实用BICMOS电路可测性设计
基于0.5μmCMOS工艺的一款新型BiCMOS集成运算放大器设计
现代 电子技术
Ｍ ｏｄ ｒ ｅ ｔ ｏ ｃ ｃ ｑ ｅ ｎ Ｅｌ ｃ ｒ ｎｉｓ Ｔｅ ｈｎｉｕｅ
Ｊｎ ２ １ ａ．０ １
Ｖｏ． ｏ ２ １ ３４ Ｎ ．
基于 ０ ５ ｍ Ｃ Ｓ工艺 的一款 新 型 ． ＭＯ ＢＣ Ｓ集成 运 算放 大 器设 计 ｉ ＭＯ
ｔａ ｓ ｎ ｉ ｌ ｉｎｉ ｐ ｒ ｒ ｄ ｎＴ ｓ ｉ ， ｎ ｈ ＭＯＳ Ｐ Ｐ ａ ｄＮ Ｎ ｂｐ ｌ ｃ ｎ ｌｇ ｂ ａ ｙ ｒ ｓｄｔ ｅ ｔ ｅ ｕ — ｒｎ ｉ ｔ ｍｕａ ｏ ｅｆ ｍｅ ｐｃ ａ ｄｔｅ ｅ ｓ ｔ ｓ ｏ ｉ ｅ Ｃ ， Ｎ ｎ Ｐ ｉ ａ ｔ ｈ ｏ ｙ ｉｒｒ ｅ ｅ ｓ ｔ ｈ ｐ ｏ ｒｅ ｏ ｌ ａ ｕ ｏ ｓ
Ｄｅ ｉ ｎ ｏ ｗ ＣＭ ＯＳ Ｉ ｔ ｇ ａ ｅ ｅ ａ ｉ ｎ ｌＡｍ ｐ ｉｉｒ ｓｇ ｆＮｅ Ｂｉ ｎ ｅ ｒ ｔｄ Ｏｐ ｒ ｔｏ ａ ｌｆｅ Ｂａ ｅ ｎ ０ ５ ｍ ｓｄ Ｏ ． ＣＭ Ｏ Ｓ Ｔｅ ｈ ｌ ｇ ｃ ｎｏ ｏ ｙ
ＺＨＡ（ ｕ ｎ ｏｆ ｈ ｐｅ ａ ｉ ａｌ ｍ ｐ ｉｉｒ ｏ ｐｏ ｅ ｆ ａ ｏｕ ｅ ｉ ｔ ｅ ｏ ｒ ｔｏｎ ａ ｌｆｅ ｃ ｍ ｓ ｄ ｏ Ｍ Ｏ Ｓ， ｂｉｏｌｒ ｒ ｎｓｓ ｏｒ ｄ ａ ｃｔ ｒ ｈｅ ｐ ａ ｔａ ｉｔ ｓ ａｎ ｃ ｐａ ｉｏ ｓ ｏｎ ｔ Ｍ ＣＮＣ ０ ．５ “ｍ Ｉ Ｃ
ｃ ｌ ｉ ａｊ ｓｅ ，ｉｃｕ ｉｇｗｉｔ ｏｌｎ ｔ ａｉ ｆ ＯＳｄ ｖｃ ｎ ａ ａｉａ ｃ ａｕ ｓｏ ｅｉｔ ｒ．Ａｆｅ ｈ ｉｃ ｉ ｄ ｓｇ ，ｔ ｅ ｕｔ ｓ ｄｕ ｔｄ ｎ ｌｄｎ ｄｈ ｔ ｅ ｇ ｈｒｔｏｏ Ｍ ｅ ｉ ａ ｄｃ ｐ ｃｔｎ ｅｖ ｌｅ ｆ ｓｓｏ ｓ ｅ ｒ ｔｒｔ ｅｃｒｕｔ ｅ ｉｎ ｈ
bicmos三态输出门电路的设计、制备及应用
３．３ ＭＯＳ 器件衬底偏置要点
提高所设计的 Ｂ ｉ Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ 三态门的速度性能， 还受到三态门的负载电容（即高速数字信息系统 中行线、列线或数据线分布电容和杂散电容）的 限制。为了减小这些电容，也为了保证 Ｍ Ｏ Ｓ 器件 的可靠绝缘和隔离，制备芯片时应使 Ｎ Ｍ Ｏ Ｓ 器件 衬底工作于负电位（为图示清晰，图 ２ ￣ ４ 中 Ｍ Ｏ Ｓ 器 件 衬 底 偏 置 连 线 均 未 画 出 ）。 这 一 负 偏 压 可 由
输入 ｕ 信号 ｉ
× Ｌ Ｈ
输出 ｕ
信号 Ｏ
高阻状态 Ｌ Ｈ
２．３ 利用附加管构成的 ＢｉＣＭＯＳ 三态反相器 图 ３ 是利用附加管构成的 Ｂ ｉ Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ 三态反相
器，图中 Ｖ Ｐ ２ 、Ｖ Ｎ ４ 为附加管，该门电路通过一
图 １ 几种设计时有用的ＣＭＯＳ门电路
２．２ 采用 ＣＭＯＳ 或非门和钳位电路的 ＢｉＣＭＯＳ 三 态缓冲／驱动器
Ａ ｂ ｓ ｔ ｒ ａ ｃ ｔ ： Ａ ｎｕｍｂｅｒ ｏｆ ＢｉＣＭＯＳ ｔｒｉｓｔａｔｅ ｌｏｇｉｃ ｇａｔｅｓ ａｒｅ ｄｅｓｉｇｎｅｄ， ａｎｄ ｓｏｍｅ ｍａｉｎ ｉｄｅａｓ ｏｆ ｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ ｔｈｅ ｄｅｓｉｇｎｅｄ ＢｉＣＭＯＳ ｔｒｉｓｔａｔｅ ｌｏｇｉｃ ｇａｔｅｓ ｕｓｉｎｇ ａｄｖａｎｃｅｄ ０．５μｍ ｐｒｏｃｅｓｓ ａｎｄ ｔｅｃｈｎｏｌ－ ｏｇｙ ａｒｅ ａｌｓｏ ｐｒｏｐｏｓｅｄ ｉｎ ｔｈｉｓ ｐａｐｅｒ． ＰＳｐｉｃｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｒｅｓｕｌｔ ｓｈｏｗｓ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｄｅｓｉｇｎｅｄ ＢｉＣＭＯＳ ｔｒｉｓｔａｔｅ ｃａｎ ｎｏｔ ｏｎｌｙ ｃｏｎｆｉｒｍ ｔｈｅ ｌｏｗ ｐｏｗｅｒ ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ ａｎｄ ｈｉｇｈ ｉｎｔｅｇｒｉｔｙ ｏｆ ＣＭＯＳ ｐａｒｔ， ｂｕｔ ａｌｓｏ ｏｂｔａｉｎ ｔｈｅ ａｄｖａｎｔａｇｅｓ ｏｆ ｈｉｇｈ－ｓｐｅｅｄ ａｎｄ ｌａｒｇｅ ｄｒｉｖｉｎｇ ａｂｉｌｉｔｙ ｏｆ ｂｉｐｏｌａｒ ｐａｒｔ， ｓｏ ｔｈａｔ ｔｈｅｓｅ ＢｉＣＭＯＳ ｔｒｉｓｔａｔｅ ｌｏｇｉｃ ｇａｔｅｓ ａｒｅ ｖｅｒｙ ｓｕｉｔａｂｌｅ ｆｏｒ ｈｉｇｈ－ｓｐｅｅｄ ｄｉｇｉｔａｌ ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｓｙｓｔｅｍ ａｎｄ ｏｔｈｅｒ ｈａｎｄ－ｈｏｌｄ ｄｉｇｉｔａｌ ｅｑｕｉｐｍｅｎｔｓ．
一种BiCMOS欠压保护电路的设计
比较器等辅助模块 ，工艺实现容 易，可用 于功率集成电路 或单 片集成 电源 。仿 真结果表明 ，该电路 能在欠压 时输
数字电路BiCMOS技术
数字电路BiCMOS技术数字电路BiCMOS技术是一种将双极性晶体管（Bipolar）和金属氧化物半导体场效应晶体管（CMOS）结合起来的制造技术。
它充分利用了两种晶体管的优势，并在高速性能和低功耗方面提供了更好的解决方案。
本文将从BiCMOS技术的概念、原理、应用以及优缺点等方面进行探讨。
一、BiCMOS技术概述BiCMOS技术是指将Bipolar和CMOS两种晶体管集成在同一块芯片上，以实现高集成度和优越性能的目标。
BiCMOS技术通过在CMOS上集成bipolar晶体管来克服CMOS器件速度和功率消耗方面的缺点，从而使得集成电路在高速运算和低功耗上能够取得良好的平衡。
BiCMOS技术的工艺流程主要包括CMOS工艺和双极性晶体管工艺两部分。
CMOS工艺主要用于制作CMOS晶体管，而双极性晶体管工艺则用于制作bipolar晶体管。
通过精确且可控的工艺流程，BiCMOS技术能够在同一块芯片上实现两种不同类型晶体管的集成。
二、BiCMOS技术原理BiCMOS技术的原理基于Bipolar和CMOS晶体管之间的互补作用。
CMOS晶体管由P型和N型金属氧化物半导体场效应晶体管组成，它具有低功耗和高噪声抑制能力；而bipolar晶体管由PN结和NPN结组成，具有高电流放大和高频率特性。
通过将这两种晶体管结合在一起，BiCMOS技术实现了高速度和低功耗的优势。
当需要高速操作时，使用bipolar晶体管进行放大和驱动操作；而在不需要高速操作时，使用CMOS晶体管进行低功耗的待机操作。
通过这种组合，BiCMOS技术能够在数字电路的设计中实现高性能和低功耗的要求。
三、BiCMOS技术应用BiCMOS技术在现代集成电路中具有广泛的应用。
由于其高速度和低功耗的特点，BiCMOS技术被广泛应用于数字信号处理器（DSP）、数据通信、网络交换、高速计算机、高性能寄存器以及高速模数转换器等领域。
DSP是BiCMOS技术应用的典型代表。
Ka波段BiCMOS低功耗驱动放大器设计
Ka波段BiCMOS低功耗驱动放大器设计作者：王绍权廖余立王鑫来源：《现代信息科技》2020年第12期摘要：该文介绍了一款Ka波段（33.0 GHz～37.0 GHz）低功耗驱动放大器。
此放大器使用SiGe BiCMOS工艺设计，其采用了Cascade级联结构，提高了放大器的电源电压和工作频率带宽，通过实现共射极与共基极的级间匹配，可以有效地提高放大器的增益。
测试结果表明：在33.0 GHz～37.0 GHz频率范围内，放大器增益大于15.0 dB，OP-1dB为-6.0 dBm。
此放大器采用5.0 V供电，工作电流为8 mA，面积为0.7 mm2。
关键词：Ka波段;放大器;SiGe BiCMOS;有源相控阵雷达中图分类号：TN722.3 文献标识码：A 文章编号：2096-4706（2020）12-0047-04Abstract：In this paper，a Ka-band（33.0 GHz～37.0 GHz） low power driver amplifier is presented. This amplifier tapes out with SiGe BiCMOS process. To improve its power supply and the bandwidth，cascade structure is used. For effectively obtain high power gain of amplifier，the