SiGe半导体推出用于移动设备基于硅技术的集成式WiFi TM前端IC
SiGe半导体推出采用小型QFN封装的更高效第二代WiMAX功率放大器
彭 力 （９ ８ ） 男，湖南临湘人 ， １５．，
１ ８ 毕 业 于 西 北 电讯 工程 学 院 ，现 ９ ２年 工 作于 中 国 电子 科 技 集 团 公 司 第 ５ ８研 究 所 ，多 年 来从 事 掩 模 工 艺 技 术 研 究 。
信 息 报 一道
ＳＧｅ半导体 推 出采用 小型 Ｑ Ｎ封 装 的更高 效第 二 代 Ｗｉ ｉ Ｆ ＭＡＸ功 率放 大器
作者简 介 ：
（ ）设计 Ｃ ２ Ｄ：０１ ；相移掩模 Ｃ ．８ Ｄ：０１ ．８±０ ３ ． ； ０ Ｃ Ｄ平均值 ：± ０ ３ ． ；套准 （ ０ 与第一 层） ：±００ ；缺 ． ４ 陷尺寸 ： ．５ ＜０ ；相位 角 （ Ｓ ：１０± ３ ，相移误 ２ Ｐ Ｍ） ８ 。
差 ： ± ３ ；微 粒 控 制 如 表 ２所 示 。 ％
全球领 先的硅 基射频 （ ＲＦ）功 率 放 大 器 和 前 端 模 块 （Ｅ ） 应 商 ＳＧｅ 导 体 公 司 进 一 步扩 展 其 功 率 放 大 器产 ＦＭ 供 ｉ 半
品 系 列 ，推 出能 够 覆 盖 ２３ ｚ ２４ ｚ ２５ Ｈｚ ２７ Ｈｚ ． ＧＨ ～ ．ＧＨ 和 ．Ｇ － ．Ｇ
放大器产品 ， 并且在 ３ ×３ ｍ ． ｍｍ ｍ ＸＯ６ ｍｍ四方扁平无针脚 （ Ｎ）封装 内整 合了步进衰减 器、功率 检测 器和谐波 滤波 ＱＦ
络覆盖范 围并 降低数据 速率 。 ຫໍສະໝຸດ （ 本刊 通 讯 员） ． ．
４ ． ５．
第 １ 第 ９期 ０卷
彭 力 ，陈友篷 ，尤 春 ，等 ：先进 相移 掩模 （ Ｍ ）工 艺技 术 ＰＳ
１ ’ｎ－ ２×１ ・ｍ ０ ｃｌ － ０ ｃ 中选择一组值 ，特定显影液 ，
用 ＡＳ ５ ０ 工 艺 处 理 设 备 显 影 大 约 ２ ｍｉ，进 行 后 处 Ｐ ５０ ０ ｎ 理 ，然 后 进 入 下 一 步 。
基于硅基集成的可重构微波光子前端
基于硅基集成的可重构微波光子前端霍元东;于鸿晨;陈明华【摘要】针对下一代无线通信网络需求提出了一种基于硅基集成的微波光子前端,它可以实现多波段、可重构和软件定义的微波光子信号处理.设计并实现了一种微波光子前端芯片,并初步测试了其性能,它可以实现可调谐上下变频和微波信号处理功能.【期刊名称】《中兴通讯技术》【年(卷),期】2018(024)004【总页数】4页(P42-45)【关键词】硅基集成;微波光子;射频前端【作者】霍元东;于鸿晨;陈明华【作者单位】清华大学,北京 100084;清华大学,北京 100084;清华大学,北京100084【正文语种】中文【中图分类】TN929.5随着5G移动互联网逐步走向应用，下一代移动互联网对微波前端提出了更高要求，包括更高频点的采用、多波束指向和适用多种调制格式，甚至要求实现多点无线资源协同。
这主要体现在需要一种可以实现多波段、可重构和软件定义的微波前端，且工作波段向微波毫米波段扩展。
在这种发展态势下，大频率覆盖范围的微波前端在下一代移动互联网、软件无线电和宽带泛在无线接入与感知等方面将有重要应用。
对频率范围从1 GHz到几十吉赫兹的微波信号进行处理是相当困难的，甚至在机理上也是不现实的。
这是因为1 GHz波段和20～60 GHz波段使用的电子元件是截然不同的，很难实现跨多波段的可调谐与可重构的微波信号处理。
同时，射频前端的动态范围也是限制无线系统性能进一步提高的重要因素之一。
受限于模拟信号处理所依托的电子元器件的机理性限制，在可预见的未来，采用电子信号处理技术的射频前端很难实现频率从1 GHz到几十吉赫兹的微波信号处理。
微波光子技术是在光域上处理微波信号的前沿光电子技术，它为解决以上技术难题提供了新的思路[1]：首先，常用的1 550 nm光波长处1 nm带宽约125 GHz，已足以覆盖全波段微波波段，从而实现全波段可调谐微波光子信号处理；其次，光波频率比微波频率高3～4量级，利用光生微波技术较容易实现微波与毫米波信号；再次，光域上可以实现超低损耗的超宽带真时延，有利于微波信号的相参处理；最后，微波光子技术其潜在的高线性特征有助于构建大动态范围的微波光子系统。
