基于SU-8胶的UV-LIGA技术及其应用研究

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光刻胶论文修订版

光刻胶论文修订版

江南大学感光高分子论文—SU-8光刻工艺及其研究题目:SU-8光刻工艺及其研究班级:姓名:学号:SU-8光刻工艺及其研究摘要:SU-8 胶是一种基于环氧 SU- 8 树脂的环氧型的、近紫外光、负光刻胶,SU-8光刻工艺同时也是基于UV-LIGA技术基础上,专门用于在非常厚的底层上需要高深宽比的结构。

本文主要介绍了SU-8光刻工艺流程,同使也介绍了近几年对SU-8光刻工艺得一些优化研究进展。

关键词:SU-8胶;光刻工艺;研究进展Abstract: SU-8 photoresist is an epoxy, near-UV and negative photoresist which is based on epoxy resin SU-8, and its lithography process is also based on UV-LIGA technology, it is specifically for the requirements of a high aspect ratio of thickness of the underlying structure. This paper mainly introduces the SU-8 photolithography processand some research development for the process in recent years.Key Words:SU-8 photoresist; lithography process; research development1引言MEMS(微机电系统)器件已广泛得到应用,但其发展离不开加工技术,同时也正是由于微机电系统的蓬勃发展,各种加工工艺相继得到研究。

[1]实际应用中,许多MEMS器件都需要高深宽比的结构,同时还要求侧壁陡直。

能够实现这样的技术包括:(1)同步辐射深X射线LIGA技术。

UV-LIGA工艺流图

UV-LIGA工艺流图

UV-LIGA技术标准工艺上海交通大学微纳米科学技术研究院UV-LIGA技术采用基于SU8光刻胶的厚胶紫外光刻工艺,大大降低了LIGA 技术的加工成本,缩短了加工周期,并且可以制备台阶微结构,但其技术指标低于同步辐射LIGA技术,适用于加工深度小于500μm,线宽大于5μm,深宽比小于20的微结构。

一、设备情况溅射机:德国Laybold-Heraus公司Z-550可进行直流、交流溅射,靶材有Cu、Cr、Fe-Ni、Ti、Au等本底真空:2*10-6 mbar,射频最大功率:2.5 kW,直流最大功率:1 kW,沉积速率:20-60nm/分钟容量:3英寸硅片13片厚胶甩胶台:德国Karl Suss公司RC8可进行厚光刻胶的制备,具有程控功能可用最大工作尺寸:3",最大转速:5000rpm时间范围:0-999s双面光刻机:德国Karl Suss公司MA6可进行正面和反面对准曝光,最小线宽:2μm,对准精度:1μm精密铣切机:德国Leica公司 SP2600可进行光刻胶表面的铣切;最小进刀步长:1μm兆声显影机:德国Megasonic公司可实现高深宽比阴图形微结构的显影频率:1M Hz反应离子刻蚀机:法国Alcatel 公司Nextral 100可实现硅、氧化硅、PMMA、玻璃等材料的刻蚀,用于制备深刻蚀掩膜和电铸前的活化;刻蚀速率:50nm/min可选用SF6、CHF3、O2等作为刻蚀气体微结构模具电铸系统:自制可实现铜和镍的电铸;镀速:0.02-0.05mm/hr流量:0.5-2l/ min 搅拌,速率:20-100次/min电铸温度:RT-70℃,温度控制精度:0.10℃真空热压机:德国JENOPTIK 公司HEX01/C可进行热塑性塑料微结构的批量加工,其特色是在模压过程中可抽真空;最大压力20kN,最高热压温度210℃测量显微镜:日本OLYMPUS公司 STM-MJS2可进行微结构形貌观察和三维长度测试;测量精度: 1μm表面轮廓仪:美国Veeco公司 Dektak 6M可进行微结构表面轮廓和结构厚度的测试;垂直测量距离:1 mm,精度:0.1 nm/6.5μm, 1 nm/65μm, 16nm/1mm 扫描长度:50μm-30mm扫描电镜:日本Hitachi公司SP2600可进行微结构形貌观察和拍照;最大加速电压:25kV,最大放大倍数:20万倍,分辨率5nm附带ADDA,数模转换器,模拟信号可转化为数字信号进行处理二、工艺流程1. 紫外厚胶光刻工艺1)对硅片或玻璃片(厚度大于1mm)进行清洗,并在180℃烘4个小时以上以去除表面水分子;2)硅片一面溅射2μm左右厚的金属钛薄膜并进行湿法氧化发黑处理;3)再次对其进行清洗并180℃烘4个小时以上;4)利用厚胶甩胶机在基片表面旋涂所需要厚度的SU-8胶;5)利用程控烘箱或者热板对SU-8胶进行前烘处理。

UV-LIGA技术在制作细胞培养器微注塑模具型腔中的应用

UV-LIGA技术在制作细胞培养器微注塑模具型腔中的应用
于 采 用 了刮 胶 的匀 胶 工 艺 和 发 烟 硫 酸 去 除 S U一 8胶 的方 法 , 消除了“ 边缘水 珠效应 ” , 彻底去 除 了 S U- 8胶 。 采 用 提 出 的
方法可获得铸层质量好 , 与 基 底 结 合 强 度 高 的 微 注 塑 模具 型 腔 。
关 键 词: 细胞培养 器; UV— L I GA技 术 ; S U - 8 胶 ; 微 注塑 模 具 型 腔 ; 微 结构 文献标识码 : A d o i : 1 0 . 3 7 8 8 / OP E . 2 0 1 3 2 1 0 5 . 1 2 2 8
排 气 通 道 。对 S U - 8厚胶 工艺 过程 中 的 溶胀 现象 、 匀 胶 不 平 整 和 去 除 困难 等 问 题 进 行 分 析 , 提 出 在 掩 膜 板 图 形 四周 增 设
封闭的宽度为 2 0 p . m 的隔 离 带 来 减 少 图形 四周 S U一 8厚 胶 体 积 , 改 善 了该 处 胶 模 的热 溶 胀 变 形 , 使 铸 层 的 尺 寸 误 差 由原 来的 3 5 m降低到 1 0 m , 3 0 0 m 高 的微 柱 体 侧 壁 陡 直 。隔 离 带 的 引 入 有 效 地 提 高 了 铸 层 图 形 的 尺 寸 和 形 状 精 度 。由
摘要: 研 究 了细 胞 培 养 器 微 注 塑 模 具 型 腔 的 制 作 方 法 。针 对 微 注 塑 模 具 型 腔 的结 构 特 点 , 采 用 UV - L I GA 套 刻 技 术 , 分
别通 过 两 次 S U 一 8胶 光 刻 和 N i 的 微 细 电 铸 制 作 了 以合 金 钢 为 基 底 的 微 结 构 ; 然 后 利 用 掩 膜 腐 蚀 方 法 在 铸 层 上 腐 蚀 出微