inter-stage matching network between common emitter circuits and common base circuits is used. The measurements indicate that the power gain is larger than 15 dB，the OP-1dB is -6.0 dBm from 33.0 GHz to 37.0 GHz. The power supply is 5.0 V and the static current is 8 mA and the area is 0.7 mm2.Keywords：Ka-band;amplifier;SiGe BiCMOS;active phased array radar0 引言现代有源相控阵由成千上万个天线和收发多功能（T/R）模块构成。
BiCMOS电路分析和设计实例
BiCMOS电路分析和设计实例学号：10448039姓名：韩旭摘要：双极型兼容CMOS（BICMOS）技术是双极型技术与CMOS技术相结合的产物。
双极型技术可以确保高速的开关和I/O速度，高驱动电容以及优越的噪声性能。
与此同时，CMOS 技术则能够保证较低的功耗，高噪声容限和高封装密度等特性。
因此BICMOS技术无疑称得上是“两个领域中最杰出成员”的联姻。
实现了同时包揽双极型技术和CMOS技术所独有的各项优点。
本文选取三个实例，以综述的形式说明BICMOS的结构特点，以及应用的特性。
一．基于SPICE模型的“最差类型”双极晶体管模型在BICMOS中的应用，示例性的讲解了BICMOS的电路级建模要求。
二．介绍一种使用ＢICMOS技术的开关电流电路，用于说明BICMOS在实现低供电电压，高速器件方面的优势。
三介绍一种高性能的BICMOS 输出缓冲器，用于说明BICMOS技术在高速，高分辨率，高线性特性方面的应用。
关键词：BICMOS 建模高性能正文：一．B ICMOS电路中的双极型晶体管的电路建模（一）简介我们在SPICE中以一种支电路的形式建构一种BICMOS中的双极晶体管模型，这个模型是基于“最差类型”而建构的。
所谓“最差类型”就是指在没有埋层或外延层的CMOS 井中形成双极晶体管的集电极。
这种模型可以被用作DC仿真，并且包含了大量与晶体管相关的寄生参数。
这种“最差类型”的晶体管具有很大的非线性集电极电阻，并且会产生一个高增益的衬底寄生晶体管，这个寄生晶体管在特定的工作条件下将产生很大的衬底电流。
我们建构这个模型的过程在于着重分析非线性集电极电阻和寄生晶体管的建模过程，并分析模型的仿真结果。
（二）“最差类型”双极晶体管结构分析“最差类型”的双极晶体管结构如图（１）所示：图（１）：BICMOS工艺中形成的纵向NPN双极晶体管示意图由图（１）可以看出，这个纵向的NPN管形成于Ｎ井中。
其内部基极由Ｐ型注入形成。
一种新型BiCMOS灵敏放大器设计
中图 分 类 号 ：ＴＮ４３３
文 献 标 识 码 ：Ａ
文 章 编 号 ：１６７４—６２３６（２０１６）１１－０１７３—０４
Ａ ｎｅｗ ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ ＢｉＣＭ ＯＳ ｓｅｎｓｅ ａｍ ｐｌｉｆｉｅｒ
ＭＡ Ｌｉ－ｆｅｎｇ，Ｗ ＡＮＧ Ｈａｏ－ｒａｎ
（Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｓｏｌｉｄ－ｓｔａｔｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ Ｃｈｉｎａ， Ｃｈｅｎｇｄｕ ６１００５４，Ｃｈｉｎａ）
１ ＢｉＣＭ ｏＳ灵 敏 放 大 器 的 电路 结 构 及 其 工 作 机 理
提 高存 储 器 的读 取 速 度 就 显 得 非 常 重 要 ，ＯＴＰ存 储 器 的 读 取 １．１ 电 路 结构
速 度 主要 由 读 出 电 路 中的 灵 敏 放 大 器 来 决 定 的 。灵 敏 放 大 器
力 的 巨 大 差 异 来 分别 表 示 “０”和 …１’两 种 状 态 。理 想 情 况 下 ， 反 熔 丝 编 程 前 保 持 在 断 开 状 态 ，而 编 程 后 显 示 为 连 通 状 态嘲。 数 据 读 取 速 度 作 为存 储 器 性 能 的一 项 非 常 重 要 的指 标 ，因 此
