半导体器件

RB
+UCC
IB
UCC UBE
RB (1 )RE
IB RE IE
直流通道
IE (1 )IB
UCE EC IERE
(1-23)
2.动态分析 ui RB RE RL uo
Ii
Ib
Ic
rbe
Ib
Ui RB
RE RL Uo
交流通道
微变等效电路
Au
(1 )Ib RL Ibrbe (1 )Ib RL
(1-3)
二、半导体器件工作原理、伏安特性
1.半导体二极管
I
P
N
导通压降: 硅
死区电压
管0.6~0.7V,锗 管0.2~0.3V。
硅管0.6V,锗管0.2V。
U
反向击穿 电压UBR
(1-4)
2.稳压二极管
在电路中与适当的元件配合，能起稳定电压的作用
I
-
+
符号
UZ
IZ UZ
U IZ IZmax
(1-5)
Ii
Ib
Ic
RB1 ui
RB2 RE
RL uo
RC
rbe Ui R'B
Ib RL Uo
RE RC
Au
rbe
R
L
(1 ) RE
ri RB //{rbe (1 )RE}
ro RC
(1-21)
二、 射极输出器
+UCC RB C1
C2
ui
RE
RL uo
+UCC RB
RE 直流通道
(1-22)
1.静态分析
RB RC RL
ii
ib
ui RB rbe
ic
ib RL uo
RC
(1-16)
ii
ib
ui RB rbe
ic
ib RL uo
RC
Au RL
rbe R'L RC // RL
ri RB // rbe rbe
ro RC
26(mV)
rbe 200()
IC (mA)
(1-17)
（二）分压式偏置电路
+UCC
RB1
RC
C2
C1
ui
RB2
RE
RL
uo CE
1.静态分析
+UCC
RB1 I1 RC
IB T
I2
RB2
RE
直流通路
(1-18)
+UCC
RB1 I1 RC
IB T
RB2 I2
RE
VB RB2 UCC RB1 RB2
IC IE VB UBE RE
UCE EC IC RC IE RE
(1-12)
要求
一、了解基本放大电路的工作原理
二、掌握基本放大电路的分析方法
静态分析——估算法、图解法
动态分析——微变等效电路法、图解法
三、熟练掌握三种基本组态放大电路的计算
共射放大电路
共集放大电路
IB IC UCE Au ri ro
共基放大电路
(1-13)
一、共射放大电路
（一）固定偏置电路
+UCC
直流通路
(1-19)
2.动态分析
RB1 RC C1
ui RB2
RE
+UCC C2
RB1
RB2
ui
RL
uo RC
RL CE
Ii
Ib
uo
R'B rbe
Ui
交流通路
Ic
Ib
RL U o
RC
Au RL
rbe
微变等效电路
ri R'B||rbe rbe ro RC
(1-20)
3.去掉 CE 后的动态分析
出 uo 波形。
–
参考点
二极管的用途：
整流、检波、限幅、
钳位、开关、元件
t
保护、温度补偿等。
二极管阴极电位为 8 V ui > 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui < 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui
(1-11)
第9章 基本放大电路
§9.1 放大电路工作原理 §9.2 放大电路的静态分析 §9.3 放大电路的动态分析 §9.4 共射放大电路 §9.5 共集放大电路 §9.6 共基放大电路 §9.7 共源放大电路 §9.9 多级放大电路 §9.10 差分放大电路 §9.11 互补对称放大电路
UBE(V) 0.8
(1-7)
输出特性 4
IC(mA )
放大区
100A
饱和区 3 2 1
截止区
80A
60A 40A
20A IB=0 3 6 9 12 UCE(V)
(1-8)
输出特性三个区域的特点:
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。
即： IC=IB , 且 IC = IB
(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。
锗0.2~0.3V
分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。
若 V阳 >V阴或 UD为正( 正向偏置 )，二极管导通 若 V阳 <V阴或 UD为负( 反向偏置 )，二极管截止
(1-10)
例：
+ ui –
R
D 8V
ui
18V 8V
+ 已知：ui 18sin t V
uo 二极管是理想的，试画
（重点掌握：普通二极管、稳压二极管） 1.包含二极管的电路,判断二极管导通截止 2.包含二极管的电路计算
(1-2)
一、半导体的基本知识
1.导体、半导体、绝缘体。
热敏特性
2.半导体导电wk.baidu.com性： 光敏特性
3.本征半导体
掺杂特性
4.杂质半导体：N型半导体和P型半导体
5.PN结：加正向电压导通，加反向电压截止。
即：UCEUBE ， IB>IC，UCE0.3V
(3) 截止区： UBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0 结
要使放大区：发射结正偏，集电结反偏。 论
(1-9)
三、半导体器件的应用
导通 定性分析：判断二极管的工作状态
截止 若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零， 反向截止时二极管相当于断开。 否则，正向管压降 硅0.6~0.7V
3. 双极型晶体管
C NPN型
集电极
N
B
P
基极
N
集电极
C
P
B
N
基极
P
PNP型
E 发射极
发射极 E
C
IC
B
IB IE
E
IC
IB
C
IC
B
IB IE
E
(1-6)
输入特性
IB(A)
80
60 死区电 40 压，硅管 0.5V，锗 20 管0.2V。
0.4
UCE 1V
工作压降： 硅管 UBE0.6~0.7V,锗管 UBE0.2~0.3V。
（1 ）RL rbe (1 )RL
ri RB //{rbe (1 )RL }
RB C1
RC
C2
T
直流通路
+UCC RB RC
ui
RB
uo RC RL
交流通路
(1-14)
1.静态分析——估算法
+UCC
RB
RC
I B EC U BE RB
IC IB
IB UBE
UCE EC ICRC
直流通路
(1-15)
2.动态分析——微变等效电路法
RB C1
+UCC
RC
C2
T
uo
ui
第八章 半导体器件
§8.1 半导体的基本知识 §8.2 半导体二极管 §8.3 特殊二极管 §8.4 集成稳压器 §8.5 双极型晶体管 §8.6 场效应晶体管 §8.7 集成电路 §8.8 晶闸管
(1-1)
要求
一、了解半导体的基本知识 二、了解各种半导体器件工作原理、伏安特性
（重点掌握：二极管、三极管） 三、掌握半导体器件的应用