SiGe半导体在微电子技术发展中的重要作用
收稿日期:2019-04-30作者简介:龙炬泉(1984—),男,广东肇庆人,本科,毕业于华南理工大学,电子工程师,研究方向:智能硬件、电子电路。
0 引言在半导体行业发展初期,以仙童半导体为主要代表的硅谷半导体企业都着重研究硅(Si)的半导体性能以及其在晶体管、集成电路中的有效应用。
从Si技术中衍生而来的SiGe半导体得到了有效的开发利用,SiGe半导体是将硅片的性能进行了改变,采用的手段多为能带工程以及应力工程等,在使用过程中满足硅半导体通用的易加工特点,应用前景广泛,在微电子技术领域尤其是集成电路中能够发挥出重要价值。
1 SiGe半导体在双极性晶体管中的应用1.1 双极性晶体管介绍双极性晶体管指的是在源漏电极沟道内既可以通过电子传输也可以进行空穴传输的晶体管,通常而言,这类晶体管的功耗大且工作频率高、噪声小,在高频模拟电路中有着重要的应用价值。
但是,双极性晶体管由于半导体材料的限制,在应用到高频模拟电路中时存在着一系列问题,很难保证信号传输的超高频和超高速,这是因为双极性晶体管本身就存在着很多固有的限制,同时,由于双极性晶体管在提高基区掺杂浓度以及基区宽度方面有很大的技术限制,使得基极电阻做不到极低的程度,这也使得BJT达不到高频模拟电路关于低噪声的要求[1]。
为了提高双极性晶体管BJT在高频模拟电路中的应用,科学家提出异质结双极性晶体管来克服原有晶体管的问题。
异质结双极性晶体管HBT采用的半导体材料其禁带宽度通常较大,要在基区禁带宽度之上,因此在使用时可以采用异质结发射的方式工作。
与BJT相比,异质结的采用使得HBT能够保持较高的发射结注射速率,并且在此前提下使得基区掺杂浓度提高,发射区掺杂浓度降低,如此便可实现对器件基区宽度的调整效应的减弱,在器件工作时,基极电阻减小并且发射结势垒电容降低、基区渡越时间也能够更好的控制,有效实现了超高频、超高速以及低噪声的高频模拟电路工作要求。
1.2 基于SiGe半导体的异质结双极性晶体管SiGe半导体主要用于HBT中基区材料使用,而发射区用的半导体材料选择Si,因此基于SiGe半导体的HBT内部存在着Si/SiGe异质结。
SiGe半导体推出第二代WiMAX功率放大器SE7271T
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个共 同研究 的 课题 和研 究人 员互 访及 学生 交 流 的
发中心 ， 纳米技术实验室 、 微系统信息 网研发 中心 、
源科 学 与技术 研究 室 、 宽带无 线 移动 通信 研究 室 ； 六个 与地方 共建 的 中心 ： 上海微 小 卫星 工程 中心 、 上 工程 中心 、中国科学 院无 锡 高新 微纳传 感 网工 程技 术研发 中心 、 中国科 学 院 南 京宽 带 无线 移 动通 信 研 充中心 、中科 院杭 州射 频识 别技 术研 发 中心 。上 海 教系统 所拥 有 硅 ＭＥ ＭＳ加 工 和封 装 、 合 物半 导 体 化 ｌ料 ＭＢ 才 Ｅ生 长和半 导体 器件 研 制 、 系统 网络设计 微 阳测 试 等技 术 平 台 、 以及 微 系统 、 结 构 器件 、 导 微 半
材 料
Hale Waihona Puke 【】 集 成 电 路 ｌ国
Ｃ ｈｉ ｎａ ｎｔ Ｉ ｅｇ ｒ ｅｄ ｉｃｕ ｉ ａｔ Ｃ ｒ ｔ
哑
常常说 的一 句话 。他总 想 提醒大 家 ，中国跟 世界 顶 尖水 平 还 有 差距 —— 实 现零 的 突破 只 是第 一 步 ， 世 界顶 级才 是应 该 瞄准 的理想 境界 。 ２０ ０ ７年 １ ， 曦 出任 中科 院上 海微 系统 所 党 月 王 委书记 ， 新傲 公 司董 事长 ， 的主要 精力 也 转到 了 兼 他 研究 所 的未来 发展 上 。 曦对 记 者说 ： 我们 研究 所 王 “ 面向国家 战略需 求 ， 向世 界科学 前沿 ， 是要 培植 面 就 出更 多像新 傲 这样 的高 技术公 司 ！” 目前全 所共 有 ６个研 究 室 ：传感技 术 联合 国家 重点 实 验室 ， 系统技 术 国家级 重点 实 验室 、信 息 微 功能材 料 国家 重 点 实验 室 、 导 体 功能 薄 膜 工 程研 半