最 后 ，在 ＭＣ公 司 的 Ｏ．１８ ｔｘｍ 工 艺 库 下 进 行 Ｓｐｅｃｔｒｅ仿 真 ，仿 真 结果 显 示 最 大 读 取 时 间仅 为 １３ ＢＳ，同 时仿 真 结 果 验
证 该 灵 敏 放 大 器 具有 读取 速度 快 。读 取 数 据 稳 定 以及 准 确性 高 的特 点 。
关 键 词 ：ＢｉＣＭＯＳ；灵敏 放 大 器 ；预 充 电 ；反 熔 丝
一种电流开关型BiCMOS锁存比较器电路[实用新型专利]
![一种电流开关型BiCMOS锁存比较器电路[实用新型专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/f37fc2f9c5da50e2534d7f14.png)
专利名称：一种电流开关型BiCMOS锁存比较器电路专利类型：实用新型专利
发明人：师帅
申请号：CN200820158223.0
申请日：20081230
公开号：CN201341126Y
公开日：
20091104
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本实用新型涉及一种电流开关型BiCMOS锁存比较器电路，包括预放大器、再生放大锁存器和同时与所述预放大器、再生放大锁存器连接的电流开关，所述的电流开关包括两个NMOS管(M1、M2)，且两个NMOS管(M1、M2)的栅极分别用于接收时钟信号，启动所述的电流开关型BiCMOS锁存比较器电路，且NMOS管(M1)的源极和NMOS管(M2)的源极同时连接一电流源(IEE)。
本实用新型既具有现有的电流开关双极型比较器电路快速、输入失调电压低和大电流驱动能力的优点，又具备CMOS电路低功耗和高集成度的特性，满足了高速高精度模数转换芯片(ADC)的工作需求。
申请人：上海贝岭股份有限公司
地址：200233 上海市宜山路810号
国籍：CN
代理机构：上海兆丰知识产权代理事务所
代理人：章蔚强
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高速BiCMOS运算跨导放大器的设计
高速BiCMO S运算跨导放大器的设计车红瑞1,王海柱1,杨建红1,金璐2(11兰州大学微电子研究所,兰州730000;21辽宁大学,沈阳110036摘要:基于全差分结构提出一种高速BiC M OS运算跨导放大器,该放大器采用两级放大结构实现,可用于8位250Msps流水线结构模数转换器的采样/保持电路中。
电路使用0135μm BiC M OS工艺实现,由313V单电源供电,经优化设计后,实现了211GH z的单位增益带宽,直流开环增益61dB,相位裕度50°,功耗16mW,输出摆幅达到2V;在2pF的负载电容下,建立时间小于016ns,转换速率1200V/μs。
该放大器完全符合设计要求的性能指标。
关键词:双极互补金属氧化物半导体;模拟电路;跨导运算放大器;流水线中图分类号:T N34211文献标识码:A文章编号:10032353X(20090120041204Design of H igh Speed BiCMOS Operational Transconductance Amplifier Che H ongrui1,Wang Haizhu1,Y ang Jianhong1,Jin Lu2(11Institute o f Microelectronics,Lanzhou Univer sity,Lanzhou730000,China;21Liaoning Univer sity,Shenyang110036,ChinaAbstract:A313V fully differential BiC M OS operational transconductance am plifier(OT Awas designed.I t was realized by tw o2stage structure,and could be used in sam pling2h olding circuit of an8bits250Msps pipelined analog2digital converter(ADC.T he simulated DC gain of the OT A is61d B and its unity