哈尔滨工业大学模电习题册完整答案
哈工大模电考试题及答案
一、 填空（16分）
1、在电流控制方式上，双极型晶体管是__电流控制电流源____型，而场效应管是__电压控制电流源___型；二者比较，一般的由_____场效应管___构成的电路输入电阻大。
2、放大电路中，为了不出现失真，晶体管应工作在___放大___区，此时发射结___正偏______，集电结___反偏______。
3、负反馈能改善放大电路性能，为了提高负载能力，应采用___电压___型负反馈，如果输入为电流源信号，宜采用___并联___型负反馈。
4、正弦波振荡电路应满足的幅值平衡条件是___AF=1____。RC 振荡电路、LC 振荡电路及石英晶体振荡电路中，___石英晶体振荡电路___的频率稳定性最好。
5、直流电源的组成一般包括变压器、_整流电路__、_滤波电路_和_稳压电路_。
6、下列说法正确的画√，错误的画×
（1）放大电路的核心是有源器件晶体管，它能够实现能量的放大，把输入信号的能量放大为输出信号的能量，它提供了输出信号的能量。
（ × ）
（2）共集组态基本放大电路的输入电阻高，输出电阻低，能够实现电压和电流的放大。
（ × ）
（3）图1所示的文氏桥振荡电路中，对于频率为01
2f RC
π=的信号，反馈信
号U f 与输出信号U o 反相，因此在电路中引入了正反馈环节，能产生正弦波振荡。
（ × ）
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图1
试 题： 班号： 姓名：
二、（18分）基本放大电路及参数如图2所示，U BE =0.7V ，R bb ’=300Ω。回答下列各问： （1） 请问这是何种组态的基本放大电路？（共射、共集、共基） （2） 计算放大电路的静态工作点。 （3） 画出微变等效电路。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件
1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：
二极管正偏时，T
D U U S e
I I ≈ ， S
T D I I ln
U U ≈ 对于硅管：mV 6.179A
1mA
1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA
5.0mA
1ln mV 26U D =≈
1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。 （1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？
（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：
（1）mA 2.7e 10
1.0e
I I mA
26mA 65012
U U S T
D =⨯⨯=≈-
（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则
pA
107.72101.02)27(I )10(I pA
6.12101.02)27(I )67(I 3
7.31210
27
10S
S 41210
2767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=
T=300k(即27℃)，
300
26q K mA 26300q
K
q KT )27(U T ==⨯==即
则67℃时，
mA
7.716pA 107.7mA
2.7ln 8.22U ,C 10mA
7.655pA
6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV
8.22263300
26
)10(U mV 5.2934030026
(完整版)哈工大模电习题册答案
【2-1】 填空：
1．本征半导体是 ，其载流子是 和 。两种载流子的浓度 。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。
3．漂移电流是 在 作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是 ，与此有关的两个主要参数是 和 。
5．稳压管是利用了二极管的 特征，而制造的特殊二极管。它工作在 。描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是 、 、 、和 。 6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 。
1. 完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。
2. 杂质浓度，温度。
3. 少数载流子，(内)电场力。
4. 单向导电性，正向导通压降U F 和反向饱和电流I S 。
5. 反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（U Z ），工作电流（I Emin ），最大管耗（P Zmax ）和动态电阻（r Z ）
6. 增大;
【2-2】电路如图2.10.4所示，其中u i =20sinωt (mV)，f =1kHz ，试求二极管VD 两端电压和通过它的电流。假设电容C 容量足够大。
-
+-
+C R
+k 5ΩV 6i
u VD
+-
D u D
i a)
(
图2.10.4 题2-5电路图
1．静态分析
静态，是指u i =0，这时u i 视作短路，C 对直流视作开路，其等效电路如图1.4.2(a)所示。不妨设U D =0.6V
则
D D 6V (60.6)V
1.08mA 5k
U I R --=
==Ω 对于静态分析，也可以根据二极管的伏安特性曲线，用图解法求解。 2．动态分析
模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件
1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小
(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83
B.91
C.100
(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；
B.不变；
C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电
压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2
解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的
波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.3
1.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？
解：二极管的直流电流
()/ 2.6D D I V U R mA =-=
其动态电阻:
/10D T D r U I ≈=Ω
故动态电流的有效值：/1d
i D I U r mA =≈
模拟电子技术 课后习题及答案
第一章 常用半导体器件
自 测 题
一、判断以下说法是否正确，用“√〞和“×〞表示判断结果填入空内。 〔1〕在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。〔 〕 〔2〕因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。〔 〕
〔3〕PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。〔 〕
〔4〕处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。〔 〕 〔5〕结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。〔 〕
〔6〕假设耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，那么其输入电阻会明显变小。〔 〕
解：〔1〕√ 〔2〕× 〔3〕√ 〔4〕× 〔5〕√ 〔6〕×
二、选择正确答案填入空内。
〔1〕PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄
B. 根本不变
C. 变宽
〔2〕设二极管的端电压为U ，那么二极管的电流方程是 。
A. I S e U
B. T U U I e S
C.