超声处理对UV-LIGA工艺中SU-8胶溶胀的影响

超声处理对UV-LIGA工艺中SU-8胶溶胀的影响
*C s 0 ] 0 r g a t o ,E- i : u iu @ d u . d . n uh r ma l d lq n lt e u c
Ab t a t sr c :Ulr s n c t e t n s o i i ly i t o c d i t V— GA e hn og n t s p p r The ta o i r a me twa rg na l n r du e n o U LI t c ol y i hi a e . e f c f ulr o c t e t e n U一 s li g wa r s a c d。a ta oni e h nim f SU一 f e to tas ni r a m nt o S 8 we ln s e e r he nd ulr s c m c a s o 8 s li g w a xp or d. The we ln s e l e n,a no e t od t e uc U一 s li nd i r v he d m e i na v lme h o r d e S 8 welng a mp o e t i nso l p e ii n o n e e t o o me mir t uc u e r cs o f a lc r f r d c os r t r wa bt i d I e e i n s,t f e t o lr s ni s o ane . n xp rme t he e f c f u t a o c te t n n t r a me t o he SU一 welng du i he d v l m e nd ee t o o m i g p oc s s r s c i l 8 s li rng t e eop nt a l c r f r n r e s wa e pe tvey

mems_su8 LIGA UV-LIGA工艺技术

mems_su8 LIGA UV-LIGA工艺技术
微机械加工技术 秦明
SU-8胶应用工艺
• • • • • • • • 旋转涂胶,1000RPM 前烘。对100um厚的胶,95º C热板烘15分钟 暴光。对波长365nm, 剂量300~400mJ/cm2 后烘。95°C, 15min 显影。在PGMEA中15min 用异丙醇漂洗 用等离子去胶,或热NMP(1 methyl 2 pyrodidon) 坚膜。200°C, 30min
硅微机械加工技术
SU-8负胶在MEMS中的应用
微机械加工负胶可用于MEMS • 相对简单的制作工艺 • 厚度变化范围大 – 7500A-450um • 电镀金属等可以形成各种结构 • 坚膜后的胶可以作为阻挡层用于90°C的KOH、 FeCl3溶液中的腐蚀 • 可以作为DRIE的阻挡膜 • Shell Chemical 销售 • 粘度可控制 - EPON® Resin SU-8 加入丁内脂(GBL,gammabutyrolacton)
SU-8胶齿轮,厚450um
200um厚测试结构
微机械加工技术
秦明
举例(2)
之字形深槽结构
微机械加工技术
齿轮模
秦明
微机械加工技术
秦明
SU-8涂胶厚度与转速的关系
GBL (gamma-butyrolacton)--- 丁内脂
微机械加工技术 秦明
机械特性
• 磨擦系数=0.19, @10RPM with a load of 10g • 弹性模量=4.02 Gpa • 高纵横比 14.5
微机械加工技术 秦明
举例(1)

用SU-8胶加工微结构的试验研究

用SU-8胶加工微结构的试验研究

Ke ywo d S 一8;UV GA ;Mir r s: U LI c o—sr c u e;Pr d cin Mo e ;Op i z to o e s tu t r e ito d l tmia in Pr c s
环 氧基紫 外 负性光 刻胶 ( U一 ) S 8 是一 种 近 几年 发 展起 来 的新型 的光 刻胶 材 料 。 它是 一 种 由多 功 能 团 、 多分 支 的有机 环 氧胶 溶 于有 机液 中 , 加 入 光 催 化 剂 并 而成 的高 分子有 机 聚合物 胶 体 。经紫 外光 曝光 区域 的 光刻胶 S 8不 溶 于 显 影 液 中 。而 未 曝光 的 区 域 则 U一 不发生 光 化学反 应 , 刻胶 不 发 生 交 联 而 溶 于 显 影 液 光 中 。作 为一 种光 刻材 料 , 由于其 独 特 的光学 性能 、 力学 性能 和化 学 性 能 … , u 一8胶 光 刻 技 术 相 对 于 LG S IA 技 术其 成 本低 , 已被 广 泛 的应 用于 ME MS传感 器 与执 行 器 的制造 中 , 微 机 电 ( MS 与 微 细制t e o tma c o tu t r . Th h r c e si so h c o — ee to o mi g p o e s 2 a h p i lmir sr cu e e c a a tr tc ft e mir i l cr fr n r c s
关键 词 : 光刻胶 UV L G 微 结 构 IA 预 测 模型 工艺 优化
Ex r me t lRe e r h o Fa i a i n o i r — t uc u e by Usng S — 8 Pho or ss pe i n a s a c n br c to fM c o— s r t r i U ’ t e it

LIGA相关技术

LIGA相关技术

浅谈LIGA相关技术LIGA技术首先是由德国卡尔斯鲁厄核物理研究中心研究出来的,被公认为是一种全新的三维微细加工技术。

LIGA这一词源自德文缩写,LI指深度X射线刻蚀,G指电铸成型,A指的是塑料铸模。

LIGA技术是深度X射线曝光、微电铸和微复制工艺的完美结合。

SLIGA是指牺牲光刻电铸成型工艺。

其中的S是指牺牲层。

SLIGA技术是H.Guckle教授等人结合硅面加工技术和常规LIGA技术而开发出的一种新工艺。

在这个工艺中,牺牲层用于加工形成与基片完全相连或部分相连或完全脱离的金属部件。

利用SLIGA技术可以制造活动的微器件。

开发研究LIGA技术的初始目的是为了加工出能够将铀同位素进行分离的特别微小的管嘴LIGA技术从首次报导至今,短短十多年飞速发展,引起人们极大的关注,发达国家纷纷投入人力、物力、财力开展研究,目前己研制成功或正在研制的LIGA产品有微传感器、微电机、微执行器、微机械零件和微光学元件、微型医疗器械和装置、微流体元件、纳米尺度元件及系统等。