gain frequency is 211G H z at a phase m argin of50°.T he OT A has a differential output s wing of2V anddissipates16mW.T his OT A settles within016ns and the SR is1200V/μs whiledriving2pF capacitive loads.All the design is based on the process m odel of Xfab0135μm BiC M OS.K ey w ords:BiC M OS;analog circuit;operational am plifier;pipelineEEACC:12200引言目前,模数转换器(A/D转换器在无线通信、数字信号处理和高速数据采集等领域中得到广泛的应用。
实用BiCMOS电路可测性设计
实用BiCMOS电路可测性设计
叶波;郑增钰
【期刊名称】《微电子学》
【年(卷),期】1994(24)6
【摘要】本文提出了ＢｉＣＭＯＳ电路的实用可测性设计方案，该方案与传统方法相比，可测性高，硬件花费小，仅需额外添加两个ＭＯＳ管和控制端，就可有效地用单个测试码测出ＢｉＣＭＯＳ电路的开路故障和短路故障，减少了测试生成时间，可广泛应用于集成电路设计中。
【总页数】3页(P1-3)
【关键词】BiMOS电路;故障;可测性;集成电路
【作者】叶波;郑增钰
【作者单位】复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
【正文语种】中文
【中图分类】TN432
【相关文献】
1.BiCMOS电路可测性设计探讨 [J], 叶波;郑增钰
2.模拟电路可测拓扑条件和可测性分析及可测性设计 [J], 孙义闯;何怡刚
3.开路故障可测的CMOS电路实用设计方案 [J], 刘建都
4.印制电路板的可测性设计与可测性总线 [J], 刘家松
5.基于实用性设计技巧在电子电路设计中的应用探讨 [J], 曾世杰
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单电源BiCMOS四象限模拟乘法器的研究与设计
vout = R B
1 2
vx
1 2
vy
-
VTH N1
+
1 2
vy
+ VTHN 2 +
1 2
vy
+
VTHN 3
+
1 2
vy
-
VTHN 4
。
( 5)
M 1 和 M 3 源端接 OTA 的输入端, M1 和 M 3 源端 电压相等 (体效应也相同 ), 从而使得 VTHN1 = VTHN3。 同样, 对于 M2 和 M 4 来说, 有 VTHN 2 = VTHN4, 所以可以 得到
) 746 )
西北大学学报 (自然科学版 )
第 37卷
图 6 完整的四象限 B iCOM S模拟乘法器 F ig. 6 T he who le schema tics o f four-quadrant B iCMO S ana logue m ultiplier
3 模拟结果
采用典型的 016 Lm B iCMOS工艺对此乘法器进 行了设计实现 ( 管子的尺寸见图 5, 6所示 )。H SP ICE 模拟结果表明: 在 5 V 单电源供电的条件下, 输入电 压 vx 和 vy 的变化范围均为 - 215 ~ 215 V, 步长变化 为 015 V时, 得到的直流传输特性曲线如图 7所示。当 输入电压范围限于 ? 2 V 时, 乘法器相对于 vx 和 vy 的 非线性误差 (主要是由电路中同类器件间的失配以及 衬偏效应造成的 ) 分别小于 016% 和 019% , 图 8所 示, 上下分别对应正、负输入时的非线性误差, - 3 dB 带宽大于 100 MH z, 功耗小于 419 mW。