SiGe半导体在微电子技术发展中的重要作用
SiGe半导体在微电子技术发展中的重要作用【摘要】SiGe半导体在微电子技术中发挥着重要作用。
文章首先介绍了SiGe半导体的特性与优势，包括其高迁移率、低噪声等特点。
接着分析了SiGe半导体在集成电路、通信、射频技术和生物医学领域的应用，展示了其在不同领域的广泛应用前景。
结论部分强调了SiGe半导体在微电子技术发展中的重要性，指出其未来发展方向和在创新科技中的应用前景。
SiGe半导体的出色特性和多领域应用使其成为微电子技术领域的重要组成部分，具有巨大的发展潜力。
【关键词】SiGe半导体、微电子技术、特性、优势、集成电路、通信、射频技术、生物医学、重要性、未来发展方向、创新科技、应用前景1. 引言1.1 SiGe半导体在微电子技术发展中的重要作用SiGe半导体在集成电路中的应用广泛，包括高频、低功耗、高速数字电路和模拟电路等方面。
在通信领域，SiGe半导体在射频射频技术中的应用较为突出，可以实现高频率、高速度和高信号质量的传输，为通信设备的性能提升提供了有力支持。
在生物医学领域，SiGe半导体的高灵敏度和低噪声特性也被广泛应用于生物传感器和医学成像设备中，为医疗诊断和治疗提供了新的可能性。
SiGe半导体在微电子技术中的重要作用不可忽视。
随着科技的不断发展和创新，SiGe半导体有望在未来取得更大突破，为微电子技术的发展开辟新的道路。
在创新科技领域，SiGe半导体的应用前景也十分广阔，将为人类社会带来更多美好的未来。
2. 正文2.1 SiGe半导体的特性与优势SiGe半导体是一种由硅和锗元素构成的合金材料，具有许多优异的特性和优势，使其在微电子技术领域中广泛应用。
SiGe半导体具有较高的迁移率，这意味着电子在材料中的移动速度较快，可以提高集成电路的工作速度和性能。
SiGe半导体具有可调制的带隙能力，可以根据需要调节电子的能带结构，实现更灵活的器件设计。
SiGe半导体还具有良好的热稳定性和低功耗特性，适用于大规模集成电路的制造。
SiGe半导体在微电子技术发展中的重要作用
SiGe半导体在微电子技术发展中的重要作用1. 引言1.1 SiGe半导体的定义SiGe半导体是一种由硅和锗元素组成的半导体材料。
它具有硅的可控制性和易加工性，同时又具有锗的高迁移率和热导率，使得SiGe 半导体在微电子技术领域发挥了巨大的作用。
SiGe半导体的晶格常数介于硅和锗之间，可以实现硅和锗之间的异向性生长，从而实现硅基芯片上的异质集成。
SiGe半导体的导电性能优异，适用于高频高速电路的设计，同时具有较低的功耗和较高的可靠性。
SiGe半导体还可以与传统的硅基芯片集成，实现更高性能的集成电路设计。
SiGe半导体的定义是一种能够结合硅和锗优势的半导体材料，具有广阔的应用前景和发展潜力。
1.2 SiGe半导体的优势1. 带宽和速度优势：SiGe半导体在高频率和高速度方面表现优异，具有较高的载流子迁移率和较低的载子寄生电容，能够实现更快的信号传输和处理速度。
2. 低噪声特性：SiGe半导体的低噪声性能使其在RF应用中表现出色，能够有效降低系统的整体噪声水平，提高信号的清晰度和稳定性。
3. 集成度优势：SiGe半导体可以实现与传统CMOS技术的集成，具有良好的兼容性，可以在同一芯片上实现多种功能模块的集成，提高了系统的整体集成度和性能。
4. 低功耗特性：由于SiGe半导体的高迁移率和低电阻特性，其功耗较低，能够降低系统的能耗，延长设备的续航时间。
SiGe半导体在微电子技术领域具有独特的优势，能够在射频集成电路和光电子器件等领域发挥重要作用，推动了微电子技术的不断发展和进步。
【待续】2. 正文2.1 SiGe半导体在微电子技术领域的应用1. 集成电路制造：SiGe半导体能够与传统的硅基半导体结合使用，提高集成电路的性能和功耗效率。
其高速性能和低功耗特性使得SiGe 半导体在高性能处理器、存储器件和通信芯片中得到广泛应用。
2. 射频通信：SiGe半导体在射频通信领域有着独特的优势，能够实现更高的频率和带宽，提高通信设备的性能和稳定性。
浅谈国内外SiGe技术现状及市场
浅谈国内外SiGe技术现状及市场作者：张华来源：《硅谷》2010年第23期摘要：SiGe是近年来兴起的新型半导体材料，它有许多独特的物理性质和重要的技术应用价值，并与硅的微电子技术兼容，被认为是第二代硅材料。