)1e (S －T
U U I
〔3〕稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通
B.反向截止
C.反向击穿
〔4〕当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
〔5〕U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管
B. 增强型MOS管
C. 耗尽型MOS管
解：〔1〕A 〔2〕C 〔3〕C 〔4〕B 〔5〕A C
三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
模电课后习题完整答案
1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U 1=-5V ，U 2=2V ，U 3=U 4=-3V ，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？
解：元件上电压和电流为关联参考方向时，P=UI ；电压和电流为非关联参考方向时，P=UI 。P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。
P 1=-U 1×3= -（-5）×3=15W ； P 2=-U 2×3=-2×3=-6W ；
P 3=U 3×（-1）=-3×（-1）=3W ；
P 4=-U 4×（-4）=-（-3）×（-4）=-12W 。 元件2、4是电源，元件1、3是负载。
1.4 在题1.4图中，已知 I S =2A ，U S =4V 。
解：I=I S =2A ，
U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ，
U S 与I 为关联参考方向，电压源功率：P U =IU S =2×4=8W ，
U 与I 为非关联参考方向，电流源功率：P I =-I S U=-2×6=-12W ，
验算：P U +P I +P R =8-12+4=0
1.6 求题1.6图中的U 1、U 2和U 3。
解：此题由KVL 求解。
对回路Ⅰ，有： U 1-10-6=0，U 1=16V 对回路Ⅱ，有：
U 1+U 2+3=0，U 2=-U 1-3=-16-3=-19V 对回路Ⅲ，有：
U 2+U 3+10=0，U 3=-U 2-10=19-10=9V
验算：对大回路，取顺时针绕行方向，有：-3+U 3-6=-3+9-6=0 ，KVL 成立
1.8 求题1.8图中a 点的电位V a 。
模拟电子技术基础课后答案（完整版）
第三部分习题与解答
习题1
客观检测题
一、填空题
1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度
，而少数载流子的浓
度则与
温度
有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流大于
漂移电流，耗尽层变窄。当外加反向
电压时，扩散电流
小于
漂移电流，耗尽层
变宽。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子，空穴
为少数载流子。
二．判断题
1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以
P 型
半导体带正电，N 型半导体带负电。（×）
2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为
P 型半导体。（√）
3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（×）
4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（×）
5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（√ ）
6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。（×）
7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（×）
三．简答题
1、PN 结的伏安特性有何特点？
答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式
)1e
(I I T
V V
s D 表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压；
V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位
与
V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K 23
13810
，电子电量
)(C 10
60217731.1q 19
模拟电子技术课后习题及答案
第一章 常用半导体器件
自 测 题
一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）
（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）
（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。（ ）
（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）
解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×
二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U
B. T U U I e S
C.