为了制造含有叠状、斜面、曲面等结构特征的三维微小元器件,通常采用多掩模套刻、光刻时在线规律性移动掩模板、倾斜/移动承片台,背面倾斜光刻等措施来实现。

LIGA它能够制造平面尺寸在微米级、结构高度达几百微米的微结构。

其工艺流程如图。

主要工艺过程如下:1)深度X射线曝光将光刻胶涂在有很好的导电性能的基片上,然后利用同步X射线将X光掩模上的二维图形转移到数百微米厚的光刻胶上。

刻蚀出深宽比可达几百的光刻胶图形。

X光在光刻胶中的刻蚀深度受到波长的制约。

若光刻胶厚度10-1000微米应选用典型波长为0.1-1纳米的同步辐射源。

显影将曝光后的光刻胶放到显影液中进行显影处理" 曝光后的光刻胶如(PMMA)分子长键断裂,发生降解,降解后的分子可溶于显影液中,而未曝光的光刻胶显影后依然存在。

这样就形成了一个与掩模图形相同的三维光刻胶微结构。

2)微电铸利用光刻胶层下面的金属薄层作为阴极对显影后的三维光刻胶微结构进行电镀。

UV—LIGA制作超高微细阵列电极技术

UV—LIGA制作超高微细阵列电极技术
提 高 前 烘 温度 、 低后 烘 温 度 的 方 法 制作 了厚 度 达 1mm 的 S 8 结 构 ; 取反 接 电极 法 在 金 属基 底 上 电解 得 到 微 坑 , 降 U一 胶 采 增 强 电铸 金属 电极 与 金 属 基 底 的结 合 力 , 证 去 胶 后 电铸 金 属 的 完 整 性 选 取 优 化 的 工 艺 参 数 : 次 注射 式 涂 胶 , 烘 保 单 前
极 的 有效 手 段 。 关 键 词 : _ l A; U- 胶 ; Uv L G S 8 电解 ; 胶 ; 细 阵 列 电极 去 微 文献标识码: A
中图 分 类号 : N3 5 7 T 6 2 T 0 . ; G 6
Fa r c to fu t a hi h m e a i r l c r d b i a i n o lr — g t lm c o e e t o e a r yu i r a sng UV— GA e h l g LI t c no o y
第 1 8卷
第 3期
ห้องสมุดไป่ตู้
光 精 密 工 程 学
Op is a d Pr c son En ne rng t n e ii gi e i c
V0 . 8 No 3 11 .
M a . 2O 0 r 1
21 00年 3月
文章编号
1 0 — 2 X( 0 O O — 6 0 0 0 4 9 4 2 1 ) 30 7 — 7
UV L G 制作超 高微 细 阵列 电极 技 术 —I A
胡洋洋, 荻, 朱 李寒松, 7 曾永彬, 曲-松, 明平美
( 南京航空航天大学 江苏省精密与微细制造技术重点实验室, 江苏 南京 20 1) 10 6
摘要 : 用 UV L G 技 术 制 作 了超 高 金 属 微 细 阵列 电极 , 利 用 电解 置 桩 的 方 法 辅 助 去 除 S 8胶 。通 过 单 次 涂 胶 和 采 -IA 并 U一

SU8胶紫外光刻理论与实验研究

SU8胶紫外光刻理论与实验研究

未来研究方向和改进意见方面,我们提出以下几点建议:首先,可以进一步 研究不同条件下SU8胶的聚合机理和微纳结构形成的细节,以更深入地理解其规 律;其次,可以通过优化实验方案和流程,降低实验误差和不确定性,提高实验 的可重复性和可靠性;最后,可以探索新型的光刻胶和光刻技术,以获得更精细、 更高质量的微纳结构。
聚合反应速度会趋于饱和。此外,升高温度可以加快聚合反应速度,但过高 的温度会导致SU8胶分解或基片热损伤。
尽管我们在SU8胶紫外光刻方面取得了一定的研究成果,但仍存在一些不足 之处。例如,本次演示主要了聚合反应规律的研究,而对微纳结构形成的细节和 形貌控制等方面尚未进行深入探讨。此外,实验过程中可能存在的误差和不确定 性也需要进一步加以研究和控制。
二、极紫外光刻技术概述
极紫外光刻技术是一种基于极紫外线(EUV)光源的高精度微制造技术。极 紫外线是一种波长在10-12纳米的光线,其具有高分辨率、高对比度、低散射等 优点,是制造超微结构如微电子芯片、光电子器件等的关键工具。
三、光刻胶材料在极紫外光刻技 术中的作用
光刻胶材料在极紫外光刻技术中起着关键作用。它是一种对光敏感的有机高 分子材料,能够将极紫外线的能量转化为化学能,从而在光刻过程中形成特定的 图案。光刻胶材料的性能如敏感性、透光性、稳定性等直接影响到光刻效果和产 品质量。
然而,当照射时间和光强达到一定值后,聚合反应速度会趋于饱和,继续增 加照射时间和光强并不能显著改善聚合效果。此外,我们还发现温度对SU8胶紫 外光刻的影响也较为显著,升高温度可以加快聚合反应速度,但过高的温度会导 致SU8胶分解或基片热损伤。
结论
本次演示对SU8胶紫外光刻理论与实验进行了研究。通过实验观察和理论分 析,我们发现照射时间和光强、温度等参数对SU8胶紫外光刻的聚合效果具有重 要影响。在合理的范围内,增加照射时间和光强可以改善聚合效果,提高微纳结 构的分辨率;但当照射时间和光强达到一定值后,

