模电试题及答案

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模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术

第1章半导体二极管及其基本应用

1．1 填空题

1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。

3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。

4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。

5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。

8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。

1．2 单选题

1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。

A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷

2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。

A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子

3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。

A．减小 B．基本不变 C．增大

4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。

A．增大 B．基本不变 C．减小

5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、

A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器

1．3 是非题

1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ )

2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × )

模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)

《模拟电子技术》复习试题一

一、填空（每空1分，共20分）

1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。

2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。

3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。

4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。

5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，

T接成共基

组态，

T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基极偏

置。

6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。

7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。

8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。

二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）

1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示

（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极；答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极

1分，共3分）

（2）估算(b)图晶体管的β和α值。

601.06===

B C I I β， 985.01≈+=β

βα （各1分，共2分）

2.电路如图3所示，试回答下列问题

（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？

R应如何接入？（在图中连接）

(完整版)模拟电路试卷及答案(十套)

模拟综合试卷

一. 填充题

1集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是 a , b 。2•通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b

。

3. 在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大

电路的输入电阻。

4. 一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。

5. 工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工

作于甲乙类时，导通角为。

6. 甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般

功率输出级应工作于状态。

7. 若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压U ii =U2,则输出电压为—匚; 若山=1500皿U i2=500N,则差模输入电压u id为N,共模输入信号u ic为V

8 .由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻

较。

9. 晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。

10. 在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。

频带最宽的是组态。

二. 选择题

1 .晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的B，I CBO U BE的变化情况为（

）。

)

A.B 增加，I CBO 和u BE 减小

B. B 和I CBC 增加，U BE 减小

C.B 和U BE 减小，I CBO 增加

D. B 、I CBC 和U BE 都增加 2. 反映场效应管放大能力的一个重要参数是（

模电试题及答案(大学期末考试题).

《模拟电子技术》模拟试题一

一、填空题：（每空1分共40分）

1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。

2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电

压（）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻

为（），等效成断开；

4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用

（）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），

（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大

小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；

OTL电路是（）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，

所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路

中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息

模电习题库及答案

一、填空题

1、P型半导体多数载流子为空穴，而N型半导体的多数载流子为

电子。

2、为了使三极管具有放大作用，要求外加电压保证发射结正偏，集电结反偏。

3、甲类功放电路管子的导通角为2π，乙类功放电路管子的导通角为

π。

4、同相比例运算电路可实现Au>1的放大器；反相比例运算电路可实现Au<0的放大器。

5、差分放大电路能够放大差模信号，而抑制共模信号。

6、在具有反馈的放大电路中，如果令输出电压0

u，反馈信号消失，说明它

的反馈类型属于电压反馈，否则就是电流反馈。

7、在某个信号处理系统中，要求让输入信号中的10～15

KH信号通过，应该选

用带通滤波器，如果要抑制20～30

KH的干扰信号，不使其通过可采

用带阻滤波器。

8、振荡电路的自激振荡条件中，幅值平衡条件为AF=1，相位平衡条件为：

ψa+ψf=2nπ。

u的幅值又相对较大，则很容易引9、当静态工作点Q的位置偏低，而输入电压

u的幅值又起截止失真，当静态工作点Q的位置偏高，而输入电压

相对较大，则很容易引起饱和失真。

10、正弦波振荡电路由放大器、正反馈网络和选频网络和稳幅环节四部分构成。

11、PN结外加正向偏置电压时，在外电场的作用下，空间电荷区的宽度要变窄，于是多子的扩散运动将增强。

12、当三极管工作在放大区（线性区）时，集电极电流的变化基本与Uce

无关，而主要受 Ib 的控制。

13、半导体中的载流子为电子和空穴。

14、三极管根据结构不同可分成PNP型和NPN 型。

K等于差模放大倍数与共模放大倍数之比的绝对值，15、共模抑制比

CMR

模电试题库和答案解析

模拟电子线路随堂练习

第一章半导体器件

作业1-1

一、习题（满分100分）

1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（）

2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（）

3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（）

4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（）

5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（）

6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（）

7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（）

8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（）

9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（）

10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（）

11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。

A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同

B.空穴增多，自由电子数目不变

C.自由电子增多，空穴不变

D.自由电子和空穴数目都不变

12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。

A.阻当层不变，反向电流基本不变

B.阻当层变厚，反向电流基本不变

C.阻当层变窄，反向电流增大

D.阻当层变厚，反向电流减小

一、习题（满分100分）

1.N型半导体（）。

A.带正电

B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定

2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。

A.正常

B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路

3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。

A.正向偏置时导通，反向偏置时截止

B.反向偏置时无电流流过二极管

C.反向击穿后立即烧毁

模拟电子技术试卷五套(含答案)

模拟试卷一

一、填空(16分)

1．半导体二极管的主要特性是___________ 。

2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。

3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。

4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。

5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。

6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。

二、选择正确答案填空(24分)