简单介绍国内外SiGe技术现状及市场。
关键词：SiGe技术；现状；市场中图分类号：TN3文献标识码：A文章编号：1671-7597(2010)1210017-01随着硅集成电路的发展，其特征尺寸已达到100纳米范围，这一尺寸已小于电子运动的相干长度，这个时候，研究电子的运动不能再用经典力学的方法，而要用量子力学的理论，硅集成技术的发展已接近其物理极限，所以研究纳米技术，开发纳米量子器件，是集成电路能够持续发展的前提。
然而，从材料方面去发展，即开发出性能优于硅的新型半导体材料也可以延长集成电路的发展寿命，SiGe是近年来兴起的新型半导体材料，它有许多独特的物理性质和重要的技术应用价值，并与硅的微电子技术兼容，被认为是第二代硅材料。
它使硅材料进入到人工设计微结构材料的时代，使硅器件进入到异质结构，能带工程时代，其工作速度已扩展到毫米波，超快速领域，光学探测已进入到1.3-1.55um远红外波段，由于优异的材料特性，并且同成熟的硅工艺相兼容，SiGe材料在电子和光电子半导体器件中得到广泛的应用。
近十年这种SiGe层材料得到了相当大的关注。
新的方法层出不穷，如分子束外延(MBE)。
超低压化学气相淀积与超高真空技术(UHV-VLPCVD)的结合以及快速化学气相淀积技术(RT-CVD)。
这些技术具备的最优点是它们可以在低温(300-700℃)下生长外延层。
这个能力不仅对掺杂面的生成非常重要。
而且可使晶格失配的材料以共格的方式结合起来。
在SiGe合金中，由于Si和SiGe组成的量子阱中，载流子具有更高的迁移率，电子的迁移率几乎是纯Si 的两倍。
更重要的是，当Si，Ge合金时，独立式的合金具有金刚石晶体点阵，该合金的晶格常数在Si，Ge值之间近乎线性依赖，室温下偏差大约为4.17％，当这样的SiGe层外延生长具有同晶格常数的衬底上时，如Si衬底，首先，生长层试图修改它面内的晶格常数，以便与衬底层形成一个共格的晶面。
SiGe材料的特性及应用
SiGe材料的特性及应用
目录
1 2 3 4 5
7
前言 SiGe材料的特性研究 SiGe技术的发展和主要器件
exW L np 1 1
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1 2
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高频 低耗 低噪声
第3章 SiGe技术的发展和主要器件
高频 低耗 低噪声
SiGe HBT 目前的研究水平是：2003 年，IBM报道了室温下fT 达375 GHz的SiGe HBT；2004 年，IBM 报道了fmax为350 GHz的 SiGe HBT；2006 年，IBM 联同乔治亚理工学院，利用液氮，在268 ℃下成功将SiGe HBT 的fT提高到500 GHz，这是目前世界上 最高的晶体管fT报道。
SiGe的应用 结论
ห้องสมุดไป่ตู้
第1章 前言
研究背景
1、硅集成电路技术的线宽达到10个纳米，这个尺度为认 为是硅集成电路的“物理极限”。人们要想突破上述的 “物理极限”，就要开拓发展新技术。 2、Si 在微电子技术中占据着主导地位，但是因为其禁带 不够宽，而且是间接跃迁型所以一直无法应用在光电子学 领域。所以在很多光电子领域，经常是GaAs、I nP等化合 物半导体起主要作用。然而，化合物材料的提纯和制备都 比较困难，而且研究的起步比较晚，发展比较缓慢，所以 人们还是希望从已经成熟的Si 工艺来发展光电子领域。
结论
SiGe具有优于纯Si的良好特性，并且在工艺上可与Si
SiGe半导体在微电子技术发展中的重要作用
SiGe半导体在微电子技术发展中的重要作用1. 引言1.1 SiGe半导体介绍SiGe是指由硅和锗组成的合金材料，具有介于硅和锗之间的晶格常数和晶体结构。
SiGe半导体是指将锗混入硅晶格中形成的半导体材料。
由于硅和锗的晶格常数相近，因此SiGe合金可以与硅实现良好的匹配，使其具有优异的电特性。
SiGe半导体在微电子领域中具有重要的应用价值，被广泛应用于集成电路、射频电路、高速通信领域和微波雷达系统中。