SU-8胶光刻工艺解读

SU-8胶光刻工艺解读

UV-LIGA编制单位: 编制人: 编制日期:华中科技大学MEMS中心徐智谋何少伟2004.10 工艺技术规范UV-LIGA 工艺规范一工艺路线及工艺流程 (3)1.1 工艺路线 (3)1.2 工艺流程 (3)1.2.1 SU-8胶光刻工艺 (3)1.2.2 Polydimethysiloxane(PDMS)浇铸成模 (4)1.2.3 PDMS表面金属化 (4)1.2.4 在PDMS样品上电铸微模具 (4)二试验平台 (5)三试验样品 (6)3.1 SU-8胶结构 (7)3.2 PDMS表面金属化 (8)一工艺路线及工艺流程1.1工艺路线微塑铸光刻1.2工艺流程1.2.1SU-8胶光刻工艺1) 对衬底进行清洗,并在200℃烘30分钟以上以去除表面水分子;2) 用厚胶甩胶工艺在基片表面旋涂所需要厚度的SU-8胶;3) 利用热板对SU-8胶进行前烘处理,在热板上缓慢冷却;4) 在Karl Suss MA6紫外光刻机上进行接触式曝光;5) 对曝光后的SU-8胶在热板上进行后烘热处理,得到交联的SU-8胶结构;注:由于交联的SU-8胶结构内应力很大,可以导致基底弯曲变形和胶的开裂.所以加热必须缓慢,冷却应在热板上随热板冷却到室温。

6) 超声显影,得到光刻胶图形。

7) 将SU-8胶微结构在150℃-200℃下在热板上进行固化.不同厚度SU8光刻工艺参数厚度[µm]光刻胶甩胶速率[rpm]前烘时间[min] 65℃95℃曝光时间[sec]后烘时间[min] 65℃95℃显影时间[min]固化时间[min]1.2.2Polydimethysiloxane(PDMS)浇铸成模1) 将衬底有SU-8光刻图形模具固定在真空热压机上,底部放上待模压的PDMS;2) 关闭模腔并抽真空,将图形压入PDMS,升温至120℃,保持60s;3) 降温至40℃, 让模腔充气,打开模腔,取出SU-8+PDMS样品,并从SU-8图形上脱下PDMS图形.1.2.3 PDMS表面金属化1) 清洗PDMS样品图形表面并做溅射前的处理;2) 将PDMS样品放入溅射机的真空腔并抽真空到合适的镀膜真空度; 3) 在PDMS 样品表面溅射100nm钛+300nm镍;4) 真空腔充气, 打开真空腔,取出表面金属化的PDMS样品.1.2.4在PDMS样品上电铸微模具1)将氨基磺酸镍作为主盐,PH值3.5-4,溶液温度升到40℃±2℃,循环过滤(小于0.4微米)以控制电铸槽的旋浮颗粒大小; 2)将PDMS样品放入电铸槽中;3)加1000HZ,占空比1:10,电流密度2A/cm2的脉冲电源; 4)根据不同的高度,电铸不同的时间;5)取出电铸后的PDMS样品,并将它烘干;6)在氧等离子体气氛下去除PDMS;7)在显微镜下对电铸的微结构进行检查,以确定最终的产品是否是成品.二试验平台光刻机:德国Karl Suss公司 MA6(见图)可进行正面和反面对准曝光,最小线宽:2µm,对准精度:1µm甩胶台:美国AIO MICROSERVICE公司(见图)4英寸厚胶甩胶台。

UV-LIGA制作微细群电极工艺研究

UV-LIGA制作微细群电极工艺研究

UV-LIGA制作微细群电极工艺研究胡洋洋1朱荻1曾永彬1明平美21. 南京航空航天大学南京2100162. 河南理工大学焦作454000摘要:微细电火花加工和微细电解加工是当前微细加工领域的研究热点,利用微细群电极进行加工可以显著提高加工效率。

本文研究了UV-LIGA制作微工具电极技术。

以金属为基底,采用UV-LIGA工艺来制作微细群电极,改进了前烘、后烘、显影等工艺参数,分别在铜和不锈钢基底上通过注射式倒胶的方法制作出厚度达1mm的SU-8胶结构,最大深宽比达10:1,并通过微细电铸,获得了铜微细电极。

关键词:金属基底UV-LIGA SU-8胶高深宽比微细群电极中图分类号:TN305.70 前言微细电火花加工(Micro-EDM)和微细电解加工(Micro-ECM)是当前微细加工领域的研究热点,其中,微细工具电极的制作是非常重要的。

目前,微细电极的制作方法主要有:电化学腐蚀法、线电极电火花磨削(WEDG)、电火花反拷(REDM)等[1-3],但上述方法往往只能获得单个或数个微细电极,微细电火花或微细电解加工的加工效率不高。

为了提高加工效率,可以采用微细群电极来进行微细电火花或微细电解加工。

以前,都是利用昂贵的LIGA (lithographie, galvanoformung und abformung)技术来制作微细群电极,虽然采用LIGA技术可以获得厚度达1~2mm、深宽比高达100以上且侧壁陡直的微结构[4-5],但是由于LIGA技术需要昂贵的同步辐射光源,从而限制了它的应用范围。

自从EPON SU-8光刻胶出现后,立即在MEMS领域引起了广泛的关注,而以SU-8胶为材料的UV-LIGA技术逐渐成为微细、高深宽比加工的首选加工手段。

但是关于高深宽比SU-8胶的报道大多局限于以硅为基底[6-7],金属基底的SU-8胶工艺鲜有报道,而基底材料直接采用金属材料如铜、不锈钢等,在制作微细群电极时,对后续的加工环节非常有利,不但减少加工成本,简化工艺环节,增强工艺柔性,而且金属微电极与导电基片实现整合,为微细电火花或微细电解加工带来极大方便。

UV-LIGA技术制作微型螺旋形加速度开关

UV-LIGA技术制作微型螺旋形加速度开关
关 键 词 : UV- GA; U- LI S 8光 刻 ; 速 度 触 发 开 关 ; 加 牺牲 层 技 术
中 图 分 类 号 : N4 5 T 6 T 0 ; M5 4
文献标识码 : A
d i1 . 78 OP .0 0 8 5 1 5 o;0 3 8 / E 2 11 0 . 12
t i a e y u i g U V— GA e h o o y c mb n n t U一 h c e itp o e s h s p p r b sn LI t c n lg o i i g wi S 8 t ik r ss r c s 。m ir l c r f r h coee to o —
U — I A。 术 制 作 微 型 螺 旋 形 加 速 度 开 关 VLG 技
黄新龙 , 瑛 陈光焱 , 熊 , 田扬超 , 刚 刘
(. 1 中国科学技术大学 国家同步辐射实验 室, 安徽 合肥 202 ; 30 9
2 中国工程物理研究院 电子工程研究所, . 四川 绵阳 610 ) 29 0
第1 8卷
第 5期
光 精 密 工 程 学
O ptc nd Pr cson Engne rng isa e ii i ei
Vo . 8 No 5 11 .
M a y 201 0
21 0 0年 5月
文章编号
1 0—2 X(0 0 0- 120 0 49 4 2 1 )51 5—7
Fa rc in o c o ia c ee a in s th u i g UV- GA e h oo y b i o fmir r la c lr to wic sn at LI tc n lg
HU ANG n l n ,XI Xi -o g ONG n Yi g ,CHEN a g y n ,TI Gu n — a 。 AN n — h o ,LI Ga g Ya g c a U n