)1e (S －T
U U I
（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通
B.反向截止
C.反向击穿
（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
（5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管
B. 增强型MOS管
C. 耗尽型MOS管
解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C
三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
第5章 习题解答 哈工大习题册
第5章 三相电路习题解答
5.1 今测得三角形联接负载的三个线电流均为10A ，能否说线电流和相电流都是对称的？若已知负载对称，试求相电流。
解：设负载线电流分别为A B C i i i 、、，由KCL 可得A B C 0I I I =++。又A B C 10A I I I ===，则A B C i i i 、、的相位彼此相差120︒，符合电流对称条件，即线电流是对称的。
但相电流不一定对称。例如，若在三角形负载回路内存在环流0I （例如，按三角形联接的三相变压器），则负载相电流不再对称，因为
AB AB 0BC BC 0CA CA 0',','I I I I I I I I I =+=+=+
不满足对称条件。而该环流对线电流却无影响，因为每个线电流都是两个相电流之差（如图题5.1），即
A A
B CA AB CA B B
C AB BC AB C CA BC CA BC '','',''I I I I I I I I I I I I I I I =-=-=-=-=-=-
A
B
C
图 题5.1
如已知负载对称，则相电流也是对称的，每相电流为10/ 5.77≈A 。
5.2 对称三角形联接的负载与对称星形联接的电源相接。已知负载各相阻抗为
(8j6)-Ω，线路阻抗为j2Ω，电源相电压为220V ，试求电源和负载的相电流。
'
Z
I C
B'Z l
(a)(b)
AN
U
解：负载化为星形联接法，得各相阻抗
(8j6)'33
Z Z -=
=Ω 设A 相电源相电压为2200∠，A 相负载线电流与电源相电流相等
AN A 220082.50A (8j6)Z
模电课后习题答案
题4.4电路如图所示，已知晶体管＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设VCC＝12V，晶体管饱和管压降UCES＝0.5V。
（1）正常情况（2）Rb1短路（3）Rb1开路
；
或，∵ VD1，VD2的阴极连在一起
∴ 阳极电位高的VD1就先导通，则A点的电位 ，
而
∴ VD2处于反偏而截止
图（d），断开VD1、VD2，
∵
；
∴ VD1、VD2均处于反偏而截止。
题3.2电路如题图所示，稳压管ＤＺ的稳定电压ＵＺ=8V，限流电阻Ｒ= ，设 ，试画出 的波形。
解：
分析：稳压管的工作是利用二极管在反偏电压较高使二极管击穿时，在一定的工作电流限制下，二极管两端的的电压几乎不变。其电压值即为稳压管的稳定电压Uz。而稳压管如果外加正向偏压时，仍处于导通状态。
（1）由于 是典型的差动减法电路，直接写出 与 、 的关系：
对 的分析用叠加原理：
单独作用，输出为
单独作用，输出为
综合：
所以
（2）
题2.5在题图所示电路中，已知uI1＝4V，uI2＝1V。回答下列问题：
图P7.19
（1）当开关S闭合时，分别求解A、B、C、D和uO的电位；
模电第5章习题解答 哈工大
g m Rd 1.1 1 g m ( Rs1 Rs2 )
3. 为求电压放大倍数，应先求跨导
图 5-5 的微变等效电路，如解图 5-5(b)所示。此可求出
Au
4. 求输入电阻和输出电阻
VDD Rg2 C1 Rg ui Rg1 Rs Rd C2
VT
RL Cs uo
图 5-6 题 5-6 电路图
解：
此题的场效应管为增强型，所以要用增强型的转移特性曲线方程
I DQ I DO (
U GSQ U GS(th)
1) 2
U GSQ U G US
VDD Rg2 Rg1 Rg2
U GSQ 2k I DQ
2 I DSS U (1 GS ) 1mS UP U GS(off)
gm
Au
g m Rd 1 10 3.33 1 g m Rs 1 1 2 Ri Rg 1M
Ro Rd 10k 3. 为显著提高|A u |，应在 R 两端并联旁路电容。
表510基本放大电路失真的判断pnpnpnccce下部截止失真上部饱和失真下部截止失真上部饱和失真下部饱和失真上部截止失真下部饱和失真上部截止失真511题图511所示电路中已知晶体管的100ubeq06vrbb100
第8章习题解答 哈工大模电
第8章 集成运算放大器和模拟乘法器
线性应用电路 习题解答
【8-1】在题图8–1所示的电路中，A 均为理想运算放大器。其中的题图（e ）电路，已知运放的最大输出电压大于U Z ，且电路处于线性放大状态。试写出各电路的输出与输入的关系式。
A
R
2R
u I
+
_u O +_
（a ） (b)
A
R 1R 2
I1u I2
u C
A
R
R
R /2
u I
+
_u O
+_
u O +_
(c) (d) (e)
图8–1题8-1电路图
解：
图（a ）：u O =-2u I 图（b ）： 2
O I 12
R u u R R =
⋅+
图（c ）：u O =-u I +2u I =u I 图（d ）：I1I2O 121()d u u u t C R R =-+⎰
图（e ）：当u I <0时， 2
O Z O 23
,R u U u R R =+
+ 故得2O 3(1)Z R u U R =+
【8-2】在题图8–2所示的增益可调的反相比例运算电路中，已知R 1＝R w =10kΩ、R 2=20kΩ、
U I =1V ，设A 为理想运放，其输出电压最大值为±12V ，求：
1． 当电位器R W 的滑动端上移到顶部极限位置时，U o =? 2． 当电位器R W 的滑动端处在中间位置时，U o =? 3． 电路的输入电阻R i =？
图8–2题8-2电路图
解： 1.