当前单电源供电已成为数字和模拟 IC 设计的 一个主要设计目标, 它不但可以降低系统成本; 而且 可以减少电路的功耗, 提高集成密度和便携式电子 产品的电池寿命。四象限模拟乘法器是模拟信号处 理系统中常用的 基本单元, 广泛地应用于 调制、解 调、检波、混频、鉴相、人工神经网络、自适应滤波器、 盲信号分离及其他信号处理电路中。 G ilbert单元电 路诞生以后, 利用双极技术在制作高精度、高速度的 模拟乘法器方面取得很大成功。随着 CMOS技术的 发展, 出现了全 CMOS结构的模拟乘法器电路, 但和 双极 G ilbert单元一样, 这类乘法器不能在单电源下 工作, 而 且 - 3dB 带宽 小、线性 输入 信号 范 围窄。 B iCMOS技术兼 顾双极和 CMOS 技术的优 点, 已广 泛应用在数模混合系统中, 采用 B iCMOS技术实现 的乘法器与双极模拟乘法器具有相 近的速度和精 度, 另外具有良好的线性度、较宽的带宽、较大的输 入输出信号幅度和较低的噪声, 并且只需要单电源 供电。
基于BiCMOS工艺可修调的高精度低温度系数带隙基准源设计
基于BiCMOS工艺可修调的高精度低温度系数带隙基准源设计王文建【摘要】设计了一种利用电阻比值校正一阶温度系数带隙基准电路的非线性温度特性来实现低温度系数的高精度低温度系数带隙基准源;同时设置了修调电路提高基准电压的输出精度.该带隙基准源采用0.8μm BiCMOS(Bipolar-CMOS)工艺进行流片,带隙基准电路所占面积大小为0.04 mm2.测试结果表明:在5 V电源电压下,在温度-40℃～125℃范围内,基准电压的温度系数为1.2×10-5/℃,基准电流的温度系数为3.77×10-4/℃;电源电压在4.0 V～7.0 V之间变化时,基准电压的变化量为0.4 mV,电源调整率为0.13 mV/V;基准电流的变化量为变化量约为0.02μA,电源调整率为6.7 nA/V.%A high precision low temperature coefficient bandgap reference is designed. The bandgap reference source corrects the non-linear temperature characteristic of the bandgap reference circuit of the first-order temperature coefficient by using the ratio of the resistance,so that the accuracy and the temperature coefficient of the reference voltage are greatly improved. The trimming circuit is also used to improve the output accuracy of the reference voltage. 0.8 μm BiCMOS( Bipolar-CMOS) process was used to fabricate the wafers. The bandgap reference circuit occupied 0.04 mm2. The results show that the temperature coefficient of the reference voltage is 1.2×10-5/℃ and the temperature coefficient of the reference current is 3.77×10-4/℃ in the temperature range of -40 ℃～125 ℃under the 5 V power supply voltage. When the power supply voltage changes between 4.0 V～7.0 V,the variation of the referencevoltage is 0. 4 mV and power supply regulation rate is 0. 13 mV/V, the variation of the reference current is about 0.02 μA and power supply regulation rate is 6.7 nA/V.【期刊名称】《传感技术学报》【年(卷),期】2017(030)005【总页数】4页(P674-677)【关键词】温度传感器芯片;带隙基准;温度系数;电源调整率【作者】王文建【作者单位】浙江商业职业技术学院应用工程学院,杭州310053【正文语种】中文【中图分类】TN432温度传感器广泛应用于工业仪表、消费电子等领域[1-5],温度传感器芯片中需要高性能基准源,基准源提供的基准电压和基准电流直接影响温度传感器的精度和稳定性。