SiGe半导体与传统的硅半导体相比具有许多优点。
SiGe材料的电子迁移率较高，能够提高电子在晶体中的移动速度，从而提高器件的工作速度和性能。
SiGe材料具有较大的热导率和较低的电阻率，能够有效抗热量产生和电阻效应，提高器件的稳定性和可靠性。
SiGe材料具有较好的半导体电子束缚效应和载流子的饱和效应，使得器件在低功耗和高频率下能够工作更加高效。
SiGe半导体是一种具有广泛用途和重要作用的新型材料，在微电子技术的发展中扮演着重要的角色。
通过不断的研究和应用，SiGe半导体将继续推动微电子技术的进步，为未来的科技发展打下坚实基础。
1.2 SiGe半导体在微电子技术中的地位在当今的集成电路设计中，SiGe半导体被广泛应用于高性能的模拟和混合信号集成电路中。
由于SiGe半导体具有良好的高频特性，可以实现高速高精度的信号处理，因此在通信、雷达、射频识别以及医疗等领域都有着重要的应用。
SiGe半导体在射频电路设计中也扮演着重要的角色。
其高迁移率电子和良好的热导率使得SiGe半导体器件具有出色的高频性能和低噪声特性，适用于高频射频放大器、低噪声放大器等射频电路设计中。
SiGe半导体在微电子技术中的地位不可忽视。
其优异的性能为微电子技术的发展提供了新的可能性，同时也为整个行业带来了新的发展机遇。
随着技术的不断进步，SiGe半导体的应用前景必定会更加广阔。
2. 正文2.1 SiGe半导体的优点1.带宽增强：SiGe半导体具有更高的迁移率和较低的噪声水平，这使得它在高频率和高速应用中表现出色。
射频BiCMOS技术
实现宽带和低噪声
SiGe 工艺采用锗对硅进行掺杂，利用现有的CMOS生产 设备或双极工艺设备制造芯片。 SiGe 技术能够获得比双极器件高得多的速度，用 0.5μm工艺很容易达到几百兆的带宽；在相似的功率水平 下比双极工艺提供更低的噪声特性。 SiGe 器件和 IC 主要应用于低噪声预放大、采集保持、 高速A/D 转换等场合。
采用 SiGe 的原因 SiGe 器件的特点
Si和Ge都是四价元素，具有相同的 金刚石结构，但原子量和原子半 径相差很大，若形成SiGe 单晶材 料，晶体结构应力很大，缺陷很 多，不能使用。一般是在Si片表 面外延一层 Si0.7Ge0.3的外延层。
采用SiGe的原因 SiGe 器件的特点
Si 电子迁 移率 Ge 0.3 微米 工艺 截止频 率 Si双极 管 30GHz SiGe双 极管 50GHz
※ 高速光电通讯（SONET/SDH） ※ 广播电视网、Internet网
电视信号三种传输途径：卫星传输，有线传输，地面无线传输。
关 于 无 线 局 域 网
相关标准 广域网(WWAN)
GPRS/3G (WCDMA/CDMA2000)
无线通讯 系 统
局域网（WLAN） IEEE802.11b/g/a
SiGe 外延工艺
常用的外延工艺 分子束外延 （MBE ):超高真空（10-12mmHg) 高温（高于1100 C ) 化学汽相淀积（CVD ):常压或低压 高温（高于1100 C ) 这两种方法都不适用，因为高温过程容易造成 缺陷，也难于产生正确配比的掺杂物。 SiGe 外延采用的方法： 特高真空化学汽相淀积法：UHV-CVD
SiGe技术的主要应用领域
SiGe技术主要应用于通讯领域射频前端 （1GHz～30GHz） ※ 手机（GSM, CDMA, 3G）： ※ 无绳电话 （DECT）; ※ 蓝牙技术 Blue-tooth/Zigbee（IEEE802.15.1） ※ 无线局域网 （IEEE802.11 b/g/a）
SiGe半导体GPS接收器助力伽利略计划
器件两个最 突出的特点是提高定位精度和强大 的软件定义和 上市 时间 、兼容 能力 、灵活性 和功率 效率等 。 ”■（ ） 剑
Ｅｃ Ｄ ｉ＆ｐｉｉＷ ｌ ｉ ｉｅｏｃ ｈ 囊 ｌｒｉ ｅ Ａ ｌｔ ｏ － ｋＥｃ ｉ ｅｏｃ ｓ ｔ ｇ ｐａ ｒＮ Ｐ ｌｒｉＣｎ ｃｏ ｄ ｋ ｔ ｓ 口翥