UV-LIGA工艺流图

UV-LIGA工艺流图
二、 工艺流程
1. 紫外厚胶光刻工艺 1)对硅片或玻璃片(厚度大于 1mm)进行清洗,并在 180℃烘 4 个小时以上以去
除表面水分子; 2)硅片一面溅射 2μm 左右厚的金属钛薄膜并进行湿法氧化发黑处理; 3)再次对其进行清洗并 180℃烘 4 个小时以上;
2
4)利用厚胶甩胶机在基片表面旋涂所需要厚度的 SU-8 胶; 5)利用程控烘箱或者热板对 SU-8 胶进行前烘处理。 6)用精密铣床切除由于边珠效应(edge bead effect)造成的边缘较厚的部分,
UV-LIGA 技术标准工艺
上海交通大学微纳米科学技术研究院
UV-LIGA 技术采用基于 SU8 光刻胶的厚胶紫外光刻工艺,大大降低了 LIGA 技术的加工成本,缩短了加工周期,并且可以制备台阶微结构,但其技术指标低 于同步辐射 LIGA 技术,适用于加工深度小于 500μm,线宽大于 5μm,深宽比小 于 20 的微结构。
一、 设备情况
溅射机: 德国 Laybold-Heraus 公司 Z-550 可进行直流、交流溅射,靶材有 Cu、Cr、Fe-Ni、Ti、Au 等 本底真空:2*10-6 mbar,射频最大功率:2.5 kW,直流最大功率:1 kW, 沉积速率:20-60nm/分钟 容量:3 英寸硅片 13 片
厚胶甩胶台:德国 Karl Suss 公司 RC8 可进行厚光刻胶的制备,具有程控功能 可用最大工作尺寸:3", 最大转速: 5000rpm 时间范围: 0-999s
30
30
50
显影时间 [min] 8 12 20 30
2. 模具电铸工艺 1) 微电铸镍: 电解液类型:改良瓦特镍镀液体系 镀液工作条件:温度:50-60℃,PH 值:4.5-5.0, 镀速:0.15-0.4μm/min 厚度范围:60-2000μm

SU-8胶光刻工艺

SU-8胶光刻工艺

25 40
显影时间 [min]
8 12 20 30
固化时间 [min]
10 16 25 35
1.2.2Polydimethysiloxane(PDMS)浇铸成模
1) 将衬底有 SU-8 光刻图形模具固定在真空热压机上,底部放上待模压的 PDMS; 2) 关闭模腔并抽真空,将图形压入 PDMS,升温至 120℃,保持 60s; 3) 降温至 40℃, 让模腔充气,打开模腔,取出 SU-8+PDMS 样品,并从 SU-8 图形上
3.1 SU-8 胶结构 .....................................................................................................................7 3.2 PDMS 表面金属化...........................................................................................................8
5)取出电铸后的 PDMS 样品,并将它烘干; 6)在氧等离子体气氛下去除 PDMS; 7)在显微镜下对电铸的微结构进行检查,以确定最终的产品是否是成品.
二 试验平台
光刻机:
德国Karl Suss公司 MA6(见图) 可进行正面和反面对准曝光, 最小线宽:2µm,对准精度:1µm
甩 胶 台:美国 AIO MICROSERVICE 公司(见图) 4 英寸厚胶甩胶台。可进行甩胶,前烘,显影及后烘
前烘时间 [min]
65℃ 95℃
曝光时间 [sec]
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LIGA技术简介

LIGA技术简介

塑铸成形
高深宽比微结构
IBM公司研发的SU-8胶是一种负性胶, 即曝光时, 胶中含有的少量光催化剂( PAG) 发生化学反应, 产生一种强酸, 能使SU-8胶发生热交联。SU-8胶 具有高的热稳定性、化学稳定性和良好的力学 性能, 在近紫外光范围内光吸收度低, 整个光刻 胶层可获得均匀一致的曝光量。
SLIGA工艺加工流程图
6.M2LIGA技术
为了控制微结构的侧壁倾斜度,便于形成具有不 同倾斜度的斜面、锯齿、圆锥或圆台等微结构,日 本科研人员在 1999年提了M2LIGA技术。该技术 用移动掩模X光深度光刻代替了常规的静止掩模X 光深度光刻。 在光刻时X光掩模不是固定不动,而 是沿着与光刻胶基片平行的方向移动或转动。 改变掩模图形、掩模运动轨迹和速度,就可以形 成各种不同的微结构。
DEM工艺流程图:
低阻硅片
(保护侧壁)
(KOH)
DEM工艺流程
DEM微结构照片
5.SLIGA-技术
SLIGA技术是结合硅面加工技术和常规LIGA技术而 开发出的一种新工艺,在这个工艺中,牺牲层用于 加工形成与基片完全相连或部分相连或完全脱离的 金属部件。 SLIGA技术可以制造活动的微器件。 SLIGA与LIGA异同:在平面基板上布设一层牺牲层 材料,如聚酰亚胺、淀积的氧化硅、多晶硅或者某 种合适的金属等 (与电镀的材料相比,这些材料比 较容易被有选择地去除)然后在基片和牺牲层上溅 射一层电镀基底。
ser-LIGA
Laser-LIGA是W.Ehrfeld等人在1995年首次提出 并使用的,它是采用波长为193nm的ArF准分子 激光器直接消融光刻PMMA光刻胶来取代X射线 光刻工序,其精度为微米级,深宽比适中(<10)
Laser-LIGA的主要工艺过程:

超声处理对UV-LIGA工艺中SU-8胶溶胀的影响

超声处理对UV-LIGA工艺中SU-8胶溶胀的影响

超声处理对UV-LIGA工艺中SU-8胶溶胀的影响杜立群;刘亚萍;李永辉;李成斌【摘要】Ultrasonic treatment was originally introduced into UV-LIGA technology in this paper. The effect of ultrasonic treatment on SU-8 swelling was researched, and ultrasonic mechanism of SU-8 swelling was explored. Then, a novel method to reduce SU-8 swelling and improve the dimensional precision of an electroformed microstructure was obtained. In experiments, the effect of ultrasonic treatment on the SU-8 swelling during the development and electroforming process was respectively studied, the surface hydrophilicity of SU-8 photoresist in different ultrasonic time was analyzed, and the SU-8 swelling removal ratio in different ultrasonic time was calculated. Furthermore, the effect ofrnultrasonic treatment on the dimensional precisions of different micro devices was discussed. The experimental results indicate that the SU-8 mould swelling in development process is not obvious, and the ultrasonic treatment has a little effect on the SU-8 mould swelling during development process. The effect of ultrasonic treatment on the SU-8 mould swelling mainly occurs in the electroforming process, and the SU-8 swelling and its surface hydrophilicity both decrease first and increase afterwards with increasing the ultrasonic time. By 10 min ultrasonic treatment, the SU-8 swelling removal ratio is up to 70%, and the dimensional error of electroformed microstructure is independent on the structure of SU-8 mould. Moreover, the reason that SU-8 swelling behavior varies with increasing ultrasonictime was explained based on the ultrasonic mechanical scission of polymer chain and water absorbing mechanism. In conclusion, the presented method to reduce the swelling of SU-8 resist mould does not depend on the process parameters and not increase the complexities of mask layouts, and is a practical method.%首次将超声处理引入UV-LIGA工艺中,研究了超声处理对SU-8胶模溶胀的影响,并探讨了其影响机理,从而获得了减小胶模溶胀及提高电铸微器件尺寸精度的方法.试验研究了超声处理对显影过程及电铸过程中SU-8胶模溶胀的影响,分析了不同超声时间下SU-8胶表面亲水性的变化趋势,并计算了不同超声时间下胶模的溶胀去除率.讨论了超声处理对不同结构微器件尺寸精度的影响.试验结果表明:SU-8胶模在显影过程中的溶胀不明显,并且超声处理对显影过程中胶模的溶胀影响很小,其主要影响SU-8胶模在电铸过程中的溶胀.随着超声时间的增加,胶模溶胀及其表面亲水性均呈现先减小后增大的趋势.当超声时间为10 min时,胶模溶胀最小,其溶胀去除率a值可高达70%,并且超声处理后电铸微器件的尺寸误差与结构尺寸无关.根据超声波的机械断键作用与聚合物吸水机理,从亲水性和内应力两个方面,探究了SU-8胶模溶胀随超声时间的增加而变化的原因.文中提出的减小SU-8胶溶胀的方法不依赖于工艺参数也不会增加掩模图形设计的复杂性,是一种实用的减小SU-8胶溶胀的新方法.【期刊名称】《光学精密工程》【年(卷),期】2012(020)009【总页数】8页(P2006-2013)【关键词】超声处理;SU-8光刻胶;溶胀;电铸;UV-LIGA【作者】杜立群;刘亚萍;李永辉;李成斌【作者单位】大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁大连,116024;大连理工大学辽宁省微纳米及系统重点实验室,辽宁大连,116024;大连理工大学辽宁省微纳米及系统重点实验室,辽宁大连,116024;大连理工大学辽宁省微纳米及系统重点实验室,辽宁大连,116024;大连理工大学辽宁省微纳米及系统重点实验室,辽宁大连,116024【正文语种】中文【中图分类】TN305.7;TB5591 引言高聚物SU-8光刻胶由IBM公司于1995年推出并已市场化。

SU-8胶光刻工艺解读

SU-8胶光刻工艺解读

UV-LIGA编制单位: 编制人: 编制日期:华中科技大学MEMS中心徐智谋何少伟2004.10 工艺技术规范UV-LIGA 工艺规范一工艺路线及工艺流程 (3)1.1 工艺路线 (3)1.2 工艺流程 (3)1.2.1 SU-8胶光刻工艺 (3)1.2.2 Polydimethysiloxane(PDMS)浇铸成模 (4)1.2.3 PDMS表面金属化 (4)1.2.4 在PDMS样品上电铸微模具 (4)二试验平台 (5)三试验样品 (6)3.1 SU-8胶结构 (7)3.2 PDMS表面金属化 (8)一工艺路线及工艺流程1.1工艺路线微塑铸光刻1.2工艺流程1.2.1SU-8胶光刻工艺1) 对衬底进行清洗,并在200℃烘30分钟以上以去除表面水分子;2) 用厚胶甩胶工艺在基片表面旋涂所需要厚度的SU-8胶;3) 利用热板对SU-8胶进行前烘处理,在热板上缓慢冷却;4) 在Karl Suss MA6紫外光刻机上进行接触式曝光;5) 对曝光后的SU-8胶在热板上进行后烘热处理,得到交联的SU-8胶结构;注:由于交联的SU-8胶结构内应力很大,可以导致基底弯曲变形和胶的开裂.所以加热必须缓慢,冷却应在热板上随热板冷却到室温。

