门电压传输特性 (a) 测试电路示意图; (b) 曲线
符号 意义 符号 意义
中国制造的 40 类型 美国无线电 45 公司产品 日本东芝公 145 司产品
• 表2.6列出了国外主要生产公司的产品代号。 列出了国外主要生产公司的产品代号。 列出了国外主要生产公司的产品代号
几家国外公司CMOS产品代号 表2.6 几家国外公司 产品代号 国别 美国 公司名称 美国无线电公司 摩托罗拉公司 国家半导体公司 德克萨斯仪器公司 东芝公司 日立公司 富士通公司 飞利浦公司 密特尔公司 简 称 RCA MOTA NSC TI TOSJ
CT 中国制造 54 的TTL类 类
S N
美国 TEXAS 公司
74
0~+70℃ ~ ℃
LS AS ALS FAS
• 例如: CT 74 H 10 ___ F ___ ___ ___ ___ • • • •
封装形式: 封装形式: 全密封扁平封装 器件品名: 器件品名: 三3输入与非门 输入与非门 器件系列: 高速 器件系列: 高速 温度范围: 温度范围: 0~+70℃ ℃ 中国制造: 中国制造 TTL器件
(5) 输入短路电流 IS:当UI=0时,流经这个输入端的电流 输入短路电流I 时 称为输入短路电流I 称为输入短路电流 IS。输入短路电流的典型值约为 -1.5mA。 (6) 输入漏电流 IH:当UI>Uth时, 流经输入端的电流称为输 输入漏电流I 入漏电流IIH, 即T1倒置工作时的反向漏电流。其值很小, 倒置工作时的反向漏电流。其值很小, 入漏电流 约为10µA。 。 约为 (7) 扇出系数 O:扇出系数是以同一型号的与非门作为 扇出系数N 负载时,一个与非门能够驱动同类与非门的最大数目, 负载时,一个与非门能够驱动同类与非门的最大数目,通 常NO≥8。 。
(8)平均延迟时间 pd:平均延迟时间指输出信号滞后于 )平均延迟时间t 输入信号的时间,它是表示开关速度的参数,一般, 输入信号的时间,它是表示开关速度的参数,一般 TTL与非门 与非门 tpd为3~40ns。 ~ 。 是指输入端全部悬空( (9)空载导通电源电流 CCL:是指输入端全部悬空(相当于输 )空载导通电源电流I ),与非门处于导通状态时 入1),与非门处于导通状态时,电源提供的电流。 ),与非门处于导通状态时,电源提供的电流。 是指输入端接低电平、 (10)空载截止电源电流 CCH:是指输入端接低电平、输出端开 )空载截止电源电流I 路时,电源提供的电流。 路时,电源提供的电流。 (11)空载导通功耗 ON和空载截止功耗 OFF:将ICCL和ICCH分 )空载导通功耗P 和空载截止功耗P 别乘以电源电压就得到P 别乘以电源电压就得到 ON和POFF,它们是衡量集成电路本身功 耗水平的参数。 耗水平的参数。 功耗积( 积):平均延迟时间与空载功耗的积 平均延迟时间与空载功耗的积。 (12)速度 功耗积(dp积):平均延迟时间与空载功耗的积。 )速度—功耗积 其值越小越好。 其值越小越好。
S3 D4 G3 P T3 D3 D2 N T2 G2 Y
S2
(a)
(b)
Y = A+ B
•
3. CMOS传输门 传输门 路和符号如图所示, 路和符号如图所示,
C T2 A S2 D1 T1 C C D2 S1 Y UO A TG Y +UDD C
• 传输门是数字电路用来传输信号的一种基本单元电路。其电 传输门是数字电路用来传输信号的一种基本单元电路。
主要参数 二. 主要参数 (1)输出高电平 OH和输出低电平UOL。 )输出高电平U 和输出低电平 电压传输特性曲线截止区的输出电压为U 电压传输特性曲线截止区的输出电压为 OH,饱和区的输出 电压为U 一般产品规定U 电压为 OL:一般产品规定 OH≥2.4V,UOL<0.4 V。 , 。 (2) 阈值电压 TH:电压传输特性曲线转折区中点所 ) 阈值电压U 对应的输入电压为U 也称门槛电压。一般TTL与非门 对应的输入电压为 TH,也称门槛电压。一般 与非门 的UTH≈ 1.4V。 。 和开门电平 (3)关门电平UOFF和开门电平UON:保证输出电平为 )关门电平 额定高电平( 左右) 允许输入低电平的最大值, 额定高电平(2.7V左右)时,允许输入低电平的最大值, 左右 称为关门电平U 通常U 称为关门电平 OFF。通常 OFF≈1V , 一般产品要求 UOFF≥0.8 V。保证输出电平达到额定低电平(0.3V)时, 保证输出电平达到额定低电平( ) 允许输入高电平的最小值,称为开门电平U 通常U 允许输入高电平的最小值,称为开门电平 ON。通常 ON≈1.4V, , 一般产品要求UON≤1.8 V。 一般产品要求 。