小了整 体解决方案的尺寸。 计人员还能实施相 关拓 扑， 设 使 够在两 个可配置数字滤波 器问实现动态切换 ，并支持 ８ 条 ０ 基 于多相或单相 输出拓扑的多输出轨都能实现同步化与相位 Ｐ ｕ 指令。特别是其拥有 Ｔ 专利技术 的高精度 ＤＰ ＭＢ ｓ Ｉ ＷＭ， 平衡， 从而提高 电源密度与灵活性 ， 并保持统一 的Ｅ 频谱 。 可使数 字电源系统具有 同模拟 电源一样 出色的闭环性能 。 ＭＩ ■ Ｔ Ｓ０４ Ｐ ４ １０电流模式控制器支持从 ２ ４ Ｖ的输入 电压 （ 帆 ） Ｖ～ ０ 高
Ｔ Ｓ ０ ４ 独特 的移相 扩容 式功能使 电源能够 自动完成 解决方 案， Ｐ ４ １０ 它是可配置的数字Ｐ ＷＭ控制器 ， 不需要编 程， 单
相 位平衡 ， 从而显著 降低 了输入 与输 出电容的纹波 电流 ， 缩 相 具有 １５ ｓ ７ ｐ 的精度 ，支持 ３ ｋ ０ Ｈｚ～２ ＭＨｚ的开关频率 ，能
转换范围 ，能够 在 ４５ ． Ｖ～１Ｖ 的电源 电压 下以高性 能工作。 ５
Ｓ ｅ ｉ 半导体 Ｇ Ｓ Ｇ Ｐ 接收器助 力伽利 略计划
目前 ，Ｇ Ｓ的应用正在不断拓展 ，以前 主要用在 室外 ， 升级 功能。Ｓ ４ ２ Ｌ带有支持软件 定义 Ｇ Ｓ的接 口，具有 Ｐ Ｅ １０ ＮＳ
第三代半导体引领5G基站技术全面升级
3 2022.6电子产品世界技术专题5G技术5G Technology第三代半导体引领5G基站技术全面升级Filippo Di Giovanni （意法半导体汽车和分立器件产品部）5G 受到追捧是有充足的理由的。
根据CCS Insight 的预测，到2023年，5G 用户数量将达10亿；2022年底，5G 蜂窝基础设施将承载近15％的全球手机流量。
高能效、尺寸紧凑、低成本、高功率密度和高线性度是5G 基础设施对射频半导体器件的硬性要求。
对于整个第三代半导体技术，尤其是氮化镓（GaN ），5G 开始商用是一大利好。
与硅、砷化镓、锗、甚至碳化硅器件相比，GaN 器件的开关频率、输出功率和工作温度更高，适合1-110 GHz 的高频通信应用，涵盖移动通信、无线网络、点对点和点对多点微波通信，以及雷达应用。
集这些优点于一身，GaN 已被证明非常适合5G 基站功率放大器，取代4G 以及前几代无线基础设施广泛应用的LDMOS （横向扩散金属氧化物半导体）。
与LDMOS 相比，GaN 使系统能够实现更高的功率密度，有助于降低基站的尺寸，并可以使用不太复杂的冷却硬件。
GaN 在5G 频谱中的更高能效表现可以降低位/秒的运营成本以及环境影响。
同样，GaN 更适应高湿度、多灰尘、极热和功率波动的工作环境，性能受到的负面影响极小。
就宽带性能、功率密度和能效而言，以硅LDMOS 和GaAs 为主要代表的传统技术远远落后于GaN （高电子迁移率晶体管）技术，无论衬底是硅还是SiC ，都是如此。
正是这项技术满足了5G 应用对散热的严格要求，同时确保节省印刷电路板空间，满足大规模MIMO 天线阵列的安装需求。
在基站中，节省空间的多功能GaN （单片微博集成电路）芯片和多片模块取代了分立设计。
此外，5G 新频段射频信号和数据处理硬件导致功耗不断增加，使5G 基站的整个供电系统，从电网容量到机柜尺寸、备用储电系统、功率密度和电力电子设备的冷却能力，不堪重负。
SiGe半导体
SiGe半导体市场定位SiGe半导体的创新型射频解决方案使消费者所仰赖的无线多媒体网络和相关应用落实在生活中，并且每天都能享用。
SiGe多样性和全面性的产品组合跨越消费性电子，移动通信以及计算机市场，提供802.11b/g/a/n WiFi、蓝牙Bluetooth、WiMAX，GPS，和家用娱乐系统所需的效能，使用范围和可靠性。
SiGe所提供的无线运用的自由性，为OEM厂商带来必要的竞争优势。
主要(知名)产品：●WLAN：802.11b/g/a及N前端模块、双频前端模块、离散式功率放大器●WiMAX：WiMAX 802.16e功率放大器及前端模块、WiMAX 802.16d收发器●GPS：GPS无线电IC、Bluetooth：蓝牙Class1/Zigbee(802.15.4)功率放大器受访人：SiGe半导体企业及业务发展副总裁John Brewer●由于超过1GHz以上处理能力的跃升，智能型手机将大大拓展其市场占有率，并且最终把移动网络装置(MIDs)推向市场。
SiGe相信在210年将会看见移动通信设备产业出现重大的整合。
●今年SiGe委任高国洪为亚太地区市场总监。