BiCMOS的工艺与电路设计
BiCMOS的工艺与电路设计
G.Zimmer;郭林
【期刊名称】《微电子学》
【年(卷),期】1990(20)6
【摘要】本文论述了双极/CMOS(BiCMOS)兼容工艺和线路技术的现状,给出了先进的BiCMOS技术在各种应用中的例子以及对双极和MOS晶体管进行比较的理
论分析;提出了适用于模拟和数字的新型BiCMOS线路技术;研究表明,BiCMOS技
术可为模拟电路,如运放、低阻抗输出级和模拟乘法器提供显著的优势;用于缓冲器、接口电路、逻辑门和宏单元(即乘法器、RAM、CAM)的数字系统,受益于新型的线路技术;本文给出的几个例子证明,BiCMOS优于标准CMOS。
【总页数】10页(P54-63)
【关键词】VLSI;工艺;电路设计;BiCMOS
【作者】G.Zimmer;郭林
【作者单位】
【正文语种】中文
【中图分类】TN470.2
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1.三值BiCMOS通用驱动电路设计 [J], 姚茂群;沈继忠
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3.一种用于DC／DC变换器中的BiCMOS迟滞比较器电路设计 [J], 吴海波;谭传
武
4.基于SiGe BiCMOS工艺的射频ESD电路设计 [J], 吴舒桐;张甘英
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一种新型BiCMOS灵敏放大器设计
一种新型BiCMOS灵敏放大器设计马利峰;王浩然【期刊名称】《电子设计工程》【年(卷),期】2016(024)011【摘要】In this paper, a new type of BiCMOS sense amplifier for the antifuse OTP memory was proposed.This sense amplifier consisted of operational structure, precharge and discharge control circuits. And it used the BiCMOS technology. This amplifier could successfully detect the antifuse which was programmed and still had very high resistance. Finally,the simulation was implemented with the library of TSMC 0.18um process and the tools of this process was Spectre simulator. The simulation result showed that the access time of this sense amplifier was only 13 ns, and indicated that the sense amplifier had very excellent performances in speed, stability and accuracy.%本文设计了一种应用于反熔丝型OTP存储器的新型BiCMOS灵敏放大器电路。
本设计的电路运用了BiCMOS技术，以运放结构为基础，结合预充电和放电控制机制，能够将编程后呈高阻抗状态的反熔丝成功读出为导通状态。
一种低电压高频率采用自举电路的BiCMOS驱动电路
一种低电压高频率采用自举电路的BiCMOS驱动电路潘华兵;来新泉;贾立刚
【期刊名称】《世界电子元器件》
【年(卷),期】2004(000)003
【摘要】本文给出一种适用于低电压、高开关频率升压型DC-DC转换器的BiCMOS驱动电路.该驱动电路采用自举升压技术,它的工作电压最低可达1.5V,在负载电容为60pE条件下,工作频率达5MHz.文章详细的介绍了此驱动电路设计思想,并且给出最终设计电路.电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计,经Hspice仿真验证达到设计目标.