6) 超声显影,得到光刻胶图形。

7) 将SU-8胶微结构在150℃-200℃下在热板上进行固化.不同厚度SU8光刻工艺参数厚度[µm]光刻胶甩胶速率[rpm]前烘时间[min] 65℃95℃曝光时间[sec]后烘时间[min] 65℃95℃显影时间[min]固化时间[min]1.2.2Polydimethysiloxane(PDMS)浇铸成模1) 将衬底有SU-8光刻图形模具固定在真空热压机上,底部放上待模压的PDMS;2) 关闭模腔并抽真空,将图形压入PDMS,升温至120℃,保持60s;3) 降温至40℃, 让模腔充气,打开模腔,取出SU-8+PDMS样品,并从SU-8图形上脱下PDMS图形.1.2.3 PDMS表面金属化1) 清洗PDMS样品图形表面并做溅射前的处理;2) 将PDMS样品放入溅射机的真空腔并抽真空到合适的镀膜真空度; 3) 在PDMS 样品表面溅射100nm钛+300nm镍;4) 真空腔充气, 打开真空腔,取出表面金属化的PDMS样品.1.2.4在PDMS样品上电铸微模具1)将氨基磺酸镍作为主盐,PH值3.5-4,溶液温度升到40℃±2℃,循环过滤(小于0.4微米)以控制电铸槽的旋浮颗粒大小; 2)将PDMS样品放入电铸槽中;3)加1000HZ,占空比1:10,电流密度2A/cm2的脉冲电源; 4)根据不同的高度,电铸不同的时间;5)取出电铸后的PDMS样品,并将它烘干;6)在氧等离子体气氛下去除PDMS;7)在显微镜下对电铸的微结构进行检查,以确定最终的产品是否是成品.二试验平台光刻机:德国Karl Suss公司 MA6(见图)可进行正面和反面对准曝光,最小线宽:2µm,对准精度:1µm甩胶台:美国AIO MICROSERVICE公司(见图)4英寸厚胶甩胶台。

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上海交通大学博士后士学位论文基于SU-8胶的UV-LIGA技术及其应用研究姓名:刘景全申请学位级别:博士后士专业:电子科学与技术指导教师:蔡炳初2002.6.1第一章绪论机城与微电子的集成。

它产生较早,1971年CaseWesternReserve大学设计制造了集成硅压力传感器。

1977年Standford大学发展了电容式压力微传感器。

PetersenK在1982年发表的硅在机械构件中应用的综述论文丌创了MEMS纪元。

1987年UniversityofCaliforniaatBerkeley研制了转子直径为60—120um的硅静电马达,用硅微加工技术制作了三维可动的机电系统。

硅静电马达这一标志性的成果极大地推动了MEMS的发展,图1—4为Berkeley开发的静电马达与一根发丝的比较图。

图1—5为用硅平面工艺研制的微型加速度计,在汽车中用作安全气囊的触发装置。

它实现了微机械结构与电路的集成,包括一个多晶硅梳状结构的加速度传感器和在同一硅片上的信号处理电路。

此后产生了微陀螺、微泵(见图1.6)、微阀、微流量器件等l””I。

图1-4Berkeley丌发的静电微马达图l一5微型加速度计上海交通人学博十后研究I作报告图1-6利用体硅加工的微泵(2)MOEMSMOEMS(Micro.opto.electro-mechanicalSystem)为微光机电系统。

自1969年StewartMiller提出集成光学(IntegratedOptics)的概念以来,将光学系统集成在,靼~芯片上成了许多研究者的目标,光学器件之问通过光波导连接,这类似于连接电子器件之间的导线。

在过去的三十年,集成光学已经取得了令人嘱目的成果,但这些研究工作主要局限于两维平面光波导结构,仅能处理零维或一维的空间光信号,而不能处理两维的空间光信号如光学成像、图象处理等。

进入二十世纪九_卜年代随着微机械加工技术特别是表砸微加工技术的发展,使制作新型光学元件成为可能,因此诞生了MOEMS。

它是微机械、微电子和微光学相互结合的产物。

集成微光机电系统研究的目标是将微机械结构、微传感器、微执行器、微电子电路和微光学元件等集成在同一硅基片上,形成智能化的、具有多种功能的微系统。

目前集成光机电系统已越来越受到人们的重视,成为国际上的一个研究热点”20]。

F图为比较有代表的几个微光机电系统。

图1.7带有微铰链的微镜第一章绪论图1—8数字微镜器件(DMD)(3)RF—MEMS随着微电子技术的飞速发展,微系统的发展己逐步渗透到无线通讯领域。

采用微系统的产品,不仅可以实现大批量生产,而且具有价格便宜,体积小,质量轻,可靠性高等优点。

目前通讯工程中仍存在大量射频技术必不可少的片外分离单元,使系统占有较大的空间尺寸。

这些无源元件由于常规集成方法难以将它们集成在系统芯片中,从而影响了整机系统的进一步集成和性能的继续提高。

微系统技术与射频技术的结合带来了新的机遇。

这些射频装置进一步的发展趋势是减少体积和重量,降低功耗,提高可靠性和多功能化。

另外,现代射频通信系统容量很大,用户可以使用的带宽很窄,故射频装置需要采用频率选择性好的滤波器件和极为稳定的本机振荡器。

为了满足这些要求,射频元件应该集成化,同时电容、电感、振荡器和滤波器还应该具有足够高的品质因数(高Q值),传输线(波导)、开关等在阻抗匹配、插入损耗和隔离度等方面应该满足一定的要求。

RF—MEMS就在这一背景下产生了[21-26J。

图1—9为一立体的微电感,图1.10为RF开关。

图l一9立体微电感上海交通大学博士后研究’1作报告图1.10膜片式RF丌关(4)MMEMSMMEMS是Micro—magnetic—electro—mechanicalSystem的缩写。

但这一名词使用的频率不高。

常常有人将这一类系统归入MEMS中。

图1-11为一立体微磁铁阵列。

图1-12为上海交通大学研制的直径lmm电磁微马达与一粒芝麻放在~起的照片。

利用这一微马达现已研制出微型减速器、微型直升飞机、微型车、以及微型光丌关等【”1。

图1-11为一立体微磁铁阵列图1-12电磁微马达(5)与热学量结合的微系统微系统与热学量结合,产生了微型火箭发动机和微型涡轮发动机等。

有人称之为PowerMEMS。

图1-13为宏观的涡轮发动机和采用微细加工方法制造的微型涡轮发动机(由MIT研制)比较。

它可用于微小卫星的引力补偿和位置保持、姿态控制和轨道控制。

最近美国有人提出阵列式微型火箭发射微型航天器的设想。

发动机用800只,推力重量比比航天飞机主发动机大20倍。

整个微型涡轮发动机第一章绪论包括一个空气压缩机、涡轮机、燃烧室、燃料控制系统以及电启动马达[28-30l。

'0。

900partslnletdla=2.8mAlrtlow=1100kg/secWeight=10tonsThrust=400。

000Nt(50MW)2partsInletdla#2mmAlrflow=0。

4g/secWeight=lgramThrust=0。

1-0。

2Nt(10一30watts)图l—13宏观的涡轮发动机和微型涡轮发动机比较(6)与声学量结合利用微细加工技术可以研制微型麦克,也可利用光刻技术来制插指电极实现声表面波器件(SAW)。