1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，V，则这只三极管是( )。

A．NPN 型硅管B．NPN 型锗管C．PNP 型硅管D．PNP 型锗管

2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。

A．P沟道增强型MOS管

B．P沟道结型场效应管

C．N沟道增强型MOS管

D．N沟道耗尽型MOS管

3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。

A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。

B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。

C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。

(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一

一、填空题

1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由，，和

四部分组成。

二、选择题

1、利用二极管的（）组成整流电路。

A 正向特性

B 单向导电性C反向击穿特性

2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑

3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型

B P沟道耗尽型MOS型

C N沟道增强型MOS型

D N沟道耗尽型MOS型

E N沟道结型

F P沟道结型

图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ

B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ

C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ

D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。 A 可能 B 不能

模电优秀试题含答案

模拟电子技术练习题

1、差动放大器与其它放大器相比，其特点是能（）。

A ．克服温漂

B ．稳定放大倍数

C ．提高输入电阻 D.扩展通频带 2、FET 是（）控制器件。

A.电流

B.电压

C.电场

D.磁场

3、对某一级晶体管放大电路，要其对前一级的影响小（吸取的电流小），对后级带负载能力强，宜采用（）。

A.共基极放大电路

B.共发射极放大电路

C.共集电极放大电路

D.以上电路都可以 4、要制作频率非常稳定的测试用信号源，应选用（）。

A..RC 桥式正弦波振荡电路

B..LC 正弦波振荡电路

C.石英晶体正弦波振荡电路

D.以上电路都可以

5、对甲乙类功率放大器，其静态工作点一般设置在特性曲线的v 。

A.放大区中部

B.截止区

C.放大区但接近截止区

D.放大区但接近饱和区 6、负反馈放大电路的一般表达式为.

A A A f +=

，当11.

.>+F A 时，表明放大电路引入了（）。

A ．负反馈

B ．正反馈

C ．自激振荡 D.干扰

7、已知输入信号的频率为10KHZ~12KHZ ，为了防止干扰信号的混入，应选用（）滤波电路。 A ．高通 B ．低通 C ．带通 D.带阻

8、负反馈放大电路产生自激振荡条件是（）。

A ．1..=F A

B ．1..-=F A

C ．1.

.>F A D. 1.

F A 9、在OCL 乙类功放电路中，若最大输出功率为1W ，则电路中功放管的集电极最大功耗约为（）。

A ．1W

B ．0.5W

C ．0.2W D.无法确定 10、PN 结外加正向电压时，其空间电荷区（）。

模电考试试题10套和答案(打印版)

坑爹的模电

试卷编号01

………………………………………………………………………………………………………………

一、填空（本题共20分，每空1分）：

1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。

2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。

4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。

5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。

6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。

7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。

8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为__________之比。

9．某放大电路的对数幅频特性如图1所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。

图1

二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）：

模电试题及答案(大学期末考试题)

《模拟电子技术》模拟试题一

一、填空题：（每空1分共40分）

1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）

导电性。

2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温

度）有关，而与外加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0），等效成一条直线；当其

反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；

4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）

放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳

定交流输出电流采用（串联）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路

的放大倍数AF=（1/F）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），

（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，

而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互

补功率放大器。

13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；

OTL电路是（）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻

（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

《模电》经典题目,含答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案

试卷三及其参考答案

试卷三

一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号）（共16分）

1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）

a. 输入电阻大

b. 输入电阻小

c. 输出电阻大

d. 输出电阻小

2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。

a. 放大倍数越稳定

b.交流放大倍数越大

c. 抑制温漂能力越强

d. 输入信号中的差模成分越大

3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。

a. 变宽

b. 变窄

c. 不变

d. 与各单级放大电路无关

4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。

a. 43dB

b. 40dB

c. 37dB

d. 3dB

图1-4 图1-5

5．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。

a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡

b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡

c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡

d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡

6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。已知静态时，V o =V c1－V c ２＝０，设差

模电压增益100vd =A ，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（）。

a. 125mV

b. 1000 mV

c. 250 mV

d. 500 mV

图1-6 图1-7

模拟电路考试题和答案

一、选择合适的答案填空。(共10小题，每小题2分，共20分)