【总页数】3页(P65-67)
【作者】潘华兵;来新泉;贾立刚
【作者单位】西安电子科技大学CAD所 ;西安电子科技大学CAD所;西安电子科技大学CAD所
【正文语种】中文
【中图分类】TN7
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1.一种适于低压高频DC-DC的自举BiCMOS驱动电路 [J], 潘华兵;来新泉
2.一种采用PLM调制方法的LED驱动电路 [J], 毛佳佳;杨依忠;季翔宇;张章;解光军
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压放大器 [J],
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7.5V高精度BiCMOS电压调整器的设计
7.5V高精度BiCMOS电压调整器的设计
袁小龙;历晓华;吴晓波
【期刊名称】《微电子学》
【年(卷),期】2009(39)2
【摘要】提出一种应用于有源功率因数校正控制芯片的7．5V高精度线性电压调整器的设计。
由于采用了多种改进措施，包括片上微调电阻网络的应用，该调整器具有良好的电压调整特性和很高的温度稳定性。
此外，调整器还集成了过流保护功能。
该电路采用1．5μm BiCMOS工艺设计实现，面积为0．42min×0．63mm。
测试结果表明，在12V供电电压下，当负载电流在0～20mA范围内变化时，其
负载调整率达23％／A。
片上微调电阻的应用使其可获得很低的温度系数。
【总页数】5页(P203-207)
【关键词】线性电压调整器;负载调整率;微调电阻;BiCMOS;过流保护
【作者】袁小龙;历晓华;吴晓波
【作者单位】浙江大学超大规模集成电路设计研究所;浙江大学网络与信息中心【正文语种】中文
【中图分类】TN433
【相关文献】
1.一种高精度BiCMOS带隙基准电压源的实现 [J], 刘敏侠;李福德
2.一种高精度BiCMOS带隙电压基准源的设计 [J], 李淼;冯全源
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新型BiCMOS集成运算放大器设计
新型BiCMOS集成运算放大器设计
为了提高运算放大器的驱动能力，依据现有CMOS 集成电路生产线，介绍一款新型BiCMOS 集成运算放大电路设计，探讨BiCMOS 工艺的特点。
在S- Edit 中进行BiCMOS 运放设计电路设计，并对其电路各个器件参数进行调整，包括MOS 器件的宽长比和电容电阻的值。
完成电路设计后，在T-spice 中进行电路的瞬态仿真，插入CMOS，PNP 和NPN 的工艺库，对电路所需的电源电压和输入信号幅度和频率进行设定调整，最终在W-Edit 输出波形1 电路本文基于MCNC 0.5 μm CMOS 工艺线设计了BiCMOS 器件，其集成运算放大器由输入级、中间级、输出级和偏置电路4 部分组成。
输入级由CMOS 差分输入对即两个PMOS 和NMOS 组成;中间级为CMOS 共源放大器;输出级为甲乙类互补输出。
M2 管和M4 管构成CMOS 放大器，两个管子都工作在饱和区，其电压增益等于M2 管的跨导gM2 和M2，M4 两管的输出阻抗并联的乘积，即：
式(4)表明，CMOS 差分放大器具有较高的增益。
该增益随电流的减少而增大;随MOS 管宽长比的增加而增高;随两只管子沟长高调制系数λ的减少而增加，所以设计时，应尽可能增加沟道长度，减小λ值，以此来提高CMOS 的增益。
偏置电路用来提供各级直流偏置电流，它由各种电流源电路组成。
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