他将负责发展建置亚太地区特定产品策略，以及营销计划的战术制定，以加强产品的定位，并在快速增长的亚太地区获得有竞争力的市场地位。
●在2009年，获得产业界对SiGe在经营绩效和创新科技与产品上的认可。
例如，加拿大渥太华研究及创新中心(OCRI)颁发SiGe“年度科技公司”奖，该奖项对本公司在无线射频研究发展领先地位，以及每年度以45％增长的盈收，并且达到2008年营业额1亿加币等等成果表示肯定。
同时SiGe更被评选为加拿大顶尖250大科技公司中Branharn300名单里的第58名，和该名单中加拿大10大无线解决方案公司中的第5名。
●高效能GPS接收器的领导供货商Fastrax选择了SiGe的SE4120无线前端模块来推升其软件GPS解决方案至163dBm的导航灵敏度。
SiGe半导体推出基于硅技术的大功率2GHz802．11bgn WLAN功率放大器
SiGe半导体推出基于硅技术的大功率2GHz802．11bgn
WLAN功率放大器
无
【期刊名称】《中国电子商情：基础电子》
【年(卷),期】2010(000)004
【摘要】SiGe半导体公司（SiGeSemiconductor）现已推出2GHz无线LAN功率放大器（PA）模块。
型号为SE2576L的全新IEEE802．1lbgn器件，是业界尺寸最小且效率最高的功率放大器，发射功率为26dBm。
SE2576L瞄准需要大射频（RF）发射功率的网络应用，如家庭影院或数据传输、企业和室外网络，以及公共上网热点，能够提供完整的覆盖范围和更高的链路预算，实现更快速、更高效的数据传输。
【总页数】1页(P88-88)
【作者】无
【作者单位】不详
【正文语种】中文
【中图分类】F416.63
【相关文献】
1.SiGe半导体推出大功率2GHz 80
2.11bgn WLAN功率放大器 [J],
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刊通讯员
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硅光子技术介绍
概念：硅光子技术是一种基于硅光子学的低成本、高速的光通信技术,用激光束代替电子信号传输数据,她是将光学与电子元件组合至一个独立的微芯片中以提升路由器和交换机线卡之间芯片与芯片之间的连接速度。
硅光子架构主要由硅基激光器、硅基光电集成芯片、主动光学组件和光纤封装完成，使用该技术的芯片中，电流从计算核心流出，到转换模块通过光电效应转换为光信号发射到电路板上铺设的超细光纤，到另一块芯片后再转换为电信号。
硅光技术的发展：硅光技术基于1985年左右提出的波导理论，2005-2006年前后开始逐步从理论向产业化发展，Luxtera、Kotura等先行者不断推动技术和产业链的发展，形成了硅光芯片代工厂(GlobalFoundries、意法半导体、AIM等)、激光芯片代工厂(联亚电子等)、芯片设计和封装(Luxtera、Kotura等)较为成熟的Fabless产业链模式，也有Intel为代表的IDM模式，除激光芯片外，设计、硅基芯片加工、封测均自己完成)。
硅光技术的价值：硅光在国家安全布局上具有重要的战略价值。
1、传统光器件使用磷化铟做材料,只负责数据的交换,而不负责数据的处理和存储,因此安全价值仅限于保障通信不断,但是硅光使用硅作为材料,数据的处理、存储和交换全部在硅上面完成,如果技术完全被国外厂商垄断,后果不堪设想;2、受制于量子效应,通过制程改进来提升单核处理器计算性能的方式将会淡出,或者说摩尔定律进入失效期,唯一的解决方案是多核并行计算,根据吉尔德定律,带宽的增长速度至少是运算性能增长速度的 3 倍,因此硅光替代集成电路是必然。
硅光学技术的种类：硅光电子学包括硅基光子材料、硅基光子器件和硅基光子集成三个主要方面。
1、硅基光子材料包括：硅基纳米发光材料和硅基光子晶体2、硅基光子器件包括：硅基发光二极管；硅基激光器；硅基光探测器；硅基光调制器3、硅基光子集成和硅基芯片硅光PID技术优势: PID技术采用硅光子集成技术，利用统一的CMOS工艺平台，一举突破早期PID在集成度、性价比和功耗的诸多瓶颈。
Sigfox资料整理
Sigfox超窄带技术：以降低速率为代价，获得了通信距离与功耗上的指标优势。