下图为利用铰链技术研制的微麦克。

图l-14采用表面anT技术研制的微麦克(7)与化学量结合(Bio—MEMS及化学传感器等)随着分子生物学的发展,人们已开始对所发现的已知基因进行功能研究。

另外上海交通人学博士J|亓研究1:作报告与疾病相关的研究已从研究起因向探索发病机理方面转移。

因此在后基因时代,研究人员必须利用有效的硬件技术对庞大的DNA信息以及蛋白质信息加以利用。

而在发展起来的各种技术中,发展最快和应用前景最好的是以生物芯片技术为基础的亲和结合分析、毛细管电泳分析法和质谱分析法。

采用生物芯片可进行生命科学和医学中所涉及的各种生物化学反应,从而达到对基因、抗原和活体细胞等进行测试分析的目的。

可以说生物芯片技术的出现将会给生命科学、医学、化学、新药开发、生物武器战争、食品和环境卫生等领域带来一场革命。

生物芯片是指运月】大规模集成电路光刻技术以及生物分子的自组装技术,在一个微小芯片上组装成千上万不同的DNA或蛋白质的生物分子微阵列,实现以基因为主的分子信息大规模检测。

图1—15为生物芯片的局部图。

图1.16为一基于MEMS的定量给药系统‘31’331。

图1.15生物芯片的局部图图1.16基于MEMS的定量给药系统(8)与多种物理和化学量等集成的器件(如Smart.dust,SensorWeb等)当将集成的范围进一步扩大,可以构成更为复杂的微系统。

图1—17为Berkeley第一章绪论研制的智能灰尘(Smart—dust),它集微传感器、微处理器、微发射器和微接收器于…体。

这是一个真『F意义上的微系统【34】。

图1.17基于MEMS的智能灰尘(9)基于微系统的应用系统。

要区分微系统及其应用系统,不要混淆起来。

应用系统可以是较大的系统。

它应用了微制造技术、微型器件或微系统。

如微型机器人、微型飞行器(MAV)和微卫星等1351。

下图为一微卫星的结构图。

图1-18基于微系统的微卫星集成和微型化是微系统的主要特征。

而且其集成的含义更广泛,不仅指同一Jn能器件量上的集成,而且还指多种功能器件的集成。

从MEMS、MOEMS、RF…MEMS这些概念的产生也能发现这一特点,我们可以相信按照这~发展规律会m现更多的集成系统。

我们在关注微系统技术向各领域渗透的同时,不要忘记集上海交通大学博十后研究I:作报告1.2.2三维加工技术三维的微结构在微系统中有着重要的应用,如微型传感器、微型致动器、微型毪行器、非球面微光学镜头的加工、三维管道等。

三维微细加工主要有Step—By.Step、准分子激光加工、LIGA、uV--LIGA、体硅加工技术、DRIE等。

Step—By.Step方法的实质是用一系列平面来逼近曲面,曲面精度取决于逼近平f爵的多少,它主要是对光刻胶一层一层曝光来实现的,图1.19为一个5u厚由1000层构成的复杂曲面结构。

这一方法有其独到之处,可实现许多复杂的结构,但其【艺过于冗长。

准分子激光三维加工主要是利用逐点来逼近曲面,它的加工方法主要有激光烧灼和单束激光通过调整光强来控制曝光深度,但这两种方法的控制精度不高。

目前最成功的例子是发表在Nature上由大阪大学研制的纳米牛,是山两束光在光刻胶内交差点处固化实现的,纳米牛只有~个红细胞大小,其定位精度为120nm,图1—20为纳米牛的照片。

这一技术丌发成功为加工复杂曲面结构提供了新技术【361。

另外也有利用微单元堆成所需的结构。

这~工艺非常复杂,其工作量大且控ti0精度高,但这一技术在制造纳米级的微小复杂结构是不可替代的。

图1.21为采用这一技术研制的分子马达。

图1—19Step--By--Step方法实现的复杂曲面图l一20纳米牛(图中刻度线长度为2u)第一章绪论图1.21分子马达目前高深宽比的三维结构研究取得了很大的进展。

国际上专门成立了学会HARMST(HighAspectRatioMicostructureTechnology)来探讨这~技术的进展,每年举办一次国际会议。

这种结构不具有复杂的曲面,其侧壁由直线构成,端面为任意曲线。

具有上述特征的三维结构在微系统中占很大比例,而且有很大的用处,如加速度传感器、微直齿轮、微棱镜等。

高深宽比是这一技术的主要指标。

|】前有多种技术可以用于微系统中高深宽比加工。

如反应离子刻蚀和感应耦合等离子体可获得数十微米,甚至数百微米深度的台阶。

但它们主要针对于硅材料。

对1:非硅材料的加工。

LIGA技术被认为是可得到最佳高深宽比的微加工技术,加工宽度为几微米到上千微米,且可实现微器件的批量生产。

是x光深度光刻、微电铸和微复制三种工艺的有机结合渺50J。

但LIGA需要昂贵的同步辐射光源和特制的掩模板。

多种基于LIGA技术同样设计思想的高深宽比微加工方法先后被提出并得到重视。

有一种观点甚至认为,高深宽比微结构加工的重大商业机会首先出现在低成本的准LIGA加工领域。

目前最具实用价值的是UVoLIGA技术。

§1.3本文的主要研究内容微型化和集成化是当今高科技发展的~个重要趋势。

如何使非电子系统集成一体已成为系统集成化和微型化的关键。

微系统技术可以有效将电子系统和非电F系统集成在一起,构成具有信息获耿、处理和执行等功能的微系统。

微细加工技术是实现微系统的手段。

目前较常用的微细加工技术主要有:硅表面加工技术、体硅加工技术、高深宽tkDnI技术、组装与键合技术等。

高深宽比(深宽比大于10)的微结构有许多重要的用途,如微飞行器(MAV)、高Q值微电容和微电感、微加速度计、微齿轮等。

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