1、当稳压管在正常稳压工作时，其两端施加的外部电压的特点为( )。

A、反向偏置但不击穿

B、正向偏置但不击穿

C、正向偏置且被击穿

D、反向偏置且被击穿

2、双极型晶体管工作在饱和区的偏置条件是( )。

A、发射结正偏;集电结正偏

B、发射结正偏;集电结反偏

C、发射结反偏;集电结正偏

D、发射结反偏;集电结反偏

3、 UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有( )。

A、结型管

B、增强型MOS管

C、耗尽型MOS管

D、以上三者都正确

4、在同时比较三种基本放大电路的特点时，下列描述正确是( )。

A、共射电路的Ri最小

B、共集电路的RO最小

C、共基电路的Ri最大

D、共射电路的RO最小

5、当我们在电路中引入电压并联负反馈后，与基本放大器的'输入、输出电阻相比，反馈放大器的输入、输出电阻的变化是( )。

A、输入电阻增大，输出电阻增大

B、输出电阻增大，输入电阻减小

C、输入电阻减小，输出电阻减小

D、输入电阻减小，输出电阻增大

6、欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入( )。

A、电压串联负反馈

B、电压并联负反馈

C、电流串联负反馈

D、电流并联负反馈

7、集成运放的输入级采用差动放大电路的目的是( )。

A、提高电压放大倍数

B、抑制零点漂移

C、提高输入电阻

D、以上三者都正确

8、集成运放的输入级广泛采用了差分放大电路，它能有效放大的应该是( )。

A、差模信号

B、共模信号

C、既有差模信号，又有共模信号

D、以上三者都正确

模电复习题 - 答案

C.隔交流通直流
D.隔交流和直流
40. 放大电路设置偏置电路的目的是( C )。
A.使放大器工作在截止区，避免信号在放大过程中失真；
B.使放大器工作在饱和区，避免信号在放大过程中失真；
C.使放大器工作在线性放大区，避免放大波形失真；
D.使放大器工作在集电极最大允许电流 ICM 状态下； 41. 差模输入信号是差动放大电路两个输入端信号的( B )。
B.提高共模电压放大倍数
C.提高共模抑制比
D.提高差模输出电阻
21. 甲乙类功放电路的效率最大可达（ B ）。
A.25%
B.78.5%
C.50%
D.90%
22. 要减小放大器的输入电阻及减小输出电阻，应采用（ B ）负反馈放大电路。
A.电流并联
B.电压并联
C.电流串联
D.电压串联
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23. 差分放大电路由双端输入变为单端输入，则差模电压增益（ B ）。
以获得稳定的闭环增益。 ( ) 57. 乙类互补对称电路，其功放管的最大管耗出现在输出电压幅度约为 0.6VCC 的时候。 ( ) 58. 负反馈放大电路的反馈系数|��̇ |越大，越容易引起自激振荡。 ( ) 59. 同类晶体管（例如都是 NPN 管）复合，由于两管的 UBE 叠加，受温度的影响增大，所以它产生的漂
B.共集电极放大电路

(完整版)模拟电子技术测试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一

一、填空题：（每空1分共40分）

1、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。

2、漂移电流是温度电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为0，等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为

无穷，等效成断开；

4、三极管是电流控制元件，场效应管是电压控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变小，发射结压降不变。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是共基、共射、共集放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用电压并联负反馈，为了稳定交流输出电流采用

串联负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=1/（1/A+F），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=1/ F。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW，其中BW=fH –fL，

1+AF称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号，而加上大小相等、

极性相反的两个信号，称为差模信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真，而采用甲乙类互补功率放大器。

13、OCL电路是双电源互补功率放大电路；

OTL电路是单电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1，输入电阻大，输出电阻小等特点，所

以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制零点漂移，也称温度漂移，所以它广泛应用于集成电路中。

模电试题及答案

【注意】本文为正文部分，不再重复题目或其他内容。

第一部分选择题

1. 在放大器输出四个限制区域中，是导通区域导通时间应该：

A. 最短

B. 最长

C. 平均

D. 都有可能

答案：A. 最短

2. 当晶体管工作于放大区时，其发射极电流的变化范围为：

A. 0% - 50% Ib

B. 50% - 100% Ib

C. 100% - 150% Ib

D. 150% - 200% Ib

答案：B. 50% - 100% Ib

3. 一般晶体管的集电极输出电流最大值不能超过：

A. 0.1 A

B. 1 A

C. 10 A

D. 100 A

答案：C. 10 A

4. 常用的信号源与功放级之间接驳的方式主要有：

A. 直接耦合

B. 变压器耦合

C. 阻容耦合

D. 全部都包括

答案：D. 全部都包括

第二部分填空题

1. 运算放大器最基本的运算电路是________。

答案：差动放大器

2. 参数作动元件的变量之间的关系可以用________描述。答案：函数

3. 双稳态多谐振荡电路的输出波形为________。

答案：方波

4. 端子触发器是一种________。

答案：数字电路

第三部分简答题

1. 请简要介绍运放的基本性质和特点。

答案：运放是一种高增益的电子放大器，具有输入阻抗高、输出阻抗低的特点，可以实现线性放大、滤波、求和等功能。

2. 请简述大信号放大器和小信号放大器的区别。

答案：大信号放大器可以在放大器中处理大幅度的输入信号，输出信号可以是负载的整个动态范围；小信号放大器则处理小幅度的输入信号，输出信号通常只在线性范围内变化。