特点：速率低功耗低成本低距离远·2012年 Intel Ventures在B轮融资中向这家公司投资了1000万美元。
·2013年 Silicon Labs与SIGFOX，在IoT市场实现业内首次合作(Silicon Labs 的EZRadioPRO®无线收发器和SIGFOX独特的超窄带(UNB)技术相结合)。
·2014年Atmel和SIGFOX在远程物联网连接领域开展合作（Atmel的ATA8520器件通过了SIGFOXReadyTM认证，是首款通过该认证的片上系统（SoC）解决方案）。
·2015年获1.15亿美金的VC投资(利用这笔资金在美国、欧洲和亚洲构建一张网络)。
·2015年 SIGFOX携手TI共同打造高成本效益、远程、低功耗物联网连接(致力于利用Sub-1 GHz频谱加强IoT的部署。
客户可通过配备TI Sub-1 GHz RF收发器的SIGFOX 网络来部署无线传感器节点。
)。
我的分析：Sigfox凭借其UNB技术，从12年开始，涉及范围从本土到欧洲再到世界，野心是要构建全球互联网。
通过其先后与Silicon Labs、Atmel、以及最近与Ti 的合作可见他们的合作都是基于由Sigfox提供UNB技术并应用在其他公司产品中以此来普及其产品与应用。
另外Sigfox制定了专门的认证机制SIGFOX Ready™，用于认证MCU、RF芯片等更好地支持Sigfox的窄带技术，到目前包括德州仪器、Atmel、SiliconLab 和TelitCommunications Plc等公司均生产支持Sigfox技术的调制解调器。
可以看出，这种合作方式将会是Sigfox普及其窄带技术最主要的方式。
对于之后Sigfox的方向，我觉得在普及其窄带技术，拥有庞大用户群后，不排除他会指定窄带协议，规范窄带应用，从而让其窄带技术作为像蓝牙、WiFI、GSM一样的全球性应用协议，实现其全球普及的目标。
第三代半导体引领5G基站技术全面升级
第三代半导体引领5G基站技术全面升级
Filippo Di Giovanni
【期刊名称】《电子产品世界》
【年(卷),期】2022(29)6
【摘要】5G受到追捧是有充足的理由的。
根据CCS Insight的预测,到2023
年,5G用户数量将达10亿;2022年底,5G蜂窝基础设施将承载近15%的全球手机
流量。
高能效、尺寸紧凑、低成本、高功率密度和高线性度是5G基础设施对射频半导体器件的硬性要求。
对于整个第三代半导体技术,尤其是氮化镓(GaN),5G开始商用是一大利好。
与硅、砷化镓、锗、甚至碳化硅器件相比,GaN器件的开关频率、输出功率和工作温度更高,适合1-110 GHz的高频通信应用,涵盖移动通信、无线
网络、点对点和点对多点微波通信,以及雷达应用。
【总页数】1页(P3-3)
【作者】Filippo Di Giovanni
【作者单位】意法半导体汽车和分立器件产品部
【正文语种】中文
【中图分类】TN9
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4.
本土中高端电机潜力大，半导体引领技术升级5.国务院印发《关于积极发挥新消
费引领作用加快培育形成新供给新动力的指导意见》，全面部署以消费升级引领产业升级，以制度创新、技术创新、产品创新增加新供给。
满足创造新消费。
形成新动力
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SiGe半导体加入WiMAX Forum组织
SiGe半导体加入WiMAX Forum组织
无
【期刊名称】《电子测试：新电子》
【年(卷),期】2005(000)005
【摘要】SiGe半导体(SiGe Semiconductor)目前宣布已获WiMAX Forum组织接纳为支持会员。
作为WiMAX Forum的一员，SiGe半导体正在积极开发无线射频(RF)集成电路，以优化宽带无线接人设备的性能和可靠性。
【总页数】1页(P101)
【作者】无
【作者单位】无
【正文语种】中文
【中图分类】TN925.93
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