在实际应用中, (4) 噪声容限 NL、UNH:在实际应用中,由于外界干 ) 噪声容限U 电源波动等原因,可能使输入电平U 偏离规定值。 扰、电源波动等原因,可能使输入电平 I偏离规定值。为 了保证电路可靠工作,应对干扰的幅度有一定限制, 了保证电路可靠工作,应对干扰的幅度有一定限制,称为 噪声容限。它是用来说明门电路抗干扰能力的参数。 噪声容限。它是用来说明门电路抗干扰能力的参数。 输入低电平噪声容限U 是指在保证输出为高电平U 输入低电平噪声容限 NL:是指在保证输出为高电平 OH的前提 输入低电平的允许上限值U 与输入低电平( 下,输入低电平的允许上限值 ILmax与输入低电平(前级输出 低电平) 之差用U 表示: 低电平)USL之差用 NL表示 UNL = UILmax - USL 输入高电平噪声容限U 是指在保证输出为低电平U 输入高电平噪声容限 NH:是指在保证输出为低电平 OL的 前提下,输入高电平的允许下限值U 与输入高电平( 前提下,输入高电平的允许下限值 IHmin与输入高电平(前级标 准输出高电平) 准输出高电平)USH之差 UNH = UIHmin - USH
• 74C××系列有:普通 ××系列有 ××系列 ××系列有:普通74C××系列、高速 ××系列、
2.3CMOS集成门电路
•
MOS集成逻辑门是采用 集成逻辑门是采用MOS管作为开关元件的 集成逻辑门是采用 管作为开关元件的
数字集成电路。 它具有工艺简单、集成度高、 数字集成电路。 它具有工艺简单、集成度高、抗干扰 能力强、功耗低等优点, 门有PMOS、 NMOS和 能力强、功耗低等优点,MOS门有 门有 、 和 CMOS三种类型, CMOS电路又称互补 三种类型, 电路又称互补MOS电路,它 电路, 三种类型 电路又称互补 电路 突出的优点是静态功耗低、抗干扰能力强、工作稳定 突出的优点是静态功耗低、抗干扰能力强、 性好、开关速度高, 性好、开关速度高,是性能较好且应用较广泛的一种 电路。 电路。
•
VCC 4B 14
图2. 7所示是74LS00及74LS20管脚排列示意图。
4A 13 12
&
4Y 11
3B 10
3A 9 &
3Y 8
VCC 2D 14 13
3C 12
2B 11
NC 10
2A 9 &
2Y 8
74LS00 & &
74LS20 &
1 1A
2 1B
3 1Y
4 2A (a)
5 2B
6
型号前缀 CD×× ×× MC×× ×× CD×× ×× TP×× ×× TC×× ×× HD×× ×× MB×× ×× HFE×× ×× MD×× ××
日本
荷兰 加拿大
•
例如: 例如:
• ___ ___ 40 30 R CC ___ ___ • • • • • 2. 74C××系列 ××系列 ××系列 MOS74HC×× ××/HCT××系列及先进的 ××系列及先进的 ×× ×× CMOS74AC×× ××/ACT××系列。 ×× ×× ×× 系列。 表示温度范围: 表示温度范围: -55 ~ 85℃ ℃ 表示器件品种: 四- 2输入异或门 表示器件品种: 输入异或门 表示器件系列代号 表示器件系列代号 表示中国制造的CMOS器件 器件 表示中国制造的
1. 与非门
+UDD +UDD T4 T3 Y A T2 A S4 G4 D4 D2 G2 N T2 P T4 P S3 G3 T3 Y
D3
S2 D1 B T1 B G1 N T1 S1
(a)
Y = A⋅ B
(b)
2. 或非门
+UDD +UDD A T4 B B T3 Y T1 T2 D1 G1 S1 N T1 S4 A G4 P T4
三、TTL与非门产品介绍 与非门产品介绍
部分常 2.2所示。 所示。 所示
常用TTL门电路型号 表 2.2 常用 门电路型号 型 74LS00 74LS10 74LS20 74LS30 号 逻 辑 功 能 四-2输入与非门 输入与非门 三-3输入与非门 输入与非门 二-4输入与非门 输入与非门 8输入与非门 输入与非门
-55~+125V ~
第3部分 器件系列 符 号 H S 意义 标准 高速 肖特基
低功能肖特基 先进肖特基 先进低功能 肖特基 快捷肖特基