I O1W O W O O112W W W
-00-,U U R U R U
U R R R R R ''''==='''+
2O O1I 1
2V R
U U U R ==-⋅=-
2. O O124V U U ==-
哈工大模拟电子技术基础习题册
模拟电子技术基础习题册
班级：XXXX
姓名：XXXX
学号：XXXXXX
XXX年XXX月
1 模拟电子技术基础习题册
第一章：基本放大电路习题
1-1 填空：
1．本征半导体是纯净的晶体结构的半导体，其载流子是自由电子和空穴。载流子的浓度相等（空穴与自由电子数目相等）。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂，而少数载流子的浓度则与温度_有很大关系。
3．漂移电流是少数载流子在电场力作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是PN结具有单向导电性，它的两个主要参数是
最大整流电流和最高反向工作电压。
5．稳压管是利用了二极管的反向击穿陡直的特征，而制造的特殊二极管。它工作在反向击穿区。描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是稳定工作电压、稳定工作电流、额定功率、和动态电阻。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将升高。
7．双极型晶体管可以分成PNP型和NPN型两种类型，它们工作时有空穴
和电子两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成结型场效应管和绝缘栅场效应管两种类型，它的导电过程仅仅取决于多数载流子的流动；因而它又称做单极性晶体管器件。
9．场效应管属于-----电压控制电流控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。
10．当温度升高时，双极性三极管的β将增大，反向饱和电流I CEO增大正向结压降U BE降低。
11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出电位最为方便。
12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为发射结正偏和集电结反偏；饱和区，偏置为_发射结正偏和集电结正偏；截止区，偏置为发射结反偏和发射结反偏。
模拟电子技术课后习题及答案
模拟电子技术课后习题及答案
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第一章 常用半导体器件
自 测 题
一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。（ ）
（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）
（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）
（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。（ ）
（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）
解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×
二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U
B. T U U I e S
C.
)1e (S －T
U U I
（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通
B.反向截止
C.反向击穿
（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应
为。
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
（5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管
B. 增强型MOS管
C. 耗尽型MOS管
解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C
(完整版)哈工大(威海)模电习题册(二)答案
第二章 基本放大电路 ..................................................................................................... 1 第四章 集成运算放大电路 ............................................................................................. 8 第六章 放大电路中的反馈 ........................................................................................... 11 第八章 波形的发生和信号的转换 ............................................................................... 15 第十章 直流电源 .. (19)
第二章 基本放大电路
一． 已知图P2.10所示电路中晶体管的β ＝100，r b e =1k Ω。 （1）现已测得静态管压降U C E Q ＝6V ，估算R b 约为多少千欧；
（2）若测得i U &和o
U &的有效值分别为1mV 和100mV ，则负载电阻R L 为多少千欧？
图P 2.10
解：（1）求解R b
Ω
≈-=
==
=-=
k 565μA
20mA
2BQ
BEQ
CC b CQ
BQ c CEQ
CC CQ I U V R I I R U V I β
模拟电子技术(黑龙江联盟)智慧树知到答案章节测试2023年哈尔滨工程大学
绪论单元测试
1.工作在放大状态的某NPN晶体管，各电极电位关系为（）。
A:VC<VB<VE
B:VC<VEVB>VE
D:VC>VE>VB
答案:C
2.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是_______。
A:电源电压太高
B:晶体管参数随环境温度的变化而变化
C:电压放大倍数太高
D:晶体管的电流放大系数太大
答案:B
3.在单级放大电路中，若输入电压为余弦波形，用示波器同时观察输入ui和
输出uo的波形。当CB电路时，，ui和uo的相位________。
A:不确定
B:反相
C:相差90º
D:同相
答案:D
4.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的（）。
A:抑制共模信号能力增强
B:差模输入电阻增大
C:差模放大倍数数值增大
D:抑制共模信号能力减小
答案:A
5.多级放大电路的初级一般采用（）
A:分压偏置式放大电路
B:功率放大电路
C:差动放大电路
D:共射极放大电路
答案:C
第一章测试
1.二极管的重要特点之一为（）
A:导电性能一般
B:单向导通性
C:导电性能强
D:不导电
答案:B
2.稳压二极管主要用途是（）
A:稳压
B:限流
C:放大
D:稳流
答案:A
3.常见的彩灯采用的是（）管
A:光电耦合器件
B:光敏三极管
C:发光二极管
D:激光二极管
答案:C
4.三极管是（）器件
A:电压控制电压
B:电流控制电流
C:电压控制电流
D:电流控制电压
答案:B
5.三极管静态工作点Q点过高，容易引起（）失真
A:截止
B:饱和
C:大信号
D:交越
答案:B
6.场效应管是
A:电压控制电压
B:电流控制电流